Misrani / Pemanfaatan Iradiasi Neutron dalam Industri Semikonduktor 1

Pemanfaatan Iradiasi Neutron dalam Industri Semikonduktor

Misrani
Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Negeri Makassar
misranirniisml079@gmail.com

Abstrak – Neutron merupakan salah satu partikel elementer penyusun inti atom yang tidak memiliki
muatan listrik, yang menyebabkan neutron tidak memiliki pengaruh terhadap medan listrik dan medan
magnet. Dengan sifat ini menyebabkan interaksi neutron dengan materi dapat terjadi terhadap inti atom.
Apabila sebuah neutron bergerak mendekati suatu inti atom dan memasuki daerah medan pengaruhnya
maka ada beberapa kemungkinan yang dapat terjadi. Kemungkinan pertama, neutron akan menumbuk inti
dan sesudah tumbukan neutron dibelokkan arahnya dari arah semula dengan membentuk sudut θ dan inti
atom akan terpental, peristiwa seperti ini disebut reaksi hamburan. Kemungkinan kedua, neutron masuk
ke dalam inti atom dan tidak lagi merupakan badan yang berdiri sendiri, peristiwa ini disebut reaksi
tangkapan (capture). Bila reaksi tangkapan neutron ini disertai dengan pancaran radiasi γ maka dapat
digolongkan dalam reaksi (n, γ ). Inti atom baru terbentuk sebagai akibat tangkapan neutron ini dapat
bersifat mantap dan tidak mengalami perubahan lagi, dapat pula bersifat tidak mantap dan akan
mengalami proses peluruhan radioaktif. Salah satu pendayagunaan reaksi tangkap neutron digunakan di
bidang industry semikonduktor. Proses pembuatan bahan semikonduktor dengan teknik irradiasi neutron
dapat dilakukan dengan hasil yang sangat baik. Kadar dopan dalam suatu bahan semikonduktor dapat
diatur dengan tingkat ketelitian sangat tinggi melalui teknik pengaturan waktu irradiasi yang tepat.

Kata kunci: Dopan, Iradiasi, Neutron, Fluks Neutron, Transmutasi.

Abstract – Neutrons are one of the elementary particles that make up the atomic nucleus that do not have
an electric charge, which causes neutrons to have no effect on electric and magnetic fields. With this
property, the interaction of neutrons with matter can occur in the atomic nucleus. If a neutron moves
closer to an atomic nucleus and enters its field of influence, there are several possibilities that can occur.
The first possibility is that the neutron will hit the nucleus and after the collision the neutron will be
deflected from its original direction by forming an angle and the atomic nucleus will bounce, an event
like this is called a scattering reaction. The second possibility is that the neutron enters the atomic
nucleus and is no longer an independent body, this event is called a capture reaction. If this neutron
capture reaction is accompanied by radiation, it can be classified as a (n,γ) reaction. The new atomic
nuclei formed as a result of the capture of these neutrons can be stable and do not undergo further

Pendahuluan Fisika Inti

Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Makassar 2022
Misrani / Pemanfaatan Iradiasi Neutron dalam Industri Semikonduktor 2

changes, can also be unstable and will undergo a radioactive decay process. One of the uses of neutron
capture reactions is used in the semiconductor industry. The process of making semiconductor materials
using the neutron irradiation technique can be carried out with very good results. The dopant content in a
semiconductor material can be adjusted with a very high level of accuracy through the correct irradiation
timing technique.

Keywords: Dopants, Irradiation, Neutrons, Neutron Flux, Transmutation

Pendahuluan Fisika Inti

Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Makassar 2022
Amri / Efek Compton
I. PENDAHULUAN
Seiring dengan semakin berkembangnya
ilmu pengetahuan dan teknologi,
menghantarkan kemajuan riset tak terkecuali
dalam bidang fisika. Kemajuan dalam bidang
kelistrikan contohnya, semula ilmuan terdahulu
hanya mengenal ada dua kelompok yang berkaitan
dengan perilaku elektron bebas, yakni isolator dan
konduktor. Namun pada strudi fisika zat pada
kemudian berhasil mengenali karasteristik bahan
dengan sifat kelisterikan yang berada diantara
isolator dan konduktor yang dikenal dengan bahan
semikonduktor. Umumnya bahan semikonduktor
sangat erat kaitannya dengan alat- alat elektronika,
maka dari itu hampir semua perkakays yang
digunakan dalam kehidupan sehari-hari bertumpu
pada teknologi elektronika. Hampir semua aspek
kehidupan dipengaruh penggun aan
semikonduktor.
Jenis bahan semikonduktor
umumnya digunakan adalah karbon, germanium,
dan silikon. Bahan utama semikonduktor yang
paling banyak digunakan adalah silikon dan
germanium yang termasuk dalam golongan unsur
IVA yang memenuhi kenbutuhan
komponen elektronika berbasis
semikonduktor. Pembuatan bahan dengan struktur
dan bahan yang aru yang berbeda dari struktur
aslinya dapat dilakukan dengan
pencangkokan sedikit pengotor. Teknik ini guna
untuk mendapatkan perubahan sifat elektrik
terhadap bahan semikonduktor.
Interaksi antara neutron dengan materi
memungkinkan terjadinya reaksi hamburan dan
Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Makassar 2022
3
serapan. Neutron merupakan merupakan partikel
tidak bermuatan, sehingga ketika neutron
telah berinteraksi dengan muatan inti tidak mengalami
gaya tolak. Dengan sifat ini menyebabkan
interaksi neutron dengan materi dapat terjadi pada
inti.
Pembuatan bahan baru ini dapat dilakukan
dengan teknik iradiasi neutron dengan measukkan
partikel neutronkedalam inti atom bahan. Karena
penyerapan neutron, maka kestabilan inti atom
bahan terganggu dan bahan akan berubah menjadi
isotp lain dengan sifat fisik yang berbeda dari
unsur aslinya. Cara ini utamanya dimanfaatkan
untuk memproduksi bahan semikonduktor,
terutama mengubah karasteristik silikon (Si)
menjadi silikon yang tercangkoki unsur lain
dengan kadar tertentu. Meskipin iradiasi elektron
bahan lebih memiliki pengaruh yang besar pada industry
semikonduktor, namun penggunaan neutron untuk
yang mengolahan semikonduktor adalah bidang yang
relative baru, namun teknik iradiasi neutron
disebut sebagai teknik terbaik untuk proses
pencangkokan (dopan). .
II. METODE PENULISAN
industri Dalam penyusunan review artikel ini
bahan metode yang digunakan adalah studi pustaka yang
dilakukan dengan maksud memperoleh informasi
berkaitan dengan landasan ilmu, penjelasan teori.
cara Penyusunan artikel review ini merangkum ulasan,
ide dari berbagai penulis dan sumber pustaka yang
berkaitan dengan pemanfaatan iradiasi neutron
dibidang industri semikonduktor.
III. HASIL DAN PEMBAHASAN
Pendahuluan Fisika Inti
Amri / Efek Compton 4

Dengan menggunakan teknik iradiasi, yang dapat dikendalikan dengan akurasi

nuklir dalam pencangkokan ion ternyata mampu yang tinggi. Teknik aktivasi neutron pada
mengatasi masalah ketidakmurnian bahan dopan, prinsipnya berdasarkan pada konversi inti atom
dengan menggunakan teknik nuklir dilakukan stabil menjadi inti radioaktif akibat iradiasi
dengan alat pemercepat parrtikel atau akselerator. dengan neutron, dan kemudian sinar gamma yang
Proses pencangkokan dengan akselerator ini dipancarkan oleh inti radioaktif tersebut dideteksi
dikembangkan terutama untuk mendukung dan diidentifikasi. Berdasarkan waktu
industri komponen-komponen elektronika seperti pengukurannya, teknik aktivasi neutron dapat
transistor, dioda zener, integrated circuit, sel surya dibedakan menjadi dua kategori, yaitu Analisis
serta berbagai jenis detektor. Semikonduktor yang aktivasi neutron sinar gamma cepat, dimana
sangat baik. Fasilitas doping dengan transmutasi pengukuran dilakukan selama iradiasi, dan,
neutron (neutron doping facility) pada suatu analisis aktivasi neutron sinar gamma kasip,
reaktor nuklir untuk penelitian, dapat digunakan dimana pengukurannya mengikuti peluruhan
untuk melakukan irradiasi neutron pada sampel radioaktif. Ada beberapa hasil yang diperoleh dari
semikonduktor Si yang umumnya terdapat di alam penelitia yang telah dilakukan oleh (khasanah N,
dengan nomor atom 30. Karena proses irradiasi ini bunawas, 2017) yaitu sebagai berikut:
maka sebagian inti atom 30Si akan menyerap No. Laju dosis No Laju dosis
neutron dan berubah menjadi inti atom radioaktif keping Neutron keping Neutron
31Si melalui reaksi inti sebagai berikut : indium Termal Cd-In epitermal
Si + 1n → [31Si]*
30
(μSv/jam) (μSv/jam)
Karena bersifat radioaktif, maka inti atom In 1 2,9 Cd-In 1 1,0
31Si akan melakukan peluruhan menuju ke In 2 3,4 Cd-In 2 ,10
keadaan inti atom yang stabil sehingga In 3 4,5 Cd-In 3 1,3
terbentuklah atom phosphor (P) disertai In 4 3,2 Cd-In 4 1,5
pemancaran radiasi beta negatif (β-) atau elektron In 5 3,1 Cd-In 5 1,0
melalui proses sebagai berikut : Berdasarkan hasil pengukuran 5 kepiung
[31Si]* → P +β- (T1/2 = 2,62 jam)
31
indium dapat diketahui bahwa rata-rata laju dosis
Waktu paro (T1/2) dari 31Si adalah 2,62 neutron termal difasilitas Granit dan Polytilene
jam. Waktu paro adalah waktu yang diperlukan sebesar 3,4 μSv/jam. Neurton termal yang
oleh zat radioaktif untuk meluruh sehingga digasilkan dalam hal ini berasal dari proses
jumlahnya menjadi setengah dari jumlah semula. termalisasi neutron cepat.
presisi tinggi doping, akan menyebabkan Kemudian terdapat pula hasil penelitian
konsentrasi kotoran diperkenalkan pada konstan yang dilakukan (Jaka lman, Elisabeth Ratnawati2,
fluks neutron berbanding lurus dengan waktu

Pendahuluan Fisika Inti

Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Makassar 2022
Amri / Efek Compton 5

Sutrisno, 2016) Hasil pengukuran distribusi fluks sangat tidak teratur, yang mengakibatkan
neutron termal dapat dilihat pada Tabel 2 dan perangkap pembawa dan pengurangan mobilitas.
kurva fluks neutron di fasilitas silikon duping Kemudian pada penelitian yang lain
RSG G.A. Siwabessy digambarkan pada Gambar membahas mengenai perancangan iradiasi silikon
3.1. seperti pada penelitian Putu Hery Setiawan, dkk
membahas mengenai penentuan dimensi dalam
perancangan tabung iradiasi silicon yang
dilakukann dengan menggunakan prinsip bahwa
tabung iradiasi dapat menstabilkan posisi silicon
dan dapat masuk dengan mudah dalam kapsul.

Gambar 1. Rancangan posisi silicon

didalam kapsul
Pada rancangan ditetapkan celah antara diameter
silikon dan diameter dalam tabung iradiasi sebesar
0,5 mm. Celah tersebut diperlukan untuk
Terlihat bahwa harga fluks neutron termal
mempermudah pemasukan silikon ke dalam
dari layer 1 (70 mm) sampai layer 4 (280 mm)
tabung dan menjadi saluran air untuk pendinginan.
mempunyai harga fluks relatip sarna karena
Selain memperhatikan kenstabilan terhadap
interaksi neutronnya cukup besar dan layer 5 dan
pergerakkan arah radial, dalam perancangan juga
lo."ef 6 berikutnya mengalami penurunan yang
harus diperhatikan kestabilan arah vertikal,
cukup significan dikarenakan pada layer 5 (350
dimana untuk arah vertikal silikon
mm) dan layer 6 (420 mm) terletak pada posisi
dipertahakankan berada sepanjang 300 mm pada
atas sehingga sedikit sekali berinteraksi dengan
bagian tengah kapsul tertapis.
neutron. Secara teori, penyinaran neutron pada
Kemudian dalam penelitian selanjutnya,
semikonduktor akan menggantikan atom dan
yaitu penelitian dari Sunarko, dkk membahas
menciptakan pusat cacat atau bahkan daerah yang
mengenai Rancang Bangun Handling Tool
loading/unloading fasilitas silikon doping dalam

Pendahuluan Fisika Inti

Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Makassar 2022
Amri / Efek Compton 6

rangka effisiensi operasi fasilitas dan sebagai TERAS REAKTOR NUKLIR’, Penelitian
salah satu penunjang kegiatan PRSG (Pusat Utama di Badan Tenaga Nuklir Nasional,
Reaktor Serba Guna) Tahun 2016. Handling Tool Jurusan Teknik Elektro Sekolah Tinggi
loading/unloading telah digunakan untuk Teknik-PLN, 4 nomor 1, pp. 90–97.
pengukuran fluks neutron di posisi fasilitas silikon Darsono, Agus Santoso, I. (1996) ‘PENGARUH
doping berada. Kegiatan loading adalahproses RADIASI NEUTRON CEPAT 14 MeV
memasukan tabung silikon yang telah berisi ingot PADA KOMPONEN ELEKTRONIKA
didalamnya untuk dimasukan ke posisi iradiasi. DIODA SEMIKONDUKTOR’, Prosiding
Kegiatan iradiasi silikon doping adalah proses Pertemuan dan Presentasi Ilmiah, pp. 99–
penembakan ingotdengan neutron secara merata 103.
baik arah axial maupun radial dalam jangka Fu, X. et al. (2022) ‘Fast Neutron Irradiation
waktu tertentu. Setelah proses iradiasi selesai, Effects on Si- and Gan-Based Avalanche
kegiatan berikutnya adalah unloading adalah Photodiodes’, SSRN Electronic Journal,
mengangkat tabung silikon yang berisi ingotuntuk 38(May), pp. 10–15.
dipindahkan ke storage pool. doi:10.2139/ssrn.4060898.
Jaka lman, Elisabeth Ratnawati2, Sutrisno, A.
V. KESIMPULAN (2016) ‘ANALISIS PENGUKURAN
FLUKS NEUTRON TERMAL DI
Teknik nuklir memiliki andil yang cukup FASILlTAS SILIKON DOPING RSG
besar dalam berbagai bidang kehidupan tak G.A. SIWABESSY’, Teknologi dan
terkecuali dalam bidang industry semikonduktor. Aplikasi Reaktor Nuklir, PRSG, pp. 202–
Saat ini telah berhasil dikembangkan suatu 206.
metode untuk memproduksi bahan semikonduktor khasanah N, bunawas, chomsin s. widodo (2017)
dengan teknik nuklir. Proses pembuatan bahan ‘pengukjuran laju dosis neutron termal dan
semikonduktor dengan teknik irradiasi neutron di epitermal di medan kalibrasi radiasi
dalam teras reaktor nuklir dapat dilakukan dengan neutron dengan aktivasi keping indium’,
hasil yang sangat baik. Kadar dopan dalam suatu Fisika FMIPA Universitas BrAWIJAWA,
bahan semikonduktor dapat diatur dengan tingkat Malang [Preprint].
ketelitian sangat tinggi melalui teknik pengaturan Meese, J.M. (1982) ‘Processing of semiconductor
waktu iradiasi yang tepat. materials and devices by neutron
irradiation’, Journal of Nuclear Materials,
DAFTAR PUSTAKA 108–109(C), pp. 715–725.
Akhadi, M. (2015) ‘MEMPRODUKSI BAHAN doi:10.1016/0022-3115(82)90545-1.
SEMIKONDUKTOR DI DALAM

Pendahuluan Fisika Inti

Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Makassar 2022
Amri / Efek Compton 7

Setiawan ’, P.H. et al. (2010) ‘RANCANGAN

DAN PEMBUATAN TABUNG
IRADIASI PADA FASILITAS IRADIASI
SILIKON pOPING RSG-GAS’,
(November), pp. 53–60.
Yusuf, S. et al. (2017) ‘Seminar Pendayagunaan
Teknologi Nuklir 2017 Badan Tenaga
Nuklir Nasional’, (November), pp. 21–23.

Pendahuluan Fisika Inti

Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Makassar 2022