GALIUM NITRIDE (GaN)

Untuk memenuhi tugas mata kuliah Fisika Zat Padat

Disusun oleh:
Tika Kurniawati (1501115043)

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS KEGUURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN
UNIVERSITAS MUHAMMADIYAH PROF.DR.HAMKA
 Gallium Nitride (GaN)

Gallium Nitride adalah semikonduktor biner III/V langsung yang umum digunakan pada
diode pemancar cahaya sejak tahun 1990-an. Senyawa merupakan bahan yang sangat
keras yang memiliki struktur Kristal heksagonal. Celah pita lebar 3,4 eV memberikannya
sifat khusus untuk aplikasi di optoelektronik, perangkat berkekuatan tingi dan frekuensi
tinggi. Misalnya, GaN adala substrat yang emmungkinkan diode laser violet (405 nm),
tanpa penggunaan penggabda frekuensi optik nonlinear. Sensitivitasnya terhadap radiasi
pengion adalah rendah (seperti nitrides kelompok III lainnya), membuatnya menjadi bahan
yang cocok untuk susunan sel surya untuk satelit.

Karakteristik Gallium Nitride:

a. Massa molar : 83,730 g/mol

b. Penampilan : bubuk kuning
c. Massa jenis : 6,1 g/cm3
d. Titik lebur : >25000 C
e. Kelarutan dalam air : Tidak larut
f. Band gap : 3,4 eV
g. Elektron mobilitas : 1500 cm2/ (V s s) (300K)
h. Konduktivitas termal : 1,3 W / (cm.K)
i. Indeks bias (n0) : 2,429
j. Struktur kristal : wurtzite
k. Kelompok ruang angkasa : C6v4 –P63 mc
l. Konstanta kisi : a = 3.186 Å, c = 5.186 Å
m. Koordinasi geometri : Tetrahedral
n. Standar pembentukan entalpi : -110.2 kJ/mol
 Gambar bentuk Gallium Nitride

Gallium Nitride (GaN) sensitivitasnya terhadap radiasi pengion adalah rendah

(seerti nitrides kelompok III lainnya), ini membuat Gallium Nitride (GaN) menjadi
bahan yang cocok untuk susunan sel surya dan satelit. Dan transistor Gallium Nitride
(GaN)dapat beroperasi pada suhu yang jauh lebih tinggi dan bekerja pada tegangan
yang jauh lebih tinggi. Kristal Gallium Nitride (GaN) sangat keras, bahan semi
konduktor bangdap yang stabil secara mekanik dengan kapasitas panas dan
konduktivitas panas yang tinggi. Dalam bentuk murni itu tahan retak dan dapat
disimpan dalam film tipis pada safir atau silicon karbida, meskipun ketidakcocokan
dalam konstanta kisi mereka. GaN dapat didoping dengan silicon (Si) atau dengan
oksigen ke tipe-n dan dengan magnesium (Mg) ke tipe-p. namun, atom Si dan Mg
mengubah cara Kristal GaN tumbuh, memperkenalkan tegangan tarik dan membuat
mereka rapuh. Senyawa Gallium Nitride juga cederung memliki kerapatan dislokasi
yang tinggi, pada urutan 108 hingga 1010.

Perkembangan Gallium Nitride (GaN)

Gallium Nitride (GaN) dengan kualitas Kristal tinggi dapat diperoleh dengan
menyimpan lapisan penyangga pada suhu rendah. Gallium Nitride (GaN) berkualitas
tinggi seperti itu mengarah pada penemuan p-type GaN, pn junction blue/ UV –LED dan
emisi stimulasi suhu-kamar. Hal ini telah meyebabkan komersialisasi LED biru
berkinerja tinggi dan diode laser-ungu seumur hidup panjang, dan perkembangan
perangkat berbasisnitrida seperti detector UV dan transistor efek medan berkecepatan
tinggi. Telah ditumbuhkan film tiis GaN diatas substrat sapphire (0001) dengan
tekhnik hot-wire pulsed laser deposition dengan temperatur substrat dan hot wire
masing-masing 6800 dan 10000C. pengaruh tekanan parsial gas yang divariasikan dari
0,15 mbar sampai 0,35 mbar, ternyata dapat mempengaruhi struktur Kristal dan
morflogi film. Pada film yang ditumbuhkan dengan tekanan parsial gas 0,15 mbar tanpa
menggunakan filamen tersebut masih terdapat partikulasi GaN yang terbentuk dengan
ukuran 0,1 sampai 0,4 𝜇m, naun pembentukan partikulasi tersebut mulai berkurang
apabila terkena parisal gas diperbesar hingga 0,35 mbar dengan menggunakan filamen
pemanas.
Transmission Elektron Microscopy (TEM) of Gallium Nitride (GaN)

Pada TEM, sampel yang disiapkan sangat tipis sehingga elektron dapat menembusnya
kemudian hasil dari tembusan elektron tersebut yang diolah menjadi gambar.

Mikroskop Elektron Transmisi Resolusi Tinggi (HRTEM) pada Gallium Nitride

Mikroskop Elektron Transmisi Resolusi Tinggi (HRTEM) adalah modus pencitraan

mikroskop electron transmisi khusus (TEM) yang memungkinkan untuk pencitraan
langsung dari struktur atom sampel. HRTEM adalah alat yang kuat untuk mempelajari
sifat bahan pada skala atom, seperti semikonduktor,logam, nanopartikel.

Gambar HRTEM Gallium Nitride (GaN)

Kontras dari gambar HRTEM muncul dari interferensi dibidang gambar dari gelombang
elektron dengan dirinya sendiri. Karena ketidakmampuan kita untuk merekam fase
gelombang elektron, hanya amplitudo dalam bidang gambar yang direkam. Namun, sebagian
besar informasi struktur sampel terkandung dalam fase gelombang elektron. Untuk
mendeteksi itu, penyimpangan dari mikroskop (seperti defocus) harus disetel dengan cara
yang mengubah fase gelombang di pesawat keluar spesimen menjadi amplitudo dalam
bidang gambar. Interaksi gelombang elektron dengan struktur kristalografi sampel adalah
kompleks, tetapi ide kualitatif dari interaksi dapat dengan mudah diperoleh. Setiap elektron
pencitraan berinteraksi secara independen dengan sampel.

Grafik Gallium Nitride