Laporan Praktikum Band Gap Germanium

0 BAND GAP GERMANIUM

- P2 -

I. Latar Belakang
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang
berada diantara isolator dan konduktor. Tentunya bahan semikonduktor ini
mempunyai energi band yang berbeda dari bahan yang lainnya (isolator dan
konduktor). Perbedaan energi pada pita terlarang ini dipengaruhi oleh sifat
dasar dari bahan itu dan struktur atom/populasi atom menempati ruang pada
bahan itu. Bahan semikonduktor yang banyak dikenal adalah silikon,
germanium, galium arsenide. Germanium adalah salah satu bahan yang
digunakan untuk membuat bahan komponen semikonduktor.

II. Identifikasi Masalah

Pada praktikum kali ini banyak permasalahan menarik dan perlu diteliti baik
perumusan maupun pendekatannya. Ada beberapa permasalahan utama yang
perlu diteliti, yaitu:
1. Bagaimana sifat hantaran listrik pada bahan semikonduktor khususnya
Germanium.
2. Bagaimana hubungan struktur pita energi pada bahan semikonduktor
dengan konduktivitas bahan.
3. Apa saja faktor-faktor yang mempengaruhi konduktivitas pada bahan
semikonduktor.

III. Tujuan Eksperimen

Menentukan energi sela germanium

Anindita Sekar Arum - 140310080059 1

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

IV. Tinjauan Pustaka

Semikonduktor adalah bahan yang memiliki sifat antara isolator dan
konduktor .Celah terlarang (band gap ) pada semikonduktor lebih sempit dari
pada isolator sehingga apabila pada temperatur dinaikkan maka
semikonduktor dapat menghantarakan arus listrik. Jika sifat tersebut kita
gambarkan maka akan terbentuk deretan pita yang ada di bawah , yang
menunjukan perbedaan jarak celah antara konduktor, isolator, dan
semikonduktor.

Beberapa jenis bahan Semikonduktor dan nilai celah energinya

diberikan pada tabel 1.1
Tabel 1.1. Bahan semikonduktor dan nilai energi gap.

Selain bahan semikonduktor komersial, masih terdapat bahan

semikonduktor lain yang oleh karena masalah teknis sintesisnya dan juga
masih dalam taraf penelitian dan pengembangan, bahan tersebut belum
dipakai secara luas. Bahan-bahan yang bersangkutan adalah bahan
semikonduktor oksida dan bahan polimer. Contoh bahan oksida antara lain :
CuO, ZnO, Ag2O, PbO, Fe2O3, dan son. Ditinjau dari jenis pembawa muatan
yang menghantarkan listrik di dalamnya, bahan semikonduktor dapat
dibedakan menjadi bahan semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik. Bahan
semikonduktor intrinsik merupakan bahan semikonduktor yang tidak

Anindita Sekar Arum - 140310080059 2

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

mengandung atom-atom takmurnian (impuritas), sehingga hantaran listrik

yang terjadi pada bahan tersebut adalah elektron dan lubang (hole).
Sedangkan pada bahan semikonduktor ekstrinsik, karena mengandung atom-
atom pengotor, pembawa muatan didominasi oleh elektron saja atau lubang
saja.

1. Semikonduktor Intrinsik (murni)

Elektron valensi pada bahan logam tidak terikat dengan kuat dengan
atom induknya sehingga dengan medan listrik yang relatif kecil sudah cukup
untuk membebaskan mereka menjadi elektron bebas (elektron konduksi).
Karenanya pita velensi (valence band) dan pita konduksi (conduction band)
pada diagram energi logam digambarkan tumpang tindih (overlap).
Sedangkan pada isolator terdapat ikatan antar atom yang sangat kuat
sehingga diperlukan energi yang cukup besar (> 3 eV) untuk membebaskan
sebuah elektron. Pada diagram energi, pita valensi dan pita konduksi
terpisahkan oleh energi gap (forbidden gap). Semua keadaan energi (energy
states) pita valensi pada isolator terisi oleh elektron dan terjadi kekosongan
pada semua keadaan energi pita konduksi .

Gambar 2 : Unit sel face centered dari

silikon

Anindita Sekar Arum - 140310080059 3

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

Pada semikonduktor, ikatan kovalen antar atom tidaklah terlalu kuat.

Pada temperatur nol mutlak (T = 0K), semua elektron terikat dengan atom
induknya. Dalam hal ini tidak terdapat adanya elektron bebas yang dapat
mengalirkan arus listrik. Pada diagram energi semua keadaan pada pita valensi
terisi dan terjadi kekosongan pada pita konduksi. Gambar 1.1 memperlihatkan
unit sel dari kristal semikondukstor silikon. Setiap atom silikon terikat dengan
atom-atom tetangga terdekatnya dan memakai empat elektron valensi secara
bersama membentuk sebuah ikatan kovalen.

Gambar 3 a). Penyederhanaan kristal silikon dalam dua dimensi

b). Sebuah atom silikon dengan empat buah elektron valensi

Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar
1,1eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang
(300K),sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk
melepaskan diri darikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi
menjadi elektron bebas (gambar 6.2). Besarya energi yang diperlukan untuk
melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ini disebut energi
terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi
kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan
terdapat kelebihan muatan positif, dan daerah yang ditempati elektron bebas
mempunyai kelebihan muatan negatif. Kedua muatan inilah yang

Anindita Sekar Arum - 140310080059 4

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

memberikankontribusi adanya aliran listrik pada semikonduktor murni. Jika

elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi lubang tersebut, maka
akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-olah sebuah muatan
positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru.
Di atas suhu nol mutlak, getaran kisi dapat mengakibatkan terputusnya ikatan
kovalen. Elektron yang terlepas pada ikatan yang terputus ditandai dengan
sebuah
lubang (hole) yang merupakan pambawa muatan positip. Elektron valensi dari
atom tetangganya dapat melompat ke tempat yang kosong tersebut,
menyebabkan terjadinya proses konduksi listrik pada semikonduktor. Proses
terjadinya elektron bebas disebut terbangkitnya pasangan elektron lubang
(electronhole pair generation).

Gambar 4. Generasi dan rekombinasi pasangan elektron lubang

a) dalam kisi dua dimensi
b) dalam diagram energi

Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai arus drift dapat
dituliskan sebagai berikut Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor
adalah akibat adanya dua partikel masing-masing bermuatan positif dan
negatif yang bergerak dengan arah yang berlawanan akibat adanya pengaruh
medan listrik Akibat adanya dua pembawa muatan tersebut, besarnya rapat
arus dinyatakan sebagai:

Anindita Sekar Arum - 140310080059 5

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak, maka

pada semikonduktor murni, jumlah lubang sama dengan jumlah elektron atau
dituliskan
sebagai:

dimana i n disebut sebagai konsentrasi intrinsik. Beberapa properti dasar

silikon dan germanium diperlihatkan pada tabel 6.1.

2. Semikonduktor Ekstrinsik (Tak Murni)

Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom tiga atau
lima dalam
tabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium murni
(lihatgambar 6.3). Elemen semikonduktor beserta atom pengotor yang biasa
digunakan diperlihatkan pada tabel 6.3.

Anindita Sekar Arum - 140310080059 6

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

2.1 Semikonduktor tipe-n

Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil
atom pengotor pentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon
murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai lima elektron valensi
sehingga secara efektif memiliki muatan sebesar +5q. Saat sebuah atom
pentavalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, hanya empat
elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa
sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat gambar 6.3).
Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi
elektron bebas dan siap menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran
listrik. Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut
semikonduktor tipe-n karena menghasilkan pembawa muatan negatif dari
kristal yang netral. Karena atom pengotor memberikan elektron, maka atom
pengotor ini disebut sebagai atom donor. Secara mskematik semikonduktor
tipe-n digambarkan seperti terlihat pada gambar 5.

Anindita Sekar Arum - 140310080059 7

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

(a) (b)

Gambar 5 a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi lima
menggantikan posisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita energi semikonduktor tipe-n,

perhatikan letak tingkat energi atom donor.

2.2 Semikonduktor tipe-p

Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-n,
semikonduktor tipe-p dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecif
atom pengotor trivalen (aluminium, boron, alium atau indium) pada
semikonduktor murni, misalnya silikon murni. Atom-atompengotor (dopan) ini
mempunyai tiga elektron valensi sehingga secara efektif hanya dapat
membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati posisi
atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap, dan
tersisa sebah muatan positif dari atom silikon yang tidak berpasangan (lihat
gambar 6.4) yang disebut lubang (hole). Material yang dihasilkan dari proses
pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-p karena menghasilkan pembawa
muatan negatif pada kristal yang netral. Karena atom pengotor menerima
elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom aseptor (acceptor).
Secara skematik semikonduktor tipe-p digambarkan seperti terlihat pada
gambar 6.

Anindita Sekar Arum - 140310080059 8

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

(a) (b)

Gambar 6 a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi tiga
menggantikan posisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita energi
semikonduktor tipe-p, perhatikan letak tingkat energi atom aseptor.

Dalam fisika zat padat yang berhubungan denga aplikasi medan ,band
gap biasa disebut energi gap atau stop band adalah daerah dimana partikel
tidak dapat bergerak . Pada bahan semi konduktor band gap jaraknya lebih
sempit antara pita valensi dan pita konduksi.
Dalam semi konduktor dan isolator elektron dibatasi pada tingkatan
tingkatan dari pita energi dan terlarang untuk energi yang berbeda .Sehingga
band gap sendiri dapat diartikan perbedaan energi antar permukaaan dari pita
valensi dan bagian dasar dari pita konduksi dimana elektron bisa melompat
dari satu pita kepita ynag lain. Dimana pada pita ada yang terisi elektron ada
yang kosong[3].

Konduktifitas dari semi konduktor bergantung pada kekuatan dari

band gap.Perpindahan elektron atau konduktifitas bisa terjadi saat semi
konduktor memiliki temperatur yang cukup untuk berpindah
Perhitungan dari band Gap.

Anindita Sekar Arum - 140310080059 9

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

ENERGI GAP
Pada semikonduktor murni, pembawa muatan hanya terbentuk dari
pasangan elektron-lubang, karenanya konsentrasi elektron sama dengan
konsentrasi lubang. Jika fungsi rapat keadaan pada pita konduksi simetris
dengan fungsi rapat keadaan pada pita valensi, maka distribusi elektron pada
pita konduksi akan merupakan bayangan dari distribusi lubang pada pita
valensi dengan bidang cermin berada pada pusat energi gap.
Energi gap diperoleh secara matematis dari konduktivitas bahan.

Dimana : Eg = energy gap, k = Boltzmann's constant, dan T = temperatur.

Maka :

Sehingga energi gapnya adalah : Eg ln( 0 / ln ).2 KT

Grafik di bawah ini menerangkan konduktivitas bahan terhadap Temperatir.

Kemungkinan untuk sebuah energi (Eo) akan ditemapati oleh eletron

dapat digunakan hukum fermi dirac.Dengan memperkirakan E0 > > EF, EF
adalah energi fermi. Sehingga Konduktifitas dapat dirumuskan ( ):
Eg
0 ln e 2 kT

Anindita Sekar Arum - 140310080059 10

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

Dimana: e fungsi eksponensial

Eg adalah energi gap
k adalah Konstanta bolzman
T adalah temperatur

Konduktifitas dipengaruhi oleh lebarnya band gap .Diman lebar band gap
bergantung pada bahan pembentuk semi konduktor itu sendiri atau
resistifistik bahan:
1 1* l

A *V

Dimana : l : panjang bahan yang diujikan

A : luas penampang

I : arus

V : tegangan

V. Hipotesis
Energi gap dari tiap bahan semikonduktor berbeda-beda, untuk bahan
germanium memiliki energi gap 0.66 eV.

VI. Metode Percobaan

Pada percobaan ini kita menggunakan metode efek hall. Dari sini akan
diperoleh yang namanya tegangan hall dimana tegangan hall ini timbul karena
pada lempeng semikonduktor diberi arus listrik sehingga hal ini menyebabkan
adanya arus elektron dan hal ini menyebabkan distribusi elektron yang tidak
merata. Pengukuran tegangan hall ini diukur dengan beberapa variasi suhu
dan diukur untuk tiap penaikan dan penurunan suhu.

Anindita Sekar Arum - 140310080059 11

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

Alat Alat Percobaan

1. Hall effect module
2. Hall effect undot-Ge carrier board
3. Power supply 0-12 V DC 6 V 12 V AC
4. Tripod base
5. Support rod square l=250 mm
6. right angle clamp
7. connecting cord, l=500mm
8. Cobra3 Basic Unit
9. Power Supply universal 12V
Opsi:
1. Pengukuran dengan komputer
- cobra3 Software Hall
- RS 232 data cable
- PC, Windows 95 or higher
2. Pengukuran manual
- Voltmeter 0,3-300 V DC, 10-300 V AC atau osiloskop
Prosedur Percobaan
1. Merangkai alat seperti pada gambar

Anindita Sekar Arum - 140310080059 12

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

2. Memasukan smapel tes yang terpasangpada PCB melalui slot yang

tersedia ke Modul Efek Hall.
3. Menghubungkan Modul ke sumber tegangan 12 V AC.
4. Menghubungkan voltmeter melalui soket bagian atas sisi depan
Modul.
5. Menekan tombol selektor display untuk menunjukkan dispay arus
dan memutar rotary switch untuk mengeset arus sebesar 4 mA.
6. Menekan kembali tombol selektor display untuk menunjukkan
display temperatur.
7. Memulai pengukuran setelah menekan switch pemanas koil
dibagian belakang Modul.
8. Mengamati dan mencatat perubahan tegangan pada volt meter
berdasarkan penaikkan temperatur setiap 30 C.
9. Pengukuran akan berhenti secara otomatis setelah suhu koil
mencapai 1700 C.
10. Mengamati dan mencatat perubahan tegangan voltmeter
berdasarkan penurunan temperatur setiap 30 C .
11. Mengulangi untuk arus koil 5 mA dan 6 mA.

Anindita Sekar Arum - 140310080059 13

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

Daftar Pustaka
Krane, kenneth.1982. Fisika Modern. Oregon: John willey & Sons, Inc

Anindita Sekar Arum - 140310080059 14