DETEKTOR SEMIKONDUKTOR

Jenis detektor yang termasuk generasi lebih baru dibanding detektor yang
telah dibicarakan dimuka adalah detektor semi konduktor. Prinsip kerja detektor ini
adalah ionisasi, mirip dengan medium gas (pada detektor tabung) tetapi diganti
dengan bahan semikonduktor. Pada detektor ini bukan elektron dan ion positif yang
membawa muatan melainkan elektron dan hole. Pasangan ion ini dikumpulkan oleh
elektroda dan memberi signal listrik yang sebanding dengan tenaga radiasi. Kebaikan
detektor ini adalah : ukuranya relatif kecil, resolusi tenaganya tinggi.
Sebelum dibicarakan lebih lanjut tentang detektor ini, lebih baik dilihat sifat/
susunan bahan semikonduktor. (Gambar 9)

Gambar 9. Skematik energy level pada beberapa bahan

Pada bahan isolator pita teratas atau pita valensi terisi sedang pita konduksinya
kosong beda tenaga (energi gap) >> 3ev. Sehingga sukar terjadinya perpindahan
elektron dari pita valensi ke pita konduksi, maka tidak ada elektron bebas pada pita
konduksi sebagai pembawa muatan (tentu saja akan terjadi perpindahan elektron bila
suhu sangat tinggi atau beda muatan listrik tinggi).
Pada bahan konduktor (group metal) pita valensi tidak terisi penuh sehingga
dengan adanya medan listrik yang kecil atau suhu yang tidak terlalu tinggi sudah akan
terjadi perpindahan elektron sebagai pembawa muatan. Ada juga bahan konduktor
yang pita valensi dan pita konduksinya saling tumpang tindih (overlap). Bahan ini
disebut semimetal yang dalam keadaan biasa sudah ada elektron lebih.
Sedang pada bahan semikonduktor sifatnya berada di pertengahan sifat
isolator dan konduktor. Yaitu pada keadan biasa terdapat elektron bebas (valensi
belum terisi penuh dan konduksi kosong) akan tetapi cukup mudah untuk
menimbulkan elektron bebas ini, karena beda tenaganya < 3ev. Bahkan dengan
menaikan suhu sudah dapat akan memindahkan elektron. Dengan adanya perpindahan
ini maka pita valensi akan terisi sebagian dari hole (akibat elektron berpindah ke pita
konduksi) dan pita konduksi juga akan terisi sebagian elektron, sehingga keduanya
bersifat seperti konduktor.
Dari sifat diatas maka dibuatlah detektor radiasi nuklir yang daoat dibedakan
menurut bahannya atau cara pembuatannya .

DETEKTOR p-n JUNCTION

Detektor jenis ini dibuat dari bahan semikonduktor tipe p dan tipe n yang
terdiri dari atom silikon (Si) atau atom germanium (Ge). Bahan ini mempunyai
elektron terluar 4 buah per atom pada valensi band. Jika ditambahkan atom phospor
atau arsen yang mempunyai 5 elektron pada pita valensinya maka akan diperoleh 1
elektron, kelebihan 1 elektron yang tak berpasangan. Elektron ini menempati pita
tenaga dibawah pita konduksi, yang akan membawa muatan. Sehingga campuran ini
dinamakan semi konduktor tipe n (donor). (Gambar 10)

Gambar10. Susunan semikonduktor donor

Hal sebaliknya terjadi bila Si atau Ge ini diberi atom pencampur boron atau
almunium (3 elektron valensi) akan terjadi “hole” yang terletak diatas pita valensi.
Sehingga cukup mudah untuk mengeksitasi elektron dari pita valensi kelevel
campuran ini dan meninggalkan hole pada pita valensi. Hole ini beraksi sebagai
pembawa muatan seperti elektron tapi positif, semi konduktor jenis ini disebut tipe p
(acceptor) (Gambar 11)
Apabila kedua bahan itu digandengkan dan tanpa medan listrik maka bagian
kanan yang banyak terdapat elektron (hampir tidak ada hole) sedang bagian kiri
sebaliknya banyak hole akan berdifusi.
 Gambar 11. Susunan semikonduktor acceptor

Adanya proses difusi (akibat perbedaan konsentrasi) hole akan berdifusi

kekanan sedang elektron akn kekiri. Karena sebelah kiri kehilangan hole akan negatif
sedang sebelah kanan akan positif karena kehilangan elektron sehigga timbul medan
listrik yang melawan difusi sampai terjadi keseimbangan, potensial ini disebut
potensial „siar‟. (Si ~ 0.7V ,Ge ~ 0,3V). (Gambar 12a)

Gambar 12. Pemakaian sumber tegangan pada p-n semikonduktor

Apabila pada semi konduktor itu diberi beda tegangan seperti Gambar 12c
maka elektron akan bergerak kekanan sedang hole akan kekiri (muatan berlawanan).
Hal ini berakibat terjadinya daerah bebas carrier (elektron ataupun hole), yang
disebut depletion layer. (daerah bebas carrier)
Dengan adanya depletion layer ini akan dapat digunakan untuk mendeteksi
radiasi lewat proses ionisasi, radiasi yang masuk daerah ini akan mengionisasi atom
netral (Si atau Ge) menjadi pasangan hole - elektron yang akan bergerak kearah
elektroda dan dikumpulkan, yang akan menghasilkan signal tinggi pulsa ini sebanding
dengan tenaga radiasi yang masuk.

Detektor Sawar Muka (Surface Barrier Detector)

Bahan utamanya adalah semi konduktor tipe n. bahan ini setelah diberi larutan
asam, bila didiamkan beberapa saat diudara akan teroksidasi sehingga terbentuk
lapisan oksida yang berlaku seperti semikonduktor tipe p. Dengan demikian akan
terbentuk seperti p-n junction cara kerjanya. Detektor ini peka terhadap  dan 
sedangkan untuk  terlalu tipis sehingga banyak yang terlepas. (Gambar 13)

Gambar 13.Tipe detector surface barrier

Detektor Semikonduktor Murni

Detektor ini dari bahan Si dan Ge murni, atau Ge pada n = 4 , I=1, lainnya
terisi 2 elektron (lengkapnya 6 elektron) tidak dapat berdiri sendiri harus berikatan
dengan atom sejenis atom lain. Dalam hal ini terbentuklah ikatan struktur yang
lengkap. Untuk ikatan antar Ge pada kulit n = 4 setiap atom membentuik struktur
lengkap sehingga jumlah elektronya pada n = 4 adalah 8. Setiap atom dikelilingi
dengan 4 atom membentuk kristal.
Bila ada radiasi yang masuk dan cukup tenaganya maka akan terjadi pelepasan
elektron dari ikatanya. Dengan adanya medan yang dikenakan pada bahan ini maka
akan terjadi pengumpulan elektron pada elektroda dan akan terjadi pulsa. Tinggi pulsa
ini sebanding dengan pengumpulan elektron yang berarti juga sebanding dengan
banyaknya yang terlepas akibat radiasi. Tetapi dengan adanya pencemaran, nilai
kesebandingan ini tidak linear. Untuk mengurangi efek pencemaran ini dengan cara
menurunkan suhunya pada suhu nitrogen cair. Sehingga detektor ini tidak perlu di
simpan pada nitrogen cair, hanya sewaktu operasi saja perlu nitrogen cair.

Detektor Semikonduktor dengan Kompensasi

Pencemaran pada atom Ge selain dapat di kurangi dengan pemurnian yang
tinggi dapat juga dengan diberi atom lain (lithium) kedalam atom Ge. Hal ini akan
mengakibatkan elektron atom Li berikatan dengan atom-atom pencemar dan
membentuk atom gabungan maka akan mengurangi pencemaran Ge. (ctt.
Pencampuran ini dengan jalan difusi pada suhu tertentu dan dibantu oleh medan listrik
yang kuat). Bahan Ge yang sudah dikompensasi ini bersifat seperti bahan murni.
Detektor berbahan ini disebut detektor Ge(Li).
Struktur ikatan Ge(Li) ini sangat lemah, pada suhu kamar dapat rusak
sehingga agar terjadi struktur ini harus secara terus menerus ada pada suhu nitrogen
cair,baik sewaktu operasi ataupun tidak operasi.Demikian pula bila Si yang
dikompensasi dengan Li, disebut detektor Si(Li). (Gambar 14)
Detektor Si(Li) peka terhadap sinar x atau  sedangkan untuk  tidak efisien,
sedang Ge(Li) peka terhadap radiasi .

Gambar 14. Detektor semikonduktor dalam keadaan suhu nitrogen cair

Menggunakan tabung Dewar