MAKALAH

DIODA SEMIKONDUKTOR

ELEKTRONIKA DASAR

OLEH :
RINA GUNAWAN BR TARIGAN
4153121052
FISIKA DIK D 2015

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI MEDAN
2016

KATA PENGANTAR

Puji

syukur saya ucapkan ke hadirat

Tuhan Yang Maha Esa, karena dengan

pertolonganNya saya dapat menyelesaikan makalah yang berjudul Dioda Semikonduktor.

Makalah ini berisikan pengertian dioda semikonduktor, tipe dioda semikonduktor, karakteristik
arus tegangan dioda, definisi dioda, rangkaian penyearah dan perbandingannya.
Dalam penyusunan makalah

ini banyak kendala yang dihadapi saat menyelesaikan

makalah ini, namun berkat kemauan serta bantuan teman-teman, akhirnya semua kendala itu
dapat teratasi. Oleh karena itu, pada kesempatan ini saya mengucapkan terimakasih banyak
kepada teman-teman yang membantu dalam menyelesaikan makalah ini dengan baik.
Makalah ini masih jauh dari sempurna. Oleh karena itu, saya sangat mengharapkan saran
ataupun

kritikan yang membagun dari para pembaca demi memperbaiki makalah untuk

kedepannya.

Medan, September 2016

Rina Gunawan Tarigan

DAFTAR ISI
Kata Pengantar

Daftar Isi. ii
Bab I Pendahuluan .

I.1. Latar Belakang.

I.2. Rumusan Masalah

I.3. Tujuan .

Bab II Pembahasan

II.1. Pengertian Dioda Semikonduktor. .

II.2.Tipe-tipe Dioda Semikonduktor 3

II.3. Sambungan P-N... 7
II.4.Membias Dioda. 7
II.5.Karakteristik Arus- Tegangan Dioda . 8
II.6.Definisi-definisi Dioda9
II.7.Rangkaian Penyearah 10
II.8.Perbandingan 14
Bab III Penutup .. 15
III.1. Kesimpulan 15
Daftar Pustaka 16

ii

BAB I
PENDAHULUAN
I.1. Latar Belakang
Elektronika merupakan cabang fisika yang mempelajari pemancaran, perilaku, dan
dampak elektron serta alat-alat yang menggunakannya. Selain itu, ada juga yang menganggap
bahwa elektronika ad lah ilmu yang mempelajari arus listrik arus lemah yang dioperasikan
dengan cara mengontrol aliran elektron atau partikel bermuatan listrik dalam suatu alat seperti
radio, televisi, kalkulator, komputer dan alat elektronik lainnya.
Ilmu yang mempelajari alat-alat seperti ini merupakan cabang dari ilmu fisika, sementara
bentuk desain dan pembuatan sirkuit elektroniknya adalah bagian dari teknik elektronika dan
instrumentasi, teknik elektro, dan teknik komputer.
I.2. Rumusan masalah
1. Apakah yang dimaksud dengan dioda semikonduktor ?
2. Apa saja jenis-jenis dioda semikonduktor ?
3. Bagaimana karakteristik arus tegangan dioda ?
4. Apakah yang dimaksud dengan dioda ?
5. Bagaimana rangkaian penyearah ?
I.3. Tujuan
1. Untuk memahami pengertian dioda semikonduktor
2. Untuk menguasai karakteristik arus tegangan dioda
3. Untuk menguasai dari rangkaian penyearah
4. Untuk memahami pengertian dioda
5. Untuk memahami jenis-jenis dioda semikonduktor
.

BAB II
PEMBAHASAN
2.1.Pengertian Dioda Semikonduktor
Semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat
konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah berubah
oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnet, tetapi pada semikonduktor sifat-sifat
tersebut sangat sensitive.
Dalam mempelajari elektronika kita mengenal semikonduktor tipe P dan semikonduktor
tipe N. Kedua jenis semikonduktor tersebut merupakan bahan dari pembuatan komponen
semikonduktor seperti dioda dan transistor. Semikonduktor tipe P dan tipe N tersebut dapat
dibuat menggunakan bahan silikon dan germanium. Oleh karena itu, perlu kita ketahui tentang
teori atom untuk memahami asal dari semikonduktor tersebut.
Teori Atom
Elemen terkecil dari suatu bahan yang masih memiliki sifat-sifat kimia dan fisika yang
sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga partikel dasar, yaitu: neutron, proton, dan elektron.
Dalam struktur atom, proton dan neutron membentuk inti atom yang bermuatan positip,
sedangkan elektron-elektron yang bermuatan negatip mengelilingi inti. Elektron-elektron ini
tersusun berlapis-lapis. Struktur atom dengan model Bohr dari bahan semikonduktor yang paling
banyak digunakan adalah silikon dan germanium.
Seperti ditunjukkan pada gambar dibawah atom silikon mempunyai elektron yang
mengorbit (mengelilingi inti) sebanyak 14 dan atom germanium mempunyai 32 elektron. Pada
atom yang seimbang (netral) jumlah elektron dalam orbit sama dengan jumlah proton dalam inti.
Muatan listrik sebuah elektron adalah: 1.602 -19 C dan muatan sebuah proton adalah: + 1.602 -19
C.

Struktur Atom Silikon Dan Germanium

Elektron yang menempati lapisan terluar disebut sebagai elektron valensi. Atom silikon
dan germanium masing mempunyai empat elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon
maupun atom germanium disebut juga dengan atom tetra-valent (bervalensi empat).
2

Empat elektron valensi tersebut terikat dalam struktur kisi-kisi, sehingga setiap elektron
valensi akan membentuk ikatan kovalen dengan elektron valensi dari atom-atom yang
bersebelahan. Struktur kisi-kisi kristal silikon murni dapat digambarkan secara dua dimensi.

Struktur Kristal Silikon dengan Ikatan Kovalen

Meskipun terikat dengan kuat dalam struktur kristal, namun bisa saja elektron valensi
tersebut keluar dari ikatan kovalen menuju daerah konduksi apabila diberikan energi panas. Bila
energi panas tersebut cukup kuat untuk memisahkan elektron dari ikatan kovalen maka elektron
tersebut menjadi bebas atau disebut dengan elektron bebas. Pada suhu ruang terdapat kurang
lebih 1.5 x 1010 elektron bebas dalam 1 cm3 bahan silikon murni (intrinsik) dan 2.5 x 10 13
elektron bebas pada germanium. Semakin besar energi panas yang diberikan semakin banyak
jumlah elektron bebas yang keluar dari ikatan kovalen, dengan kata lain konduktivitas bahan
meningkat.
2.2. Tipe- Tipe Semikonduktor
Semikonduktor Tipe N
Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping) dengan bahan
bervalensi lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Pada bahan semikonduktor intrinsik,
jumlah elektron bebas dan holenya adalah sama. Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat
rendah, karena terbatasnya jumlah pembawa muatan yakni hole maupun elektron bebas tersebut.
Jika bahan silikon didoping dengan bahan ketidak murnian (impuritas) bervalensi lima (pentavalens), maka diperoleh semikonduktor tipe n. Bahan dopan yang bervalensi lima ini misalnya
antimoni, arsenik, dan pospor. Struktur kisi-kisi kristal bahan silikon type n dapat dilihat pada
gambar berikut.

Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe N

Karena atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi mendapatkan
pasangan ikatan kovalen dengan atom silikon sedangkan elektron valensi yang kelima tidak
mendapatkan pasangan. Oleh karena itu ikatan elektron kelima ini dengan inti menjadi lemah
dan mudah menjadi elektron bebas. Karena setiap atom depan ini menyumbang sebuah elektron,
maka atom yang bervalensi lima disebut dengan atom donor. Dan elektron bebas sumbangan
dari atom dopan inipun dapat dikontrol jumlahnya atau konsentrasinya.
Meskipun bahan silikon type n ini mengandung elektron bebas (pembawa mayoritas)
cukup banyak, namun secara keseluruhan kristal ini tetap netral karena jumlah muatan positip
pada inti atom masih sama dengan jumlah keseluruhan elektronnya. Pada bahan type n
disamping jumlah elektron bebasnya (pembawa mayoritas) meningkat, ternyata jumlah holenya
(pembawa minoritas) menurun. Hal ini disebabkan karena dengan bertambahnya jumlah elektron
bebas, maka kecepatan hole dan elektron ber-rekombinasi (bergabungnya kembali elektron
dengan hole) semakin meningkat. Sehingga jumlah holenya menurun.
Level energi dari elektron bebas sumbangan atom donor dapat digambarkan seperti pada
gambar dibawah. Jarak antara pita konduksi dengan level energi donor sangat kecil yaitu 0.05 eV
untuk silikon dan 0.01 eV untuk germanium. Oleh karena itu pada suhu ruang saja, maka semua
elektron donor sudah bisa mencapai pita konduksi dan menjadi elektron bebas.

Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe N

4

Bahan semikonduktor tipe n dapat dilukiskan seperti pada gambar dibawah. Karena
atom-atom donor telah ditinggalkan oleh elektron valensinya (yakni menjadi elektron bebas),
maka menjadi ion yang bermuatan positip. Sehingga digambarkan dengan tanda positip.
Sedangkan elektron bebasnya menjadi pembawa mayoritas. Dan pembawa minoritasnya berupa
hole.

Bahan Semikonduktor Tipe N

Semikonduktor Tipe P
Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan impuritas
(ketidak-murnian) bervalensi tiga, maka akan diperoleh semikonduktor type p. Bahan dopan
yang bervalensi tiga tersebut misalnya boron, galium, dan indium. Struktur kisi-kisi kristal
semikonduktor (silikon) type p adalah seperti gambar dibawah.

Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe P

Karena atom dopan mempunyai tiga elektron valensi, dalam gambar diatas adalah atom
Boron (B) , maka hanya tiga ikatan kovalen yang bisa dipenuhi. Sedangkan tempat yang
seharusnya membentuk ikatan kovalen keempat menjadi kosong (membentuk hole) dan bisa
ditempati oleh elektron valensi lain. Dengan demikian sebuah atom bervalensi tiga akan
menyumbangkan sebuah hole. Atom bervalensi tiga (trivalent) disebut juga atom akseptor,
karena atom ini siap untuk menerima elektron.
5

Seperti halnya pada semikonduktor type n, secara keseluruhan kristal semikonduktor type
n ini adalah netral. Karena jumlah hole dan elektronnya sama. Pada bahan type p, hole
merupakan pembawa muatan mayoritas. Karena dengan penambahan atom dopan akan
meningkatkan jumlah hole sebagai pembawa muatan. Sedangkan pembawa minoritasnya adalah
elektron.

Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe P

Level energi dari hole akseptor dapat dilihat pada gambar diatas. Jarak antara level energi
akseptor dengan pita valensi sangat kecil yaitu sekitar 0.01 eV untuk germanium dan 0.05 eV
untuk silikon. Dengan demikian hanya dibutuhkan energi yang sangat kecil bagi elektron valensi
untuk menempati hole di level energi akseptor. Oleh karena itu pada suhur ruang banyak sekali
jumlah hole di pita valensi yang merupakan pembawa muatan.
Bahan semikonduktor tipe p dapat dilukiskan seperti pada gambar dibawah. Karena
atom-atom akseptor telah menerima elektron, maka menjadi ion yang bermuatan negatip.
Sehingga digambarkan dengan tanda negatif. Pembawa mayoritas berupa hole dan pembawa
minoritasnya berupa elektron.

Bahan Semikonduktor Tipe P

2.3.Sambungan P-N
Dioda adalah komponen semikonduktor yang dibentuk dengan cara menyambungkan
semi-konduktor tipe p dan semikonduktor tipe n. Pada saat terjadinya sambungan (junction) p
dan n, hole-hole pada bahan p dan elektron-elektron pada bahan n disekitar sambungan
cenderung untuk berkombinasi. Hole dan elektron yang berkombinasi ini saling meniadakan,
sehingga pada daerah sekitar sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan terbentuk daerah
pengosongan (depletion region).
Konstruksi Dioda

Konstruksi Dioda
Oleh karena itu pada sisi p tinggal ion-ion akseptor yang bermuatan negatip dan pada sisi n
tinggal ion-ion donor yang bermuatan positip. Namun proses ini tidak berlangsung terus, karena
potensial dari ion-ion positip dan negatip ini akan mengahalanginya. Tegangan atau potensial
ekivalen pada daerah pengosongan ini disebut dengan tegangan penghalang (barrier potential).
Besarnya tegangan penghalang ini adalah 0.2 untuk germanium dan 0.6 untuk silikon.

Bentuk Fisik Dioda Dan Simbol Dioda

2.4. Membias Dioda
Suatu dioda bisa diberi bias mundur (reverse bias) atau diberi bias maju (forward bias)
untuk mendapatkan karakteristik yang diinginkan. Bias mundur adalah pemberian tegangan
negatip baterai ke terminal anoda (A) dan tegangan positip ke terminal katoda (K) dari suatu
dioda. Dengan kata lain, tegangan anoda katoda VA-K adalah negatip (VA-K < 0). Apabila
tegangan positip baterai dihubungkan ke terminal Anoda (A) dan negatipnya ke terminal katoda
(K), maka dioda disebut mendapatkan bias maju (foward bias).

Dioda Diberi Bias Mundur

Dioda Diberi Bias Maju

2.5.Karakteristik Arus-Tegangan Dioda
Hubungan antara besarnya arus yang mengalir melalui dioda dengan tegangan VA-K
dapat dilihat pada kurva karakteristik dioda.

Kurva Karakteristik Dioda

Gambar diatas menunjukan dua macam kurva, yakni dioda germanium (Ge) dan dioda
silikon (Si). Pada saat dioda diberi bias maju, yakni bila VA-K positip, maka arus ID akan naik
dengan cepat setelah VA-K mencapai tegangan cut-in (Vg). Tegangan cut-in (Vg) ini kira-kira
sebesar 0.2 Volt untuk dioda germanium dan 0.6 Volt untuk dioda silikon. Dengan pemberian
tegangan baterai sebesar ini, maka potensial penghalang (barrier potential) pada persambungan
akan teratasi, sehingga arus dioda mulai mengalir dengan cepat.
8

Bagian kiri bawah dari grafik karakteristik dioda diatas merupakan kurva karakteristik
dioda saat mendapatkan bias mundur. Disini juga terdapat dua kurva, yaitu untuk dioda
germanium dan silikon. Besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation current) Is untuk dioda
germanium adalah dalam orde mikro amper dalam contoh ini adalah 1 mA. Sedangkan untuk
dioda silikon Is adalah dalam orde nano amper dalam hal ini adalah 10 nA.
Apabila tegangan VA-K yang berpolaritas negatip tersebut dinaikkan terus, maka suatu
saat akan mencapai tegangan patah (break-down) dimana arus Is akan naik dengan tiba-tiba.
Pada saat mencapai tegangan break-down ini, pembawa minoritas dipercepat hingga mencapai
kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom. Kemudian elektron
ini juga dipercepat untuk membebaskan yang lainnya sehingga arusnya semakin besar. Pada
dioda biasa pencapaian tegangan break-down ini selalu dihindari karena dioda bisa rusak.
2.6.Definisi-definisi Dioda
Umumnya, dioda diklasifikasikan sebagai penyearah (rectifier), dioda pensaklaran
(switching diodes) dan dioda-dioda tujuan khusus (special-purpose diodes). Agar dapat
menggunakan dioda dengan baik terutama untuk aplikasi-aplikasi yang khusus adalah penting
untuk mengetahi karakteristik dari dioda tersebut.
Berikut ini disajikan beberapa defenisi yang sering digunakan ketika berhadapan dengan
dioda.
1. VF (forward voltage = tegangan maju) ; level tegangan yang dibutuhkan untuk
menghasilkan level arus maju.
2. IF (forward curent = arus maju ) ; jumlah arus dalam kondisi terbias maju untuk suatu VF
yang diberikan.
3. IF(maks) = (maximum forward curent = arus maju maksimum) ; arus maju maksimum yang
dapat ditangani dioda tanpa menimbulkan kerusakan pada dioda tersebut.
4. VR (reserve voltage) ; tegangan bias balik atau jatuh tegangan yang membentangi dioda
ketika dibias balik.
5. IR (reserve curent or leakage curent = arus balik atau arus bocoran) ; jumlah arus yang
bocor melalui dioda pada berbagai tegangan bias mundur.
6. VBR (reserve breakdown voltage = tegangan tembus balik) ; tegangan bias balik
maksimum yang tidak boleh dilampaui untuk mencegah kerusakan dioda.
7. PIV (peak inverse voltage = tegangan balik puncak) ; sama dengan VBR.

9
2.7.Rangkaian Penyearah
Konsep dasar penyearah gelombang yang dimaksud dalam artikel ini adalah konsep
penyearah gelombang dalam suatu power supply atau catu daya. Penyearah gelombang (rectifier)
adalah bagian dari power supply / catu daya yang berfungsi untuk mengubah sinyal tegangan AC
(Alternating Current) menjadi tegangan DC (Direct Current). Komponen utama dalam penyearah
gelombang adalah diode yang dikonfiguarsikan secara forward bias. Dalam sebuah power supply
tegangan rendah, sebelum tegangan AC tersebut di ubah menjadi tegangan DC maka tegangan
AC tersebut perlu di turunkan menggunakan transformator stepdown. Ada 3 bagian utama dalam
penyearah gelombang pada suatu power supply yaitu, penurun tegangan (transformer),
penyearah gelombang / rectifier (diode) dan filter (kapasitor) yang digambarkan dalam blok
diagram berikut.
AC INPUT
TRANSFORMER

RECTIFIER

FILTER

DC OUTPUT

Pada dasarnya konsep penyearah gelombang dibagi dalam 2 jenis yaitu, Penyearah
setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh.
Penyearah Setengah Gelombang (Half Wave rectifier)

10
Penyearah setengah gelombang (half wave rectifer) hanya menggunakan 1 buah diode
sebagai komponen utama dalam menyearahkan gelombang AC. Prinsip kerja dari penyearah
setengah gelombang ini adalah mengambil sisi sinyal positif dari gelombang AC dari
transformator. Pada saat transformator memberikan output sisi positif dari gelombang AC maka
diode dalam keadaan forward bias sehingga sisi positif dari gelombang AC tersebut dilewatkan
dan pada saat transformator memberikan sinyal sisi negatif gelombang AC maka dioda dalam
posisi reverse bias, sehingga sinyal sisi negatif tegangan AC tersebut ditahan atau tidak
dilewatkan seperti terlihat pada gambar sinyal output penyearah setengah gelombang berikut.

Formulasi yang digunakan pada penyearah setengah gelombang sebagai berikut.

Vavg =

Vm
R
Penyearah Gelombang Penuh (Full wave Rectifier)

Penyearah gelombang penuh dapat dibuat dengan 2 macam yaitu, menggunakan 4 diode
dan 2 diode. Untuk membuat penyearah gelombang penuh dengan 4 diode menggunakan
transformator non-CT seperti terlihat pada gambar berikut :

11
Prinsip kerja dari penyearah gelombang penuh dengan 4 diode diatas dimulai pada saat
output transformator memberikan level tegangan sisi positif, maka D1, D4 pada posisi forward
bias dan D2, D3 pada posisi reverse bias sehingga level tegangan sisi puncak positif tersebut
akan di leawatkan melalui D1 ke D4. Kemudian pada saat output transformator memberikan
level tegangan sisi puncak negatif maka D2, D4 pada posisi forward bias dan D1, D2 pada posisi
reverse bias sehingan level tegangan sisi negatif tersebut dialirkan melalui D2, D4. Untuk lebih
jelasnya dapat dilihat pada grafik output berikut.

Penyearah gelombang dengan 2 diode menggunakan tranformator dengan CT (Center

Tap). Rangkaian penyearah gelombang penuh dengan 2 diode dapat dilihat pada gambar berikut:

Prinsip kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan 2 dioda ini dapat bekerja
karena menggunakan transformator dengan CT. Transformator dengan CT seperti pada gambar
diatas dapat memberikan output tegangan AC pada kedua terminal output sekunder terhadap
terminal CT dengan level tegangan yang berbeda fasa 180. Pada saat terminal output
transformator pada D1 memberikan sinyal puncak positif maka terminal output pada D2
memberikan sinyal puncak negatif, pada kondisi ini D1 pada posisi forward dan D2 pada posisi
reverse. Sehingga sisi puncak positif dilewatkan melalui D1. Kemnudian pada saat terminal
output transformator pada D1 memberikan sinyal puncak negatif maka terminal output pada D2
memberikan sinyal puncak positif, pada kondisi ini D1 posisi reverse dan D2 pada posisi
12
forward. Sehingga sinyal puncak positif dilewatkan melalui D2. Untuk lebih jelasnya
dapat dilihat pada gambar output penyearah gelombang penuh berikut.

Formulasi pada penyearah gelombang penuh sebagai berikut.

Vavg =

2Vm

Penyearah Dilengkapi Filter Kapasitor

Agar tegangan penyearahan gelombang AC lebih rata dan menjadi tegangan DC maka
dipasang filter kapasitor pada bagian output rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar
berikut.

Fungsi kapasitor pada rangkaian diatas untuk menekan riple yang terjadi dari proses
penyearahan gelombang AC. Setelah dipasang filter kapasitor maka output dari rangkaian
penyearah gelombang penuh ini akan menjadi tegangan DC (Direct Current) yang dpat
diformulasikan sebagai berikut :
13
Vdc =

2 V max

Kemudian untuk nilai riple tegangan yag ada dapat dirumuskan sebagai berikut :
VRiple =

I Load
fC

2.8.Perbandingan
Nilai- nilai ini pada tabel adalah untuk dioda-dioda dengan riak yang diabaikan dan
berguna sebagai titik awal dalam perbaikan dan perancangan. Data-data pada tabel ini adalah
ideal karenna pengaruh riak dengan tegangan jatuh dioda diabaikan. Kedua hal ini akan
mengurangi sedikit tegangan beban dc. Jika anga sedang bekerja dengan penyearah tegangan
rendah, anda akan menginginkan jawaban sebagai berikut : Kurangilah tegangan beban dc pada
penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh dengan 0,6 sampai 0,7 V; kurangilah
tegangan beban dc pada penyearah jembatan dengan 1,2 sampai 1,4 V.
Tabel Penyearah ideal dengan penapis kapasitor masukan

Jumlah dioda
Tegangan keluaran dc
Arus dioda dc
Puncak tegangan balik
Frekuensi riak
Tegangan keluaran dc

Setengah gelombang
1
V2 (puncak)
Idc
2 V2 (puncak)
fin
1,41 V2 (rms)

Gelombang penuh
2
0,5 V2 (puncak)
0,5 dc
V2 (puncak)
fin
0,707 V2 (rms)

Jembatan
4
V2 (puncak
0,5 Idc
V2 (puncak)
2 fin
0,707 V2 (rms)

14

BAB III
PENUTUP
3.1. Kesimpulan
1. Semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat
konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah
berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnet, tetapi pada
semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif.
2. Dalam mempelajari elektronika kita mengenal semikonduktor tipe P dan semikonduktor
tipe N. Kedua jenis semikonduktor tersebut merupakan bahan dari pembuatan komponen
semikonduktor seperti dioda dan transistor. semikonduktor tipe P dan tipe N tersebut
dapat dibuat menggunakan bahan silikon dan germanium.
3. Apabila tegangan VA-K yang berpolaritas negatip tersebut dinaikkan terus, maka suatu
saat akan mencapai tegangan patah (break-down) dimana arus Is akan naik dengan tibatiba. Pada saat mencapai tegangan break-down ini, pembawa minoritas dipercepat hingga

mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom.
Kemudian elektron ini juga dipercepat untuk membebaskan yang lainnya sehingga
arusnya semakin besar. Pada dioda biasa pencapaian tegangan break-down ini selalu
dihindari karena dioda bisa rusak.
4. Dioda diklasifikasikan sebagai penyearah (rectifier), dioda pensaklaran (switching
diodes) dan dioda-dioda tujuan khusus (special-purpose diodes).
5. Penyearah gelombang (rectifier) adalah bagian dari power supply / catu daya yang
berfungsi untuk mengubah sinyal tegangan AC (Alternating Current) menjadi tegangan
DC (Direct Current). Komponen utama dalam penyearah gelombang adalah diode yang
dikonfiguarsikan secara forward bias. Dalam sebuah power supply tegangan rendah,
sebelum tegangan AC tersebut di ubah menjadi tegangan DC maka tegangan AC tersebut
perlu di turunkan menggunakan transformator stepdown.

15
DAFTAR PUSTAKA
Amdani, Khairul.2016.Elektronika Dasar.Medan:Universitas Negeri Medan.
http://elektronika-dasar.web.id/konsep-dasar-penyearah-gelombang-rectifier/
http://teknikelektronika.com/pengertian-rectifier-penyearah-gelombang-jenis-rectifier/
http://Prinsip%20Dasar%20dan%20Pengertian%20Semikonduktor.htm
http://Semikonduktor, Bahan Semikonduktor Dan Tipe Semikonduktor.htm
http://Dioda,%20Konstruksi%20Dan%20Prinsip%20Kerja%20Dioda.html

16