LAPORAN

PRAKTIKUM TEKNIK GELOMBANG MIKRO

MODUL I
KARAKTERISTIK GUNN OSILATOR

Disusun Oleh :
Kelompok Genap (JTD/2E)
Aditya Sindung Firdaus ( 02 / 1741160063 )

POLITEKNIK NEGERI MALANG

PROGRAM STUDI JARINGAN TELEKOMUNIKASI DIGITAL
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO 2019
Jl. Soekarno Hatta 9 Malang 65141 Telp. (0341)404424-404425 Fax. (0341)404420
www.polinema.ac.id
 PROFIL ANGGOTA KELOMPOK

Foto 3 x 4 Foto 3 x 4 Foto 3 x 4 Foto 3 x 4

Aditya Sindung F Aisyah Nanda K Fatimatus Zahra Hamzah Dwi H

1741160063 1741160083 1741160034 1741160030

Foto 3 x 4 Foto 3 x 4 Foto 3 x 4 Foto 3 x 4

M Agin S Maulana A S M Miqdad H A M Firdig H A

1741160062 1741160053 1741160124 1741160014

Foto 3 x 4 Foto 3 x 4

Omas Adzan A R M Maghrifi D C

1741160118 1741160038
 PENDAHULUAN

1. Latar Belakang
Osilator adalah suatu rangkaian yang menghasilkan keluaran yang amplitudonya
berubah-ubah secara periodik dengan waktu atau dapat dikatakan osilator merupakan sebuah
rangkaian yang menghasilkan sinyal. Sinyal itu biasanya dapat berbentuk gelombang sinus
atau juga gelombang persegi, ada juga dalam bentuk gelombang pulsa, gelombang segitiga
atau gelombang gigi gergaji.
Gunn Osilator adalah sebuah osilator yang dibangun di sekitar perangkat Dioda Gunn.
Dioda Gunn adalah jenis dioda yang menggunakan dua daerah yang didoping secara negatif.
Konstruksi ini menghadirkan resistansi negatif terhadap ambang tegangan tertentu, dan
berperilaku sebagai perangkat elektron yang ditransfer. Dengan resistansi negatif,
ketidakstabilan dan osilasi dapat dengan mudah terjadi.
Karena Dioda Gunn dapat dibangun menggunakan semikonduktor dengan mobilitas
elektron dan respons frekuensi yang sangat tinggi, osilator terahertz telah dibangun
menggunakan teknologi ini. Semikonduktor Gallium Arsenide dan Gallium Nitride biasanya
digunakan untuk membuat Dioda Gunn yang beroperasi dari gigahertz menjadi terahertz.
Osilator Gunn dikenal karena mampu menghasilkan tingkat energi yang sangat tinggi pada
frekuensi tinggi. Oleh karena itu, mereka biasa digunakan dalam sistem gelombang mikro,
gelombang milimeter, dan terahertz.

2. Rumusan Masalah
a. Bagaimanakah karakteristik arus dan tegangan dari Gunn Osilator ?
b. Bagaimanakah daya yang dihasilkan gunn osilator sebagai fungsi tegangan ?
c. Bagaimanakah pengaruh tegangan sumber terhadap frekuensi yang dihasilkan
gunn osilator ?
 MODUL 1. KARAKTERISTIK GUNN OSILATOR

2.1 Tujuan
1. Mengamati karakteristik arus dan tegangan dari Gunn Osilator.
2. Mengamati daya yang dihasilkan gunn osilator sebagai fungsi tegangan.
3. Mengamati pengaruh tegangan sumber terhadap frekuensi yang dihasilkan gunn
osilator.
2.2 Alat yang digunakan
1. Gunn osilator
2. Diode detector probe
3. Saluran waveguide (250 mm) : 2 buah
4. Slotted line
5. Terminasi resistor dengan detector
6. Multimeter digital 3 buah
7. Generator fungsi dengan catu daya (LM 4500)
8. Kabel BNC to banana
9. Kabel banana to banana 5 buah
2.3 Teori Dasar
Komponen Gunn dalam kenyataannya bukan merupakan semikonduktor seperti
pengertian yang kita pergunakan, karena semikonduktor tidak menunjukkan transfer lapisan
pengosongan. Sebenarnya arus yang mengalir dibentuk oleh perubahan pembawa mayoritas
satu polaritas yaitu elektron. Pada tahun 1963, ilmuwan Inggris bernama S.B. Gunn,
menggunakan N-doped GaAs, meneliti kejadian arus osilasi pada saat kuat medan tertentu
berlebihan yang mengelilingi daerah 2 kV/cm. Hubungan antara arus dan tegangan pada
osilator Gunn seperti gambar berikut ini.

Gambar 9. Karakteristik Diode Gunn

Di atas tegangan Uo, elemen gunn mempunyai resistansi negatif. Ini menjadi susunan
khas dari Galium Arsenikum yang menghasilkan perbedaan mobilitas negatif seperti teori
yang diberikan oleh Kroemer. Setelah beberapa percobaan, gunn ditentukan bahwa pengaruh
diode terowongan tidak terjadi pada kontak, tetapi pengaruh volume daerah pengosongan
yang terjadi sebagai fungsi dari luas daerah. Elemen Gunn dapat berosilasi dan
membangkitkan frekuensi hingga 100 GHz dengan daya yang dihasilkan 800 mW hingga 5
Watt. Tabel berikut akan menunjukkan hubungan secara fisik antara panjang gelombang
dalam waveguide yang dapat diukur menggunakan slotted line.
Frekuensi =f
Panjang gelombang dalam ruang bebas = λo
Panjang gelombang dalam waveguide = λL
Tabel 1. Hubungan Panjang Gelombang Waveguide dengan Frekuensi
F (GHz) Λo (mm) λL (mm)
9,00 33,31 48,67
9,05 33,13 48,01
9,10 32,95 47,55
9,15 32,77 47,01
9,20 32,59 46,49
9,25 32,41 45,99
9,30 32,24 45,49
9,35 32,06 45,01
9,40 31,89 44,54
9,45 31,72 44,09
9,50 31,56 43,64
9,55 31,39 43,21
9,60 31,23 42,78
9,65 31,07 42,37
9,70 30,91 41,97
9,75 30,75 41,57
9,80 30,59 41,19
9,85 30,44 40,81
9,90 30,28 40,44
9,95 30,13 40,08
10,00 29,98 39,73
2.4 Langkah Percobaan
1. Susunlah rangkaian percobaan seperti diagram berikut ini.

Gambar 10. Rangkaian Percobaan Karakteristik Gunn Osilator

Catat karakteristik arus (IG) dan tegangan (UG) dari Gunn Osilator, dengan setiap
kenaikan tegangan 0,5 volt dari 0 volt sampai 10 volt, pada saat yang sama catatlah
nilai tegangan (UD) yang dihasilkan oleh detector pada terminasi resistor, pada
multimeter atau osiloskop. Ulangi langkah di atas untuk nilai tegangan kebalikannya
yaitu dari 10 volt menuju ke nol volt.Catat nilainya dalam tabel pada lembar kerja 1.
2. Dari hasil pengukuran langkah 1, gambar karakteristik arus dan tegangan dari gunn
osilator.
3. Gambarkan pula kurva tegangan output UD sebagai fungsi tegangan sumber UG.
4. Pasanglah slotted line dengan detector probe diantara kedua waveguide dan
hubungkan output dari detector probe ke multimeter atau osiloskop (lihat konstruksi
gambar dibawah ini) dan dengan menggerakkan detector probe catatlah jarak tiap-tiap
tegangan minimum yang terjadi (pembacaan dari sebelah kiri), sesuai dengan
tegangan yang diberikan pada tabel di lembar kerja 4. Untuk menentukan frekuensi
kerja dari osilator gunakan tabel di atas

Gambar 11. Rangkaian Percobaan untuk Langkah 4

Lembar kerja 1
Untuk langkah 1.
UG = tegangan catu pada gunn osilator
IG = arus yang melalui gunn osilator
UD = tegangan radiasi pada detector probe (terminasi resistor).

UG (V) IG (µA) UD (mV) Catatan

0 0,0 269,1 -
0.5 0,0 270,6 -
1 0,1 271,9 -
1.5 0,1 272,4 -
2 0,2 276,9 -
2.5 0,2 287 -
3 0,3 287,9 -
3.5 0,3 287,1 -
4 0,4 285,3 -
4.5 0,4 284,8 -
5 0,5 283 -
5.5 0,5 282,3 -
6 0,6 282,2 -
6.5 0,6 281,4 -
7 0,7 280,7 -
7.5 0,7 279,7 -
8 0,8 279,6 -
8.5 0,8 279 -
9 0,9 278,7 -
9.5 0,9 277,3 -
10 1,0 277 -

Lembar kerja 3.
Untuk langkah 2
 Perbandingan Antara Tegangan dengan Arus
Gunn Osilator
1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

Untuk langkah 3

Perbandingan Antara Tegangan Gunn Osilator

dengan Tegangan Radiasi Pada Detector Probe
290
285
280
275
270
265
260
255
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

Lembar kerja 4.
Untuk langkah 4.
1. Tegangan sumber 7,5 volt
Minimum No Panjang (mm) Jarak antara minimum 1 dan 7
1 10 S = 120 mm
λL = S/3 = 40 mm
2 70 Dari tabel λL terhadap frekuensi
3 85 f = ± 9,95 GHz

4 97
5 115
6 112
 7 130

2. Tegangan sumber 8,5 volt

Minimum No Panjang (mm) Jarak antara minimum 1 dan 7
1 40 S = 150 mm
λL = S/3 = 50 mm
2 50 Dari tabel λL terhadap frekuensi
3 110 f = < 9 GHz
4 140
5 160
6 180
7 190

3. Tegangan sumber 9,5 volt

Minimum No Panjang (mm) Jarak antara minimum 1 dan 7
1 20 S = 140 mm
λL = S/3 = 46,6 mm
2 45 Dari tabel λL terhadap frekuensi
3 60 f = ± 9,55 GHz
4 70
5 130
6 140
7 160

2.5 Hasil Analisis

Pada tabel percobaan lembar kerja 1 didapatkan hasil bahwa tegangan catu gunn
osilator (𝑈𝐺 ) mengalami kenaikan sebesar 0,5 V dimulai dari 0 V sampai 10 V. Pada hasil
arus yang melalui gunn osilator (𝐼𝐺 ) mengalami kenaikan disetiap perubahan nilai (𝑈𝐺 )
sedangkan hasil tegangan radiasi pada detector probe (𝑈𝐷 ) mempunyai nilai yang berbeda-
beda disetiap (𝑈𝐺 ). Untuk 𝑈𝐺 = 0 V dan 0,5V mempunyai nilai 𝐼𝐺 sebesar 0 µA. 𝑈𝐺 = 1 V dan
1,5 V mempunyai nilai 𝐼𝐺 sebesar 0,1 µA. 𝑈𝐺 = 2 V – 2,5 V mempunyai nilai 𝐼𝐺 sebesar 0,2
µA. Setiap perubahan nilai 𝑈𝐺 mengalami kenaikan, kenaikan terbesar terjadi pada 𝑈𝐺 =10V
yaitu 1,0 µA. Sedangkan untuk 𝑈𝐷 mengalami perubahan nilai yang berbeda. Nilai terkecil
terjadi pada 𝑈𝐺 = 0 V yaitu 269,1 mV dan 𝑈𝐷 yang terbesar terjadi pada 𝑈𝐺 = 3 V yaitu
sebesar 287,9 mV.
 Perubahan nilai arus yang terjadi pada gunn osilator bisa disebabkan karena arus yang
mengalir dibentuk oleh perubahan pembawa mayoritas satu polaritas yaitu electron. Selain itu
ketidakstabilan nilai yang dihasilkan bisa disebabkan oleh alat yang digunakan sudah tidak
stabil atau kesalahan dalam membaca hasil.
Untuk tabel langkah kerja 4, saat diberi tegangan sumber sebesar 7.5 Volt dihasilkan
jarak (S) minimum 1 dan 7 sebesar 120 mm. Dan sepertiga dari jarak (S/3) tersebut diperoleh
frekuensi sebesar ± 9,95 GHz. Pada saat diberi tegangan sumber sebesar 8.5 Volt dihasilkan
jarak minimum 1 dan 7 sebesar 150 mm, dari sepertiga jarak minimum tersebut diperoleh
frekuensi sebesar < 9 GHz. Pada saat diberi tegangan sumber sebesar 9.5 Volt dihasilkan
jarak minimum 1 dan 7 sebesar 140 mm, dari sepertiga jarak minimum tersebut diperoleh
frekuensi sebesar ± 9,55 GHz.

2.6 Kesimpulan
Berdasarkan analisa diatas dapat disimpulkan bahwa:
1. Semakin tinggi nilai tegangan (UG) maka nilai arus yang mengalir pada gunn osilator
(IG) semakin besar sedangakn untuk nilai UD mengalami perubahan yang berbeda-
beda di setiap kenaikan UG.
2. Semakin tinggi nilai tegangan sumber yang dihasilkan semakin tinggi pula frekuensi
yang dihasilkan.
2.7 Lampiran

UG (V) dan IG (µA)

Gambar 12. UG = 0,408 V & IG = 0 µA Gambar 13. UG = 0,517 V & IG = 0 µA

Gambar 14. UG = 1,013 V & IG = 0,1 µA Gambar 15. UG = 1,517 V & IG = 0,1 µA

Gambar 16. UG = 2,023 V & IG = 0,2 µA Gambar 17. UG = 2,51 V & IG = 0,2 µA
Gambar 18. UG = 3,069 V & IG = 0,3 µA Gambar 19. UG = 3,576 V & IG = 0,3 µA

Gambar 20. UG = 4,08 V & IG = 0,4 µA Gambar 21. UG = 4,56 V & IG = 0,4 µA

Gambar 22. UG = 5,05 V & IG = 0,5 µA Gambar 23. UG = 5,58 V & IG = 0,5 µA

Gambar 24. UG = 6,02 V & IG = 0,6 µA Gambar 25. UG = 6,52 V & IG = 0,6 µA
Gambar 26. UG = 7,08 V & IG = 0,7 µA Gambar 27. UG = 7,59 V & IG = 0,7 µA

Gambar 28. UG = 8,01 V & IG = 0,8 µA Gambar 29. UG = 8,55 V & IG = 0,8 µA

Gambar 32. UG = 9,11 V & IG = 0,9 µA Gambar 31. UG = 9,56 V & IG = 0,9 µA

Gambar 32. UG = 10.16 V & IG = 1,0 µA

UD (mV)

Gambar 33. UD = 269,1 mV Gambar 34. UD = 270,6 mV Gambar 35. UD = 271,9 mV

Gambar 36. UD = 272,4 mV Gambar 37. UD = 276,9 mV Gambar 38. UD = 277,0 mV

Gambar 39. UD = 277,3 mV Gambar 40. UD = 278,7 mV Gambar 41. UD = 279,0 mV

Gambar 42. UD = 279,6 mV Gambar 43. UD = 279,7 mV Gambar 44. UD = 280,7 mV

Gambar 45. UD = 283,0 mV Gambar 46. UD = 282,3 mV Gambar 47. UD = 282,2 mV

Gambar 48. UD = 281,4 mV Gambar 49. UD = 284,8 mV Gambar 50. UD = 285,3 mV

Gambar 51. UD = 287,1 mV Gambar 52. UD = 287,9 mV Gambar 53. UD = 287,0 mV