Laporan Praktikum Band Gap Germanium

BAND GAP GERMANIUM

- P2 -

I. Latar Belakang
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas
listrik yang berada diantara isolator dan konduktor. Tentunya
bahan semikonduktor ini mempunyai energi band yang berbeda
dari bahan yang lainnya (isolator dan konduktor). Perbedaan
energi pada pita terlarang ini dipengaruhi oleh sifat dasar dari
bahan itu dan struktur atom/populasi atom menempati ruang
pada bahan itu. Bahan semikonduktor yang banyak dikenal
adalah silikon, germanium, galium arsenide. Germanium adalah
salah satu bahan yang digunakan untuk membuat bahan
komponen semikonduktor.

II. Identifikasi Masalah

Pada praktikum kali ini banyak permasalahan menarik dan perlu
diteliti baik perumusan maupun pendekatannya. Ada beberapa
permasalahan utama yang perlu diteliti, yaitu:
1. Bagaimana sifat hantaran listrik pada bahan
semikonduktor khususnya Germanium.
2. Bagaimana hubungan struktur pita energi pada bahan
semikonduktor dengan konduktivitas bahan.
3. Apa saja faktor-faktor yang mempengaruhi konduktivitas
pada bahan semikonduktor.

III. Tujuan Eksperimen

Menentukan energi sela germanium

Anindita Sekar Arum - 140310080059 1

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

IV. Tinjauan Pustaka

Semikonduktor adalah bahan yang memiliki sifat antara
isolator dan konduktor .Celah terlarang (band gap ) pada
semikonduktor lebih sempit dari pada isolator sehingga apabila
pada temperatur dinaikkan maka semikonduktor dapat
menghantarakan arus listrik. Jika sifat tersebut kita gambarkan
maka akan terbentuk deretan pita yang ada di bawah , yang
menunjukan perbedaan jarak celah antara konduktor, isolator,
dan semikonduktor.

Beberapa jenis bahan Semikonduktor dan nilai celah

energinya diberikan pada tabel 1.1
Tabel 1.1. Bahan semikonduktor dan nilai energi gap.

Selain bahan semikonduktor komersial, masih terdapat

bahan semikonduktor lain yang oleh karena masalah teknis
sintesisnya dan juga masih dalam taraf penelitian dan
pengembangan, bahan tersebut belum dipakai secara luas.
Bahan-bahan yang bersangkutan adalah bahan semikonduktor
oksida dan bahan polimer. Contoh bahan oksida antara lain :
CuO, ZnO, Ag2O, PbO, Fe2O3, dan son. Ditinjau dari jenis
pembawa muatan yang menghantarkan listrik di dalamnya,

Anindita Sekar Arum - 140310080059 2

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

bahan semikonduktor dapat dibedakan menjadi bahan

semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik. Bahan semikonduktor
intrinsik merupakan bahan semikonduktor yang tidak
mengandung atom-atom takmurnian (impuritas), sehingga
hantaran listrik yang terjadi pada bahan tersebut adalah elektron
dan lubang (hole). Sedangkan pada bahan semikonduktor
ekstrinsik, karena mengandung atom-atom pengotor, pembawa
muatan didominasi oleh elektron saja atau lubang saja.

1. Semikonduktor Intrinsik (murni)

Elektron valensi pada bahan logam tidak terikat dengan
kuat dengan atom induknya sehingga dengan medan listrik yang
relatif kecil sudah cukup untuk membebaskan mereka menjadi
elektron bebas (elektron konduksi). Karenanya pita velensi
(valence band) dan pita konduksi (conduction band) pada
diagram energi logam digambarkan tumpang tindih (overlap).
Sedangkan pada isolator terdapat ikatan antar atom yang sangat
kuat sehingga diperlukan energi yang cukup besar (> 3 eV)
untuk membebaskan sebuah elektron. Pada diagram energi, pita
valensi dan pita konduksi terpisahkan oleh energi gap (forbidden
gap). Semua keadaan energi (energy states) pita valensi pada
isolator terisi oleh elektron dan terjadi kekosongan pada semua
keadaan energi pita konduksi .

Gambar 2 : Unit sel face centered dari

silikon

Anindita Sekar Arum - 140310080059 3

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

Pada semikonduktor, ikatan kovalen antar atom tidaklah

terlalu kuat. Pada temperatur nol mutlak (T = 0K), semua
elektron terikat dengan atom induknya. Dalam hal ini tidak
terdapat adanya elektron bebas yang dapat mengalirkan arus
listrik. Pada diagram energi semua keadaan pada pita valensi
terisi dan terjadi kekosongan pada pita konduksi. Gambar 1.1
memperlihatkan unit sel dari kristal semikondukstor silikon.
Setiap atom silikon terikat dengan atom-atom tetangga
terdekatnya dan memakai empat elektron valensi secara
bersama membentuk sebuah ikatan kovalen.

Gambar 3 a). Penyederhanaan kristal silikon dalam dua dimensi

b). Sebuah atom silikon dengan empat buah elektron valensi

Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen

adalah sebesar 1,1eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium.
Pada temperatur ruang (300K),sejumlah elektron mempunyai
energi yang cukup besar untuk melepaskan diri darikatan dan
tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron
bebas (gambar 6.2). Besarya energi yang diperlukan untuk

Anindita Sekar Arum - 140310080059 4

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ini disebut

energi terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen
terputus, maka akan terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada
daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat kelebihan
muatan positif, dan daerah yang ditempati elektron bebas
mempunyai kelebihan muatan negatif. Kedua muatan inilah yang
memberikankontribusi adanya aliran listrik pada semikonduktor
murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi
lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang
lain dan seolah-olah sebuah muatan positif bergerak dari lubang
yang lama ke lubang baru.
Di atas suhu nol mutlak, getaran kisi dapat mengakibatkan
terputusnya ikatan kovalen. Elektron yang terlepas pada ikatan
yang terputus ditandai dengan sebuah
lubang (hole) yang merupakan pambawa muatan positip.
Elektron valensi dari atom tetangganya dapat melompat ke
tempat yang kosong tersebut, menyebabkan terjadinya proses
konduksi listrik pada semikonduktor. Proses terjadinya elektron
bebas disebut terbangkitnya pasangan elektron lubang
(electronhole pair generation).

Gambar 4. Generasi dan rekombinasi pasangan elektron lubang

a) dalam kisi dua dimensi
b) dalam diagram energi

Anindita Sekar Arum - 140310080059 5

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai “arus

drift” dapat dituliskan sebagai berikut “Peristiwa hantaran listrik
pada semikonduktor adalah akibat adanya dua partikel masing-
masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan
arah yang berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik”
Akibat adanya dua pembawa muatan tersebut, besarnya rapat
arus dinyatakan sebagai:

Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara

serentak, maka pada semikonduktor murni, jumlah lubang sama
dengan jumlah elektron atau dituliskan
sebagai:

dimana i n disebut sebagai konsentrasi intrinsik. Beberapa

properti dasar silikon dan germanium diperlihatkan pada tabel
6.1.

2. Semikonduktor Ekstrinsik (Tak Murni)

Anindita Sekar Arum - 140310080059 6

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom

tiga atau lima dalam
tabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau
germanium murni (lihatgambar 6.3). Elemen semikonduktor
beserta atom pengotor yang biasa digunakan diperlihatkan pada
tabel 6.3.

2.1 Semikonduktor tipe-n

Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan
sejumlah kecil atom pengotor pentavalen (antimony, phosphorus
atau arsenic) pada silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini
mempunyai lima elektron valensi sehingga secara efektif
memiliki muatan sebesar +5q. Saat sebuah atom pentavalen
menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, hanya empat
elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap,
dan tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat
gambar 6.3).
Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini
akan menjadi elektron bebas dan siap menjadi pembawa muatan
dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari

Anindita Sekar Arum - 140310080059 7

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karena

menghasilkan pembawa muatan negatif dari kristal yang netral.
Karena atom pengotor memberikan elektron, maka atom
pengotor ini disebut sebagai atom donor. Secara mskematik
semikonduktor tipe-n digambarkan seperti terlihat pada gambar
5.

(a)
(b)

Gambar 5 a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi

lima
menggantikan posisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita energi

semikonduktor tipe-n, perhatikan letak tingkat energi atom donor.

2.2 Semikonduktor tipe-p

Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-
n, semikonduktor tipe-p dapat dibuat dengan menambahkan
sejumlah kecif atom pengotor trivalen (aluminium, boron, alium
atau indium) pada semikonduktor murni, misalnya silikon murni.
Atom-atompengotor (dopan) ini mempunyai tiga elektron valensi
sehingga secara efektif hanya dapat membentuk tiga ikatan
kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati posisi atom
silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap,
dan tersisa sebah muatan positif dari atom silikon yang tidak

Anindita Sekar Arum - 140310080059 8

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

berpasangan (lihat gambar 6.4) yang disebut lubang (hole).

Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut
semikonduktor tipe-p karena menghasilkan pembawa muatan
negatif pada kristal yang netral. Karena atom pengotor
menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai
atom aseptor (acceptor). Secara skematik semikonduktor tipe-p
digambarkan seperti terlihat pada gambar 6.

(a)
(b)

Gambar 6 a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi tiga
menggantikan posisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita energi
semikonduktor tipe-p, perhatikan letak tingkat energi atom aseptor.

Dalam fisika zat padat yang berhubungan denga aplikasi

medan ,band gap biasa disebut energi gap atau stop band
adalah daerah dimana partikel tidak dapat bergerak . Pada
bahan semi konduktor band gap jaraknya lebih sempit antara
pita valensi dan pita konduksi.
Dalam semi konduktor dan isolator elektron dibatasi pada
tingkatan tingkatan dari pita energi dan terlarang untuk energi

Anindita Sekar Arum - 140310080059 9

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

yang berbeda .Sehingga band gap sendiri dapat diartikan

perbedaan energi antar permukaaan dari pita valensi dan bagian
dasar dari pita konduksi dimana elektron bisa melompat dari
satu pita kepita ynag lain. Dimana pada pita ada yang terisi
elektron ada yang kosong[3].

Konduktifitas dari semi konduktor bergantung pada

kekuatan dari band gap.Perpindahan elektron atau konduktifitas
bisa terjadi saat semi konduktor memiliki temperatur yang cukup
untuk berpindah
Perhitungan dari band Gap.

ENERGI GAP
Pada semikonduktor murni, pembawa muatan hanya
terbentuk dari pasangan elektron-lubang, karenanya konsentrasi
elektron sama dengan konsentrasi lubang. Jika fungsi rapat
keadaan pada pita konduksi simetris dengan fungsi rapat
keadaan pada pita valensi, maka distribusi elektron pada pita
konduksi akan merupakan “bayangan” dari distribusi lubang
pada pita valensi dengan bidang cermin berada pada pusat
energi gap.
Energi gap diperoleh secara matematis dari konduktivitas bahan.

Dimana : Eg = energy gap, k = Boltzmann's constant, dan T =

temperatur.
Maka :

Anindita Sekar Arum - 140310080059 10

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

Sehingga energi gapnya adalah : Eg = ln( σ 0 / ln σ ). 2 KT

Grafik di bawah ini menerangkan konduktivitas bahan terhadap

Temperatir.

Kemungkinan untuk sebuah energi (Eo) akan ditemapati

oleh eletron dapat digunakan hukum fermi dirac.Dengan
memperkirakan E0 > > EF, EF adalah energi fermi. Sehingga Konduktifitas
dapat dirumuskan ( σ ): Eg
σ = σ 0 ln e 2 kT

Dimana: e fungsi eksponensial

Eg adalah energi gap
k adalah Konstanta bolzman
T adalah temperatur

Konduktifitas dipengaruhi oleh lebarnya band gap .Diman lebar

band gap bergantung pada bahan pembentuk semi konduktor itu
sendiri atau resistifistik bahan:
1 1* l
σ= =
ρ A *V

Dimana : l : panjang bahan yang diujikan

A : luas penampang

Anindita Sekar Arum - 140310080059 11

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

I : arus

V : tegangan

V. Hipotesis
Energi gap dari tiap bahan semikonduktor berbeda-beda,
untuk bahan germanium memiliki energi gap 0.66 eV.

VI. Metode Percobaan

Pada percobaan ini kita menggunakan metode efek hall.
Dari sini akan diperoleh yang namanya tegangan hall dimana
tegangan hall ini timbul karena pada lempeng semikonduktor
diberi arus listrik sehingga hal ini menyebabkan adanya arus
elektron dan hal ini menyebabkan distribusi elektron yang tidak
merata. Pengukuran tegangan hall ini diukur dengan beberapa
variasi suhu dan diukur untuk tiap penaikan dan penurunan
suhu.

Alat – Alat Percobaan

1. Hall effect module
2. Hall effect undot-Ge carrier board
3. Power supply 0-12 V DC 6 V 12 V AC
4. Tripod base
5. Support rod square l=250 mm
6. right angle clamp
7. connecting cord, l=500mm
8. Cobra3 Basic Unit
9. Power Supply universal 12V
Opsi:
1. Pengukuran dengan komputer

Anindita Sekar Arum - 140310080059 12

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

- cobra3 Software Hall

- RS 232 data cable
- PC, Windows 95 or higher
2. Pengukuran manual
- Voltmeter 0,3-300 V DC, 10-300 V AC atau osiloskop
Prosedur Percobaan
1. Merangkai alat seperti pada gambar

2. Memasukan smapel tes yang terpasangpada PCB

melalui slot yang tersedia ke Modul Efek Hall.
3. Menghubungkan Modul ke sumber tegangan 12 V AC.
4. Menghubungkan voltmeter melalui soket bagian atas
sisi depan Modul.
5. Menekan tombol selektor display untuk menunjukkan
dispay arus dan memutar rotary switch untuk mengeset
arus sebesar 4 mA.
6. Menekan kembali tombol selektor display untuk
menunjukkan display temperatur.
7. Memulai pengukuran setelah menekan switch pemanas
koil dibagian belakang Modul.

Anindita Sekar Arum - 140310080059 13

 Laporan Praktikum Band Gap Germanium

8. Mengamati dan mencatat perubahan tegangan pada

volt meter berdasarkan penaikkan temperatur setiap 30
C.
9. Pengukuran akan berhenti secara otomatis setelah suhu
koil mencapai 1700 C.
10. Mengamati dan mencatat perubahan tegangan
voltmeter berdasarkan penurunan temperatur setiap 30
C.
11. Mengulangi untuk arus koil 5 mA dan 6 mA.

Daftar Pustaka
Krane, kenneth.1982. Fisika Modern. Oregon: John willey & Sons,
Inc

Anindita Sekar Arum - 140310080059 14