MATERIAL TEKNIK

ELEKTRO
BAB I PENDAHULUAN
Bab ini berisi:
Material dan Divais Elektronika
Sejarah Material Elektronika
MATERIAL ELEKTRONIKA

Material elektronika sangat beragam

(hampir semua unsur pada Sistem Berkala)
 MATERIAL DAN DIVAIS
ELEKTRONIKA-1
Material elektronika sangat beragam
(hampir semua unsur pada Sistem Berkala)
Aplikasi divais elektronika, misalkan: kawat
tembaga sederhana sampai material
magnetik berperformansi tinggi untuk CD
dan divais mikroelektronika lainnya.
Divais elektronika dan metode pemrosesan
divais memanfaatkan zat padat, cair, gas dan
bahkan plasma. Untuk zat padat biasanya
digunakan unsur, alloy dan material paduan.
What the difference between alloy and
compound?
 An alloy is a mixture of two or more metals. Here's a generic phase
diagram for a mixture of two metals. Alpha and beta are solids but
still have varying composition.
 A compound is a combination of two or more elements with a
fixed composition. Sodium chloride, NaCl, is a compound that
consists of sodium ions and chloride ions connected by ionic bonds
to form a 3D structure. Its composition is fixed.
 MATERIAL DAN DIVAIS
ELEKTRONIKA-1
Jangkauan sifat/karakteristik zat padat
diklasifikasikan berdasarkan:
konduktivitas,
transmisi optik,
difusivitas,
pengaturan atom-atom penyusunnya,
energi ikat,
sifat-sifat kimia dan mekanik,
aspek geometri struktur kristalnya.
APLIKASI TEKNOLOGI MATERIAL ELEKTRONIKA
Aspek material elektronika sangatlah
luas,  di sini akan ditinjau
sifat/karakteristik material elektronika
ditinjau dari sifat listrik, optik dan
magnetik.
KLASIFIKASI MATERIAL
ELEKTRONIKA
CONTOH MATERIAL ELEKTRONIKA
 CONTOH MATERIAL
ELEKTRONIKA-2
Semikonduktor, misalkan Si memiliki konduktivitas yang
rendah pada temperatur kamar, namun dengan penambahan
impuritas tertentu, maka konduktivitasnya akan naik.
 MATERIAL MAGNET
Selain itu, terdapat juga material magnetik yang banyak
dimanfaatkan untuk generator listrik, motor, pengeras suara
, transformator dan tape recorder.
APLIKASI SIFAT OPTIK
 GOLONGAN VIIIA

Gol VIIIA (gas inert) pada umumnya tidak reaktif.

Senyawa XeF bisa terbentuk dan kadang
digunakan dalam proses produksi
mikroelektronika.

Gas inert biasanya dimanfaatkan dalam proses

etching material yang ditumbuhkan melalui
metode fisik (seperti sputtering).
 GOLONGAN VIIA

Golongan VIIa (HALOGEN) biasanya sangat

reaktif, cenderung membentuk senyawa (dengan
unsur lain) menjadi senyawa yang mudah
menguap dan digunakan dalam proses etching.

Kadang-kadang, senyawa ionik dari halogen

sepert CuBr juga diaplikasikan langsung dalam
divais.
 GOLONGAN VIA

Unsur-unsur dari golongan VIa menghasilkan

ikatan molekul yang sangat kuat.
Untuk kasus oksida, unsur dari golongan VIa
ini pada umumnya digunakan sebagai
dielektrik, sedangkan unsur di bawah oksigen
membentuk molekul chalgonide yang
umumnya adalah semikonduktor.
 GOLONGAN IIIA , IV A dan VA
 Unsur-unsur yang paling umum digunakan dalam
mikrolelektronika  golongan IIIa sampai Va.
Golongan Va banyak digunakan dalam semikonduktor
paduan, sebagai dopan untuk semikonduktor golongan
IV.
 Pada golongan IV terdapat bahan semikonduktor yang
terkenal (silikon dan germanium) dan carbon. Carbon
dapat dimanfaatkan dalam bentuk intan, grafit,
ataupun senyawa organik.
 Pada golongan IIIa terdapat aluminium (Al ) yang
termasuk bahan konduktor yang baik. Aluminium ini
biasanya membentuk semikonduktor paduan dengan
unsur dari golongan Va, dan juga sebagai dopan dalam
semikonduktor golongan IVa.
 GOLONGAN IB dan IIB

Golongan IIB  membentuk semikonduktor

paduan dengan chalgonides dan memiliki
banyak kegunaan.
Golongan IB terdapat konduktor yang
paling terkenal yaitu Cu, Au dan juga Ag.

 A chalcogenide is a chemical compound that consists of at least

one chalcogen anion (such as sulfur, selenium, or tellurium) and at
least one more electropositive element. While all group 16 elements
in the periodic table are defined as chalcogens, the term
“chalcogenide” is more commonly used for compounds
like sulfides, selenides, tellurides, and polonides.
 LOGAM TRANSISI

Logam transisi umumnya digunakan dalam

bentuk senyawa silicides atau nitrides, sebagai
bahan kontak penghubung yang stabil antara
Si dan logam yang sangat konduktif atau
sebagai penghalang difusi.
 TANAH JARANG
Sampai sekarang belum banyak dimanfaatkan.
Kecuali halfnium, erbium dan gadolinium
sudah mulai nampak banyak digunakan.
Untuk banyak kasus, unsur-unsur golongan IIa
seperti Ca digunakan sebagai konduktor atau
kontak meskipun memiliki reaktivitas yang
cukup tinggi sehingga menyebabkan kontak
kurang stabil.
 GOLONGAN IA dan IIA

 Golongan IA (logam alkali) juga termasuk yang jarang

dimanfaatkan karena memiliki reaktivitas dan laju
difusi yang tinggi, meskipun sekarang sudah mulai
dimanfaatkan.
 Golongan Ia dan IIa ini mulai digunakan dalam divais
elektronika organik (Rockett, 2006:13).
 Pemilihan material sangat mempengaruhi performansi
divais yang dihasilkan selain juga ukuranm konsep
baru divais seperti struktur pita energi dan rekayasa
polarisasi (Mishra).
KESIMPULAN
SEJARAH DIVAIS ELEKTRONIKA
MODERN
Elektronika modern memiliki sejarah yang panjang
mengenai penemuan dan penelitian dasar.
Divais yang paling utama adalah elemen rangkaian
control-diode dan divais switching.
Berikutnya mulai dari tabung vakum triode sampai
transistor.
Dioda pada mulanya ditemukan oleh J. Ambrose
Flemming (1905) berdasarkan observasinya di dalam
laboratorium Edison.
Tabung vakum diode tersebut berisi filamen panas yang
dapat memancarkan elektron dan kolektor dari
piringan logam. Elektron-elekktron mengalir hanya
dari filamen ke kolektor.
SEJARAH DIVAIS ELEKTRONIKA
MODERN-2
Pada tahun 1906, Lee DeForest menciptakan
tabung vakum triode dan dengan demikian
revolusi elektronika telah dimulai.
Vakum triode berisi katoda yang dipanaskan,
kawat bergerigi dan piringan atau anoda, dimana
fungsi sebagai diode dimodifikasi oleh gerigi
kontrol.
Perubahan arus yang kecil pada gerigi
menghasilkan perubahan yang besar pada arus
dari katoda ke anoda. Dengan demikian, triode
berperan sebagai amplifikasi (penguat) sinyal
lemah.
SEJARAH DIVAIS ELEKTRONIKA
MODERN-3
Kemampuan sebagai penguat adalah hal yang
penting baik untuk rangkaian analog maupun
digital.

Antara tahun 1906 sampai 1950an, tabung

vakum dikembangkan dan diadaptasikan untuk
aplikasi yang lebih spesifik dan struktur yang
lebih canggih untuk memodifikasi arus elektron.

Namun tabung seperti halnya bola lampu pijar

memiliki waktu hidup yang sangat terbatas dan
memerlukan daya listrik yang besar serta banyak
menghasilkan panas.
 SEJARAH DIVAIS ELEKTRONIKA
MODERN-4
Solusi untuk masalah tabung tersebut ditemukannya
transisitor sambungan dwikutub (bipolar junction
transistor) yang diciptakan oleh John Bardeen, Walter H.
Brattain dan William Shockley di Laboratorium Bell
Telephone.
Divais tersebut pada mulanya diciptakan dari gumpalan
germanium dan bekerja dengan cara difusi logam dari
kontak ke dalam kristal Ge.
Divais ini dapat mengontrol arus secara efektif dan
menghasilkan amplifikasi sebagaimana tabung vakum,
namun tidak berisi filamen panas dan memerlulukan daya
yang relatif lebih sedikit. Disain divais tersebut terus
berkembang dan demikian juga dengan unjuk kerjanya.
SEJARAH DIVAIS ELEKTRONIKA
MODERN-5
Antara tahun 1906 sampai 1950an, tabung vakum
dikembangkan dan diadaptasikan untuk aplikasi yang
lebih spesifik dan struktur yang lebih canggih untuk
memodifikasi arus elektron.

Namun tabung seperti halnya bola lampu pijar memiliki

waktu hidup yang sangat terbatas dan memerlukan daya
listrik yang besar serta banyak menghasilkan panas.

Solusi untuk masalah tabung tersebut adalah

ditemukannya transisitor sambungan dwikutub (bipolar
junction transistor) yang diciptakan oleh John Bardeen,
Walter H. Brattain dan William Shockley di Laboratorium
Bell Telephone.
SEJARAH DIVAIS ELEKTRONIKA
MODERN-6
Meskipun penemuan transistor Ge dapat
dianggap sebagai revolusi namun ternyata bukan
solusi yang praktis untuk jangka panjang. Ge
memiliki celah pita energi yang relatif rendah,
sehingga bersifat konduktif pada temperatur
ruang. Sehingga menyebabkan arus bocor
membalik melalui divais yang seharusnya mati.
Kebocoran ini menyebabkan diperlukan daya
yang besar dan menyebabkan penurunan
amplifikasi. Solusinya adalah dengan
menggantikan Ge dengan Si. Transistor bipolar
yang berisi Si telah menjadi elemen yang
digunakan pada hampir semua rangkaian
 SEJARAH DIVAIS ELEKTRONIKA
MODERN-7
 Miniaturisasi rangkaian elektronika menjadi langkah
besar ke depan yang lain yaitu dengan ditemukannya
IC (integrated circuit) oleh Jack Kilby pada tahun 1985
di Texas Instruments dan juga melalui kontribusi
Robert Noyce dan Gordon Moore dari Farichild
Semiconductor (yang kemudian menjadi penemu Intel
corporation).
 Bersama-sama mereka mengembangkan metode untuk
produksi dan interkoneksi semua dasar elemen
rangkaian dalam satu lembar Si. Ini mengakibatkan
dalam 1 (satu) chip berisi jauh lebih banyak kegunaan
dalam bentuk yang sangat mampat (compact) dari
pada yang dihasilkan oleh divais diskrit. Dengan
demikian divais ini akan menjadi lebih murah, lebih
dapat diandalkan dan jauh lebih cepat.
 SEJARAH DIVAIS ELEKTRONIKA
Misalkan
MODERN-8
radio receiver, video dan audio signal
prosessors, amplifiers, dan rangkaian computer dapat
tersedia dalam satu IC chip.
Menurut hukum Moore sejak tahun 1958, jumlah
transistor per divais akan bertambah 2x setiap 18 bulan.
Prediksi Moore ini terbukti telah benar selama lebih 40
tahun. Dengan perkembangan ukuran divais yang
semakin lama semakin kecil, maka kemudian
dikembangkan paradigma baru tentang divais
menyangkut struktur multilayer berbasis teknologi
terbaru dan keseluruhan konsep fabrikasi divais
(meskipun sampai saat ini belum berhasil menggantikan
struktur konvensional) (Rockett).
HUKUM MOORE
 SEJARAH DIVAIS ELEKTRONIKA
MODERN-9
Selain usaha untuk mengecilkan ukuran atau dengan
kata lain memperbesar densitas, performansi (unjuk
kerja) divais juga mengalami kemajuan yang sangat
signifikan meskipun harganya relatif konstan.
Kemajuan dalam bidang performansi divais tentu
didukung oleh penelitian dan pengembangan yang
memerlukan biaya yang besar. Termasuk di dalamnya
adalah penelitian untuk menemukan material baru dan
proses pembuatan material tersebut (Rockett).
Ekspansi selanjutnya dalam bidang material dan divais
adalah dengan memilih teknologi yang tepat untuk
aplikasi, sehingga menghasilkan perkembangan yang
fenomenal dalam tingkatan sistem (Mishra).
Please submitted on Monday, 19 February 2024 at gdrive that you’re prepared

Review Evaluation
1. Sebutkan klasifikasi material elektronika berdasarkan
resistivitas dan konduktivitasnya.
2. Sebutkan contoh aplikasi material:
a) Konduktor
b) Semikonduktor
c) Isolator
3. Sebutkan cotoh aplikasi material magnet dan optik.
4. Jelaskan secara singkat sifat-sifat material pada
golongan:
a) Ia, IIa, IIIa, IVa, Va, VIa, VIIa dan VIIIa.
b) Ib dan IIb
Please submitted on Monday, 19 February 2024 at gdrive that you’re prepared

Review Evaluation
5. Transistor yang terbuat dari Ge dapat mengontrol arus
secara efektif dan menghasilkan amplifikasinya,namun
divais ini juga memiliki kelemahan. Sebutkan
kelemahan tersebut.
6. Jelaskan apa yang dimaksud dengan hukum Moore.
7. Apa manfaat dari miniaturisasi divais.
8. Jelaskan upaya lain selain miniaturisasi divais yang
dapat meningkatkan performa divais.
 REFERENSI
 Daftar Buku
 1. Solymar,L. dan Walsh, D (2010):” Electrical Properties of Material, 8 th edition,
2010, Oxford University Press Inc, New York
 2. Rolf Hummel (2001): “ Electronic Properties of Materials”, Third Edition, Springer
Science+Business Media Inc, New York
 3. Carlo Maria Becchi and Mssimo D’Elia (2007): “Introduction to Basic Concept of
Modern Physics”, Springer, Genova
 Rolf Enderlein dan Norman J.M. Hering (1997): “Fundamental of semiconductor
Physics and Devices”, World Scientific Publishing Co. Re. Ltd., Singapore
 5. Umesh K. Mishra dan Jasprit Singh (2008): “Semiconductor Device Physics and
Design”, Published by Springer, Dordrecht, The Netherlands.
 6. Sheng S.Li ( 2006 ): Semiconductor Physical Electronics, Springer
Science+Business Media, LLC, Spring Street, New York, NY 10013, USA
 7. B. G. Yacobi (2004): “Semiconductor Materials, An Introduction to Basic
Principles”, Kluwer Academic Publishers, New York, NY 10013, USA
 8. Angus Rockett (2008): “The Materials Science of Semiconductors”, Springer
Science+Business Media, LLC, New York, NY 10013, USA
 9. Sze, S.M, Semiconductor Devices, Physics and Technology, 1985, John Wiley and
Son, New York
 10. Sze, S.M, Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edition,1981, John Wiley and
Son, New York
THANK YOU
Resistance in metals
Lattice defects
The diagrams following show situations where impurities in the metal cause an increase in the resistance in the conductor.
 Note how each situation tends to deform the lattice in
some way. In the case of an alloy where the metal is a
mixture of different metals, the distortion of the lattice
can lead to a significant increase in resistance to
electric current flow. Some alloys are designed to have
a specific resistance by introducing deformations in
the crystal lattice. Applications for such purpose-
designed lattice-defect alloys include resistors in
electrical motors and designer resistor wire.
 If a free electron travelling from atom to atom in the
crystal lattice encounters an irregularity in the lattice
then its path must deviate in order to navigate past
the irregularity. That deviation can be considered as
resistance and is usually caused by collisions of the
free electrons with other core metal ions in the lattice.