Panduan Umum RBL

FI3104 Eksperimen Fisika II

Topik: Efek Hall Lanjutan
Malik Al-Anshari
2023

Tujuan Utama
1. Menentukan band-gap dari kristal Ge tipe-n

2. Menganalisis hubungan tegangan Hall terhadap temperatur

Prosedur Kunci
1. Heater diberi tegangan 15 V dari keluaran slave catu daya. Sementara itu, sumber tegangan
bahan dan kumparan mengikuti konfigurasi pada Modul 6 Efek Hall.

2. Temperatur heater T diperoleh dari hasil pengukuran tegangan heater Uh di blok A sensor
CASSY, yakni melalui
T = (100 K/V)Uh + 273, 15 K

3. Konduktivitas listrik bahan σ didapat dari hasil pengukuran tegangan bahan Ub di blok B sensor
CASSY, yakni melalui
4 A/m
σ=
Ub
4. Konfigurasi rangkaian untuk mengukur tegangan Hall UH dan arus pada bahan Ib mengikuti
Modul 6 Efek Hall. Hubungan arus pada kumparan Ik dan kuat medan magnet B diperoleh
melalui kalibrasi.
5. Setel Ib sebesar 30 mA dan Ik sebesar 2,9 A.

6. Setel zero dari Ub dan UH oleh sensor CASSY ke left, lalu setel measuring range sebagai
(a) 0 ... 3 V jika Ub dan UH melebihi 1 V;
(b) 0 ... 1 V jika Ub dan UH di antara 0,3 dengan 1 V; dan
(c) 0 ... 0.3 V jika Ub dan UH kurang dari 0,3 V.

Setel measuring interval sebagai 2 s.

7. Pengukuran Uh dimulai tidak mendahului mulainya menyala heater. Pengukuran diakhiri segera
setelah heater tidak lagi menyala.

1
Persamaan Teoretis
Catatan awal: Minta peserta menurunkan ekspresi-ekspresi berikut. Persamaan dasar yang menunjang
akan disajikan di Lampiran.
1. Konduktivitas listrik bahan σ bergantung pada temperatur T dengan mengikuti persamaan
 
Eg
σ(T ) = σ0 exp −
2kB T

2. Konstanta Hall RH dipengaruhi oleh densitas hole p dan elektron n = ni + nd serta temperatur
T dengan mengikuti persamaan



2 α β2 − 1 + β2 + 1
RH =
nd e (α (β + 1) + (β − 1))2

Dalam hal ini,

4η 2
 
µn 2 2 Eg
β= , α =1+ 2 , η = np = N02 exp −
µp nd kB T

dengan nd densitas elektron dari zat dopant dan ni densitas elektron dari Ge murni.

2
Lampiran
Dalam Fisika Zat Padat, densitas zat pembawa dalam bahan semikonduktor instrinsik bergantung
pada temperatur bahan:
   
Eg Eg
pi = p0 exp − , ni = n0 exp −
2kB T kB T

Seringkali dilakukan aproksimasi yakni

 
Eg
η 2 = np = (ni + nd ) p ≈ N02 exp −
kB T

1. Konstanta Hall RH bahan semikonduktor didefinisikan sebagai

1 pµ2p − nµ2n
RH =
e (pµp + nµn )2

dengan e muatan elektron, µp mobilitas hole, dan µn mobilitas elektron. Hint: Demi kemudahan,
gunakan definisi η, α, dan β.
2. Rapat arus J⃗ didefinisikan sebagai
J⃗ = N q⃗v
dengan N densitas dan ⃗v kecepatan drift rerata pembawa muatan yang berbanding lurus dengan
mobilitas pembawa muatan µ, yakni
⃗
⃗v = µE
Berdasarkan hukum Ohm, didefinisikan pula

J⃗ = σ E
⃗

sehingga didapati σ ∼ N .