BAHAN SEMIKONDUKTOR

A. Konduktor, Isolator, dan Semikonduktor

Konduktor, isolator, dan semikonduktor merupakan jenis material yang dikelompokkan
berdasarkan sifat konduktivitasnya. Sifat konduktivitas yaitu ukuran dari kemampuan suatu
bahan untuk menghantarkan arus listrik. Untuk menjelaskan konduktivitas bahan, digunakan
konsep pita energi. Ada dua pita energi, yaitu :
 Pita valensi adalah pita energi yang mungkin diisi oleh elektron dari zat padat hingga
penuh. Setiap pita terdiri atas 2N elektron, dengan N adalah jumlah atom. Jika masih
ada elektron yang tersisa, maka elektron ini akan mengisi pita konduksi.
 Pita konduksi adalah pita energi yang merupakan tempat lain yang akan diisi oleh
elektron setelah pita valensi terisi penuh.
Pada suhu 0 K, pita konduksi terisi sebagian untuk bahan konduktor. Sedangkan untuk pita
isolator dan seminkonduktor tidak ada yang terisi. Semakin banyak elektron yang mengisi pita
konduksi, maka konduktivitas bahan akan semakin tinggi.

Gambar 1. Pita Energi pada Konduktor, Semikonduktor, dan Isolator

Perbedaan daya hantar listrik disebabkan oleh perbedaan lebar pita terlarang (energi gap)
sebagaimana ditunjukkan pada Gambar 1. Perbedaan tersebut antara lain :
 Pada isolator, energi gapnya sebesar 6 eV sehingga sulit untuk membuat elektron pada
pita valensi berpindah ke pita konduksi, walaupun diberi tenaga medan listrik luar.
Karena tidak ada elektron pada pita konduksi, maka tidak ada elektron bebas sehingga
tidak bisa menghantarkan listrik.
 Pada semikonduktor, energi gapnya kecil yaitu sekitar 1 eV. Pada suhu rendah (0 K),
tidak ada elektron pada pita konduksi sehingga tidak bisa menghantarkan arus listrik,
tetapi pada suhu kamar atau suhu tinggi, ada elektron yang bisa meloncat dari pita
valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas sehingga dapat menghantarkan arus
listrik.
  Pada konduktor, pita valensi dan pita konduksi bertumpang tindih, sehingga tidak
memiliki energi gap. Dengan demikian elektron valensi mudah bergerak dalam pita
konduksi, sehingga mudah menghantarkan arus listrik.

Dengan demikian, berikut ini adalah beberapa sifat dari semikonduktor :

 Resistivitas semikonduktor terletak antara konduktor dan isolator, yaitu resistivitas
semikonduktor lebih kecil dari pada isolator tetapi lebih besar daripada konduktor.
 Semikonduktor memiliki resistansi dengan koefisien suhu negatif, yaitu resistansi
semikonduktor menurun dengan kenaikan suhu dan sebaliknya. Sebagai contoh,
germanium menjadi isolator pada suhu rendah tetapi merupakan konduktor yang baik
pada suhu tinggi.
 Ketika ketakmurnian metalik yang tepat (seperti arsenik, gallium, dsb.) ditambahkan
ke dalam semikonduktor, maka sifat-sifat konduksi arusnya berubah cukup besar.

B. Jenis-jenis Semikonduktor
Berdasarkan tingkat kemurnian atom penyusunnya, terdapat dua jenis semikonduktor
yaitu semikonduktor intrinsik dan semikonduktor ekstrinsik.

a. Semikonduktor Intrinsik

Gambar 2. Kristal Silikon 2 Dimensi dan 3 Dimensi

Semikonduktor murni tanpa adanya bahan pengotor disebut sebagai semikonduktor

intrinsik, contohnya adalah Silikon dan Germanium. Pada kristal semikonduktor instrinsik Si,
sel primitifnya berbentuk kubus. Ikatan yang terjadi antar atom Si yang berdekatan adalah
ikatan kovalen. Hal ini disebabkan oleh adanya pemakaian satu buah elektron bersama oleh
dua atom Si yang berdekatan sebagaimana ditunjukkan oleh Gambar 2. Energi yang diperlukan
untuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1 eV untuk silikon. Pada temperatur
ruang (300K), sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri
dari ikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas. Jika sebuah
ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah dimana
terjadi kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif, dan daerah yang ditempati elektron
bebas mempunyai kelebihan muatan negatif. Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi
adanya aliran listrik pada semikonduktor intrinsik. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen
yang lain mengisi lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan
seolah-olah sebuah muatan positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru. Karena
timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak, maka pada semikonduktor murni,
jumlah lubang sama dengan jumlah elektron.

b. Semikonduktor Ekstrinsik
Semikonduktor yang telah terkotori (tidak murni lagi) oleh atom jenis lain dinamakan
semikonduktor ekstrinsik. Proses penambahan atom pengotor pada semikonduktor murni disebut
pengotoran (doping). Terdapat 2 macam semikonduktor ekstrinsik antara lain :
 Semikonduktor Tipe-P
Ketika sejumlah kecil atom pengotor trivalen (seperti boron, gallium, atau indium)
ditambahkan pada silikon murni maka akan dihasilkan semikonduktor tipe-p. Jika ditinjau
berdasarkan pita energinya, energi fermi bergeser mendekati pita valensi karena kehadiran
tingkat energi akseptor sebagaimana diunjukkan pada Gambar 3. Bila atom pengotor
terionisasi, atom-atom ini akan mendapat elektron dari elektron-elektron yang terikat pada
pita valensi sehingga atom ini disebut sebagai atom akseptor. Elektron yang tereksitasi ke
tingkat akseptor akan meninggalkan hole pada pita valensi. Begitu pula dengan elektron
yang tereksitasi menuju pita konduksi. Dengan demikian, elektron bebas pada pita
konduksi memiliki jumlah yang jauh lebih kecil dibanding jumlah hole pada pita valensi
sehingga hole disebut sebagai pembawa muatan mayoritas.

Gambar 3. a) Struktur kristal silikon dengan atom pengotor bervalensi tiga

b) Struktur pita energi semikonduktor tipe-p

 Semikonduktor Tipe-N
Ketika sejumlah kecil atom pengotor pentavalen (seperti antimony, phosphorus atau
arsenic) ditambahkan pada silikon murni maka akan dihasilkan semikonduktor tipe-n.
Atom pengotor ini disebut sebagai atom donor karena memberikan elektron sisa dalam
membentuk ikatan. Jika ditinjau berdasarkan pita energinya, energi fermi bergeser
mendekati pita konduksi oleh kehadiran tingkat energi donor, sebagaimana ditunjukkan
oleh Gambar 4. Bila atom donor terionisasi, elektron terionisasi dari tingkat donor ke pita
konduksi. Selain itu, eksitasi dari pita valensi pun tetap terjadi dan menghasilkan lubang
 pada pita valensi. Dengan demikian, pada pita konduksi terdapat elektron yang jumlahnya
jauh lebih banyak, sehingga elektron disebut sebagai pembawa muatan mayoritas.

Gambar 4. a) Struktur kristal silikon dengan atom pengotor bervalensi lima

b) Struktur pita energi semikonduktor tipe-n

C. Sambungan P-N
Sambungan P-N (P-N Junction) adalah batas pertemuan antara kedua bahan
semikonduktor tipe P dan tipe N. Semikonduktor tipe p mengandung ion akseptor negatif (atom
impuritas akseptor kekurangan satu elektron dan menjadi ion negatif) dan lubang/hole
bermuatan positif, sedangkan semikonduktor tipe n mengandung ion donor positif (atom
impuritas donor menyumbangkan satu elektron kepada kristal dan menjadi ion positif) dan
elektron bebas. Bahan tipe n mempunyai konsentrasi elektron bebas yang tinggi sedangkan
bahan tipe p memiliki konsentrasi hole yang tinggi. Oleh karena itu, pada sambungan terjadi
difusi elektron dari tipe-n ke tipe-p dan difusi hole dari tipe-p ke tipe-n.

Gambar 5. Skema Sambungan P-N

Ketika elektron bebas bergerak menyeberang sambungan dari tipe n ke tipe p, maka ion
donor positif terbuka karena diambil elektron bebasnya. Sehingga muatan positif terbentuk
pada sisi n dari persambungan. Pada saat yang sama, hole bebas menyeberangi persambungan
dan membuka ion akseptor negatif. Karena itu muatan negatif terbentuk pada sisi p dari
persambungan. Ketika ion-ion donor dan akseptor dalam jumlah yang cukup telah terbuka,
maka difusi selanjutnya dicegah. Ini disebabkan karena muatan positif pada sisi n menolak hole
yang menyeberang dari tipe p ke tipe n dan muatan negatif pada sisi p menolak elektron bebas
masuk dari tipe n ke tipe p. Peristiwa inilah yang disebut sebagai rekombinasi yaitu
penggabungan elektron dan hole lalu lenyap, dimana di sekitar sambungan tidak ada lagi
muatan-muatan bebas sehingga daerah sambungan ini disebut sebagai daerah deplesi (daerah
pengosongan). Terjadinya proses difusi dan rekombinasi pada sambungan P-N ini ditunjukkan
oleh Gambar 5. Karena daerah deplesi mengandung muatan positif pada salah satu sisi dan
muatan negatif pada sisi yang lain, maka timbul medan listrik pada daerah deplesi tersebut dan
dapat dipandang sebagai kapasitor keping sejajar yang termuati.

Gambar 6. Diagram Pita Energi pada Sambungan P-N

Diagram pita energi sambungan p-n ditunjukkan oleh Gambar 6. Setelah terjadi
penyambungan, maka tingkat energi Fermi kedua material akan sama (segaris). Tingkat dasar
energi konduksi dan tingkat dasar energi valensi pada semikonduktor tipe-p berada pada posisi
lebih tinggi dibandingkan keadaan di tipe-n sebesar qVD. Dengan kata lain, elektron pada tipe-
n harus melompati energi penghalang sebesar qVD agar dapat mengalir ke tipe-p.

D. Karakteristik I-V dari Sambungan P-N

Gambar 7. Kurva Karakteristik I-V pada Sambungan P-N

Karakteristik dari sambungan P-N dapat dilihat pada saat pengaplikasian tegangan luar
(atau biasa disebut bias) yang dapat dilakukan melalui dua cara, yaitu :
 Forward Bias (Bias Maju)
Pada bias maju, tipe p dihubungkan dengan tegangan positif dan tipe n dihubungkan dengan
tegangan negatif seperti pada Gambar 8. Hal ini menyebabkan pembawa mayoritas dari bahan
tipe p (hole) akan tertarik oleh kutub negatif melewati persambungan dan berekombinasi
dengan elektron (pembawa mayoritas bahan tipe n). Demikian juga elektron pada tipe-n akan
tertarik oleh kutub positip untuk melewati persambungan. Akibatnya depletion region semakin
menyempit dan arus yang disebabkan oleh pembawa mayoritas akan mengalir, yaitu ID.
Sedangkan pembawa minoritas dari bahan tipe p (elektron) dan dari bahan tipe n (hole) akan
berekombinasi dan menghasilkan Is. Arah Is dan ID adalah berlawanan. Namun karena Is jauh
lebih kecil dari pada ID, maka secara praktis besarnya arus yang mengalir pada dioda ditentukan
oleh ID. Timbulnya arus listrik pada rangkaian hanya bisa terjadi jika tegangan luar lebih besar
dari potential barrier. Pada suatu harga tegangan maju (0,7 volt untuk Si dan 0,3 volt untuk
Ge), maka potensial penghalang itu seluruhnya dihilangkan dan arus mulai mengalir di dalam
rangkaian. Jika ditinjau berdasarkan kurva karakteristik I-V pada Gambar 7, kenaikan kurva
OB diperoleh dengan pemberian bias maju. Dari kurva bias maju ini terlihat bahwa yang
pertama (daerah OA), arus meningkat dengan sangat lambat dan kurva tidak linier. Ini
disebabkan karena tegangan yang dikenakan digunakan untuk mengatasi penghalang potensial.
Tetapi ketika tegangan luar melebihi tegangan penghalang potensial, maka sambungan pn
berperilaku seperti konduktor biasa. Karenanya arus meningkat sangat tajam dengan kenaikan
tegangan luar (daerah AB pada kurva). Pada daerah ini kurva karakteristik I-V hampir linier.

Gambar 8. Skema Forward Bias

 Reverse Bias (Bias Mundur)

Pada bias mundur, tipe p dihubungkan dengan tegangan negatif dan tipe n dihubungkan
dengan tegangan positif seperti pada Gambar 9. Hal ini menyebabkan hole-hole (pembawa
mayoritas) pada tipe-p akan tertarik ke kutub negatif menjauhi persambungan. Demikian juga
elektron-elektron (pembawa mayoritas) pada tipe-n akan tertarik ke kutub positif menjauhi
persambungan. Akibatnya depletion region melebar dan potential barrier meningkat, sehingga
arus yang disebabkan oleh pembawa mayoritas tidak ada yang mengalir. Tetapi dalam
prakteknya, arus yang sangat kecil (dalam orde μA) mengalir di dalam rangkaian dengan bias
mundur seperti ditunjukkan pada kurva karakteristik I-V pada Gambar 7. Ini disebut sebagai
arus mundur (balik) yang terkait dengan pembawa minoritas. Pembawa minoritas yang berupa
elektron (pada bahan tipe p) dan hole (pada bahan tipe n) akan berekombinasi sehingga
mengalir arus jenuh mundur (reverse saturation current) atau Is. Pada pembawa minoritas ini,
bias balik yang dikenakan nampak sebagai bias maju. Karena itu arus kecil mengalir dalam
arah balik. Jika tegangan balik dinaikkan secara kontinyu, energi kinetik elektron (pembawa
minoritas) menjadi cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron-elektron dari atom-atom
semikonduktor. Pada tahap terjadi breakdown di persambungan yang ditunjukkan adanya
kenaikan yang mendadak dari arus balik dan resistansinya jatuh secara mendadak pada daerah
penghalang. Keadaan ini dapat merusak persambungan secara permanen.

Gambar 9. Skema Reverse Bias

E. Aplikasi Semikonduktor
 Dioda
Dioda merupakan komponen elektronika yang mempunyai dua elektroda (terminal), dan
dapat berfungsi sebagai penyearah arus listrik. Dioda dibuat dari sambungan P-N, dimana
terminal pada tipe-p disebut anoda, sedangkan terminal pada tipe-n disebut katoda. Gambar 10
menunjukkan sambungan P-N dan lambang atau simbol dari dioda. Arah panah menunjukkan
arah hole (arus listrik) jika diberi tegangan maju (forward bias).

Gambar 10. Dioda a) Sambungan P-N, b) Simbol

Karakteristik dioda dapat ditunjukkan oleh hubungan antara arus yang lewat dengan beda
potensial ujung-ujungnya. Kurva karakteristik dioda ditunjukkan oleh Gambar 7. Dioda
bekerja sebagai konduktor bila beda potensial listrik yang diberikan dalam arah tertentu yaitu
saat diberi forward bias, tetapi dioda akan bertindak sebagai isolator bila beda potensial listrik
diberikan dalam arah yang berlawanan yaitu saat reverse bias. Ketika dioda diberi bias maju,
maka arus mengalir. Di sisi lain, jika bias mundur, ia menghalangi aliran arus. Dengan kata
lain, dioda p-n junction aktif saat bias maju dan tidak aktif saat bias balik (yaitu bertindak
sebagai saklar). Dengan demikian, dioda persimpangan p-n digunakan sebagai saklar
elektronik dalam rangkaian logika digital

 Sel Surya

Gambar 11. Skema Pita Energi pada Sel Surya

Sel surya atau sel photovoltaic merupakan sebuah piranti semikonduktor yang dapat
menyerap foton dari sinar matahari dan mengubahnya menjadi listrik. Ketika disinari,
umumnya satu sel surya komersial menghasilkan tegangan dc sebesar 0,5 sampai 1 volt, dan
arus short-circuit dalam skala milliampere per cm2. Besar tegangan dan arus ini tidak cukup
untuk berbagai aplikasi, sehingga umumnya sejumlah sel surya disusun secara seri membentuk
modul surya. Satu modul surya biasanya terdiri dari 28-36 sel surya, dan total menghasilkan
tegangan dc sebesar 12 V dalam kondisi penyinaran standar. Modul surya tersebut bisa
digabungkan secara paralel atau seri untuk memperbesar total tegangan dan arus outputnya
sesuai dengan daya yang dibutuhkan untuk aplikasi tertentu.
Proses konversi cahaya matahari menjadi listrik terjadi pada sambungan p-n. Pada sel
surya, semikonduktor tipe-n berada pada lapisan atas dari tipe-p dan menghadap kearah
datangnya cahaya matahari. Semikonduktor tipe-n dibuat jauh lebih tipis dari semikonduktor
tipe-p seperti yang ditunjukkan pada Gambar 11. Hal ini dimaksudkan agar cahaya matahari
yang jatuh ke permukaan sel surya dapat terus terserap dan masuk ke daerah deplesi dan
semikonduktor tipe-p. Dengan demikian, semua bagian dari semikonduktor akan tersinari.
Ketika sambungan semikonduktor ini terkena cahaya matahari, maka elektron mendapat energi
dari cahaya matahari untuk melepaskan diri. Foton yang mempunyai energi sama atau lebih
besar dari lebar pita energi material tersebut akan menyebabkan eksitasi elektron dari pita
valensi ke pita konduksi dan akan meninggalkan hole pada pita valensi. Terlepasnya elektron
ini meninggalkan hole pada daerah yang ditinggalkan oleh elektron yang disebut dengan
fotogenerasi elektron-hole (electron-hole photogeneration) yakni terbentuknya pasangan
elektron dan hole akibat cahaya matahari. Fotogenerasi pada sambungan pn berada pada bagian
sambungan pn yang berbeda. Hal ini disebabkan oleh panjang gelombang dari cahaya matahari
yang berbeda-beda. Spektrum merah dari cahaya matahari yang memiliki panjang gelombang
lebih panjang, mampu menembus daerah deplesi hingga terserap di semikonduktor tipe-p yang
akhirnya menghasilkan proses fotogenerasi di sana. Spektrum biru dengan panjang gelombang
yang jauh lebih pendek hanya terserap di daerah semikonduktor tipe-n. Selanjutnya,
dikarenakan pada sambungan p-n terdapat medan listrik E, maka elektron hasil fotogenerasi
tertarik ke arah yang berlawanan dengan hole. Elektron akan bergerak menjauhi semikonduktor
p, begitu pula dengan hole yang bergerak menjauhi semikonduktor n. Apabila rangkaian kabel
dihubungkan ke dua bagian semikonduktor, maka elektron akan mengalir melalui kabel. Jika
sebuah lampu kecil dihubungkan ke kabel maka lampu tersebut akan menyala karena adanya
arus listrik.
Daya listrik yang dihasilkan olen sel surya ketika mendpat cahaya dihitung dari
kemampuan untuk memproduksi tegangan ketika diberi beban dan arus melalui beban pada
waktu yang sama. Nilai efisiensi suatu sel surya dihitung melalui besarnya daya yang
dihasilkan sel surya dibagi dengan daya cahaya yang datang. Besarnya arus dan tegangan pada
sel surya dipengaruhi oleh beberapa hal berikut :
- Arus, dipengaruhi oleh intensitas cahaya matahari dan ukuran sel surya
- Tegangan, dipengaruhi oleh material yan digunakan, meliputi energi gap, ketebalan, dan
strukturnya

 LED (Light Emitting Diode)

LED adalah komponen yang dapat memancarkan cahaya. LED merupakan salah satu jenis
dioda, sehingga hanya akan mengalirkan arus listrik satu arah saja. LED akan memancarkan
cahaya apabila diberikan tegangan listrik dengan forward bias. Berbeda dengan dioda pada
umumnya, kemampuan mengalirkan arus pada LED cukup rendah yaitu maksimal 20 mA.
Apabila LED dialiri arus lebih besar dari 20 mA maka LED akan rusak, sehingga pada
rangkaian LED dipasang sebuah resistor sebgai pembatas arus. Untuk mendapatkan pancaran
cahaya pada semikonduktor, dopping yang dipakai adalah gallium, arsenic, dan phosporus.
Jenis dopping yang berbeda akan menghasilkan warna cahaya yang berbeda.

Gambar 12. Skema Kerja LED

Ketika lampu LED dialiri tegangan maju (forward bias) seperti pada Gambar 12, arus
mengalir dengan mudah dari sisi p atau anoda menuju sisi n atau katoda, tetapi tidak dalam
arah sebaliknya. Hal ini menunjukkan bahwa elektron pada tipe-n akan berpindah tempat
menuju daerah yang kelebihan hole, yaitu tipe-p. Begitu pula dengan hole pada tipe-p yang
bergerak menuju tipe-n. Ketika elektron bertemu hole, maka akan jatuh ke tingkat energi yang
lebih rendah sehingga akan melepaskan energi dalam bentuk foton. Hal ini terjadi karena ketika
terdapat energi yang cukup (dari beda potensial) elektron akan mengalami eksitasi dari pita
valensi ke pita konduksi sehingga menghasilkan tempat kosong yang ditinggalkan olektron
tersebut yang disebut hole. Elektron pada pita konduksi tersebut dapat turun kembali ke pita
valensi mengisi hole, peristiwa ini disebut rekombinasi. Pada peristiwa rekombinasi akan
dipancarkan cahaya yang bersesuaian dengan selisih kedua pita energi tersebut. Panjang
gelombang cahaya yang dipancarkan bergantung pada energi gap antara pita konduksi dan pita
valensi tersebut.
Laser memiliki prinsip yang berkebalikan dengan solar cell/photovoltaic. Pada sel
photovoltaic diperlukan foton dengan energi yang sebanding dengan energi gap, sehingga
elektron dapat tereksitasi dari pita valensi menuju pita konduksi. Sedangkan pada LED,
elektron yang sudah tereksitasi (akibat energi dari beda potensial) akan mengalami rekombinasi
sehingga memancarkan foton dengan energi yang sebanding dengan energi gapnya.

 Laser

Gambar 13. Skema Tingkat Energi pada Pembentukan Sinar Laser

Laser (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation) yaitu penguatan cahaya

melalui emisi dari radiasi yang distimulasi atau dirangsang. Secara umum suatu divais laser
terdiri dari media penguat berkas cahaya (gain medium), sumber energi pemompa (pumping
source), dan resonator optik (optical resonator). Media penguat dapat meningkatkan intensitas
cahaya dengan cara emisi terstimulasi. Proses memasukkan energi sebagai syarat untuk
terjadinya penguatan daya dinamakan dengan pumping (memompa). Media penguat menyerap
energi yang dipompakan dan mengakibatkan sejumlah elektron tereksitasi ke tingkat energi
yang lebih tinggi. Partikel dapat berinteraksi dengan cahaya dengan cara mengabsorpsi atau
mengemisikan foton. Emisi cahaya dapat terjadi secara spontan atau dengan cara stimulasi
seperti ditunjukkan pada Gambar 13. Ketika jumlah elektron pada suatu tingkat eksitasi
melebihi jumlah elektron pada tingkat energi di bawahnya, maka populasi inversi telah terjadi.
Hal tersebut dapat mengakibatkan terjadinya emisi terstimulasi yang jumlahnya lebih besar
daripada yang diabsorpsi. Dengan demikian cahaya mengalami penguatan daya. Jika media
penguat ini ditempatkan di dalam resonator optik, maka penguatan cahaya dapat terjadi berkali-
kali, dimana resonator optik terdiri dari susunan cermin yang dipasang berhadapan sehingga
berkas cahaya dapat bergerak bolak-balik. Salah satu cermin bersifat agak transparan, sehingga
dapat berfungsi sebagai jalur keluar berkas laser.

Gambar 14. Laser Semikonduktor beserta Diagram Energinya

Pumping dilakukan dengan melakukan injeksi arus listrik lewat sambungan P-N
semikonduktor. Jadi laser ini tidak lain adalah sebuah dioda dengan bias maju biasa. Pancaran
foton disebabkan oleh bergabungnya kembali elektron dan hole di daerah sambungan P-N.
Dibandingkan dengan LED, laser semikonduktor masih mempunyai dua syarat tambahan.
Yang pertama, bahannya harus diberi doping banyak sekali sehingga tingkat energi Fermi-nya
melampaui tingkat energi pita konduksi di bagian N dan masuk ke bawah tingkat energi pita
valensi di bagian P. Hal ini bertujuan agar keadaan inversi populasi di daerah sambungan P-N
dapat dicapai. Yang kedua, rapat arus listrik maju yang digunakan haruslah besar sehingga
melampaui harga ambangnya dan laser yang dihasilkan bersifat kontinu. Pada gambar 12
tampak bahwa di sebagian daerah deplesi terjadi inversi populasi jika sambungan PN diberi
tegangan maju, daerah ini disebut lapisan aktif. Pada saat dilakukan injeksi arus listrik melalui
sambungan, elektron-elektron di pita konduksi pada lapisan aktif dapat bergabung kembali
dengan hole-hole di pita valensi. Untuk arus injeksi yang kecil penggabungan ini terjadi secara
acak dan menghasilkan radiasi, proses inilah yang terjadi pada LED. Tetapi apabila arus
injeksinya cukup besar, pancaran terangsang mulai terjadi di daerah lapisan aktif. Lapisan ini
berfungsi pula sebagai resonator optisnya, sehingga berkas laser akan muncul sepanjang
lapisan ini.