Anda di halaman 1dari 7

RENCANA PEMBELAJARAN SEMESTER

Mata Kuliah : Teknik Rangkaian Terintegrasi Kode : EE6217 Semester : 6 Sks : 2

Jurusan : Teknik Elektro

Dosen pengampu :

Capaian Pembelajaran Mata Kuliah : Menguasai konsep teoritis bidang teknik elektro

MINGGU KEMAMPUAN AKHIR BAHAN KAJIAN METODE WAKTU PENGALAMAN KRITERIA BOBOT
KE YANG DIHARAPKAN (Materi ajar) PEMBELAJARN BELAJAR PENILAIAN NILAI
MAHASISWA Dan Indikator

Memahami Urutan da- Fakta umum Rangkaian


sar dan Diagram-Alir Terintegrasi (IC). Kuliah 200 menit Mempelajari M: 1,2 Pengertian ttg.pro-
proses Pabrikasi Urutan dasar dan Dia- Diskusi ses Photoresist
1-2 gram-Alir Pabrikasi. Diskusi dan Lay-out.
Photolithografy,proses
Photoresist,dan Lay-out

Mampumerancang Lay- Perancangan Lay-out un Mempelejari M:3,4 Kemampuan dan ke


out Komponen-kompo tuk komponen R,C ,Tran Kuliah 200 menit Diskusi tepatan dalam me-
3-4 nen: R,C,dan Transistor sistor, dan rangkaian se Diskusi Responsi rancang /menghi-
Mampu merancang Lay- derhana. Responsi tung /me nggambar
out rangkaian sederha- TUGAS-1 ukuran-ukuran Lay- 15%
na. out.
Mampu menjelaskan Proses Diffusi (Planar) Pengertian ttg.Pro-
proses diffusi Impurity Diffusi-Predeposit Kuliah 300 menit MempelajariM:5,6,7 ses Diffusi.
dalam silicon-wafer. Diffusi-Drive-In. Diskusi Diskusi Kemampuan meng-
5-7 Mampumenghitungke- Oxidasi Responsi Responsi hitung kedalaman/
dalaman /lamanya pro- lamanya proses diff.
ses diffuse. TUGAS-2 Pengertian ttg.kete- 15%
Balan lapisan CO2.

Mampu menjelaskan Modifikasi proses Diff.: Pengertianttg.Variasi dari


Proses Diffusi : VATE,VI *proses Isoplanar&VAT Kuliah 200 menit Mempelajari M:8,9 cara proses diffu
P,dan Isolasi dielektrik. *proses multiphaseMo- Diskusi si.
8-9 Mampu menjelaskan torola (VIP), dan Isola- Diskusi Pengertian ttg.cara
proses pembuatan R&C si dielektrik. pembuatan kompo-
dengan Thin-Film. *proses pembuatan R, QUIST-1 R dan C dengan 20%
C dengan Thin-Film. “ Thin-Film “.

Mampu menjelaskan Transistor JFET dan MOS- Pengertian ttg. Prin-


prinsip kerja transistor FET: Kuliah 400 menit Mempelajari M: 10, sip kerja transistor
JFET,berdasarkan struk- *Prinsip kerja Diskusi 11, 12 dan 13 JFET,dan MOSFET
10-13 turnya. *Struktur berdasar strukturnya.
Mampu menjelaskan *Karakteristik Diskusi Pengertian ttg. Tstr.
prinsip kerja transistor CMOS,MNOS&SAG
MOSFET,berdasar struk- *CMOS,MNOS,SAG TUGAS-3 10%
turnya.
Mengerti dan memaha- *Differensial-Amplifier Pengertian tentang
mi kegunaan /fungsi *Ops. Amp. Kuliah 200 menit Mempelajari M: 14 kegunaan dan karak
dari beberapa jenis *Voltage-regulator Diskusi Dan 15. teristik dari bebera
14-15 Chip IC yang ada dipa- *Komparator Diskusi pa Chip IC yang ada
Saran. *ADC, DAC, dsb. TUGAS-4 di pasaran. 10%
QUIST-2 20%
Mampu menjawab per- Mempelajari selu- Pengertian tentang
tanyaan-pertanyaan Seluruh materi-ajar yg. Wawancara ruh materi-ajar. maksud dan sasa-
16 seputar materi-ajar telah di-ajarkan di Kelas 300 menit ran mata Kuliah. 10 %
yang telah di-ajarkan. Wawancara
Ketepatan jawaban atas
pertanyaan.

BUKU-BUKU ACUAN : [1]. D.J .Hamilton& W.B.Howard, “Basic Integrated Circuit Engineering”, Mc.Graw-Hill, 1975.

[2]. Richard C. Jaeger, “Introduction to Microelectronics Fabrication”, Prentice Hall, 2002.

[3]. Arthur B. Glasser & Gerald E, Subact-Sharpe, “Integrated ct. Eng. Design,Fabrication and Application”,

Addison-Wisley.Co, 1977.

** Catatan : M = Modul, berisi materi-ajar dan contoh soal.


RANCANGAN TUGAS 1

Mata Kuliah : Teknik Rangkaian Terintegrasi

Semester :6 SKS : 2

Minggu ke :4 Tugas ke : 1

1. TUJUAN TUGAS : Mampu menjelaskan proses “Photoresist”,mampu merancang “Lay-out”untuk: komponen R,C,dan rangkaian sederhana.

2. URAIAN TUGAS : a. Obyek garapan : Proses Photoresist, cara perancangan komponen : R,C, dan rangkaian sederhana.

b. Yang harus dikerjakan : Mengerjakan Soal 1pada M-2 dan Soal 1,2,3 pada M-4.

c. Metode/cara pengerjaan, acuan yang digunakan : Gunakan rumus untuk menghitung ukuran jadi dan bentuk-bentuk Masker

yang di pelukan, kemudian hitung ukuran Lay-out berdasar pengecilan photography yang ada.

Acuan : M : 2,3 dan 4.

d. Deskripsi luaran tugas yang dihasilkan / dikerjakan : Penjelasan dan Perhitungan dilakukan dengan teliti, dan ditulis dengan

rapi pada kertas jawaban, kemudian serahkan pada dosen, sesuai batas waktu yang diberikan.

3. KRITERIA PENILAIAN :

a. Ketepatan pemakaian hukum/rumus…..........20 %

b. Ketepatan perhitungan…...............................50 %

c. Kesimpulan terhadap hasil analisis………………20 %

d. Kerapian dan sistematika penulisan…………….10 %


RANCANGAN TUGAS 2

Mata Kuliah : Teknik Rangkaian Terintegrasi

Semester :6 SKS : 2

Minggu ke :7 Tugas ke : 2

1. TUJUAN TUGAS : Mampu menghitung kedalaman diffusi sebagai fungsi dari waktu, baik pada diffusi:” Pre-deposit”maupun “ Drive-In “.

2. URAIAN TUGAS : a. Obyek garapan : Proses Diffusi : “Pre-deposit” dan “Drive-In”.

b. Yang harus dikerjakan : Mengerjakan soal no.1,2dan 3 pada Modul-6.

c. Metode/cara pengerjaan, acuan yang digunakan : Gunakan rumus proses Diffusi: “ Pre-deposit” dan “ Drive-In”.

Acuan : M-5 dan M-6.

d. Deskripsi luaran tugas yang dihasilkan / dikerjakan : Perhitungan dilakukan dengan teliti, dan ditulis dengan rapi pada

kertas jawaban, kemudian serahkan pada dosen, sesuai batas waktu yang diberikan.

3. KRITERIA PENILAIAN :

a. Ketepatan pemakaian hukum/rumus…..........20 %

b. Ketepatan perhitungan…...............................50 %

c. Kesimpulan terhadap hasil analisis………………20 %

d. Kerapian dan sistematika penulisan…………….10 %


RANCANGAN TUGAS 3

Mata Kuliah : Teknik Rangkaian Terintegrasi

Semester : 6 SKS : 2

Minggu ke : 13 Tugas ke : 3

1. TUJUAN TUGAS : Mampu menjelaskan struktur dan prinsip kerja dari Transistor JFET dan MOSFET.

2. URAIAN TUGAS : a. Obyek garapan : Transistor JFET dan MOSFET.

b. Yang harus dikerjakan : Membuat gambar struktur dan penjelasan prinsip kerja dari Transistor JFET dan MOSFET.

c. Metode/cara pengerjaan, acuan yang digunakan : Gambarkan struktur JFET dan MOSFET, jelaskan prinsip kerjanya.

Acuan : M-10 dan M-12 .

d. Deskripsi luaran tugas yang dihasilkan / dikerjakan : Gambar struktur dibuat dengan jelas, prinsip kerja ditulis dengan rapi

pada kertas jawaban, kemudian serahkan pada dosen, sesuai batas waktu yang diberikan.

3. KRITERIA PENILAIAN :

a. Ketepatan pemakaian hukum/rumus…..........20 %

b. Ketepatan perhitungan…...............................50 %

c. Kesimpulan terhadap hasil analisis………………20 %

d. Kerapian dan sistematika penulisan…………….10 %


RANCANGAN TUGAS 4

Mata Kuliah : Teknik Rangkaian Terintegrasi :

Semester :6 SKS : 2

Minggu ke : 15 Tugas ke: 4

1. TUJUAN TUGAS : Mengetahui berbagai macam chip-IC yang terdapat di-pasaran, di buku-buku,atau di Internet.

2. URAIAN TUGAS : a. Obyek garapan : Macam-macam/jenis chip-IC.

b. Yang harus dikerjakan : Mempelajari fungsi dan prinsip kerja dari salah satu macam/jenis chip-IC.

c. Metode/cara pengerjaan, acuan yang digunakan : Pelajari data-data,fungsi,dsb. dari salah satu macam/jenis komponen IC.

Acuan : Buku komponen IC, buku acuan pelajaran TRT,Internet.

d. Deskripsi luaran tugas yang dihasilkan / dikerjakan : Gambarkan dan uraiakan dengan rapi pada media presentasi, siap di-

presentasikan di depan Kelas.

3. KRITERIA PENILAIAN :

a. Ketepatan pemakaian hukum/rumus…..........20 %

b. Ketepatan perhitungan…...............................50 %

c. Kesimpulan terhadap hasil analisis………………20 %

d. Kerapian dan sistematika penulisan…………….10 %

Anda mungkin juga menyukai