ELEKTRONIKA DAYA

BAHAN SEMIKONDUKTOR SEBAGAI SAKLAR

(SWITCHING)

Disusun oleh :
Gede Eddy Saskara

(1304405099)

I Made Teguh Winasatria

(1304405105)

I Dewa Gede Bayu Wiranatha

(1304405106)

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS UDAYANA
2015

KATA PENGANTAR
Puji dan syukur kami panjatkan kehadirat Tuhan Yang Maha Esa. Karena atas
berkat rahmat-Nya kami dapat menyelesaikan makalah semikonduktor sebagai saklar
(switching) dengan baik.
Makalah semikonduktor sebagai saklar (switching) ini merupakan salah satu
tugas yang diberikan dalam mata kuliah elektronika daya.
Kami juga tidak lupa untuk mengucapkan terimakasih kepada seluruh pihak
yang telah membantu kami dalam proses pembuatan makalah ini. Makalah ini masih
sangat jauh dari kesempurnaan, oleh karena itu kritik serta saran yang membangun
sangat kami harapkan untuk penyempurnaan makalah ini. Sebagai manusia biasa
kami memiliki banyak kesalahan, oleh karena itu kami mohon maaf yang sebesarbesarnya untuk kelancaran penyelesaian makalah ini.
Atas perhatian dari semua pihak yang membantu penulisan ini kami ucapkan
terimakasih. Semoga makalah ini dapat dipergunakan seperlunya.
Denpasar, 7 Oktober 2015

Penulis

BAB I
PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang

Di era globalisasi saat ini ditandai dengan banyaknya manusia memenfaatkan

peralatan modern yang berbasiskan komputer atau elektronik untuk memenuhi
kebutuhan hidup manusia. Adanya kemudahan-kemudahan peralatan yang semakin
canggih merupakan kemajuan teknologi peralatan yang menggunakan komponen
elektronika.
Banyak orang yang bekerja di bidang industri dan kependidikan teknik
khususnya kelistrikan atau elektro, misalnya teknisi, instalatir, jaringan dan tenaga
listrik. Mereka sebaiknya harus memiliki pengetahuan yang luas tentang ilmu
daripada bahan-bahan yang berhubungan dengan profesinya masing-masing.
Mempunyai pengetahuan mengenai asal bahan, jenis-jenis bahan, fungsi bahan, dan
sifat-sifat dari bahan adalah sangat penting dimiliki bagi mereka yang bekerja di
bidang industri dan kependidikan teknik.
Secara khusus penulis mengambil salah satu jenis bahan yaitu bahan
Semikonduktor dan untuk pembahasan dan penyusunan makalah ini akan dibahas
mengenai semikonduktor sebagai saklar (switching).
1.2 Rumusan Masalah
Uraian rumusan masalah tentang Semikonduktor yang dapat penulis batasi
meliputi:
a. Apa yang dimaksud dengan bahan semikonduktor?
b. Bagaimana penerapan semikonduktor sebagai saklar (switching)?

1.3

Tujuan
a. Agar mahasiswa mengetahui pengertian dari bahan semikonduktor.
b. Agar mahasiswa mengetahui penerapan semikonduktor sebagai saklar
(switching).

1.4

Batasan Masalah
Adapun batasan masalah dalam makalah ini adalah :
a. Makalah ini hanya membahas pengertian dari bahan semikonduktor.
b. Makalah ini hanya membahas penerapan semikonduktor sebagai saklar
(switching).

BAB II
PEMBAHASAN
2.1

Pengertian Bahan Semikonduktor

Semikonduktor adalah salah satu dari tiga macam bahan penghantar, dimana

dua bahan yang lainnya yaitu konduktor dan isolator. Konduktor merupakan
penghantar listrik yang baik dan isolator merupakan penghantar listrik yang buruk.
Sedangkan semikonduktor merupakan bahan penghantar yang memiliki konduktivitas
listrik diantara insulator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai
insulator pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan
besifat sebagai konduktor. Contoh bahan semikonduktor yang dapat dimanfaatkan
dalam kehidupan sehari-hari adalah silikon, germanium, dan galliumarsenide.
Tahanan jenis bahan semikonduktor antara sekitar 10 -3 m sampai dengan
sekitar 10+3 m. Atom-atom bahan semikonduktor membentuk kristal dengan
struktur tetrahedral, dengan ikatan kovalen. Bahan semikonduktor yang banyak
dipakai dalam elektronika adalah silikon (Si) dan Germanium (Ge). Pada 0 oK SI
mempunyai lebar pita terlarang (energy gap) 0,785 eV, sedang untuk Ge 1,21 eV.

Baik Si maupun Ge mempunyai elektron valensi 4. Ada 2 jenis bahan semikonduktor

yaitu semikonduktor intrinsik (murni) dan semikonduktor ekstrinsik (tidak murni).
Untuk semikonduktor ekstrinsik ada 2 tipe yaitu tipe P dan tipe N.
2.1.1

Semikonduktor Intrinsik (Murni)

Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat

penting dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel periodik
dan mempunyai elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan germanium
berbentuk tetrahedral dengan setiap atom memakai bersama sebuah elektron valensi
dengan atom-atom tetangganya. Gambar 1 memperlihatkan bentuk ikatan kovalen
dalam dua dimensi. Pada temperatur mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit
terluar terikat dengan erat sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat
sebagai insulator.

Gambar 1. Ikatan kovalen silikon dalam dua dimensi

Energi yang diperlukan untuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar
1,1 eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang (300K),
sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dari
ikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas
(gambar 2). Besarya energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron dari pita

valensi ke pita konduksi ini disebut energi terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan
kovalen terputus, maka akan terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah
dimana terjadi kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif, dan daerah yang
ditempati elektron bebas mempunyai kelebihan muatan negatif. Kedua muatan inilah
yang memberikan kontribusi adanya aliran listrik pada semikonduktor murni. Jika
elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi lubang tersebut, maka akan
terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-olah sebuah muatan positif
bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru. Gambar 2. (a) Struktur kristal silikon
memperlihatkan adanya sebuah ikatan kovalen yang terputus dan (b) Diagram pita
energi menunjukkan tereksitasinya elektron ke pita konduksi dan meninggalkan
lubang di pita valensi.

(a)

(b)
Gambar 2. (a) Struktur kristal silikon memperlihatkan adanya sebuah ikatan kovalen yang terputus
dan (b) Diagram pita energi menunjukkan tereksitasinya elektron ke pita konduksi dan meninggalkan
lubang di pita valensi

Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai arus drift dapat
dituliskan sebagai berikut :
Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya dua partikel
masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah yang
berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik.
2.1.2

Semikonduktor Ekstrinsik (Tak Murni)

Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom tiga atau lima

dalam tabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium murni (lihat
gambar 3). Elemen semikonduktor beserta atom pengotor yang biasa digunakan
diperlihatkan pada tabel 1.
Tabel 1.1 Elemen semikonduktor pada tabel periodik

2.1.2.1 Semikonduktor tipe-n

Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom
pengotor pentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon murni. Atomatom pengotor (dopan) ini mempunyai lima elektron valensi sehingga secara efektif
memiliki muatan sebesar +5q. Saat sebuah atom pentavalen menempati posisi atom
silikon dalam kisi kristal, hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan
kovalen lengkap, dan tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat gambar
3). Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi
electron bebas dan siap menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran listrik.
Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n
karena menghasilkan pembawa muatan negatif dari kristal yang netral. Karena atom
pengotor memberikan elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom donor.
Secara skematik semikonduktor tipe-n digambarkan seperti terlihat pada gambar 1.3.

(a)

(b)
Gambar 3. (a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi lima menggantikan posisi
salah satu atom silikon dan (b) Struktur pita energi semikonduktor tipe-n, perhatikan letak tingkat
energi atom donor.

2.1.2.2 Semikonduktor tipe-p

Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-n, semikonduktor
tipe-p dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecif atom pengotor trivalen
(aluminium, boron, galium atau indium) pada semikonduktor murni, misalnya silikon

murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai tiga elektron valensi sehingga
secara efektif hanya dapat membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah atom trivalen
menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen
lengkap, dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak berpasangan
(lihat gambar 4) yang disebut lubang (hole). Material yang dihasilkan dari proses
pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-p karena menghasilkan pembawa muatan
negatif pada kristal yang netral. Karena atom pengotor menerima elektron, maka
atom pengotor ini disebut sebagai atom aseptor (acceptor). Secara skematik
semikonduktor tipe-p digambarkan seperti terlihat pada gambar 4.

(a)

(b)
Gambar 4. (a) Struktur kristal silikon memperlihatkan adanya sebuah ikatan kovalen
yang terputus dan (b) Diagram pita energi menunjukkan tereksitasinya elektron ke pita konduksi dan
meninggalkan lubang di pita valensi

2.1.3 Generasi dan Rekombinasi

Proses generasi (timbulnya pasangan elektron-lubang per detik per meter
kubik) tergantung pada jenis bahan dan temperatur. Energi yang diperlukan untuk
proses generasi dinyatakan dalam elektron volt atau eV. Energi dalam bentuk
temperatur T dinyatakan dengan kT, dimana k adalah konstanta Boltzmann. Analisa
secara statistik menunjukkan bahwa probabilitas sebuah elektron valensi menjadi
elektron bebas adalah sebanding dengan e eVG kT / . Jika energi gap eVG berharga kecil
dan temperatur T tinggi maka laju generasi termal akan tinggi.
Pada semikonduktor, elektron atau lubang yang bergerak cenderung
mengadakan rekombinasi dan menghilang. Laju rekombinasi (R), dalam pasangan
elektron-lubang per detik per meter kubik, tergantung pada jumlah muatan yang ada.
Jika hanya ada sedikit elektron dan lubang maka R akan berharga rendah; sebaliknya
R akan berharga tinggi jika tersedia elektron dan lubang dalam jumlah yang banyak.
Sebagai contoh misalnya pada semikonduktor tipe-n, di dalamnya hanya tersedia
sedikit lubang tapi terdapat jumlah elektron yang sangat besar sehingga R akan
berharga sangat tinggi
2.2

Saklar Daya Semikonduktor

2.2.1 Dioda
Dioda merupakan komponen elektronika daya yang memiliki dua terminal,
yaitu: anoda (A) dan katoda (K). Jika sebuah dioda difungsikan sebagai sakelar
elektronis dalam suatu rangkaian tertutup, maka dioda akan konduksi (ON) jika
potensial pada anoda lebih positif daripada potensial pada katoda. Kondisi ini
biasanya disebut dalam keadaan bias maju (forward bias). Sebaliknya, dioda akan
memblok (OFF) jika potensial pada anoda lebih negatif daripada potensial pada
katoda. Kondisi ini disebut dalam keadaan bias mundur (reversed bias).

Misalkan kita memiliki sepotong silikon tipe-p dan sepotong silikon tipe-n
dan secara sempurna terhubung membentuk sambungan p-n seperti diperlihatkan
pada gambar 5. Sesaat setelah terjadi penyambungan, pada daerah sambungan
semikonduktor terjadi perubahan. Pada daerah tipe-n (gambar 5, sebelah kanan)
memiliki sejumlah elektron yang akan dengan mudah terlepas dari atom induknya.
Pada bagian kiri (tipe p), atom aseptor menarik elektron (atau menghasilkan lubang).
Kedua pembawa muatan mayoritas tersebut memiliki cukup energi untuk mencapai
material pada sisi lain sambungan. Pada hal ini terjadi difusi elektron dari tipe-n ke
tipe-p dan difusi lubang dari tipe-p ke tipe-n.
Proses difusi ini tidak berlangsung selamanya karena elektron yang sudah
berada di tempatnya akan menolak elektron yang datang kemudian. Proses difusi
berakhir saat tidak ada lagi elektron yang memiliki cukup energi untuk mengalir.

Gambar 5. Sambungan semikonduktor tipe-p dan tipe-n

Gambar 6. Mekanisme aliran muatan pada daerah sambungan

Kita harus memperhitungkan proses selanjutnya dimana elektron dapat

menyeberang sambungan. Daerah yang sangat tipis dekat sambungan disebut daerah
deplesi (depletion region) atau daerah transisi. Daerah ini dapat membangkitkan
pembawa muatan minoritas saat terdapat cukup energi termal untuk membangkitkan
pasangan lubang-elektron. Salah satu dari pembawa muatan minoritas ini, misalnya
elektron pada tipe-p, akan mengalami pengaruh dari proses penolakan elektron difusi
dari tipe-n. Dengan kata lain elektron minoritas ini akan ikut tertarik ke
semikonduktor tipe-n. Gerakan pembawa muatan akibat pembangkitan termal ini
lebih dikenal sebagai drift. Situasi akan stabil saat arus difusi sama dengan arus
drift.
Pada daerah sambungan/daerah diplesi yang sangat tipis terjadi pengosongan
pembawa muatan mayoritas akibat terjadinya difusi ke sisi yang lain. Hilangnya
pembawa muatan mayoritas di daerah ini meninggalkan lapisan muatan positif di
daerah tipe-n dan lapisan muatan negatif di daerah tipe-p.
2.2.1.1 Panjar maju (Forward Bias)

Besarnya komponen arus difusi sangat sensitif terhadap besarnya potensial

penghalang Vo. Pembawa muatan mayoritas yang memiliki energi lebih besar dari

eVo dapat melewati potensial penghalang. Jika keseimbangan potensial terganggu

oleh berkurangnya ketinggian potensial penghalang menjadi Vo-V, probabilitas
pembawa muatan mayoritas mempunyai cukup energi untuk melewati sambungan
akan meningkat dengan drastis. Sebagai akibat turunnya potensial penghalang, terjadi
aliran arus lubang dari material tipe-p ke tipe-n, demikian sebaliknya untuk elektron.
Dengan kata lain menurunnya potensial penghalang memberi kesempatan pada
pembawa muatan untuk mengalir dari daerah mayoritas ke daerah minoritas. Jika
potensial penghalang diturunkan dengan pemasangan panjar maju eksternal V seperti
diperlihatkan pada gambar 7, arus If akan mengalir.

Gambar 7. Dioda p-n berpanjar maju (forward bias): (a) Rangkaian dasar dan
(b) Potensial penghalang mengalami penurunan.

2.2.1.2 Panjar mundur (Reverse Bias)

Jika potensial penghalang dinaikkan menjadi Vo+V dengan memasang panjar
mundur sebesar V (lihat gambar 8), maka probabilitas pembawa muatan mayoritas
memiliki cukup energi untuk melewati potensial penghalang akan turun secara
drastis. Jumlah pembawa muatan mayoritas yang melewati sambungan praktis turun
ke nol dengan memasang panjar mundur sebesar sekitar sepersepuluh volt.
Pada kondisi panjar mundur, terjadi aliran arus mundur (Ir) yang sangat kecil
dari pembawa muatan minoritas. Pembawa muatan minoritas hasil generasi termal di
dekat sambungan akan mengalami drift searah medan listrik. Arus mundur akan

mencapai harga jenuh -Io pada harga panjar mundur yang rendah harga arus mundur
dalam keadaan normal cukup rendah dan diukur dalam A (untuk germanium) dan
nA (untuk silikon). Secara ideal, arus mundur seharusnya berharga nol, sehingga
harga -Io yang sangat rendah pada silikon merupakan factor keunggulan silikon
dibandingkan germanium. Besarnya Io berbanding lurus dengan laju generasi termal 2i
g rn dimana harganya berubah secara eksponensial terhadap perubahan temperatur.

Gambar 8. Diode p-n berpanjar mundur (reverse bias) (a) Rangkaian dasar dan (b) Potensial
penghalang meninggi.

2.2.1.3 Tipe Power Dioda

Secara ideal sebuah dioda seharusnya tidak mempunyai waktu pemulihan
baik. Oleh karenanya pembuatan dioda semacam itu sangat mahal. Pada kebanyakan
aplikasi, pengaruh dari waktu pemulihan balik tidak terlau penting, sehingga dioda
kurang dapat digunakan. Tergantung pada karakteristik pemulihan dan teknik
pembuatan, dioda daya dapat diklasifikasikan dalam tiga kategori.
a. Dioda standar atau dioda umum (general purpose)
b. Dioda pemulihan-cepat (Fast-recovery dioda)
c. Dioda Schottky
a.

Dioda Standar
Dioda penyearah standar mempunyai waktu pemulihan balik yang relatif

tinggi, biasanya sekitar 25 detik, dan digunakan pada aplikasi kecepatan rendah,
yang waktu pemulihannya tidak kritis. Dioda ini mencakup tingkatan arus kurang dari

1 A hingga beberapa ribu ampere, dengan tingkat tegangan antara 50 V hingga sekitar
5 kV. Dioda ini secara umum dibuat secara difusi. Akan tetapi pemakaian pada
penyearah yang digunakan untuk suplai pengelasan paling efektif pembiayaannya,
kasar, dan mempunyai tingkat kemampuan hingga 300 A dan 1000 V. Dioda ini
secara umum dibuat secara difusi. Akan tetapi pemakaian pada penyearah yang
digunakan untuk suplai pengelasan paling efektif pembiayaannya, kasar, dan
mempunyai tingkat kemampuan hingga 300 A dan 1000 V.
b.

Dioda Pemulihan Cepat

Dioda pemulihan cepat mempunyai waktu pemulihan paling rendah umumnya

kurang dari 5 detik. Digunakan untuk rangkaian konverter DC-DC dan DC-AC,
yang memerlukan kecepatan pemulihan yang tinggi. Dioda ini mencakup tingkat arus
mulai kurang dari 1 A hingga ratusan ampere, dengan tingkat tegangan mulai 50 V
hingga 3 kV. Untuk tingkat tegangan diatas 400 V, dioda ini dibuat melalui difusi dan
waktu pemulihan diatur oleh difusi platina atau emas. Untuk tingkat tegangan
dibawah 400 V, dioda epitaksi lebih cepat dibanding dioda difusi. Dioda pemulihan
cepat mempunyai lebar basis yang lipis, yang menghasilkan waktu pemulihan ulang
kurang dari 50 detik.
c. Dioda Schottky
Masalah penyimpanan muatan pada pn-juntion dapat dihilangkan (atau
diminimalkan) dalam dioda Schottky. Dioda Schottky mempunyai drop tegangan
relatif rendah dan arus bocornya lebih tinggi dari pada dioda biasa serta tegangan
konduksi yang relatif rendah. Akan tetapi tegangan yang diijinkan secara umum
terbatas hingga 100 V dan kapasitas arusnya antara 1 A hingga 300 A. Oleh
karenanya dioda Schottky ideal digunakan pada chopper-DC suplai tegangan rendah
dan arus rendah sehingga dapat menaikkan efisiensi.
2.2.2 Transistor
Transistor memiliki tiga terminal : basis, emitor, dan kolektor. Pada rangkaian
elektronika daya, transistor umumnya dioperasikan sebagai sakelar dengan

konfigurasi emitor-bersama. Transistor bekerja atas dasar prinsip kendali-arus

(current driven). Transistor dengan jenis NPN akan ON jika pada terminal kolektoremitor diberi panjar (bias) dan pada basis memiliki potensial lebih positif daripada
emitor dan memiliki arus basis yang mampu mengendalikan transistor pada daerah
jenuh. Sebaliknya, transistor akan OFF jika arus basis dikurangi hingga pada kolektor
tidak dapat mengalirkan arus listrik.
Pada bagian ini kita akan pertama-tama membahas transistor bipolar atau BJT
(bipolar junction transistor). Berikutnya akan kita bahas transistor unipolar seperti
misalnya FET (field-effect transistor). Dibandingkan dengan FET, BJT dapat
memberikan penguatan yang jauh lebih besar dan tanggapan frekuensi yang lebih
baik. Pada BJT baik pembawa muatan mayoritas maupun pembawa muatan minoritas
mempunyai peranan yang sama pentingnya.

Gambar 9. Diagram BJT : (a) Jenis n-p-n dan (b) Jenis p-n-p

Terdapat dua jenis kontruksi dasar BJT, yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p.
Untuk jenis n-p-n, BJT terbuat dari lapisan tipis semikonduktor tipe-p dengan tingkat
doping yang relatif rendah, yang diapit oleh dua lapisan semikonduktor tipe-n.
Karena alasan sejarah pembuatannya, bagian di tengah disebut basis (base), salah
satu bagian tipe-n (biasanya mempunyai dimensi yang kecil) disebut emitor

(emitter) dan yang lainya sebagai kolektor (collector). Secara skematik kedua jenis
transistor diperlihatkan pada gambar 9.
Tanda panah pada gambar 9 menunjukkan kaki emitor dan titik dari material
tipe-p ke material tipe-n. Perhatikan bahwa untuk jenis n-p-n, transistor terdiri dari
dua sambungan p-n yang berperilaku seperti dioda. Setiap dioda dapat diberi panjar
maju atau berpanjar mundur, sehingga transistor dapat memiliki empat modus
pengoperasian. Salah satu modus yang banyak digunakan disebut modus normal,
yaitu sambungan emitor-basis berpanjar maju dan sambungan kolektor-basis
berpanjar mundur. Modus ini juga sering disebut sebagai pengoperasian transistor
pada daerah aktif.
2.2.2.1 Pabrikasi BJT
Pabrikasi BJT dapat dilakukan dengan dua teknik, yaitu struktur transistoralloy melalui difusi dan struktur transistor planar. Kolektor terbuat dari chip
semikonduktor tipe-n dengan ketebalan kurang dari 1 mm2. Daerah basis dibuat
dengan proses difusi kemudian dibuat kontak logam untuk dihubungkan dengan kaki
basis. Daerah emitor dibuat dengan teknik alloy pada daerah basis. Sebagai hasilnya
berupa sebuah pasangan sambungan p-n yang dipisahkan oleh daerah basis kira-kira
setebal kertas
2.2.2.2 Pengoprasian Transistor
Pada gambar 10 (a), diperlihatkan keping horizontal transistor jenis n-p-n.
Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi
potensial pada sambungan (gambar 10 (b)). Sambungan emitor berpanjar maju,
dengan efek dari tegangan panjar

EB

V terjadi penurunan tegangan penghalang pada

sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan injeksi ke

basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas).
Sambungan kolektor berpanjar mundur; sebagai efek dari pemasangan
tegangan panjar CB V akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor.
Karena daerah basis sangat tipis, hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis

tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang

disediakan dengan pemasangan baterai luar. (Sebenarnya terjadi pengambilan
elektron oleh baterai eksternal, meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi).
Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian
kolektor yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. Seperti
akan kita lihat, transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang
besar untuk mendapatkan penguatan tegangan.

Gambar 2.6 Pengoperasian transistor jenis n-p-n

(a)

(b)

(c)
Gambar 11. Karakteristik Transistor (a) simbol, (b) karakteristik i-v, (c) karakteristik ideal

2.2.2.3 Transistor Sebagai Saklar

Transistor dapat difungsikan sebagai saklar elektronik, yaitu dengan mengatur
arus basis IB dapat menghasilkan arus kolektor IC yang dapat menghidupkan lampu
P1 dan mematikan lampu. Dengan tegangan suplai UB = 12V dan pada tegangan
basis U1, akan mengalir arus basis IB yang membuat transistor cut-in dan

menghantarkan arus kolektor IC, sehingga lampu P1 menyala. Jika tegangan basis U1
dimatikan dan arus basis IB = 0, dengan sendirinya transistor kembali mati dan lampu
P1 akan mati. Dengan pengaturan arus basis IB, transistor dapat difungsikan sebagai
saklar elektronik dalam posisi ON atau OFF. Ketika transistor sebagai saklar kita
akan lihat tegangan kolektor terhadap emitor UCE. Ada dua kondisi, yaitu ketika
transistor kondisi ON, dan transistor kondisi OFF. Saat transistor kondisi ON
tegangan UCE saturasi. Arus basis IB dan arus kolektor maksimum dan tahanan
kolektor emitor RCE mendekati nol, terjadi antara 0 sampai 50 detik. Ketika
transistor kondisi OFF, tegangan UCE mendekati tegangan UB dan arus basis IB dan
arus kolektor IC mendekati nol, pada saat tersebut tahanan RCE tak terhingga, lihat
Gambar 14.

Gambar 12. Karakteristik output transistor

Gambar 13. Karakteristik output transistor

Gambar 14. Karakteristik output transistor

2.2.3 Thyristor
Istilah Thyristor berasal dari tabung Thyratron-Transistor, dimana dengan
perkembangan teknologi semikonduktor, maka tabung-tabung elektron yang
bentuknya relatif besar dapat digantikan oleh tabung-tabung transistor yang

berukuran jauh lebih kecil tanpa mengurangi kemampuan operasionalnya. Yang

termasuk dalam keluarga thyristor adalan Silicon Controlled Rectifier (SCR), Diac,
Triac yang semuanya didasari dari Dioda Lapis Empat (Four Layers Diode). Bahan
dasar thyristor ini adalah dari silicon dengan pertimbangan jauh lebih tahan panas
dibandingkan dengan bahan germanium. Thyristor ini banyak digunakan sebagai alat
pengendali tegangan atau daya yang tinggi dengan kemampuan yang tinggi.
2.2.3.1 SCR (Silicon Controlled Rectifier)
SCR (Silicon Controlled Rectifier) yaitu penyearah yang didesain dari
material silikon dengan terminal ketiga untuk tujuan-tujuan pengendalian. Pada tahun
terakhir SCR mampu mengendalikan power s/d 10 MW dengan rating arus s/d 2000
A secara tunggal pada tegangan 1800 V dengan frekwensi s/d 50 kHz. Untuk
mengatur arus yang cukup besar yang melalui Anoda-Katoda, hanya diperlukan arus
yang kecil dari Gate. Selama arus Anoda-Katoda tetap mengalir, arus Gate dapat
dihilangkan setelah satu kali melakukan penyulutan. Bila SCR digunakan pada arus
AC, maka hanya akan mengalir arus kesatu arah saja, seperti halnya pada dioda. Pada
pengaturan daya AC dengan SCR dikenal istilah sudut tunda penyulutan (firing delay
angle) yaitu periode yang hilang sebelum SCR tersulut. Rangkaian penyulut pada
Gate dapat berupa R maupun RC. Dengan rangkaian RC akan dapat diatur firing
delay angle dalam jangkah yang lebar.

Gambar 15. SCR

Gambar 16. Konstruksi dasar dan simbolnya

Gambar 17. Rangkaian Kaskade Transistor

SCR mempunyai tiga buah elektroda, yaitu Anoda, Katoda dan Gate dimana
anoda berpolaritas positif dan katoda berpolaritas negatif sebagai layaknya sebuah
dioda penyearah (rectifier). Kaki Gate juga berpolaritas positif. Gambar diatas ini
memperlihatkan pengembangan konstruksi dan diekuivalenkan dengan rangkaian
kaskade transistor.
2.2.4 MOSFET
MOSFET merupakan piranti semikonduktor daya yang memiliki tiga
terminal :gate (gerbang), sumber (source), dan pengalir (drain). MOSFET bekerja
atas dasar prinsip kendali-tegangan (voltage-driven). Gambar 18 merupakan simbol,
karakteristik i-v, dan karakteristik ideal dari MOSFET. Rangkaian pengaturan ON dan
OFF dengan piranti MOSFET lebih mudah dibandingkan piranti transistor. Jika pada
terminal gerbang-sumber dicatu tegangan yang cukup besar maka piranti akan ON,
sehingga menghasilkan tegangan yang kecil antara terminal pengalir-sumber. Dalam
kondisi ON. perubahan tegangan pada terminal pengalir-sumber berbanding lurus

dengan arus pada terminal pengalirnya. Jadi, terminal pengalir-sumber memiliki

resistansi sangat kecil pada saat kondisi ON. MOSFET daya umumnya digunakan
sebagai konverter dengan kapasitas tegangan dan arus mencapai 1000 V, 50 A,
dengan frekuensi pensakelaran di atas 100 kHz. Jika MOSFET dalam kondisi ideal,
ketika MOSFET dalam kondisi ON memiliki karakteristik tegangan pada terminal
pengalir dan sumber (VDS) sama dengan nol dan arus yang mengalir sama dengan
arus bebannya. Sebaliknya, ketika MOSFET dalam kondisi OFF memiliki
karakteristik tegangan pada MOSFET sama dengan tegangan sumbernya (VDD) dan
arus yang mengalir sama dengan nol. Dalam kondisi MOSFET ON dan OFF ini dapat
dinyatakan tidak terjadi kerugian daya pada MOSFET sebagai sakelar.

(a)

(b)

(c)
Gambar 18. Karakteristik MOSFET(a) simbol, (b) karakteristik i-v, (c) karakteristik ideal

2.2.5 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

IGBT komponen elektronika yang banyak dipakai dalam elektronika daya,
aplikasinya sangat luas dipakai untuk mengatur putaran motor DC atau motor AC
daya besar, dipakai sebagai inverter yang mengubah tegangan DC menjadi AC,
dipakai komponen utama Variable Voltage Variable Frequency (VVVF) pada KRL
modern, dipakai dalam kontrol pembangkit tenaga angin dan tenaga panas matahari.
Di masa depan IGBT akan menjadi andalan dalam industri elektronika maupun dalam
listrik industri.

Gambar 19. Struktur fisik dan kemasan IGBT

IGBT memiliki kesamaan dengan transistor bipolar, perbedaannya pada

transistor bipolar arus basis IB yang diatur sedangkan pada IGBT yang diatur adalah
tegangan gate ke emitor UGE. Dari gambar 20 karakteristik IGBT, pada tegangan

UCE = 20 V dan tegangan gate diatur dari minimum 8 V, 9 V dan maksimal 16 V,

arus kolektor IC dari 2 A sampai 24 A.

Gambar 20. Karakteristik output IGBT

BAB III
PENUTUP
3.1

Kesimpulan
Semikonduktor adalah salah satu dari tiga macam bahan penghantar, dimana

dua bahan yang lainnya yaitu konduktor dan isolator. Semikonduktor merupakan
bahan penghantar yang memiliki konduktivitas listrik diantara insulator dan
konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai insulator pada temperatur yang
sangat rendah, namun pada temperatur ruangan besifat sebagai konduktor. Contoh
bahan semikonduktor yang dapat dimanfaatkan dalam kehidupan sehari-hari adalah
silikon, germanium, dan galliumarsenide.
Jika sebuah dioda difungsikan sebagai sakelar elektronis dalam suatu
rangkaian tertutup, maka dioda akan konduksi (ON) jika potensial pada anoda lebih
positif daripada potensial pada katoda. Kondisi ini disebut bias maju (forward bias).
Sebaliknya, dioda akan memblok (OFF) jika potensial pada anoda lebih negatif
daripada potensial pada katoda. Kondisi ini disebut bias mundur (reversed bias).
Transistor dapat difungsikan sebagai saklar elektronik, yaitu dengan mengatur
arus basis IB dapat menghasilkan arus kolektor IC yang dapat menghidupkan lampu
P1 dan mematikan lampu. Saat transistor kondisi ON tegangan UCE saturasi. Arus
basis IB dan arus kolektor maksimum dan tahanan kolektor emitor RCE mendekati
nol, terjadi antara 0 sampai 50 detik. Ketika transistor kondisi OFF, tegangan UCE
mendekati tegangan UB dan arus basis IB dan arus kolektor IC mendekati nol, pada
saat tersebut tahanan RCE tak terhingga.
3.2

Saran
Kami sadar dalam penyusunan makalah bahan semikonduktor sebagai saklar

(switching) ini masih sangat jauh dari kesempurnaan, maka dari itu saran dan
bimbingan dari para bapak dosen selaku pembina, kami harapkan demi kesempurnaan
karya penulis selanjutnya.

DAFTAR PUSTAKA
http://staff.uny.ac.id/sites/default/files/Materi%20Elektronika%20Daya
%20(Komponen%20Elektronika%20Daya%202).pdf
http://listrikd3.itn.ac.id/asset/download/2013-08-23-11-18-16_O%20DAYA.pdf
http://id.scribd.com/doc/214597770/2013-08-23-12-32-49-a-daya#scribd
http://elektronika-dasar.web.id/?=teorisemikonduktor-sebagai-saklar
http://teknikelektronika.com/pengertian-saklar-listrik-cara-kerjanya/