UNIVERSITAS GUNADARMA

SK No. 92 / DIKTI / Kep /1996

Program Diploma (D3) Manajemen Informatika, Teknik Komputer, Akuntansi Komputer, Manajemen Keuangan, Manajemen Pemasaran,
Kebidanan .
Program Sarjana (S1) Sistem Informasi, Sistem Komputer, Teknik Informatika, Teknik Elektro, Teknik Mesin, Teknik Industri, Akuntansi,
Manajemen, Ekonomi Syariah, Teknik Arsitektur, Teknik Sipil, Design Interior, Psikologi, Sastra Inggris, Pariwisata, Sastra Tiongkok, Ilmu
Komunikasi, Farmasi, Kedokteran.
ProgramMagister (S2) Manajemen Sistem Informasi, Manajemen, Teknik Elektro, Sastra Inggris, Psikologi, Psikologi Profesi, Teknik Sipil,
Teknik Mesin, Ilmu Komunikasi.
Program Doktor (S3) Ilmu Ekonomi, Teknologi Informasi, Ilmu Psikologi.

SOAL UJIAN TENGAH SEMESTER

Mata Kuliah : Teknologi Proses Nano & Micro Tanggal : 16 Desember 2022
Fakultas : Teknologi Industri Waktu : 90 Menit
Jenjang / Jurusan : S1 / Teknik Mesin Dosen : Eko Aprianto Nugroho ,ST.,MT
Tingkat / Kelas : 4 / 4IC04 &4IC05 Sifat Ujian : Open Book / Close Book
Tahun Akademik : PTA 2022/2023 Jumlah Soal : 10 Soal

1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan Nanoteknologi?

2. Jelaskan prinsip kerja dari Mikroskop penerowongan payaran dan apa fungsi dari microskop
tersebut?
3. Jelaskan prinsip kerja dari Atomic Force Microscope (AFM) dan apa fungsi dari microskop
tersebut?
4. Jelaskan Apa yang dimaksud dengan Carbon Nanotube dan sebutkan 4 kelebihan beserta
kekuranganya?
5. Jelaskan apa yang dimaksud dengan Micro-electromechanical systems (MEMS)?
6. Jelaskan apa yang dimaksud dengan physical vapor deposition (PVD), dan chemical vapor
deposition (CVD)?
7. Sebutkan kelebihan dan kekurangan dari Chemical Vapor Deposition (CVD)?
8. Sebutkan kelebihan dan kekurangan dari Physical Vapor Deposition (PVD)?
9. Jelaskan apa yang di maksud dengan Fotolitografi?
10.Sebutkan dan Jelaskan tahapan-tahapan yang dilakukan dalam proses Fotolitografi?
 LEMBAR JAWABAN

Nama : Dirga Ravico Repliansyah Tanda Tangan Mahasiswa

NPM : 21419881

Kelas : 4IC04

1. Nanoteknologi adalah satu ilmu atau teknologi yang mempelajari obyek yang ukurannya sangat
kecil (sepersemiliar meter), kemudian dilakukan manipulasi-manipulasi untuk menghasilkan benda-
benda baru yang menjadi karakter khusus seperti yang diinginkan. Sederhananya, nanoteknologi
merupakan lompatan teknologi untuk merekayasa benda-benda baru dari benda-benda yang sudah
ada.

2. Prinsip kerja dan fungsi dari penerowongan payaran didasarkan pada konsep penerowongan
kuantum. Ketika ujung konduktor diletakkan sangat dekat ke permukaan objek untuk diperiksa, bias
(perbedaan tegangan) yang diterapkan antara keduanya dapat memungkinkan elektron untuk
menerowongi melalui vakum di antara keduanya. Arus penerowongan dihasilkan adalah fungsi dari
posisi ujung konduktor, tegangan yang diberikan, dan kepadatan keadaan lokal (LDOS) dari sampel.
Informasi diperoleh dengan memantau arus saat posisi ujung memindai melintasi permukaan, dan
biasanya ditampilkan dalam bentuk gambar. STM bisa menjadi teknik yang menantang, karena
membutuhkan permukaan yang sangat bersih dan stabil, ujung yang tajam, kontrol getaran yang
sangat baik, dan elektronik yang canggih, meskipun demikian banyak penggemar alat ini yang telah
membangun mikroskopnya sendiri.

3. Secara teknis prinsip kerja AFM pada posisi normal, sinar laser diarahkan pada ujung cantilever.
Oleh cantilever, laser ini dipantulkan menuju bagian tengah detektor photodiode. Ketika tip
mendekati permukaan sampel, terjadi gaya tarik atau gaya tolak antara tip dan permukaan sampel.
 Gaya ini akan menyebabkan cantilever bengkok. Bengkoknya cantilever ini akan terdeteksi dengan
adanya pergeseran posisi laser yang ditangkap oleh photodioda. Semakin besar gaya tarik/tolak
antara tip dan permukaan sampel, pergeseran laser akan semakin besar. Karena besarnya gaya
tarik/tolak tergantung pada jarak antara tip dan permukaan sampel, maka topografi permukaan
sampel dapat diketahui dengan melakukan scanning tip sepanjang permukaan sampel. Fungsi pada
AFM adalah Yakni melakukan perbesaran objek yang berukuran kecil atau mikroskopis bahlan
untuk benda yang tidak dapat dilhat dengan mata telanjang sekalipun. Biasanya, penggunaan AFM
dilakukan untuk penelitian sains seperti bidang geografi dan sebagainya.

4. CNT dan juga induknya, graphene dan grafit, merupakan material yang berasal dari susunan atom
carbon yang berhibridisasi sp2 dan berikatan satu sama lain secara heksagonal membentuk struktur
sarang madu (honeycomb). Berbeda dengan grafit yang berisi tumpukan graphene, CNT merupakan
graphene yang tergulung membentuk suatu silinder berukuran nanometer. Pola atau cara
menggulung graphene itu disebut dengan kiralitas (chirality). Diameter dari CNTs berkisar antara
0.4-2.5 nanometer dengan panjangnya dapat lebih dari 10 milimeter.

5. Micro-electromechanical systems (MEMS) adalah sebuah proses teknologi yang digunakan untuk
membuat perangkat terintegrasi yang berukuran kecil atau sistem yang menggabungkan komponen
mekanik dan listrik. Perangkat ini dibuat menggunakan sirkuit terpadu (IC) dengan beberapa teknik
 pemrosesan dan perangkat ini juga memiliki beberapa ukuran dari mikrometer sampai milimeter.
Perangkat ini memiliki kemampuan untuk merasakan, mengontrol, dan berjalan pada skala mikro,
serta menghasilkan efek pada skala makro.

6. Teknik PVD adalah suatu metode pelapisan teknologi modern. Teknik ini dilakukan dengan cara
menguapkan bahan pelapis secara fisik atau mekanik dan mengembunkan pada material yang akan
dilapisi (substrat) pada suhu tertentu dalam kondisi vakum. Pelapisan tersebut dapat menempel
dengan kuat serta mampu tersubstitusi dengan atom pada permukaan substrat.
CVD adalah suatu proses dimana sebuah material padat dideposisi dari fasa uap dengan reaksi kimia
yang terjadi pada atau dalam permukaan substrat. Material padat didapatkan sebagai hasil ini adalah
menghasilkan lapisan tipis yang kasar atau tidak homogen karena munculnya partikel material
(partikulat) dengan ukuran yang beragam pada permukaan lapisan tipis.

7. Kelebihan dan kekurangan CVD

8. Kelebihan dan kekurangan PVD

9. Fotolitography adalah teknik fotografi untuk mentransfer salinan pola inti, biasanya tata letak sirkuit
dalam aplikasi IC ke permukaan substrat dari beberapa bahan (wafer silikon).

10.Langkah-langkah yang digunakan dalam proses fotolitografi:

a. Persiapan
Seperti dalam proses di microsystem yang lain, proses fotolitografi dimulai dengan cara
pembersihan wafer dari kotoran-kotoran seperti zat organik dan partikel-partikel. Biasanya
menggunakan teknik pembersihan caro (caro cleaning).
b. Melapisi wafer dengan photoresist
Sebelum penyinaran, wafer diberi lapisan photoresist yang akan bereaksi jika dikenai cahaya
tergantung dari jenis photoresist-nya (positif atau negatif). Setelah dikenai cahaya, photoresist
tersebut di larutkan pada cairan tertentu. Bagian yang terkena cahaya pada photoresist positif akan
larut dan sebaliknya pada photoresist negatif, bagian yang terkena cahaya tidak akan larut. Pada
umumnya, permukaan wafer yang akan dilapisi photoresist mudah teroksidasi dan akan membentuk
ikatan hidrogen yang panjang yang di dapat dari air di udara. Dengan demikian, jika photoresist
diletakkan di atas wafer yang berputar, tidak akan menempel dengan permukaan wafer tetapi
menempel dengan permukaan air dan menghasilkan daya tempel ke wafer yang rendah. Untuk
menghasilkan ikatan yang kuat dengan wafer, maka dibutuhkan promotor seperti
Hexamethyldisilazane (HMDS). Kecepatan perputaran wafer, waktu, jumlah, dan cara
menyemprotkan photoresist ke permukaan wafer sangat menentukan kualitas dan ketebalan dari
 photoresist dipermukaan wafer. Ketebalan photoresist diusahakan merata antara bagian tengah dan
tepi dari wafer. Pemutaran wafer dan penyemprotan photoresist secara otomatis akan meningkatkan
kualitas dari penyebaran photoresist.
c. Pemanasan wafer
Soft bake atau pemanasan awal permukaan wafer yang telah dilapisi photoresist akan menguapkan
pelarut dari photoresist.
d. Pengaturan dan penyinaran
Penyinaran wafer dapat dilakukan dengan cara:
- Contact printing: meletakkan mask secara langsung di atas wafer
- Proximity printing: meletakkan mask sedikit di atas wafer
- Projection printing: memproyeksikan mask ke wafer menggunakan lensa atau cermin
e. Pemanasan pasca penyinaran (Post Exposure Bake/PEB)
PEB akan mengurangi gelombang berdiri pada photoresist. Jika PEB tidak dilakukan, maka profil
dari photoresist akan bergelombang.
f. Pengembangan
Photoresist akan menjadi asam jika terpancar cahaya (photoresist positif) dan sebaliknya pada
photoresist negatif. Untuk menghilangkan photoresist yang menjadi asam, digunakan larutan basa
seperti NaOH. Wafer diputar dan pada saat yang sama wafer disemprot dengan NaOH.
g. Pemanasan akhir (post bake)
Dilakukan untuk mengeraskan photoresist yang tersisa sehingga mengeras dan kuat menahan proses
selanjutnya seperti etsa (etching) atau implantasi.
h. Membentuk pola dari mask Proses membentuk pola dari mask dapat berupa penambahan
(pengendapan/deposition), pengurangan (etsa/etching), dan pencampuran komponen (impurity).
i. Pembuangan photoresist Photoresist yang sudah tidak digunakan lagi dihilangkan dengan
pembuangan basah (wet stripping) dengan pelarut dan plasma. Pembuangan basah dapat dilakukan
dengan pelarut organik atau non organik seperti aseton.