3.

Kemampuan tembus pandang dengan senjang energi gap silikon (Si) dan
Germanium (Ge) Celah energi yang kecil ini yaitu 1,1 eV dan 0,7 eV
memungkinkan sebuah elektron memasuki tingkat tingkat energi yang lebih
tinggi. Perpindahan elektron ini dapat terjadi karena pengaruh suhu,
penyinaran, atau pemberian tegangan. Ketika bersuhu rendah (T = 0 K) bahan
semikonduktor akan bersifat seperti isolator, dimana pita valensinya terisi
penuh dengan elektron, dan pita konduksinya kosong. Ketika bersuhu kamar,
bahan semikonduktor akan mempunyai sifat konduktor, elektron pada pita
valensi akan memperoleh energi kinetik yang memudahkan elektron elektron
melewati celah energi terlarang dan mampu melompat ke pita konduksi
sehingga pada pita konduksi terdapat elektron yang dapat bergerak bebas.
Elektron-elektron tersebut akan meninggalkan kekosongan pada pita valensi
yang dinamakan lubang atau hole.
Hole pada pita valensi dan elektron bergerak bebas pada pita konduksi.
Hal inilah yang berpartisipasi sebagai penghantar arus pada semikonduktor.
Elektron yang melompat dari pita valensi ke pita konduksi menjadi pembawa
muatan negatip, sedangkan lubang (hole) pada pita valensi merupakan
pembawa muatan positip. Dengan demikian, bahan semikonduktor memiliki
konduktivitas cukup tinggi. Contoh bahan semikonduktor adalah silicon,
germanium, dan selenium. Semikonduktor dapat dibedakan menjadi dua jenis
yaitu semikonduktor intrinsik dan semikonduktor ekstrinsik.
4. Senjang energi gap pada Germanium adalah 0,7 eV. Bagaiana dengan hantaran
listrik pada Germanium bila dibandingkan dengan silikon.
a. ada suhu yang amat rendah
b. pada suhu kamar
Penyelesaian:
Dik:
EG = 0,7 eV
Dit: σ = ......?
Jawab:
− E G/ k B T
n2i = A0 ε
Dengan
A0 = konstanta tak bergantung suhu
EG = Energi gap (eV)
ε = 2,7
kB = konstanta Boltzmann (8,61 x 10-5 eV/K)
T = suhu (K)
a. pada suhu yang amat rendah:
T = 0o C = 273 K
maka
− E G/ k B T
n2i = A0 ε
−0,7/( 8, 61 x 10−5 )( 273)
n2i =(1 )(2,7 )
−5
n2i =(1 )(2,7−0,7/(2350 , 53 x 10 ) )

n2i =(1 )(2,7−0,7/( 0, 0235053) )

n2i =(1 )(2,7−27 , 66 )

ni =(1)(2,7−13 , 83 )
1 1
ni = =
(2,7 ) 924 . 189 ,13
13 ,83

ni =1,08 x10−6
Maka besar daya hantar dari germanium dapat dirumuskan sebagai berikut:
σ =eni ( μ n +μ p )
Dengan:
μn = mobilitas elektron (3800 cm2 (Vs)-1

μ p = mobilitas hole (1800 cm2 (Vs)-1

Maka:
−6
σ =1, 08 x 10 ( μn +μ p )
−6
σ =1,08 x10 (3.800+1.800 )
−6
σ=1,08 x10 (5.600)
σ=6,048 x 10−3 ( Ωcm )−1
b. pada suhu kamar:
T = 25o C = 298 K
− E G/ k B T
n2i = A0 ε
Dengan
A0 = konstanta tak bergantung suhu
EG = Energi gap (eV)
ε = 2,7
kB = konstanta Boltzmann (8,61 x 10-5 eV/K)
T = suhu (K)
maka
− E G/ k B T
n2i = A0 ε
−0,7/( 8, 61 x 10−5 )( 298)
n2i =(1 )(2,7 )
−0,7/(2565 , 78 x 10−5 )
n2i =(1 )(2,7 )

n2i =(1 )(2,7−0,7/( 0, 0256578) )

n2i =(1 )(2,7−27 , 28 )

ni =(1)(2,7−13 , 64 )
1 1
ni = =
(2,7 ) 765 . 247 ,18
13 , 64

ni =1 ,30 x10−6
Maka besar daya hantar dari germanium dapat dirumuskan sebagai berikut:
σ =eni ( μ n +μ p )
σ =1, 30 x 10−6 ( μn +μ p )
−6
σ =1,30 x10 (3.800+1.800)
−6
σ=1,30 x10 (5.600)
σ=0,720 x 10−3 ( Ωcm )−1