MALVINO

Electronic
PRINCIPLES
SIXTH EDITION
Teori Dioda
 Anode Simbol dioda & rangkaian
R dioda sederhana
p Dioda ini di bias maju
VS
= n arusnya oleh VS.

Cathode
 Linearitas Dioda
• Kurva karakteristik V-I pada sebuah
tahanan menunjukan garis linear,
• Dasarnya sebuah dioda memilki kurva
ketidaklinearan (non-linear),
• Potensial Barrier dioda menghasilkan
tegangan kaki (knee),
• Tegangan kaki (knee voltage): 0,7V (Si)
& 0,2V(Ge).
 200
175

Forward current in mA 150

125
100
75
50
25
0
knee
0 0.5 1.0 1.5
Forward bias in volts
Kura karakteristik arus maju dioda silikon
breakdown Reverse bias in Volts
600 400 200 0

20
40
60 Reverse
current
80 in mA
100
120
140

Kura karakteristik arus mundur dioda Silicon

 Resistansi Bulk (RB)
• Saat forward bias, arus dioda bertambah
secara tajam ketika melewati tegangan
kaki (knee voltage) dioda,
• Bertambahnya sedikit tegangan
menyebabkan bertambahnya arus
semakin besar,
• Resistansi “ohmic” bahan p&n disebut
sebagai bulk resistance,
• Nilai tahanan bulk lebih kecil dari 1 Ω
 Rating Dioda
• Maksimum reverse bias & forward bias
dioda bernilai tak terhingga,
• Rating Daya pada dioda ditentukan oleh
arus maksimumnya & tegangan jatuh
majunya, sebesar:

Pmax = Vmax Imax

 Pendekatan Pertama Dioda
( first approximation)
• Model dioda dianggap ideal,
• Pendekatan ke-1 mengabaikan nlai arus
jatuh, potensial barrier & resistansi bulk
• Saat forward bias, dioda dalam keaadan
saklar tertutup (closed swirch),
• Saat reverse bias, dioda dalam keaadan
saklar terbuka (opened swirch).
 Pendekatan ke-2 dioda
(Diode second approximation)

• Model dioda tidak ideal

• Arus dioda tidak mengalir sebelum
melewati tegangan barrier-nya (0.7V utk
Si & 0,2V utk Ge),
• Pendekatan ini mengabaikan resistansi
bulk (RB).
 Pendekatan ke-3 dioda
(Diode third approximation)
• Hampir sama dengan pendekatan
dengan pendekatan ke-2 dioda tapi disini
resistansi bulk masih dicantumkan,
• Pendekatan ini menghitung untuk
resistansi bulk.
Third approximation

0.7 V RB

Reverse bias

0.7 V RB

Forward bias
Perbandingan pendekatan dioda
• Pendekatan ke-1, lebih banyak penerapannya
hampir di sebagaian besar rangkaian
bertegangan tinggi.
• Pendekatan ke-2, lebih banyak penerapannya
hampir di sebagaian besar rangkaian
bertegangan tinggi.
• Pendekatan ke-3 lebih akurat dimana resistansi
bulk dioda lebih dari 1/100 hanya untuk
resistansi thevenin dioda.
Silicon diode ohmmeter testing
• Resistansi kecil: dioda terhubung
singkat.
• Resistansi tinggi: diode bersifat terbuka.
• Relatively low resistance in the reverse
direction: the diode is leaky.
• perbandingan resistansi saat arus
mundur thd resistansi saat arus maju >
1000, maka dioda baik.
 200
175
Forward current in mA

0.875 V - 0.75 V
150 RB =
175 mA - 75 mA
125
= 1.25 W
100
75
50
25
0
0 0.5 1.0 1.5
Forward bias in volts
How to find bulk resistance
 200
0.875 V
175 RF =
Forward current in mA

175 mA
150
= 5W
125
100
0.75 V
75 RF =
75 mA
50
25 = 10 W

0
0 0.5 1.0 1.5
Forward bias in volts
The forward resistance decreases as current increases.
 Resistansi Dioda Silikon
• Memiliki resistansi tinggi: ± ratusan
megohm.
• Tapi saat resistansi arus maju, nilainya
agak sedikit tidak sama,
• Biasanya resistansi saat arus maju lebih
besar dari resistansi bulk.
• Resistansi ini = resistansi bulk + efek dari
potensial barrier.
Soal Latihan:
Diberikan sebuah rangkaian dioda berikut ini:

RS = 10 W

VS = 1.5 V

tentukan arus rangkaian menggunakan:

a. Pendekatan dioda ke-1
b. Pendekatan dioda ke-2
c. Pendekatan dioda ke-3