Gap Energy

Ni Luh Emy Pramitha, 2108521008

Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Udayana, Kampus Bukit
Jimbaran, Badung, Bali, Indonesia 80361
Email: emypramitha281@gmail.com

1. Dasar Teori
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrikyang berada di antara
isolator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai isolator pada temperatur yang
sangat rendah, namun pada temperaturruangan besifat sebagai konduktor. Bahan semikonduksi
yang sering digunakan adalah silikon, germanium, dangallium arsenide. Semikonduktor sangat
berguna dalam bidang elektronik, karena konduktansinya yang dapat diubah-ubah
denganmenyuntikkan materi lain (biasa disebut pendonor elektron). Bahan- bahan logam
seperti tembaga, besi, timahdisebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki
susunan atom yang sedemikian rupa, sehinggaelektronnya dapat bergerak bebas. Sebenarnya
atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+)dikelilingi oleh 29 elektron (-
). Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk intiyang disebut
nucleus. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron
ini.Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29, berada pada orbit palingluar. Orbit terluar
ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi.
Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya ‘jauh’ dari nucleus, ikatannya tidaklah terlalu
kuat. Hanya dengan energiyang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya.
(Greiner, 1961)

Gambar 1 Ikatan Atom Tembaga

Operasi semua komponen benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET
serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya (solid state) didasarkan atas sifat-sifat
semikonduktor. Secara umum semikonduktor adalah bahanyang sifat-sifat kelistrikannya
terletak antara sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktormaupun
isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnet, tetapi
padasemikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif. Elemen terkecil dari suatu bahan yang
masih memiliki sifat-sifat kimia dan fisika yang sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga
partikel dasar, yaitu: neutron, proton,dan elektron. Dalam struktur atom,proton dan neutron
membentuk inti atom yang bermuatan positipdan sedangkan elektron-elektron yang bermuatan
negatip mengelilingi inti. Elektron-elektron ini tersusun berlapis-lapis. (Greiner, 1961)
Konduktivitas pada semikonduktor diberikan oleh persamaan :
 (2.1)
Dimana σ adalah konduktivitas bahan semikonduktor. Konduktivitas diberikan dalam satuan
(Ω-cm)-1 dan merupakan fungsi dari konsentrasi dan mobilitas elektron dan lubang. Kita baru
saja melihat bahwa mobilitas adalah fungsi dari konsentrasi ketidakmurnian; konduktivitas,
kemudian adalah fungsi konsentrasi pengotor yang agak rumit.
Kebalikan dari konduktivitas adalah resistivitas, yang dilambangkan dengan ρ dan diberikan
dalam satuan Ω-cm. Kita dapat menulis rumus resistivitas sebagai

(2.2)

Pada 1899, ahli kimia Swedia Svante Arrhenius (1859-1927) menggabungkan konsep energi
aktivasi dan hukum distribusi Boltzmann menjadi salah satu hubungan terpenting dalam kimia
fisik yaitu:
𝐸
𝜎 = 𝜎 𝑒𝑥𝑝 − (2.3)
2𝑘𝑇
Dengan menggunakan logaritma pada kedua sisi maka persamaan tersebut menjadi
𝐸
ln 𝜎 = ln 𝜎 − (2.4)
2𝑘𝑇
Mengingat bahwa ln (x) =loge (x) = 2,3026 log10 (x) maka
1 𝐸 100
log 𝜎 = log 𝜎 − (2.5)
2,3026 𝑥 10 2𝑘 𝑇
Persamaan tersebut dapat didekat menggunakan persamaan regresi linear Y = Y0 – m.X dengan
Y = log 𝜎 ; 𝑌 = log 𝜎 ; 𝑋 = ; 𝑑𝑎𝑛

1 𝐸
𝑠𝑙𝑜𝑝𝑒 𝑚 = (2.6)
2,3026 𝑥 10 2𝑘
Dengan konstanta boltzman (k) = 8,617x10-5 eVK-1 maka dapat dicari Celah energi (Eg) yaitu
sebesar :
𝐸 = 𝑠𝑙𝑜𝑝𝑒 𝑚 × 4,6052 𝑥 10 × 8,167 𝑥 10 𝑒𝑉 (2.7)

(Omar, 1974)
1. Data Pengamatan
Jarak antara Probe (L) = 0,2 cm = 2 x 10-3 m
Thickness of Crystall (w) = 0,050 cm = 5 x 10-4 m
Luas Permukaan Crystal (w2 = A)= 2,5 x10-7 m
Current constant 7 mA = 7 x 10-3 A
Tabel 2. Data pengamatan Semikonduktor Germanium

Resistivity, 
No Temp. T (K) Voltage, V (volts) Log()
(Ω.m)-1
1 320.00 49.70
2 325.00 43.80
3 330.00 39.10
4 335.00 35.00
 5 340.00 30.40
6 345.00 26.20
7 350.00 22.60
8 355.00 19.20
9 360.00 16.50
10 365.00 14.20
11 370.00 12.20
12 375.00 10.60
13 380.00 9.20
14 385.00 7.90
Menggunakan metode four point probe dapat dihitung resistivitas tersebut yaitu dengan
𝑅 = 𝑑𝑎𝑛 𝜌 = 𝑅

Tabel 3. Perhitungan Resitivitas

Resistivity, 
No Temp. T (K) Voltage, V (volts) R (Ω)
(Ω.m)-1
1 320.00 49.70 7100,00 0,89
2 325.00 43.80 6257,14 0,78
3 330.00 39.10 5585,71 0,70
4 335.00 35.00 5000,00 0,63
5 340.00 30.40 4342,86 0,54
6 345.00 26.20 3742,86 0,47
7 350.00 22.60 3228,57 0,40
8 355.00 19.20 2742,86 0,34
9 360.00 16.50 2357,14 0,29
10 365.00 14.20 2028,57 0,25
11 370.00 12.20 1742,86 0,22
12 375.00 10.60 1514,29 0,19
13 380.00 9.20 1314,29 0,16
14 385.00 7.90 1128,57 0,14
Menggunakan persamaan 2.2 dapat dicari konduktivitas dari semikonduktor seperti yang
ditunjukkan pada tabel 5
Tabel 4. Perhitungan Konduktivitas dan Log()
Resistivity, Konduktivitas,
No Log()
 (Ω.m)-1 σ (Ω.m)
1 0,89 1,127 0,052
2 0,78 1,279 0,107
3 0,70 1,432 0,156
4 0,63 1,600 0,204
5 0,54 1,842 0,265
6 0,47 2,137 0,330
7 0,40 2,478 0,394
8 0,34 2,917 0,465
9 0,29 3,394 0,531
10 0,25 3,944 0,596
11 0,22 4,590 0,662
 12 0,19 5,283 0,723
13 0,16 6,087 0,784
14 0,14 7,089 0,851
Maka tabel 2 akan menjadi seperti pada Tabel 6 dibawah ini
Tabel 5. Data pengamatan Semikonduktor Germanium setelah perhitungan
Temp.100/T Voltage, V Resistivity, 
No Temp. T (K) Log()
(K) (volts) (Ω.m)
1 320.00 0,313 49.70 0,89 0,052
2 325.00 0,308 43.80 0,78 0,107
3 330.00 0,303 39.10 0,70 0,156
4 335.00 0,299 35.00 0,63 0,204
5 340.00 0,294 30.40 0,54 0,265
6 345.00 0,290 26.20 0,47 0,330
7 350.00 0,286 22.60 0,40 0,394
8 355.00 0,282 19.20 0,34 0,465
9 360.00 0,271 16.50 0,29 0,531
10 365.00 0,274 14.20 0,25 0,596
11 370.00 0,270 12.20 0,22 0,662
12 375.00 0,267 10.60 0,19 0,723
13 380.00 0,263 9.20 0,16 0,784
14 385.00 0,260 7.90 0,14 0,851
Dari tabel 5 dapat di plot Log() sebagai fungsi dari 100/T beserta grafik hubungan
konduktivitas sebagai fungsi dari suhu seperti pada gambar 2 dan gambar 3 dibawah ini

Konduktivitas sebagai fungsi dari suhu

(T)
8,000
7,000
6,000
5,000
 ((Ω.m)

4,000
y = 0,00011e0,02882x
3,000
2,000
1,000
0,000
300,00 310,00 320,00 330,00 340,00 350,00 360,00 370,00 380,00 390,00
T (oK)

Gambar 1 konduktivitas sebagai fungsi dari suhu

 Log sebagai fungsi dari 100/T
1,000
0,900
0,800 y = -15,393x + 4,8184
0,700 R² = 0,9924
0,600
Log()

0,500
0,400
0,300
0,200
0,100
0,000
0,250 0,260 0,270 0,280 0,290 0,300 0,310 0,320
100/T (oK)

Gambar 3 Log() sebagai fungsi dari 100/T

Tabel 6 tabel bantu perhitungan persamaan regresi linear

No x y x2 y2 x.y
1 0,313 0,052 0,098 0,003 0,016
2 0,308 0,107 0,095 0,011 0,033
3 0,303 0,156 0,092 0,024 0,047
4 0,299 0,204 0,089 0,042 0,061
5 0,294 0,265 0,087 0,070 0,078
6 0,290 0,330 0,084 0,109 0,096
7 0,286 0,394 0,082 0,155 0,113
8 0,282 0,465 0,079 0,216 0,131
9 0,278 0,531 0,077 0,282 0,147
10 0,274 0,596 0,075 0,355 0,163
11 0,270 0,662 0,073 0,438 0,179
12 0,267 0,723 0,071 0,523 0,193
13 0,263 0,784 0,069 0,615 0,206
14 0,260 0,851 0,067 0,723 0,221
Σ 3,985 6,119 1,138 3,567 1,684

Menggunakan dan tabel 6 tabel bantu perhitungan persamaan regresi linear diketahui
bahwa Y = Y0 – m.X dengan y = a + b.x sehingga

 x  y   x . x y
i
2
i i i i
Y0 = a  i i i i

n x  ( x )
2 2
i i
i i

(1,138)(3,567)  (3,985).(1,684)
a
14(1,138)  (3,985) 2
 (6,963)  (6,711)
a
(15,93009)  (15,878)

(0,147446)
a
(0,052)

a  2,8184

Sehingga Y0 = log 𝜎 = 2,8184 maka ln 𝜎 =

n xi y i   xi . y i
-m = b  i i i

n xi  (  xi ) 2
2

i i

14.(1,684)  (3,985).(6,119)
b
14(1,138)  (3,985) 2

(23,577)  (24,383)
b
(15,93009)  (15,878)

(-0,805325)
b
(0,052)

b  -15,393

Sehingga -m= - 15,393 atau m = 15,393 maka dapat ditentukan persamaan regresinya
yaitu
y = 2,8184 – (15,393)x
menurut persamaan (2.6) dan (2.7) dapat dihitung celah energinya yaitu sebesar
𝐸 = 𝑠𝑙𝑜𝑝𝑒 𝑚 × 4,6052 𝑥 10 × 8,167 𝑥 10 𝑒𝑉

𝐸 = 15,393 × 3,761 𝑥 10 𝑒𝑉

𝐸 = 5,78956 x 10 𝑒𝑉

Jika dibandingkan dengan nilai celah energi pada tabel 1 untuk germanium terlihat bahwa Eg
eksperimen (5,78956 x 10 𝑒𝑉) < Eg Literatur (0,66 eV) karena pada literatur merupakan
celah energi bahan germanium pada suhu kamar yaitu 300oK.
Pustaka
Greiner, R.A., 1961, Semiconductor Devices and Applications, McGraw-Hill book Co., inc.,
New york
Omar, M.A., 1974, Elementary solid State Physics Principles and Application, Lowel
Tecnological Institute