Nomor Percobaan : 02
Judul Percobaan : Karakteristik GUNN Osilator
Nama Praktikan : Mohammad Imadudin
Kelas / NIM : TE-4B / 4.31.15.1.12
Tanggal Percobaan : 19 September 2018
Penyerahan Laporan : 26 September 2018
Pengampu : Eddy Triyono, Dr., S.T., M.T.
Nilai :
Keterangan :
1. Judul Percobaan
Karakteristik GUNN Osilator
2. Tujuan Percobaan
Tujuan dari percobaan ini adalah:
3. Landasan Teori
Penemuan GUNN Osilator pada tahun 1963. GUNN Osilator membangkitkan frekuensi-
frekuensi microwave saat dioda GUNN yang disambungkan pada sumber tegangan 8-10 VDC.
Daya keluaran dari GUNN Osilator berkisar antara 5-20 mWatt, tergantung pada tegangan dan
arus yang diberikan, dan parameter lain dari osilator.
5. Gambar Rangkaian
Adapun diagram blok rangkaian percobaan ini dijelaskan pada gambar 1 dan 2 berikut.
V
A
GENERATOR
1 KHz
POWER SUPPLY
OSCILLOSCOPE
2
Politeknik Negeri Semarang Program Studi Teknik Telekomunikasi
Jurusan Teknik Elektro Praktikum Teknik Frekuensi Tinggi dan Microwave
6. Langkah Kerja
Adapun langkah kerja pada percobaan ini adalah sebagai berikut:
7. Pertanyaan
1. Bagaimana grafik yang dihasilkan?
2. Bagaimana hubungan antara arus, tegangan dan frekuensi.
9. Hasil Percobaan
Tabel 1. Data hasil percobaan
No. VDC (Vpp) Arus (mA) Vinput (Vpp) Voutput (mVpp)
1 2,25 249,1 2 0,4
2 2,5 268,1 2 0,4
3 3 294,1 2 0,8
4 3,5 311,4 2 1,6
5 4 289,6 2 2,4
3
Politeknik Negeri Semarang Program Studi Teknik Telekomunikasi
Jurusan Teknik Elektro Praktikum Teknik Frekuensi Tinggi dan Microwave
4
Politeknik Negeri Semarang Program Studi Teknik Telekomunikasi
Jurusan Teknik Elektro Praktikum Teknik Frekuensi Tinggi dan Microwave
5
Politeknik Negeri Semarang Program Studi Teknik Telekomunikasi
Jurusan Teknik Elektro Praktikum Teknik Frekuensi Tinggi dan Microwave
10
11
12
6
Politeknik Negeri Semarang Program Studi Teknik Telekomunikasi
Jurusan Teknik Elektro Praktikum Teknik Frekuensi Tinggi dan Microwave
13
14
15
16
17
7
Politeknik Negeri Semarang Program Studi Teknik Telekomunikasi
Jurusan Teknik Elektro Praktikum Teknik Frekuensi Tinggi dan Microwave
Dari tabel 1 dapat dijelaskan bahwa ketika tegangan sumber sebesar 2,25 V arus sebesar 249,1
mA dan tegangan sumber sebesar 2,5 V arus 268,1 mA maka tegangan keluaran yang
didapatkan sebesar 0,4 mV. Kemudian ketika tegangan sumber sebesar 3 V arus sebesar 294,1
mA maka tegangan keluaran didapatkan sebesar 0,8 mV. Selanjutnya ketika tegangan sumber
sebesar 3,5 V arus sebesar 311,4 mA maka tegangan keluaran didapatkan sebesar 1,6 mV.
Kemudian ketika tegangan sumber sebesar 4 V arus sebesar 289,6 mA maka tegangan keluaran
didapatkan sebesar 2,4 mV. Selanjutnya ketika tegangan sumber sebesar 4,5 V arus sebesar
281,7 mA maka tegangan keluaran didapatkan sebesar 36 mV. Kemudian ketika tegangan
sumber sebesar 5 V arus sebesar 280,3 mA maka tegangan keluaran didapatkan sebesar 48 mV.
Selanjutnya ketika tegangan sumber sebesar 5,5 V arus sebesar 274,7 mA maka tegangan
keluaran didapatkan sebesar 52 mV. Kemudian ketika tegangan sumber sebesar 6 V arus
sebesar 269,2 mA maka tegangan keluaran didapatkan sebesar 56 mV. Selanjutnya ketika
tegangan sumber sebesar 6,5 V arus sebesar 265,3 mA maka tegangan keluaran didapatkan
sebesar 60 mV. Kemudian ketika tegangan sumber sebesar 7 V arus sebesar 262,4 mA maka
tegangan keluaran didapatkan sebesar 62 mV. Selanjutnya ketika tegangan sumber sebesar 7,5
V arus sebesar 258,2 mA maka tegangan keluaran didapatkan sebesar 66 mV. Kemudian ketika
tegangan sumber sebesar 8 V arus sebesar 255,8 mA maka tegangan keluaran didapatkan
sebesar 68 mV. Selanjutnya ketika tegangan sumber sebesar 8,5 V arus sebesar 243,3 mA maka
tegangan keluaran didapatkan sebesar 6,8 mV. Kemudian ketika tegangan sumber sebesar 9 V
arus sebesar 240,7 mA maka tegangan keluaran didapatkan sebesar 7,2 mV. Selanjutnya ketika
tegangan sumber sebesar 9,5 V arus sebesar 238,6 mA dan tegangan sumber sebesar 9,8 V arus
sebesar 237,6 mV maka tegangan keluaran didapatkan sebesar 8,4 mV.
Berdasarkan data percobaan diatas dapat dijelaskan tentang osilasi arus frekuensi tinggi yang
merupakan karakteristik dari GUNN Osilator. Osilasi arus frekuensi tinggi terjadi akan terjadi
pada tegangan yang melebihi harga kritisnya. Bentuk gelombangnya adalah koheren dengan
memberikan tegangan prasikap arus searah pada ujung-ujungnya, sehingga diperoleh
komponen arus bolak-balik. Pada keadaan ini akan muncul resistansi negatif ketika tegangan
yang diberikan melebihi harga kritisnya.
8
Politeknik Negeri Semarang Program Studi Teknik Telekomunikasi
Jurusan Teknik Elektro Praktikum Teknik Frekuensi Tinggi dan Microwave
Berdasarkan percobaan yang dilakukan, osilasi arus yang telah dijelaskan sebelumnya dapat
dilihat melalui grafik 1 dibawah ini.
300
250
200
150
100
50
0
2.25 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 9.8
Arus (mA)
Berdasarkan grafik 1 dapat dijelaskan proses osilasi arus terjadi sejak saat tegangan sumber
sebesar 2,25 V dengan nilai arus sebesar 249,1 mA kemudian naik menjadi 268,1 mA pada
saat tegangan sumber sebesar 2,5 V dan mencapai puncaknya pada saat tegangan sumber
sebesar 3,5 V dengan nilai arus sebesar 311,4 mA. Kemudian ketika tegangan sumber
dinaikkan setiap 0,5 V, nilai arus yang dihasilkan akan turun kembali sampai pada saat
tegangan sumber 9,8 V dengan nilai arus sebesar 237,6 mA. Perubahan nilai arus yang terjadi
itulah yang disebut dengan osilasi arus pada frekuensi tinggi.
11. Kesimpulan
Berdasarkan percobaan dan analisis yang telah dilakukan dapat disimpulkan bahwa:
1. Salah satu karakteristik daripada GUNN Osilator adalah osilasi arus yang terjadi pada
frekuensi tinggi. Osilasi arus frekuensi tinggi terjadi akan terjadi pada tegangan yang
melebihi harga kritisnya. Bentuk gelombangnya adalah koheren dengan memberikan
tegangan prasikap arus searah pada ujung-ujungnya, sehingga diperoleh komponen arus
bolak-balik.
2. Puncak osilasi arus terjadi pada saat tegangan sumber sebesar 3,5 V dengan nilai arus
sebesar 311,4 mA.