PRAKTIKUM ELEKTRONIKA I
TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SINGAPERBANGSA KARAWANG
11
Aturan Umum
Laboratorium Elektronika
Kelengkapan
Setiap praktikan wajib berpakaian lengkap, mengenakan celana panjang/ rok, kemeja dan
mengenakan sepatu. Untuk memasuki ruang laboratorium praktikan wajib membawa
kelengkapan berikut:
Modul praktikum
Alat tulis dan kalkulator
Kartu Praktikum.
Persiapan/Sebelum Praktikum
Selama Praktikum
Setelah dipersilahkan masuk dan menempati bangku dan meja kerja, praktikan haruslah:
11
Panduan Umum Keselamatan dan
Penggunaan Peralatan Laboratorium
Keselamatan
Pada prinsipnya, untuk mewujudkan praktikum yang aman diperlukan partisipasi seluruh
praktikan dan asisten pada praktikum yang bersangkutan. Dengan demikian, kepatuhan
setiap praktikan terhadap uraian panduan pada bagian ini akan sangat membantu
mewujudkan praktikum yang aman.
Bahaya Listrik
Perhatikan dan pelajari tempat-tempat sumber listrik (stop-kontak dan circuit breaker) dan
cara menyala-matikannya. Jika melihat ada kerusakan yang berpotensi menimbulkan
bahaya, laporkan pada asisten.
Hindari daerah atau benda yang berpotensi menimbulkan bahaya listrik (sengatan
listrik/ strum) secara tidak disengaja, misalnya kabel jala-jala yang terkelupas dll.
Tidak melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan bahaya listrik pada diri sendiri
atau orang lain.
Keringkan bagian tubuh yang basah karena, misalnya, keringat atau sisa air
wudhu.
Selalu waspada terhadap bahaya listrik pada setiap aktivitas praktikum.
Kecelakaan akibat bahaya listrik yang sering terjadi adalah tersengat arus listrik. Berikut
ini adalah hal-hal yang harus diikuti praktikan jika hal itu terjadi:
Jangan panik,
Matikan semua peralatan elektronik dan sumber listrik di meja masing-masing dan
di meja praktikan yang tersengat arus listrik,
Bantu praktikan yang tersengat arus listrik untuk melepaskan diri dari sumber
listrik,
Beritahukan dan minta bantuan asisten, praktikan lain dan orang di sekitar anda
tentang terjadinya kecelakaan akibat bahaya listrik.
11
Selalu waspada terhadap bahaya api atau panas berlebih pada setiap aktivitas
praktikum.
Bahaya Lain
Untuk menghindari terjadinya hal-hal yang tidak diinginkan selama pelaksanaan percobaan
perhatikan juga hal-hal berikut:
Jangan membawa benda tajam (pisau, gunting dan sejenisnya) ke ruang praktikum
bila tidak diperlukan untuk pelaksanaan percobaan.
Hindari daerah, benda atau logam yang memiliki bagian tajam dan dapat melukai
Hindari melakukan sesuatu yang dapat menimbulkan luka pada diri sendiri atau
orang lain, misalnya bermain-main saat praktikum
Lain-lain
Praktikan dilarang membawa makanan dan minuman ke dalam ruang praktikum.
Sanksi
Pengabaian uraian panduan di atas dapat dikenakan sanksi tidak lulus mata kuliah
praktikum yang bersangkutan
11
BAB I
KARAKTERISTIK DIODA, PENYEARAH & FILTER
2.2. Pendahuluan
2.2.1. Teori Dasar
Salah satu kegunaan dioda adalah untuk penyearah, yaitu mengubah arus AC (bolak-balik)
menjadi arus DC (searah). Persamaan penyearah tegangan DC yang dihasilkan oleh
rangkaian penyearah dioda adalah:
dimana Vm adalah tegangan puncak (maksimum) AC (Volt), f adalah fekuensi dari sinyal AC
[Hz], dan C adalah besarnya kapasitor yang terpasang dan berfungsi sebagai filter dikeluaran
penyearah [F, farad]. Proses penyearah menghasilkan tegangan DC yang masih mengandung
riak atau ripel (ripple), yaitu tegangan AC yang masih menumpang di atas sinyal DC. Sebuah
sumber tegangan DC ideal memiliki resistansi keluaran Ro=0. Dari persamaan di atas,
kondisi ini dapat didekati dengan nilai C sebesar mungkin. Dengan C besar, diharapkan
mendekati kondisi sumber tegangan DC ideal : R o mendekati 0, menekan ripel serendah
mungkin (filter), dan berfungsi sebagai regulator (penyetabil) tegangan DC yang keluar.
11
2.2.2. Karakteristik Dioda
Dalam percobaan ini akan kita amati karakteristik Id terhadap Vd dari tiga dioda yaitu: dioda
Si, dioda Ge, dan dioda Zener. Dioda pertama dan kedua adalah dioda umum yang berbeda
berdasarkan bahannya (Germanium dan Silicon). Dioda kedua adalah dioda zener yang
dibuat khusus yaitu sebagai penyetabil tegangan-tegangan DC. Dengan menggunakan
rangkaian kit praktikum yang tersedia, amati dan pahami tegangan nyala dioda (cut-in) dan
tegangan rusak (breakdown). Dari kurva karakteristik yang diperoleh dapat juga kita hitung
besarnya resistansi dinamis dioda pada suatu titik kerja di kurva. Terakhir adalah
mempelajari penggunaan dioda berdasarkan karakteristik tersebut.
2.2.3. Penyearah
Dalam percobaan ini akan diamati dua jenis penyearah yaitu penyearah setengah gelombang
(Half Wave), penyearah gelombang penuh (Full Wave) dengan menggunakan rangkaian
jembatan.
Menggunakan kit praktikum yang tersedia kita akan dapat memahami:
1. Perbedaan penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.
2. Bentuk karakteristik dioda pada keluaran.
3. Pengaruh beban untuk masing-masing jenis penyearah.
11
(a)
11
6. Ulangi prosedur diatas untuk perbedaan nilai tegangan sumber DC untuk reverse bias.
7. Membuat karakteristik untuk jenis dioda tersebut.
11
2.4.2. Percobaan Penyearah dan Filter
2.4.2.1.Percobaan Penyearah Setengah Gelombang
11
(a)
1. Membuat rangkaian penyearah gelombang penuh dengan diode jembatan pada modul
praktikum sesuai dengan gambar 2.3 (a) atau (b) di atas.
2. Memasang beban resistor dan kapasitor sesuai petunjuk instruktur.
3. Menghubungkan titik G dan ground dengan oscilloscope, juga hubungkan titik G
dan F dengan multimeter digital untuk mengukur arus DC dan voltmeter pada beban
untuk mengukur tegangan beban.
4. Mengamati bentuk gelombang dan tegangan ripel pada osciloscope, dan juga amati
besarnya arus yang mengalir dan tegangan beban pada multimeter digital dan catat
hasilnya pada lembar data.
5. Membuat rangkaian penyearah gelombang penuh dengan transformator center Tap
pada modul praktikum sesuai dengan gambar 2.3 (c) di atas.
11
Tabel 2-1.
Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Junction Forward Bias
No Tegangan Arus Dioda Id Tegangan Dioda Tegangan Resistor VR
Supply (mA) Vd (Volt) (Volt)
(volt)
1 0,2
2 0,4
3 0,6
4 0,8
5 1
6 2
7 4
8 6
9 8
10 10
Tabel 2-2.
Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Junction Reverse Bias
11
2.5.2. Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Zener Forward Bias
Tabel 2-3.
Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Zener Forward Bias
No Tegangan Arus Dioda Id Tegangan Dioda Tegangan Resistor VR
Supply (mA) Vd (Volt) (Volt)
(volt)
1 0,2
2 0,4
3 0,6
4 0,8
5 1
6 5
7 10
8 15
9 20
10 25
Tabel 2-4.
Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Zener Reverse Bias
11
(volt)
1 1
2 2
3 4
4 6
5 8
6 10
7 12
8 14
9 16
10 18
11
2.5.3. Hasil Percobaan Penyearah ½ Gelombang tanpa kapasitor
11
2.5.4. Hasil Percobaan Penyearah ½ Gelombang dengan kapasitor filter
Observasi :
11
[1] Penyearah ½ Gelombang tanpa kapasitor filter
Tegangan Input AC (rms) Vrms= ___________
Tegangan output DC VDC = ___________
Arus DC: IDC =______________
Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________
2.5.5. Hasil Percobaan Penyearah Gelombang Penuh diode jembatan tanpa kapasitor
Bentuk gelombang input pada sekunder transformator
11
2.5.6. Hasil Percobaan Penyearah Gelombang penuh diode jembatan dengan kapasitor
filter
11
Bentuk gelombang Output pada beban
Observasi :
[1] Penyearah ½ Gelombang tanpa kapasitor filter
Tegangan Input AC (rms) Vrms= ___________
Tegangan output DC VDC = ___________
Arus DC: IDC =______________
Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________
11
2.5.7. Hasil Percobaan Penyearah Gelombang penuh dengan transformator CT tanpa
kapasitor
11
Bentuk gelombang input pada sekunder transformator
Observasi :
[1] Penyearah ½ Gelombang tanpa kapasitor filter
Tegangan Input AC (rms) Vrms= ___________
Tegangan output DC VDC = ___________
Arus DC: IDC =______________
Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________
11
Arus DC: IDC =______________
Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________
11
BAB II
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR
3.1. Tujuan
- Memahami dan mempelajari karakteristik Ic-VCE pada transistor bipolar.
- Memahami dan mempelajari pengertian tentang garis beban dan titik kerja pada
transistor bipolar.
Daya disipasi maksimum dari transistor tersebut tidak boleh dilampaui karena hal ini telah
ditentukan oleh pabrik pembuat transistor tersebut yang dapat kita lihat pada lembar data
atau data sheet dari buku data tentang transistor.
11
Gambar 3.1 Karakteristik Ic-Vce Sebuah Transistor Bipolar
Dari persamaan (1) maka tempat kedudukan dapat ditentukan dengan menghitung sepasang
koordinat (IC, VCE) yang dengan mudah diperoleh dengan memasukkan nilai istimewa, yaitu
IC=0 dan VCE=0 diperoleh koordinat (VCE, IC) yang pertama = (VCC, 0) dan koordinat yang
kedua = (0, Vcc/Rc).
Kedua titik tersebut merupakan titik potong garis beban dengan sumbu datar V CE dan sumbu
tegak IC. Garis beban kemudian dapat kita pakai untuk menentukan besar sinyal masukan Vi
ke transistor. Besar simpangan maksismum Vi bergantung kepada faktor kemiringan garis
beban = - 1/RL . Kemiringan garis beban dapat diatur dengan mengubah tegangan sumber
VCC dan nilai resistor kolektor RC.
11
dimana transistor tersebut mempunyai tiga daerah kerja yaitu aktif (active), jenuh
(saturation), dan tersumbat (cut-off). Gambar 3.2 berikut ini akan menjelaskan tentang titik
kerja dan garis beban dari suatu transistor bipolar.
Gambar 3.2 Garis Beban Dc & Titik Kerja Sebuah Transistor Bipolar
Titik dimana garis beban memotong kurva Ib=0 dikenal sebagai titik sumbat (cut-off) . Pada
titik ini arus kolektor (Ic) sangat kecil (hanya arus bocor) sehingga dapat diabaikan , di sini
transistor kehilangan kerja normalnya. Dapat dikatakan bahwa tegangan kolektor-emitor
sama dengan ujung dari garis beban tersebut.
Perpotongan garis beban dengan kurva IB=IB sat disebut jenuh (saturation). Pada titik ini arus
kolektor maksimum atau dapat dikatakan bahwa arus kolektor sama dengan ujung dari garis
beban.
Jika arus basis IB lebih kecil dari IB (sat) maka transistor akan beroperasi pada daerah aktif,
yaitu titik kerjanya terletak disepanjang garis beban. Jadi dapat disimpulkan bahwa transistor
bipolar bekerja sebagai suatu sumber arus dimana saja sepanjang garis beban, kecuali titik
jenuh (saturation) atau titik sumbat (cut-off) dimana transistor tidak lagi bekerja sebagai
sumber arus melainkan sebagai sakalar.
11
● Catu Daya
● Kabel Penghubung
11
Vce Ic Vce Ic Vce Ic Vce Ic
0
0,3
0,5
0,8
1
2
4
8
10
15
20
11
BAB III
DASAR PENGUAT DAN PENGUATAN
4.1. Tujuan
● Dapat memahami dan mempelajari dasar penguatan.
● Dapat mencari impedansi masukan & keluaran pada sebuah penguat transistor bipolar
dengan konfigurasi CE (Common-Emitter).
● Dapat menghitung penguatan tegangan pada suatu penguat transistor bipolar.
4.2.1. Analisa DC
Analisa ini digunakan untuk mancari titik kerja dari penguat yang akan di analisa. Untuk
menganalisa DC maka sumber AC di matikan dan semua kapasitor di buat open circuit.,
sehingga rangkaian ekivalen seperti gambar 4.2 berikut ini:
11
Gambar 4.2 Rangkaian Ekuivalen Untuk Analisa Dc
Sehingga peroleh
Sehingga diperoleh:
Dengan mendistribusikan persamaan (2) ke persamaan (1) ,dan untuk harga Iceo = 0 , maka
akan diperoleh:
11
Dari loop antara kolektor –emitor kita peroleh:
dengan
setelah kita gambar rangkaian ekuivalen AC seperti di atas dan kita peroleh harga rη dan
gm , maka dapat kita cari AV1,AVS,ZI,A1,dan ap, serta zo sebagai berikut:
11
dari rangkaian ekuivalen di atas,kita lihat V=V1,maka diperoleh:
Maka:
Maka:
Untuk mencari Zo maka pada rangkaian dibuat open circuit Vo terlebih dahulu sehingga
diperoleh :
Dimana :
11
Dimana
Maka :
11
3. Mengatur Rx2 sehingga diperoleh Vo setengah nilai tegangan tanpa beban.
Kemudian ukur dan catat harga Rx2 sebagai Zo.
4. Memasukkan hasil pengukuran tersebut pada tabel 4.2
11
Vcc
R1 RC
J1
C2
J2
C1
Rx1
KELUARAN
MASUKAN
CE
R2 RE1 RE2
Rx2
11
1. Hubungkan generator fungsi pada input rangkaian penguat.
2. Set tegangan input 10 mV dan frekwensi 100 Hz
3. Hubungkan Osciloscope pada output rangkaian penguat.
4. Amati sinyal penguatan dan ukur tegangan keluar.
5. Mengatur frekwensi dari generator fungsi dengan range frekwensi mulai 100 Hz
sampai 10 MHz.
6. Hitung penguatan (gain) tegangan dalam satuan dB.
Tegangan input : 10 mV
Frekwensi Input Tegangan Gain Gain dalam
No
Hz Keluaran Vo A = Vo/Vi dB=20 log A
1 100 Hz
2 500 Hz
3 1 KHz
4 2 KHz
5 5 KHz
6 10 KHz
50 KHz
7
8 100 KHz
9 150 KHz
10 200 KHz
11 300 KHz
12 500 KHz
11
BAB IV
TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH
Tujuan :
Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai switch
Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja Bipolar Junction Transistor
ketika beroperasi sebagai saklar
Switch Ideal
Sebuah switch ideal harus mempunyai karakteristik pada keadaan “off” ia tidak dapat
dilalui arus sama sekali dan pada keadaan “on” ia tidak mempunyai tegangan drop.
11
Dalam percobaan ini perpindahan titik kerja dilakukan dengan mengubah-ubah pra-tegangan
(bias) dari Emiter-Base.
Selain BJT, MOSFET juga dapat berfungsi sebagai switch. Dibandingkan dengan BJT, sifat
switch dari MOSFET juga lebih unggul karena membutuhkan arus yang sangat kecil untuk
operasinya.
Ada dua tipe MOSFET menurut tegangan kerjanya yaitu n-Channel MOSFET (n-MOS) dan
p-Channel MOSFET (p-MOS). Dimana n-MOS bekerja dengan memberikan tegangan positif
pada gate, dan sebaliknya, p-MOS bekerja dengan memberikan tegangan negatif di gate.n-
MOS berlaku sebagai switch dengan membuatnya bekerja di sekitar daerah saturasinya.
Daerah kerja dari n-MOS dapat dilihat pada gambar berikut ini.
Rangkaian CMOS
Jika n-MOS dan p-MOS digabungkan, akan dihasilkan rangkaian CMOS (Complementary
MOS) yang ditunjukkan oleh gambar berikut ini.Untuk memperlakukan CMOS supaya
bekerja sebagai switch, kita harus mengubah-ubah daerah kerjanya antara cut-off dan
saturasi.
11
Transistor BJT Sebagai Switch
11
Multimeter Analog dan Digital (2 buah)
Kabel-kabel (2 buah)
Langkah Percobaan
1. Susun rangkaian seperti pada gambar berikut ini dengan VCC = 12 Vdc.
2. Posisikan Rvar pada nilai minimum (VBE=0). Catat harga VCE awal.
3. Naikan tegangan di Base (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga
terlihat lampu menyala (relay bekerja).
4. Tepat pada saat lampu menyala, catat harga: IB , IC,VBE dan VCE.
5. Naikkan tegangan di Base (dengan memutar Rvar), catat IB dan IC. Tentukan
tiga nilai pengukuran antara saat lampu menyala sampai potensiometer Rvar
maksimum.
6. Kemudian turunkan tegangan catu perlahan-lahan hingga lampu padam
kembali, catat harga-harga Ib, Ic, VBE dan VCE yang menyebabkan lampu
padam.
7. Ulangi langkah 3 sampai 7 dengan beberapa VCC lain (11, 10, 9 VDC, dll).
8. Gambarkan kurva yang menunjukkan VBE minimum yang menyebabkan
Saturasi, VBE maksimum yang menyebabkan Cut-Off, dan beberapa nilai VCC
& VCE yang berbeda-beda dalam satu grafik.
N-MOS
1. Cara Multimeter
Vdd
Rd
2,2
K
Id
Rvar
Vds
G
100K
Vgs
11
1. Buat rangkaian seperti pada gambar berikut ini dengan VDD = 5 Vdc.
2. Posisikan Rvar pada nilai minimum (Va=0). Catat harga VDS dan ID awal.
3. Naikan tegangan di Gate (dengan memutar Rvar) perlahan-lahan hingga terlihat ada
arus di Drain (ID).
4. Tepat pada saat ada arus di Drain (ID), catat harga: IG, ID, VGS dan VDS.
5. Ulangi langkah 11 sampai 13 dengan beberapa VDD lain: 6, 7.5, 9, VDC (jangan
melebihi 12V).
6. Gambarkan kurva hubungan VGS – ID.
2. Cara Osiloskop
1. Buat rangkaian seperti pada gambar berikut ini dengan VDD = 5 VDC.
Vdd
R
d
D +
G
Vin + Vo
ut
s
- -
11
channel 1.
4. Hubungkan keluaran (Vout) channel 2, gunakan mode xy untuk melihat
kurva Vin – Vout.
5. Amati dan gambar kurva tersebut pada buku log praktikum.
6. Tentukan tegangan Threshold (Vth).
11
41