BAB II

TINJAUAN PUSTAKA

Bab ini membahas teori-teori yang mengandung penelitian mengenai pengaruh

temperatur sintering dengan variasi 240, 440, dan 540o C terhadap konduktivitas
termoelektrik dan struktur mikro.

2.1 Pengertian Termoelektrik

Termoelektrik adalah suatu perangkat yang dapat mengubah energi kalor
(perbedaan temperatur) menjadi energi listrik secara langsung. Selain itu,
termoelektrik juga dapat mengkonversikan energi listrik menjadi proses pompa
kalor/refrigerasi. Teknologi termoelektrik adalah teknologi yang bekerja dengan
mengkonversi energi panas menjadi listrik secara langsung (generator
termoelektrik), atau sebaliknya, dari listrik menghasilkan dingin (pendingin
termoelektrik). Untuk menghasilkan listrik, material termoelektrik cukup
diletakkan sedemikian rupa dalam rangkaian yang menghubungkan sumber panas
dan dingin. Dari rangkaian itu akan dihasilkan sejumlah listrik sesuai dengan jenis
bahan yang dipakai.
2.2 Efek Termoelektrik
2.2.1 Efek Seebeck
Efek Seebeck pertama kali diamati oleh dokter Thomas Johan Seebeck,
padatahun 1821, ketika ia mempelajari fenomena ini terdiri dalam produksi tenaga
listrik antara dua semikonduktor ketika diberikan perbedaan suhu. Panas dipompa
ke satu sisi pasangan dan ditolak dari sisi berlawanan. Sebuah arus listrik yang
dihasilkan, sebanding dengan gradien suhu antara sisi panas dan sisi dingin.
Perbedaan suhu dingin diseluruh converter menghasilkan arus searah ke beban
menghasilkan tegangan terminal dan arus terminal. Tidak ada energi mencegah
proses konversi. Untuk alasan ini, pembangkit listrik termoelektrik diklasifikasikan
langsung sebagai daya konversi [2].
Efek seebek terjadi ketika suatu logam dengan beda temperatur antara kedua
ujungnya. Ketika logam tersebut disambung, maka akan terjadi beda potensial
diantara kedua ujungnya [2].

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 7

 Gambar 2.1 Skema Efek Seebek pada suatu bahan [2]

Koefisien seebeck (S) disebut juga daya termoelektrik, seperti pada persamaan
berikut:
𝑑𝐸𝑠
𝑆= (2.1)
𝑇

Keterangan:
S = Koefisien seebeck (Volt/K)
𝑑Es = Potential termoelektrik terinduksi (Volt)
T = Temperatur (K)
2.2.2 Efek Joule
Perpindahan panas dari sisi dalam pendingin ke sisi luarnya akan
mengakibatkan timbulnya arus listrik dalam rangkaian tersebut karena adanya efek
seebeck, maka hal inilah yang dinamakan efek joule. Dalam hal ini sesuai dengan
hukum ohm, efek joule dirumuskan pada persamaan berikut [2]:
2
Qj = I . R (2.2)
Keterangan:
Qj = Efek joule (panas joule) (Watt)
I = Arus (Ampere)
R = Tahanan (Ohm)

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 8

2.2.3 Efek Konduksi
Panas akan merambat secara konduksi dari permukaan yang panas ke
permukaan yang dingin. Perambatan tersebut bersifat irreversible dan disebut efek
konduktivitas. Besarnya perambatan tersebut dinyatakan dalam persamaan [2]:
qc=U.(Th-Tc) (2.3)

Keterangan:
qc = Laju aliran panas (Watt)

U = Konduktivitas thermal (Watt/ K)

T1 = Temperatur hot junction (K)

To = Temperatur cold junction (K)

2.2.4 Efek Peltier

Jean Charles Peltier pada tahun 1834 telah mendasari efek termoelektrik. Dia
mengalirkan listrik pada dua buah logam yang direkatkan dalam sebuah rangkaian.
Ketika arus listrik dialirkan, terjadi penyerapan panas pada sambungan kedua
logam tersebut dan pelepasan panas pada sambungan yang lainnya. Pelepasan dan
penyerapan panas ini saling berbalik begitu arah arus dibalik. Penemuan yang
terjadi pada tahun 1834 ini kemudian dikenal dengan efek Peltier [2].
Pada saat arus mengalir melalui thermocouple, temperature junction akan
berubah dan panas akan diserap pada satu permukaan, sementara permukaan yang
lainnya akan membuang panas. Jika sumber arus dibalik, maka permukaan yang
panas menjadi dingin dan sebaliknya. Gejala ini disebut efek peltier yang
merupakan dasar pendinginan termoelektrik.Dari percobaan diketahui bahwa
perpindahan panas sebanding terhadap arus yang mengalir. Persamaan dari efek
adalah sebagai berikut [2]:
𝑄
𝜋𝑎𝑏 = 𝐼 (2.4)
𝑎𝑏

Keterangan:
𝜋𝑎𝑏 = Koefisien peltier (Volt)
Q = Beban perpindahan panas dari junction (Watt)
Iab = Arus (Ampere)

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 9

2.2.5 Efek Thomson
Pada tahun 1854 seorang berkebangsaan Inggris yang bernama William
Thomson mengemukakan hasil penelitiannya bahwa terdapat penyerapan atau
pengeluaran panas bolak-balik dalam konduktor homogen yang terkena perbedaan
panas dan perbedaan listrik secara simultan. Koefisien Thomson dapat dinyatakan
dalam persamaan berikut [2]:
𝑄
𝜏 = 𝐼 ∆𝑇 (2.5)

Keterangan:
𝜏 = Koefisien Thomson
Q = Beban perpindahan panas yang diserap konduktor (Watt)
I = Arus (Ampere)
𝛥T= Perbedaan temperature (K)

2.3 Elemen Termoelektrik Peltier

Semikonduktor adalah bahan pilihan untuk termoelektrik yang umum
dipakai. Bahan semikonduktor termoelektrik yang paling sering digunakan saat ini
adalah Bismuth Telluride (Bi2Te3) yang telah diolah untuk menghasilkan blok atau
elemen yang memiliki karakteristik individu berbeda yaitu N dan P. Bahan
termoelektrik lainnya termasuk Timbal Telluride (PbTe), Silicon Germanium
(SiGe) dan Bismuth-Antimony (SbBi) adalah paduan bahan yang dapat digunakan
dalam situasi tertentu. Namun, Bismuth Telluride adalah bahan terbaik dalam hal
pendinginan. Bismuth Telluride memiliki dua karakteristik yang patut dicatat.
Karena struktur kristal, Bismuth Telluride sangat anisotropic. Perilaku anisotropic
perlawanan lebih besar dari pada konduktivitas termalnya. Sehingga anisotropic ini
dimanfaatkan untuk pendinginan yang optimal. Karakteristik lain yang menarik
dari Bismuth Telluride adalah Kristal Bismuth Telluride (Bi2Te3) terdiri dari lapisan
heksagonal atom yang sama. Termoelektrik dibangun oleh dua buah semikonduktor
yang berbeda, satu tipe N dan yang lainnya tipe P, (mereka harus berbeda karena
mereka harus memiliki kerapatan elektron yang berbeda dalam rangka untuk
bekerja). Kedua semikonduktor diposisikan paralel secara termal dan ujungnya

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 10

digabungkan dengan lempeng pendingin biasanya lempeng tembaga atau
aluminium [2].
Elemen termoelektrik merupakan semikonduktor tipe-p dan tipe-n yang
dihubungkan dalam suatu rangkaian listrik tertutup yang terdapat beban. Dari
perbedaan suhu yang ada pada tiap junction ditiap semikonduktor tersebut akan
menyebabkan electron berpindah dari sisi panas menuju sisi dingin. Jika pada
batang logam semikonduktor berlaku prinsip kedua efek (efek Seeback dan efek
Peltier), batang semikonduktor dipanaskan dan didinginkan pada dua
semikonduktor tersebut, maka elektron pada sisi panas semikonduktor akan
bergerak aktif dan memiliki kecepatan aliran yang lebih tinggi dibandingkan
dengan sisi dingin semikonduktor. Dengan kecepatan yang lebih tinggi pula, maka
electron dari sisi panas akan mengalami difusi ke sisi dingin dan menyebabkan
timbulnya medan elektrik pada semikonduktor tersebut [2].
Elemen peltier atau pendingin termoelektrik (thermoelektrik cooler)
merupakan alat yang adapat menimbulkan perbedaan suhu antara kedua sisinya jika
dialiri arus listrik searah pada kedua kutub materialnya. Pada gambar 2.2
penampang termoelektrik memiliki keuntungan utama dari elemen peltier adalah
tidak adanya bagian yang bergerak atau cairan yang bersikulasi dan ukurannya
kecil serta bentuknya sangat mudah untuk direkayasa. Sedangkan kekurangan dari
elemen peltier ada pada faktor efisiensi daya yang rendah dan biaya perancangan
sistem masih relatif mahal. Namun kini banyak peneliti yang sedang mencoba
mengembangkan elemen peltier yang lebih murah dan juga efisien [2].

Gambar 2.2 Penampang Termoelektrik [2]

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 11

2.4 Prinsip Kerja Termoelektrik
2.4.1 Prinsip Kerja Termoelektrik Sebagai Pendingin
Jika peltier akan digunakan sebagai pemanas, maka dekatkan bagian peltier
(yang terdapat tulisan) pada bahan yang akan dipanaskan. Jika peltier dirangkai seri
maka jumlah arus yang dibutuhkan tinggal dikalikan saja, misal: jika arus yang
dibutuhkan 6 Ampere dan jumlah peltier yang digunakan 3 maka jumlah arus yang
dibutuhkan Ł 3x6 = 18 Ampere. Cara pembacaan peltier misalnya bertuliskan
TEC1-12706. Artinya 1 peltier membutuhkan tegangan 12 Volt dan arus yang
dibutuhkan 6 Ampere. Kabel merah pada peltier bernilai positif dan kabel hitam
bernilai negative. Pada dasarnya prinsip kerja elemen Peltier sama dengan
semikonduktor khususnya semikonduktor ekstrinsik. Dimana tersusun atas dua
jenis semikonduktor yaitu [2]:
1. Jenis n
2. Jenis p
Pada semikonduktor tipe n elektron yang bertindak sebagai carrier,
sedangkan pada semikonduktor tipe p hole (lubang) yang bertindak sebagai carrier.
Seperti pada di bawah [2]:

Gambar 2.3 Semikonduktor Tipe N Dan Tipe P [2]

Prinsip kerja thermoelectric ini berdasarkan pada efek peltier, yaitu ketika arus
DC dialirkan ke elemen peltier yang terdiri dari beberapa pasang sel semikonduktor

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 12

tipe p (semikonduktor yang mempunyai tingkat energi yang lebih rendah) dan tipe
n (semikonduktor dengan tingkat energi yang lebih tinggi), akan mengakibatkan
salah satu sisi elemen peltier menjadi dingin (kalor diserap) dan sisi lainnya menjadi
panas (kalor dilepaskan). Sisi elemen peltier yang menjadi sisi panas maupun
dingin tergantung arah aliran arus listrik [2].
Hal yang menyebabkan sisi dingin elemen peltier menjadi dingin adalah
mengalir elektron dari tingkat energi yang lebih rendah pada semikonduktor tipe-
p, ke tingkat energi yang lebih tinggi yaitu semikonduktor tipe-n. Supaya electron
tipe p yang mempunyai tingkat lebih rendah dapat mengalir, makan electron
menyerap kalor yang mengakibatkan sisi tersebut menjadi dingin. Sedangkan
pelepasan kalor ke lingkungan terjadi pada sambungan sisi panas, dimana electron
mengalir dari tingkat energi yang lebih tinggi (semikonduktor tipe-n) ke tingkat
energi yang lebih rendah (Semikonduktor tipe-p), untuk dapat mengalir ke
semikonduktor tipe p, kelebihan energi pada tipe n dibuang ke lingkungan sisi
tersebut menjadi panas. Cara kerja Peltier, dengan membuat panas disatu sisi,
kemudian di sisi lain, panas akan terserap hingga terasa dingin. Beda suhu antara
sisi panas dan dingin bisa mencapai 65 oC. Jadi apabila kita bisa membuat sisi panas
serendah mungkin, maka sisi dingin akan bisa sangat dingin bahkan berbuih es.
Contoh sisi panas 80 oC (batas maksimal yang diperbolehkan), maka sisi dingin
akan 15 oC [2].
2.4.2 Parameter Penggunaan Modul Termoelektrik
Pada modul termoelektrik yang digunakan untuk aplikasi pemanas
dikarakterisasikan kedalam beberapa parameter penggunaan yang menentukan
pemilihan modul yang lebih akurat diantara banyak pilihan modul yang tersedia.
Berikut beberapa parameter yang menjadi dasar pemilihan modul termoelektrik [2]
:
a. Jumlah kalor yang akan diserap oleh sisi panas modul.
b. Perbedaan temperatur antara sisi panas dan sisi dingin modul ketika beroperasi.
c. Arus listrik yang digunakan oleh modul.
d. Tegangan listrik yang diugunakan oleh modul.
e. Temperatur tertinggi dan terendah lingkungan dimana modul beroperasi.

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 13

2.5 Material
2.5.1 Silicon Germanium
Silicon germanium sangat ideal untuk aplikasi suhu tinggi. Itu dulu
digunakan dalam generator termoelektrik radioisotop untuk pesawat ruang
angkasa.1 perangkat SiGe dapat beroperasi hingga 1300 K tanpa penurunan
kinerja. Yang optimal komposisi umumnya dianggap Si0.8Ge0.2.1 Dapat dibuat
oleh metode konvensional seperti pencairan zona, penggilingan bola dan
pengepresan panas. Sayat juga dapat menghasilkan komposit nanograins walaupun
suhu operasinya tinggi Dibutuhkan. Komposit SiG nanograining 54 menghasilkan
ZT B1.5 di 1173 K, yang hampir dua kali lipat dari paduan curah SiGe (ZT B 0,9
pada 1173 K) [3].
2.5.2 Lead Telluride and Related Compounds
Telluride timbal banyak digunakan untuk kisaran suhu 600-900 K, yaitu
pertengahan suhu bahan termoelektrik, yang sesuai dengan penggunaan limbah
pemulihan panas gas buang di kendaraan. Oleh karena itu, sistem lead telluride
dapat digunakan untuk memanen limbah panas dari kendaraan. Ada banyak laporan
tentang sintesis lead telluride. Diketahui bahwa sulit untuk membuat PbTe kecil
biji-bijian karena biji-bijian tumbuh sangat cepat.57 Namun, sistem PbTe memiliki
keuntungannya sendiri. Timbal antimony silver telluride (LAST) bersifat intrinsik
nanodot di dalam matriks.20 Nanodot ini menyebarkan fonon, jadi TERAKHIR
konduktivitas termal yang rendah. Demikian pula, sistem PbTe-SrTe juga memiliki
intrinsik struktur nano.55 Dalam subbagian berikut, kita akan membahas sintesis
ini metode [3].
2.5.3 Mg2Si
Material berbasis Mg2Si memiliki massa efektif tinggi, mobilitas dan
pembawa yang tinggi konduktivitas termal kisi rendah. Dengan demikian, mereka
baik untuk pembangkit listrik dalam kisaran suhu 500-800 K. Selain itu, harganya
murah dan tidak beracun adalah keunggulan besar dibandingkan bahan
termoelektrik konvensional lainnya berdasarkan telluride. Karena itu, mereka
dianggap menjanjikan Bahan termoelektrik bebas-Te [3].
Sulit untuk membuat Mg2Si menggunakan konvensional diproses karena Mg
menguap dan mengoksidasi dengan mudah di udara. Karena itu, proses sintesis

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 14

khusus harus digunakan untuk mencegahnya masalah. Kami akan memperkenalkan
dua jenis metode sintesis untuk Mg2Si. Satu adalah metode solid-state reaction
(SSR) dua langkah yang didasarkan pada proses melting and quenching.62 Yang
lainnya adalah metode mekanokimia menggabungkan reaksi kimia dan MA.63
Kedua metode ini akan dibahas dalam contoh berikut [3].
2.5.4 Oxide Materials
Sejak 1997, oksida telah mendapat perhatian sebagai ramah lingkungan baru bahan
termoelektrik. Keramik berbasis Ca3Co4O9 dan SrTiO3 adalah dipilih sebagai
contoh bahan termoelektrik oksida tipe p dan n yang khas, masing-masing, untuk
membahas metode sintetis di bagian ini. Teknologi SSR konvensional dan metode
sol-gel adalah dua sintesis yang khas metode [3].
2.6 Proses
2.6.1 Mixing dan blending
Untuk mencapai hasil yang baik dalam proses kompaksi dan sintering, serbuk
logam harus dihomogenisasi secara menyeluruh. Istilah mixing dan blending sama-
sama digunakan dalam konteks ini. Blending mengacu pada ketika serbuk dari
komposisi kimia yang sama tetapi ukuran partikel yang mungkin berbeda saling
berbaur. Ukuran partikel yang berbeda sering dicampur untuk mengurangi
porositas. Pencampuran mengacu pada serbuk kimia berbeda yang sedang
digabungkan [4].

Gambar 2.4 beberapa proses mixing dan blending: (a) rotating drum, (b) rotating double-cone, (c)
screw mixer, and (d) blade mixer [4].

Bahan-bahan aditif atau bahan yang ditambahkan ke serbuk logam pada

beberapa langkah mixing dan blending. Aditif ini terdiri dari (1) Lubricant atau
pelumas, seperti stearat dari seng dan aluminium, dalam jumlah kecil untuk

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 15

mengurangi gesekan antara partikel dan pada dinding dies selama pemadatan; (2)
pengikat, dalam beberapa kasus bertujuan untuk mencapai kekuatan yang cukup di
bagian yang ditekan namun tidak disinter; dan (3) de flokulan, yang menghambat
aglomerasi serbuk untuk meningkatkan karakteristik aliran selama pemrosesan
berturut-turut [4].
2.6.2 Kompaksi
Dalam kompaksi, penekanan yang tinggi diterapkan ke serbuk untuk
menyusunnya menjadi bentuk yang sesuai dengan dies. Metode kompaksi yang
dapat diketahui adalah menekan, di mana punch menekan serbuk yang terdapat
dalam cetakan. Setelah kompaksi produk serbuk disebut green compact [5].

Gambar 2.5 Proses kompaksi secara konvensional : (1) pengisian serbuk pada rongga cetak, (2)
initial, dan (3) posisi akhir kompaksi produk (4) pengeluaran produk [5].

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 16

2.6.3 Sintering
Sintering adalah proses lanjutan dari kompaksi yang bertujuan untuk
menyatukan partikel serbuk logam melalui jalan pemanasan dibawah titik leleh
logam [6].

Gambar 2.6 Tahapan Sintering [6]

Tahapan sintering :
a. Pre Heat
Agar tidak terjadi thermal shock pada serbuk maka dilakukan Pre Heat
dengan suhu pemanasan rendah.
b. Sintering
Proses pemanasan dengan suhu tinggi dengan tujuan untuk menjadikan
serbuk saling berikatan.
c. Cooling down
Proses pendinginan untuk mendinginkan produk agar kecepatan
pendinginan tidak terlalu cepat yang dapat mengakibatkan keretakan
produk [6].
2.7 Karakterisasi
2.7.1 SEM
Mikroskop elektron adalah sebuah mikroskop yang dapat melakukan
pembesaran objek sampai 2 juta kali. Mikroskop ini menggunakan elektrostatik dan
elektromagnetik untuk mengontrol pencahayaan dan tampilan gambar serta
memiliki kemampuan pembesaran objek serta resolusi yang jauh lebih bagus
daripada mikroskop cahaya. Mikroskop elektron menggunakan jauh lebih banyak
energi dan radiasi elektromagnetik yang lebih pendek dibandingkan mikroskop
cahaya. Scanning Electron Microscope (SEM) adalah sebuah mikroskop elektron
yang didesain untuk mengamati permukaan objek solid secara langsung. SEM

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 17

memiliki perbesaran 10 – 3.000.000 kali, depth of field 4 – 0.4 mm dan resolusi
sebesar 1 – 10 nm [7].
Prinsip kerja dari SEM adalah sebagai berikut:
1. Electron gun menghasilkan electron beam dari filamen. Pada umumnya electron
gun yang digunakan adalah tungsten hairpin gun dengan filamen berupa lilitan
tungsten yang berfungsi sebagai katoda. Tegangan yang diberikan kepada lilitan
mengakibatkan terjadinya pemanasan. Anoda kemudian akan membentuk gaya
yang dapat menarik elektron melaju menuju ke anoda [7].
2. Lensa magnetik memfokuskan elektron menuju suatu titik pada permukaan
sampel [7].
3. Sinar elektron yang terfokus memindai (scan) keseluruhan sampel dengan
diarahkan oleh koil pemindai [7].
4. Ketika elektron mengenai sampel, maka akan terjadi hamburan elektron, baik
Secondary Electron (SE) atau Back Scattered Electron (BSE) dari permukaan
sampel dan akan dideteksi oleh detektor dan dimunculkan dalam bentuk gambar
pada monitor CRT [7].
Secara lengkap skema SEM dijelaskan oleh gambar dibawah ini:

Gambar 2.7 Skematik Cara kerja SEM [7]

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 18

2.7.2 XRD
Teknik X-Ray Diffraction (XRD) berperan penting dalam proses analisis
padatan kristalin. XRD adalah metode karakterisasi yang digunakan untuk
mengetahui ciri utama kristal, seperti parameter kisi dan tipe struktur. Selain itu,
juga dimanfaatkan untuk mengetahui rincian lain seperti susunan berbagai jenis
atom dalam kristal, kehadiran cacat, orientasi, dan cacat kristal (Smallman, 2000:
145). Sinar-X pertama kali ditemukan oleh Wilhelm Rontgen pada tahun 1895.
Sinar-X merupakan gelombang elektromagnetik dengan panjang gelombang (λ ≈
0,1 nm) yang lebih pendek dibanding gelombang cahaya (λ = 400-800 nm)
(Smallman, 2000: 145). Panjang gelombang sinar-X ini merupakan dasar
digunakannya teknik difraksi sinar-X (X-Ray Difraction) untuk mengetahui
struktur mikroskopis suatu bahan [8].

Gambar 2.8 Diagram Sinar X [8]

Jika sinar-X mengenai suatu bahan, maka intensitas sinar yang

ditransmisikan akan lebih rendah dibandingkan dengan intensitas sinar yang
datang, karena terjadi penyerapan oleh bahan dan penghamburan atom-atom dalam
bahan tersebut. Berkas difraksi diperoleh dari berkas sinar-X yang saling
menguatkan karena mempunyai fase yang sama. Untuk berkas sinar-X yang
mempunyai fase berlawanan maka akan saling menghilangkan. Syarat yang harus
dipenuhi agar berkas sinar-X yang dihamburkan merupakan berkas difraksi maka
dapat dilakukan perhitungan secara matematis sesuai dengan hukum Bragg [8].
Menurut Bragg berkas yang terdifraksi oleh kristal terjadi jika pemantulan
oleh bidang sejajar atom menghasilkan interferensi konstruktif. Pemantulan sinar-
X oleh sekelompok bidang paralel dalam kristal pada hakekatnya merupakan

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 19

gambaran dari difraksi atom-atom kristal. Difraksi atom-atom kristal sebagai
pantulan sinar-X oleh sekelompok bidang-bidang paralel dalam kristal. Arah
difraksi sangat ditentukan oleh geometri kisi, yang bergantung pada orientasi dan
jarak antar bidang kristal [8].

Gambar 2.9 Difraksi Bragg [8]

Difraksi Bragg menunjukkan seberkas sinar mengenai atom A pada bidang

pertama dan B pada bidang berikutnya. Jarak antara bidang A dengan bidang B
adalah d, sedangkan a adalah sudut difraksi. Berkas-berkas tersebut mempunyai
panjang gelombang λ, dan jatuh pada bidang kristal dengan jarak d dan sudut θ.
Agar mengalami interferensi konstruktif, kedua berkas tersebut harus memiliki
beda jarak nλ. Sedangkan beda jarak lintasan kedua berkas adalah 2d sin θ.
Interferensi konstruktif terjadi jika beda jalan sinar adalah kelipatan bulat panjang
gelombang λ, sehingga dapat dinyatakan dengan persamaan: nλ = 2d sin θ [8].
Pernyataan ini adalah hukum Bragg. Pemantulan Bragg dapat terjadi jika ≤
2d, karena itu tidak dapat menggunakan cahaya kasat mata, dengan n adalah
bilangan bulat = 1,2,3. Arah berkas yang dipantulkan oleh atom dalam kristal
ditentukan oleh geometri dari kisi kristal yang bergantung pada orientasi dan jarak
bidang kristal. Suatu kristal yang memiliki simetri kubik (a = b = c, α = β = γ = 90°)
dengan ukuran parameter kisi, a = b = c, [8].
Struktur kristal ditentukan dengan difraksi sinar-X. Jarak interplanar dapat
dihitung hingga empat atau lebih angka signifikan dengan mengukur sudut difraksi.
Ini merupakan dasar untuk menentukan jarak interatomik dan menghitung jari-jari.
Penentuan orientasi kristal dilakukan dengan mengamati pola berkas difraksi sinar-
X yang dipantulkan oleh kristal. Untuk XRD, pola difraksi diamati sebagai fungsi

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 20

sudut 2θ. Pola difraksi yang terjadi kemudian dibandingkan dengan JCPDS sebagai
data standar [8].
2.7.3 Pengujian Konduktivitas Elektrik
Untuk menentukan hambatan listrik spesifik (atau konduktivitas listrik)
sampel, teknik pengukuran empat terminal DC digunakan. Akibatnya, pengaruh
parasit seperti resistensi kontak atau kawat ditekan dan akurasi pengukuran dapat
meningkat secara signifikan. Untuk pengukuran dalam kondisi kesetimbangan
termal (ΔT = 0K), arus searah konstan (IDC) terkesan ke dalam sampel melalui dua
elektroda. Karena elektroda dan dimensi sampel, aliran arus satu dimensi yang
hampir ideal dalam sampel dapat diasumsikan [9].

Gambar 2.10 Skematik Pengukuran Konduktivitas listrik (Resitivitas) [9]

2.7.4 Pengujian Koefisien Seeback

Menggunakan Linseis LSR-Platform, bahan termoelektrik dalam bentuk
bahan padat maupun dalam bentuk film tipis dapat dikarakterisasi hampir
sepenuhnya. Dalam versi dasar - LSR-3, Koefisien Seebeck dan Daya Konduksi
Listrik (atau resistivitas) dari bahan padat dapat diukur secara otomatis dan serentak
hingga suhu maksimum 1500 °C. Versi dasar dapat dikombinasikan dengan
berbagai opsi untuk memperluas jangkauan aplikasi. Misalnya, opsi suhu rendah

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 21

memungkinkan pengukuran sepenuhnya otomatis dengan pendinginan LN2 hingga
-100 ° C. Penggunaan adaptor film tipis khusus memperluas jangkauan pengukuran
dan memungkinkan untuk mengukur foil dan lapisan tipis. Kamera opsional
memungkinkan penentuan konduktivitas listrik dengan akurasi tertinggi dan
penggunaan opsi "ohm tinggi" memungkinkan perpanjangan signifikan dari
rentang pengukuran untuk mengkarakterisasi sampel konduktor yang juga lemah
secara elektrik [9].
Untuk menghitung angka termoelektrik dari jasa ZT, yang banyak
digunakan untuk perbandingan efisiensi bahan termoelektrik, diperlukan untuk
mengetahui bahan konduktivitas termal, di samping Seebeck-Koefisien dan
konduktivitas listrik. Untuk pengukuran parameter transportasi termal, biasanya
diperlukan alat pengukur lebih lanjut, seperti LaserFlash . Untuk mengatasi
masalah ini, LaserFlash tambahan dapat diintegrasikan ke dalam platform Linseis
LSR (lihat LZT-Meter) atau adaptor khusus dapat digunakan, yang memungkinkan
karakterisasi bahan padat menggunakan metode Harman. Hal ini memungkinkan
penentuan ZT langsung, yang, dalam kombinasi dengan dua pengukuran asli dari
Seebeck-Koefisien dan konduktivitas listrik, memungkinkan kesimpulan yang
dapat ditarik tentang konduktivitas termal. Platform LSR dengan metode Harman
terintegrasi akan dinamai LSR-4 karena nilai tambah yang signifikan. Melalui
perpanjangan opsional dari alat ukur elektronik, nilai ZT untuk modul (TEG) dalam
Platform LSR-4 dapat ditentukan dalam bentuk spektroskopi impedansi sesuai
dengan prinsip pengukuran dasar yang sama [9].
Prinsip pengukuran adalah sampel berbentuk silinder, berbentuk persegi
atau persegi panjang diposisikan secara vertikal di antara dua elektroda. Blok
elektroda bawah, dan opsional juga blok elektroda atas, (untuk membalikkan
gradien suhu) mengandung koil pemanas (pemanas sekunder). Seluruh pengaturan
pengukuran terletak di tungku, yang memanaskan sampel ke suhu tertentu untuk
pengukuran. Ketika suhu ini tercapai, pemanas sekunder di elektroda bawah
menghasilkan gradien suhu yang telah ditentukan di sepanjang sampel. Dua
termokopel yang secara lateral menghubungi T1 dan T2 sekarang mengukur
perbedaan suhu (ΔT = T2 - T1) antara kontak panas dan dingin pada sampel. Selain

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 22

itu, salah satu dari dua lead termokopel digunakan dalam setiap kasus untuk
mengukur gaya gerak listrik dE (atau thermovoltage Vth) yang terjadi [9].

Gambar 2.11 Skematik Pengukuran Koefisien Seebeck [9]

Fakultas Teknologi Manufaktur UNJANI 23