Analisa DC Pada Transistor PDF
Analisa DC Pada Transistor PDF
BAB VII
ANALISA DC PADA TRANSISTOR
Transistor
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah suatu devais nonlinear terbuat
dari bahan semikonduktor dengan 3 terminal yaitu Basis B, kolektor C
dan emiter E yang tersusun dari semikonduktor tipe-n dan tipe-p.
Dikenal ada dua tipe transistor, yaitu: NPN dan PNP. Transistor
merupakan salah satu divais yang dikontrol oleh arus. Gambar skematik
dari transistor ditunjukkan pada gambar berikut ini.
E C E C
n p n p n p
B B
NPN PNP
iC = α iE + ICBO
dan dari KCL
iB = iE - iC = iE - (α iE + ICBO) = (1-α) iE - ICBO
Sehingga
iE = 1/α (iC - ICBO)
Didapat
iB = iE - iC = 1/α (iC - ICBO) - iC
Akhirnya diperoleh :
1−α I CBO 1 I CBO
iB = iC − = ic −
α α β α
dengan β = hFE
α = hFB
NOTASI
VAK
vAK
vak
IC IC
IB IB
VCC VCC
VBB IE VBB IE
NPN PNP
Karakteristik Transistor
Karakteristik Input ( IB vs. VBE pada VCE konstan)
Dengan membuat VCE konstan dapat di plot IB vs. VBE seperti
ditunjukkan pada gambar berikut : (sama seperti dioda p-n)
VCE=1V V =10V
IB(mA)
CE
VCE=20V
IB
VCE
VBE
0,7 V VBE
IC (mA)
I B = 60 ?A
I B = 40 mA
VCC
IB = 20 ?A
I B = 0??A
V CE Sat V CE
IE =IC + IB
ΔvBE
hie =
ΔiB
ΔiC
h fe =
ΔiB VCEsat
IC
hFE =
IB
Pada saat IB = 0, arus IC yang mengalir adalah arus bocor ICEO (pada
umumnya diabaikan), sedangkan pada saat IB ≠ 0 (misalnya 20 μA
untuk VCE kecil ( < < 0,2 volt), pembawa muatan di basis tidak efisien
I
dan transistor dikatakan dalam keadaan Saturasi dengan IB > h C . Pada
FE
tegangan VCE.
Sehingga I C = β dc × I B = 9,87 mA
2. Daerah cut-off
Kedua junction mendapat bias mundur
Untuk npn arus Ib ≤ 0 (tak ada arus menuju
basis atau arus meninggalkan basis)
3. Daerah saturasi
Kedua junction mendapat bias maju
Untuk npn arus Ib positif dan Vce ≤ Vbe
(a) (b)
ff
Gambar 2, Rangkaian transistor saklar dengan kurva V-I nya.
Pada saat Vin = 2,4 volt, maka arus yang mengalir pada terminal basis
adalah:
2, 4 volt − Vγ 1,7 volt
IB = = = 0,85 mA
2 kΩ 2 kΩ
dan
β B = 20 × 0,85 mA=17 mA > ( I C )max ,
PEMODEL AN TRANSISTOR
IC = hFB IE + ICBO
Sehingga :
IC = hFB (IC + IB) + ICBO
atau
h FB I
IC = I B + CBO
1 − h FB 1 − h FB
Didapat :
h FB α
h FE = β=
1 − h FB 1−α
ICBO
ICEO = ICEO =
1 − h FB
VCC
VI
VO
R
Pada saat t = t1
kaki basis mendapat tegangan negatif
kolektor- basis bias mundur
emiter-basis bias mundur
akibatnya transistor beropersai dalam daerah cut-off, Jadi perlu bias.
V in
V out
0 ,7
VCC
R1 R1
vcc vcc
R2 vo R2
RE RE
R1 R2
RTH =
R1 + R2
RTH IB
VCC
IE
VTH A
RE
IE = IB + IC
RTH
0,7
(hFE+1)RE
VTH
R2 R R
VCC = I B 1 2 + 0,7 + I E R E
R1 + R 2 R +R
1 2
R R
R2 = IB 1 2 + 0,7 + (h + 1)R
VCC FE E
R1 + R 2 R +R
1 2
diperoleh :
R2
VCC − 0,7
R1 + R 2
IB =
⎛ R 1R 2 ⎞
⎜R R + (1 + h FE )R E⎟
⎝ 1 2 ⎠
IC = hFE IB
IE = (1 + hFE)IB
VBE =0,7 volt
VCE = VC - VE = VCC - IE RE
Untuk pembiasan optimal cari nilai-nilai R1, R2, RE agar VCE ≈ 1/2 VCC
IB
VCC
VBB
vs
AC
vCE = VCC - iC RL
Δv
A v = CE
Δv BE
ΔvBE = vs
IB IC
hie
AC
AC
Vs
Ib =
h ie
Vs
Vo =Vce =Ic R L =h fe I b R L = h fe RL
h ie
Vo h R
Jadi A v = = − fe L
Vs h ie
Garis beban
Dari persamaan vCE = VCC - iC RL menunjukkan bahwa persamaan ini
adalah persamaan garis lurus antara vCE vs. IC. Untuk membuat garis
beban dilakukan dengan :
membuat iC = 0, maka vCE = VCC
VCC
vCE = 0, maka iC =
RL
0 6 12
R1 Rc
R2 Re
R1 Rc Rc
RTH IB
VCC VCC VCC
IE
R2
VCC
R1 + R 2
R2 Re RE
Diperoleh:
R2
R1 + R2 VCC − 0,7
IB = R1R2
R1 + R2 + (1 + hFE ) RE
IC = hFE IB
IE = (1+hFE) IB
hFE
Sehingga diperoleh: I C = I E artinya untuk hFE besar, misalnya
hFE + 1
hFE
untuk hFE = 100, ≈ 0,99 artinya I E ≈ I C .
hFE + 1
VE = IE RE
VB = 0,7 + VE
VBE = 0,7 volt = VB - VE
VCE = VC - VE
VC = VCC - IC RC
VCE = VC - VE
Contoh:
Perhatikan rangkaian konfigurasi emitter bersama berikut ini dan
tentukan DC operating point-nya, jika hFE = 200.
2.2kΩ
Diperoleh Vth = 10V = 1.8V Æ Vth = VB ,
2.2kΩ + 10kΩ
2.2 kΩ × 10 kΩ
dan Rth = = 1.8kΩ
2.2 kΩ + 10 kΩ
Vth − 0.7
Sehingga arus basis adalah I B = = 5.4 μA
Rth + (1 + hFE ) RE
I E ≈ I C ≈ 1.08mA
VE = I E × RE = 1.08V
Diperoleh:
Latihan
1. Hitung IB, IC, IE, VB, VE, VC dan VCE dari rangkaian berikut, diketahui hFE = 50 untuk
a. R1 = 300 kΩ
b. R1 = 200 kΩ
15 volt
4,7 k?
R1
vout
Catatan
IC = hFE IB hanya berlaku untuk transistor dalam daerah aktif (tidak jenuh/saturasi)
2. Hitung IB, IC, IE, VB, VC, VE dan VCE untuk rangkaian di bawah ini bila dianggap transistor
memiliki hFE = 100.
1 5 v o lt
2 ,2 k ?
100 k?
v out
18 k?
470 ?
3. Untuk rangkaian emiter follower berikut ini entukan Ic dan VCE, diketahui hFE = 200.
V CC =15 V
47 k?
v out
56 k?
4 ,7 k ?
4. Untuk rangkaian emiter bersama berikut ini, tentukan IC dan VCE jika hFE = 100.
VCC= 10V
4,7 k?
56 k?
vout
vin
470 ?
10 k?
560??