LITHOGRAPHY

Electron Beam Lithography

Electron Beam Lithography (EBL) adalah teknik khusus untuk menciptakan pola yang
sangat halus (~ 50 nm). Secara sederhana, teknik EBL terdiri atas proses pemindaian (scanning)
berkas electron di permukaan yang ditutupi dengan film resist yang peka terhadap elektron
tersebut, sehingga dapat menyimpan energi pada pola yang diinginkan dalam film resist
tersebut. Karakteristik utama dalam teknologi ini adalah :

1) Kemampuan resolusi sangat tinggi.

2) Merupakan teknik yang fleksibel, dapat bekerja dengan berbagai macam bahan.
3) Jauh lebih lambat dari lithography optik.
4) Harganya mahal dan perawatan alat yang dibutuhkan juga cukup tinggi.

Ide dasar dibalik EBL Lithograpy identic dengan lithografi optik maupun yang lainnya.
Substrat dilapisi dengan lapian resisten yang tipis (e-resist), yang diubah secara kimia dibawah
paparan berkas electron. Sehingga area yang terpapar (pada positif resist) atau yang tidak
terpapar (pada negative resist) dapat larut dalam sebuah pelarut lithografi spesifik. Proses ini
disebut Developmet (Pengembangan).

Figure 1. E-Resist Crossection

Setelah menghapus resistansi yang terekspos, lapisan logam tipis diendapkan pada
substrat. Pada area yang terpapar berkas electron, logam yang diendapkan menempel pada
substrat, sementara pada area yang tidak terpapar maka logam menempel pada permukaan resist.
 Proses pengambilan gambar pada tahapan scanning menggunakan mikroskop SEM
(Scanning Electron Microscopy) dengan cara memindai berkas elektron yang melintasi sampel
dan mengumpulkan beberapa sinyal dari interaksi balok sampel yang digunakan untuk
mengontrol intensitas titik pada monitor yang memindai dalam sinkronisasi dengan balok pada
sampel. Karakteristik dari Mikroskop SEM yang diperlukan adalah sebagai berikut :

1) Kolom, yang berisi electron gun, magnetic lenses (untuk mengarahkan dan memfokuskan
beam) dan chamber (sebagai ruang specimen).
2) Sistem vakum, yang memastikan agar kolom dan ruang specimen berada pada posisi
vakum.
3) Sistem operasi dan tampilan untuk menganalisis sinyal dan melakukan konfigurasi.

Substrat untuk EBL harus memenuhi prasyarat yang berkebalikan (kontradiksi) dengan
kondisi wafer. Substrat untuk EBL harus konduktif, sebaliknya wafer akan membangun sebuah
muatan listrik yang akan membelokkan berkas elektron sehingga mendistorsi yang ditarik pola.
Di sisi lain dasar untuk rangkaian elektronik jelas harus isolasi agar tidak terjadi hubungan
singkat. Substrat yang paling digunakan adalah (semikonduktor) silicon dengan lapisan isolasi
tipis silicon dioksida diatasnya. Substrat lain yang mungkin digunakan adalah pelat kaca yang
dilapisi dengan logam (ITO, krom pada kaca (banyak digunakan pada produksi mask di
Indonesia).

Untuk melakukan EBL diperlukan resist yang dapat diubah secara kimia dibawah
paparan electron beam. Ada cukup banyak resist yang memerlukan bahan kimia yang berbeda
untuk proses development (pengembangan) dan litoff. Salah satu bahan pertama yang
dikembangkan untuk proses e-beam litografi di Indonesia adalah polimetil metakrilat (PMMA).
Ini adalah standar resist untuk positif e-beam dengan resolusi tinggi dan ketersediaan yang
melimpah.

Meskipun alat EBL mampu membentuk probe yang sangat baik, akan menjadi lebih
kompleks ketika elektron mengenai workpiece. Saat elektron menembus melalui resist ke
substrat, banyak dari mereka akan mengalami peristiwa hamburan sudut besar (Hamburan
Balik). Elektron yang hambur-balik menyebabkan efek kedekatan. Efek utama dari efek
kedekatan adalah fitur kecil yang terpapar kurang dari fitur yang lebih besar, yang menyebabkan
distorsi yang signifikan pada fitur yang sangat kecil.
Extreme Ultraviolet Lithography

Litografi ultraviolet ekstrem (juga dikenal sebagai EUV atau EUVL ) adalah
teknologilitografi generasi berikutnya yang menggunakan serangkaian panjang gelombang
ekstrim ultraviolet (EUV), yang secara kasar mencakup bandwidth FWHM 2% sekitar 13,5 nm.
Photomik EUV bekerja dengan memantulkan cahaya, yang dicapai dengan menggunakan
beberapa lapisan molibdenum dan silikon secara bergantian. Masker EUV terdiri dari 40 lapisan
silikon dan molibdenum yang berselang-seling. multilayer ini bertindak untuk memantulkan
cahaya ultraviolet ekstrim melalui difraksi Bragg. Reflektansi adalah fungsi yang kuat dari sudut
datang dan panjang gelombang, dengan panjang gelombang yang lebih panjang mencerminkan
lebih dekat kejadian normal dan panjang gelombang lebih pendek yang mencerminkan lebih jauh
dari kejadian normal. Pola ini didefinisikan dalam lapisan penyerap berbasis tantalum di atas
multilayer.

Teknologi EUVL adalah teknologi canggih dengan sumber cahaya 13,5 nm (sangat
pendek) dan dapat diterapkan di luar node 10 nm. EUVL memungkinkan penggunaan hanya satu
eksposur mask daripada multieksposur. Namun masih ada 3 permasalahan yang harus
diselesaikan sebelum teknik ini dapat diterapkan dalam produksi massal yaitu sumber energi
cahaya, resist dan infrastruktur mask. Diantara masalah-masalah ini, untuk membuat alat
lithografi seperti itu, kapasitas produksi ekonomis dan menghasilkan sumber cahaya yang stabil
adalah masalah yang paling sulit untuk dipecahkan.

Tabel berikut merangkum perbedaan utama antara sistem EUV dalam pengembangan dan
sistem perendaman ArF yang sudah banyak digunakan dalam produksi saat ini:
 Sebelum ada teknologi EUVL, teknik yang digunakan untuk mengemas transistor ke
dalam chip dikenal sebagai deep-ultraviolet lithography. Teknik ini menyerupai fotografi
yang memfokuskan cahaya melalui lensa untuk mengukir pola sirkuit
pada wafer silikon. Menggunakan cahaya extreme ultraviolet (EUV) untuk mengukir
transistor dalam wafer silikon akan membuat processor memiliki kecepatan hingga seratus
kali lipat dari yang ada sekarang. Masalah yang timbul dari penggunaan deep-ultraviolet
lithography adalah semakin kecil panjang gelombang cahaya, cahaya diserap oleh lensa kaca
untuk memusatkannya. Akibatnya, cahaya tidak sampai ke silikon sehingga tak ada pola
sirkuit yang terbentuk pada wafer. Di sinilah EUVL mengambil alih. Dalam EUVL, lensa
kaca digantikan oleh cermin untuk memusatkan cahaya.

Berikut adalah cara kerja EUVL :

1. Seberkas laser diarahkan pada semburan gas xenon. Ketika laser menabrak gas xenon,
ia akan memanaskan gas dan menciptakan plasma.
2. Setelah plasma terbentuk, elektron mulai terlontar dari sana dan memancarkan cahaya
bergelombang 13 nm, yang terlalu pendek untuk terlihat mata manusia.
3. Cahaya itu merambat ke sebuah pemampat, yang mengumpulkan cahaya sehingga
diarahkan ke pelindung.
4. Representasi dari satu tingkat chip computer digambarkan pada ermin dengan
menerapkan penyerap pada sebagian cermin dan sebagian lagi tidak. Hal ini
menciptakan pelindung.
 5. Pola pada pelindung dipantulkan pada serangkaian empat hingga enam cermin
melengkung, menurunkan ukuran citra, dan memusatkan citra pada wafer silikon.
Setiap cermin sedikit membelokkan cahaya untuk membentuk citra yang akan
dialihkan pada wafer.

Referensi :

 P. Rai-Choudry: Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication, Volume

1: Microlithography, SPIE, 1997
 JEOL JXA-840A Electron probe microanalyzer Instructions
 Boštjan Berčič, Introduction to Electron Beam Lithography, Jožef Štefan Institute, Jamova 39,
1000 Ljubljana, Slovenia
 https://adityarizki.net/mengenal-extreme-ultraviolet-lithography-euvl/ (Diakses pada 3
September 2019 pukul 22.54 WIB)
 https://en.wikipedia.org/wiki/Extreme_ultraviolet_lithography (Diakses pada 3 September
2019 pukul 23.08 WIB)
 https://www.sciencedirect.com/topics/materials-science/extreme-ultraviolet-lithography
(Diakses pada 3 September 2019 pukul 23.11 WIB)