DETEKTOR OPTIS

Optoelektronika
Pertemuan 10
Tujuan

 Mahasiswa dapat menjelaskan prinsip pendeteksian cahaya secara efek

fotoelektrik dalam maupu luar
 Sebagai dasar dalam memahami dan menjelaskan prinsip pendeteksian
cahaya pada detektor optis berbahan semikonduktor seperti fotodioda dan
fototransistor
Modulasi Demodulasi
MEKANISME PENDETEKSIAN CAHAYA

 Efek fotoelektrik luar:

Elektron dibebaskan dari permukaan bahan pada saat bahan menyerap foton.

Contoh: Fotodiode hampa, tabung multiplier, fotosel.

MEKANISME PENDETEKSIAN CAHAYA

 Efek fotoelektrik dalam:

Pembawa muatan (electron/hole) dalam bahan semikonduktor diperoleh saat bahan

semikonduktor menyerap foton.

Contoh: Photodiode PIN (Positive Intrinsic Negative), APD (Avalanche Photo diode) dan
Phototransistor
SIFAT YANG HARUS DIMILIKI DETEKTOR OPTIS

1. Sensitifitas tinggi

2. Lebar spectrum luas

3. Noise kecil

4. Karakteristik tidak berubah akibat kondisi luar

5. Tenaga yang dibutuhkan kecil.

KARAKTERISTIK DETEKTOR OPTIS

1. Ketanggapan (Responsivitas)

2. Tanggapan Spektral
Kurva tanggapan detector sebagai fungsi panjang gelombang
3. Waktu bangkit (Rise time)
Waktu yang diperlukan pulsa keluaran untuk berubah dari 10% menjadi 90%
PHOTODIODE PIN
PHOTODIODE PIN

 Pada lapisan intrinsic tidak ada muatan bebas (resistansi besar).

 Sebagian besar tegangan diode berada pada lapisan ini (gaya listrik besar)
 Foton yang datang pada lapisan intrinsic dengan energy hf > Ec akan
menghasilkan pasangan electron hole.
 Akibat panjar mundur yang diberikan, electron bergerak ke kiri (ke kutub positif
sumber tegangan, sehingga terjadi arus listrik.
 Batas panjang gelombang yang mampu dideteksi oleh fotodiode PIN disebut
panjang gelombang cut-off (ℷc)
1.24
ℷ𝑐 =
𝐸𝑐
JENIS PHOTODIODE PIN

Bahan Rentang ℷ ℷ Tanggapan Ketanggapan

(μm) Puncak (μm) puncak (A/W)

Si (Silicon) 0.3-1.1 0.8 0.5

Ge (Germanium) 0.5-1.8 1.55 0.7
InGaAs (Indium gallium 1.0-1.7 1.7 1.1
arsenide)
AVALANCE PHOTO DIODA (APD)
 Panjar mundur diberikan menyebabkan daerah deplesi (sambungan n+p)
semakin melebar sehingga daerah p menjadi daerah kosong muatan.
 Jika foton mengenai daerah lapisan p+ bahkan p, maka akan terbentuk
pasangan elektron bebas dan lubang, selanjutnya elektron bergerak ke
elektrode (+) akibat adanya panjar mundur, dengan demikian timbullah arus.
 Jika panjar mundur mencukupi, akan terjadi guguran elektron bebas (pelipat
gandaan elektron) dalam lapisan p sehingga arusnya semakin besar, hal ini
menyebabkan nois APD sangat kecil.
PHOTO TRANSISTOR

 Menggunakan prinsip kerja yang sama dengan transistor dimana suplai arus
pada basis dilakukan oleh fotodiode yang terhubung di antara basis dan
collector.

Hfe id
id

1+Hfe id
MODE PHOTO TRANSISTOR

 Mode yang dapat digunakan pada phototransistor secara umum dibedakan

menjadi 2, antara lain:

1. Mode aktif

Dimana keluaran dari photo transistor proporsional dengan intensitas cahaya.

2. Mode switch

Transistor dapat beroperasi antara keadaan cut-off (ON) dan saturasi (OFF).
PHOTODIODE VS PHOTOTRANSISTOR

PARAMETER PHOTODIODE PHOTOTRANSISTOR

Jenis Diode semikonduktor Transistor BJT
Simbol

Kecepatan Cepat Lambat

operasional
Sensitivitas Rendah Tinggi
Gangguan noise Mudah terganggu Tidak mudah terganggu
Respons keluaran Cepat Lambat
Tanggapan Baik Buruk
frekuensi tinggi
APLIKASI DETEKTOR OPTIS

1. Photo interrupter
Merupakan sensor transmisi yang terdiri dari LED dan photodiode yang saling
berhadapan.
2. Photo reflector
Merupakan sensor refleksi yang terdiri dari LED dan photodiode dengan arah yang
sama.
3. Photo absorbance
Merupakan sensor absorbansi yang digunakan untuk mengukur nilai absorbansi dari
sebuah bahan.
4. Komunikasi serat optik.