Teori Transistor
Termasuk dalam komponen semikonduktor aktif adalah transistor, Transistor sebenarnya
kepanjangan dari Transfer dan Varistor. Mengenal karakteristiknya transistor terbagi dua
kategori ialah Bipolar Junction Transistor (BJT) dan Unipolar Transistor. Kerja transistor
pada dasarnya difungsikan sebagai saklar elektronik (Switching) dan penguat
sinyal (Amplifier).
Transistor adalah nama yang diberikan oleh ilmuwan John Robinson karena sifat kerjanya
komponen ini yang dapat menghantarkan energi dengan kekuatan daya hantar dapat ditentukan
dengan cara mengatur nilai tahanan pada bias pengontrolnya. Pernyataan ini sesuai dengan
kepanjangan kata dari transistor yaitu Transfer (Pemindahan) dan Varistor (Variable Resistor).
Dan sekitar tahun 1958an, komponen transistor mulai digunakan pada rangkaian elektronik dalam
projek-projek penelitian para ilmuwan tersebut.
Konstruksi sambungan pada transistor BJT terdiri dari 2 lapisan penyangga atau sering disebut
depletion layer, lapisan penyangga pertama yaitu antara kaki basis dan kolektor dan yang kedua
lapisan penyangga antara basis dan emiter. Untuk membuat sambungan antara basis dengan
emiter maka lapisan penyangga dibuat lebih tebal dibanding dengan lapisan penyangga untuk
sambungan kolektor dan basis, tetapi ketebalan masing-masing lapisan ini dapat berubah sesuai
besar arus pada yang diberikan pada kaki basis.
Seperti kita ketahui bahwa komponen dioda memiliki tegangan drop, itu juga terjadi untuk
transistor, dimana tegangan drop ini tergantung dari bahan semikonduktor yang digunakan.
umumnya untuk transistor berbahan silicon memiliki tegangan drop 0,7V. Tegangan drop ini
adalah minimal tegangan yang bisa menembus lapisan penyangga pada transistor. Transistor BJT
bekerja berdasarkan besar arus pada kaki basis sebagai biasnya, semakin besar arus bias pada
kaki basis maka semakin besar juga arus yang dapat dihantarkan antara emiter ke kolektor..
Jika dijadikan sebagai rangkaian penguat atau amplifier, ada 3 konfigurasi rangkaian dasar
penguatan transistor antara lain:
1. Rangkaian penguat basis bersama (Common base), pada konfigurasi ini tegangan
yang akan diperkuat.
2. Rangkaian penguat kolektor bersama (Common Colector), Arus yang akan
diperkuat pada konfigurasi ini.
3. Rangkaian emiter bersama (Common eiter), Konfigurasi ini akan menghasilkan
penguatan arus dan tegangan.
Artikel lainnya akan membahas lebih detail dari masing-masing konfigurasi rangkaianb diatas.
Berbeda dengan BJT, Arus Output pada kaki Drain ini dikontrol oleh besar tegangan pada kaki
gate, Perubahan besar tegangan pada gate akan merubah besar arus pada kaki drain, efek
membesar atau mengecilnya arus pada kaki drain ini ditentukan oleh konstruksi FETnya. FET
dibagi dua jenis yaitu kanal P seperti BJT jenis NPN dan FET kanal N seperti BJT jenis PNP, dan
keluarga FET yang sering digunakan yaitu JFET kepanjangan dari Junction-Field Efect
Transistor dan MOSFET kepanjangan dari Metal Oxide Semiconductor-Field Efect
Transistor . Cara kerja mosfet ada dua model dan ini ditentukan oleh konstruksinya
yaitu Enhancement mode (mode penebalan) dan Depletion mode (mode penipisan), sedangkan
cara kerja JFET hanya pada mode Depletion saja.
Untuk penjelasan masing-masing jenis FET dibahas pada artikel lain secara detail..
Karakteristik Transistor
Transistor bipolar dan Unipolar memiliki perbedaan karakteristik dari cara kerjanya, Ada
kekurangan dan kelebihan dari keduanya.. Perbedaan tersebut dapat dilihat dari tabel karakteristik
transistor dibawah ini:
Karakteristik Transistor
Cara kerja J-FET dan cara kerja MOSFET juga berbeda, dilihat dari tabel dibawah ini.