CRITICAL BOOK

REVIEW
CRICTICAL BOOK REVIEW MK.Elektronika Daya

PRODI S1 TE-FT

Skor Nilai:

OLEH

Muhammad Iqbal U / 5183530001

Reza Hermawan / 5183230006

Arjun Korintian Purba / 5183230005

Muhammad Rifky Darmawan / 5181230010

Dosen Pengampu : Marwan Affandi, S.T.,M.T.

Olnes Yosefa Hutajulu, S.Pd.,M.Eng.

Nama Mata Kuliah : Elektronika Daya

PROGRAM STUDI S1 TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK-UNIVERSITAS NEGERI MEDAN

T.A 2021
 KATA PENGANTAR

Puji dan syukur penulis panjatkan kehadirat Tuhan Yang Maha Esa atas rahmat dan
hidayah-Nya, yang telah mengaruniakan segalanya sehingga dapat menyelesaikan
makalah CBR (Critical Book Review) ini. Adapun tujuan penulis dalam penyusunan
makalah CBR (Critical Book Review) ini adalah untuk memenuhi tugas mata
kuliahKalkulus.Makalah CBR ini berisikan tentang Elektronika Daya dan penerapnya.

Diharapkan,dengan adanya makalah CBR (Critical Book Review) ini, pembaca

mampu menjelaskan dan menganalisis tentang bagaimana Penguraian Dasar Elektronika
dan Penerapanya. Mengingat keterbatasan kemampuan dan waktu yang ada, penulis
menyadari bahwa dalam penyusunan makalah CBR (Critical Book Review) ini masih
belum sempurna,baik dari segi isi maupun tata bahasanya. Dalam rangka, dengan rendah
hati penulis mengharapkan berbagai kritik dan saran dari peminat masalah yang
diungkapkan dalam makalah ini.Demikian pula kepada semua pihak yang telah
menyumbangkan pemikiran dan tenaga bagi kehadiran makalah ini dihadapan pembaca,
penulis menghaturkan rasa terimakasih yang mendalam.

Medan, 14 April 2021

(Penulis)

Page | i
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR.............................................................................................................i
DAFTAR ISI..........................................................................................................................ii
BAB I PENDAHULUAN...................................................................................................1
A Latar Belakang..............................................................................................1
B Tujuan CBR..................................................................................................1
C Rumusan Masalah.........................................................................................1

D Manfaat CBR................................................................................................2

D Indetitas Buku...............................................................................................2

BAB II ISI...........................................................................................................................3

BAB III PEMBAHASAN..................................................................................................14

BAB IV PENUTUP............................................................................................................15

A Kesimpulan.................................................................................................15

B Saran...........................................................................................................15
 BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang

Thyristor adalah sebuah alat yang terdiri dari 4 lapisan semikonduktor yang
menggunakan umpan balik dalam (internal feedback) untuk mendapatkan perilaku
penahanan (latching). Thyristor umumnya digunakan sebagai switch.
Penggunaan utamanya adalah pada pengendalian arus beban yang besar pada motor,
pemanas, instalasi penerangan dan sejenisnya.Operasi kerja thyristor dapat dijelaskan
dengan menggunakan model penahan ideal seperti ditunjukkan pada gambar 4.1.
Transistor Q1 adalah PNP dan transistor Q 2 adalah NPN. Kolektor dari transistor
Q1 menjalankan basis transistor Q2 dan kolektor transistor Q2 menjalankan basis transistor
Q1.Dengan susunan seperti ini akan diperoleh umpan balik positif yang dinamakan
sebagai regenerasi. Artinya apabila arus basis Q2 naik, maka arus kolektor Q2 juga naik.
Kenaikan arus kolektor Q2 ini mengakibatkan kenaikan pada arus basis Q1, sehingga arus
kolektor Q1 juga ikut naik, yang mengakibatkan arus basis Q2 akan semakin besar.
Kenaikan arus yang terus menerus ini akan terus berlangsung sampai kedua transistor
menjadi jenuh. Pada keadaan ini penahan akan berlaku sebagai switch yang tertutup.

Pemahaman dalam pembelajaran dapat dilakukan dengan melakukan critical book

review terhadap beberapa buku yang bersangkutan dengan materi yang akan dipelajari.
Dengan critical book review maka kita dituntut untuk membaca buku secara kritis sehingga
didapatkanlah sebuah pemahaman yang lebih mendalam.Critical book reviewmenyajikan
bagian terpenting dari isi buku sehingga dapat mempermudah dalam memahami,
mendalami serta mengkoreksi ilmu yang sedang dipelajari menjadi ilmu yang lebih
pasti / lebih akurat lagi.

B. Tujuan CBR
a. Mengulas isi buku
b. Mengetahui informasi yang terdapat buku
c. Melatih diri untuk berpikir kritis dalam mencari informasi yang diberikan oleh
buku tersebut.
C. Rumusan Masalah
a. Bagaimana keterkaitan makalah dengan mata kuliah?
b. Bagaimana saran dan masukan untuk peningkatan mutu perkuliahan
Elektronika Daya

Page | 1
D. Manfaat CBR
a. Untuk memenuhi tugas mata kuliah Elektronika Daya
b. Untuk menambah ilmu pengetahuan mengenai elektronika daya
E. Identitas buku
Buku pertama(buku utama)

Judul : Prinsip Prinsip Elektronika

Penulis : AlbertPaul Malvino
Penerbit : Salemba Teknika
Tahun terbit : 2003

Buku kedua(buku pembanding)

Judul : Elekronika Daya

Penulis : Muhammad H. Rashid
Penerbit : Prenhallindo
Tahun terbit : 1999
 BAB II

ISI

A. RINGKASAN ISI BUKU

1. BUKU UTAMA
 BAB I: DIODA 4 LAPIS

Dioda shockley adalah dioda dengan empat lapisan bahan semikonduktor, atau
yang sering disebut dioda PNPN. Perhatikan gambar ilustrasi dioda shockley dengan empat
lapis bahan semikonduktor berikut ini.

Untuk simbol skematik dan diagram skematik dari dioda shockley akan terlihat
seperti ini.

Lalu sekarang coba kita lihat apa yang terjadi bila perangkat ini dihubungkan
dengan sumber tegangan yang variabel. Perhatikan gambar dibawah ini.

rangkaian dioda shockley dengan sumber

tegangan

Saat tidak ada tegangan yang diterapkan tentu tidak ada arus yang mengalir. Dan
saat tegangan mulai meningkat, masih tetap saja tidak ada arus karena transistor belum
mampu untuk hidup/turn on. Dalam kedua keadaan seperti ini perangkat dikatakan berada
dalam mode cutoff. Untuk memahami keadaan seperti ini, coba kita ingat – ingat kembali
apa yang diperlukan oleh transistor bipolar untuk aktif, yang diperlukannya adalah arus
basis (arus yang melalui sambungan basis dan emitor). Seperti yang kita lihat pada
diagram, arus basis transistor bawah dikontrol oleh transistor yang berada diatas,
sedangkan arus basis transistor atas dikontrol oleh transistor yang berada dibawah. Dengan
kata lain, transistor tidak akan bisa menyala atau aktif sampai ada salah satu transistor yang
menyala.Jadi kita bisa memaksa dioda sockley untuk aktif/ON dengan menerapkan atau
memberikan tegangan yang cukup antara anoda dan katoda. Seperti yang kita ketahui
sebelumnya bahwa transistor akan breakdown dan menghidupkan transistor yang lainnya,
setelah itu kedua transistor mengunci (latching) dan saling menjaga untuk tetap aktif.
  BAB II: SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

SCR adalah singkatan dari Silicon Controlled Rectifier yang merupakan salah satu
jenis dioda yang memiliki fungsi sebagai pengendali. Berbeda dari dioda pada umumnya
yang hanya memiliki dua kaki, yakni kaki anoda dan katoda, SCR ini memiliki tiga kaki.
Disamping anoda dan katoda, SCR memiliki sebuah kaki yang disebut terminal gate atau
gerbang.Terminal tersebut berfungsi sebagai pengontrol. Perlu diketahui bahwa komponen
SCR ini masih masuk ke dalam keluarga komponen thyristor yang pertama kali
diperkenalkan pada tahun 1956. SCR memiliki kemampuan dapat mengendalikan daya
maupun tegangan yang cukup tinggi. Oleh sebab itu komponen ini biasa difungsikan
sebagai sebuah switch tegangan atau arus menengah ke atas.

Beberapa jenis rangkaian yang sering menggunakan komponen SCR diantaranya

adalah rangkaian logika, lampu dimmer, osilator, chopper, pengendali kecepatan motor,
inverter, timer, dan masih banyak lagi yang lainnya. SCR memiliki 4 lapis semikonduktor,
yakni Positif-Negatif-Positif-Negatif (PNPN). Cara kerja SCR tak berbeda dari dua buah
bipolar transistor yang disambung.

Fungsi SCR

 Sebagai pengendali atau sebagai saklar (switch).

Prinsip Kerja SCR

 kaki ketiga (gate) dari komponen SCR ini memerlukan tegangan positif sebagai
trigger atau pemicu.
 Saat SCR dalam keadaan ON, maka seterusnya akan dalam keadaan ON walaupun
tegangan pemicu dilepas. Dan untuk mengembalikannya ke posisi OFF, arus maju
pada anoda dan katoda harus diturunkan sampai berada di posisi Ih (Holding
Current) SCR.
 BAB III: DIAC

DIAC bukanlah termasuk keluarga thyristor, namun prisip kerjanya membuat ia

digolongkan sebagai thyristor. DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti transistor.
Lapisan N pada transistor dibuat sangat tipis sehingga elektron dengan mudah dapat
menyeberang menembus lapisan ini. Sedangkan pada DIAC, lapisan N di buat cukup tebal
sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya. Struktur DIAC yang demikian dapat
juga dipandang sebagai dua buah dioda PN dan NP, sehingga dalam beberapa literatur
DIAC digolongkan sebagai dioda.

Sukar dilewati oleh arus dua arah, DIAC memang dimaksudkan untuk tujuan ini.
Hanya dengan tegangan breakdown tertentu barulah DIAC dapat menghantarkan arus.
Arus yang dihantarkan tentu saja bisa bolak-balik dari anoda menuju katoda dan
sebaliknya. Kurva karakteristik DIAC sama seperti TRIAC, tetapi yang hanya perlu
diketahui adalah berapa tegangan breakdown-nya.

 BAB IV: PRINSIP OPRASI DASAR THYRISTOR

Meskipun ada berbagai jenis thyristor tetapi prinsip operasi dasar dari semua
thyristor kurang lebih sama. Gambar di bawah ini merupakan pandangan konseptual dari
thyristor khas. Ada tiga persimpangan p-n J 1, J 2 dan J 3. Ada juga tiga terminal anoda (A),
katoda (K) dan gerbang (G) sebagai diratakan pada gambar. Ketika anoda (A) adalah
potensi yang lebih tinggi sehubungan dengan katoda, persimpangan J1 dan J3 yang maju
bias dan J2 adalah sebaliknya bias dan thyristor dalam modus blocking depan. Sebuah
thyristor dapat dianggap sebagai kembali ke belakang terhubung dua transistor
bipolar.Struktur PNPN dari thyristor dapat diwakili oleh pnp dan npn transistor, seperti
yang ditunjukkan pada gambar. Di sini, di perangkat ini, kolektor saat ini dari satu
transistor digunakan sebagai dasar saat transistor lainnya. Bila perangkat berada dalam
modus blocking maju jika lubang saat disuntikkan melalui pintu gerbang (G) terminal,
perangkat dipicu pada.Ketika potensial diterapkan di arah sebaliknya, yang thyristor
berperilaku sebagai bias terbalik dioda. Itu berarti blok saat mengalir ke arah memuja.
Mengingat saya CO menjadi kebocoran arus dari masing-masing transistor dalam kondisi
cut-off, arus anoda dapat dinyatakan dalam hal gerbang saat.

Dimana α adalah dasar umum saat gain dari transistor (α = I C / I E). Anoda saat
menjadi sewenang-wenang besar sebagai (α 1 + α 2) pendekatan kesatuan. Sebagai anoda-katoda
tegangan meningkat, wilayah penipisan mengembang dan mengurangi lebar dasar netral
dari n 1 dan p 2 daerah. Hal ini menyebabkan peningkatan yang sesuai dalam α dari dua
transistor.Jika gerbang arus positif dari besarnya cukup diterapkan thyristor, sejumlah
besar elektron akan disuntikkan di seluruh-bias maju junction, J 3, ke dasar n 1 p 2 n 2 transistor.
Yang dihasilkan kolektor saat memberikan dasar saat ke p 1 n 1 p 2 transistor.Kombinasi
dari koneksi umpan balik positif dari npn dan pnp BJTs dan faktor transportasi arus basis-
dependent akhirnya mengubah thyristor oleh tindakan regeneratif. Di antara kekuatan
semikonduktor perangkat diketahui, thyristor menunjukkan maju terendah tegangan
penurunan pada umumnya saat ini kepadatan. Besar saat aliran antara anoda dan katoda
Operasi transien Thyristor
Sebuah thyristor tidak diaktifkan segera setelah pintu gerbang saat disuntikkan, ada
satu minimum waktu tunda diperlukan untuk tindakan regeneratif. Setelah waktu ini delay,
arus anoda mulai meningkat dengan cepat untuk di-negara nilai. Tingkat kenaikan anoda
saat ini hanya dapat dibatasi oleh eksternal saat elemen. Sinyal gerbang hanya dapat
mengaktifkan thyristor tetapi tidak dapat mematikan perangkat. Dimatikan secara alami
ketika arus anoda cenderung mengalir dalam arah sebaliknya selama siklus kebalikan dari
arus bolak-balik.

Sebuah thyristor pameran turn-off karakteristik pemulihan terbalik seperti sebuah

dioda. Kelebihan muatan dihapus setelah saat salib nol dan mencapai nilai negatif pada
tingkat ditentukan oleh elemen sirkuit eksternal. Puncak pemulihan sebaliknya tercapai
ketika salah persimpangan J 1 atau J 3 menjadi reverse bias. Pemulihan terbalik saat mulai
membusuk, dan anoda-katoda tegangan cepat mencapai nilai off-negaranya.

Karena waktu yang terbatas diperlukan untuk menyebarkan atau mengumpulkan

biaya plasma selama turn-on atau turn-off panggung, dI maksimum / dt dan dV / dt yang
dapat dikenakan di perangkat terbatas besarnya. Selanjutnya, produsen perangkat
menentukan waktu pemulihan sirkuit-commutated, untuk thyristor, yang mewakili waktu
minimum untuk mana thyristor harus tetap dalam modus blocking terbalik sebelum maju
tegangan yang diterapkan kembali

 BAB V: KONSTRUKSI DASAR THYRISTOR

Sebuah wilayah resistif, n-base tinggi, menyajikan dalam setiap thyristor. Wilayah
n-dasar ini biasanya diolah dengan atom pengotor fosfor pada konsentrasi 10 13 ke 10 14 per
kubus sentimeter. Wilayah ini biasanya dibuat 10 sampai 100 mikrometer tebal untuk
mendukung besar tegangan.Tegangan tinggi thyristor umumnya dibuat dengan
menyebarkan aluminium atau gallium ke kedua permukaan untuk membuat p-doped
daerah membentuk persimpangan yang mendalam dengan n-base. Profil doping dari p-
daerah berkisar dari sekitar 10 15 ke 10 17 per kubus sentimeter. Ini p-daerah bisa sampai
puluhan mikrometer tebal. Katoda wilayah (biasanya hanya beberapa mikrometer tebal)
dibentuk dengan menggunakan atom fosfor dengan kepadatan doping dari 10 17 ke 10 18
kubus sentimeter.Untuk maju-blocking tinggi tegangan rating dari thyristor, wilayah n-
dasar dibuat lebih tebal. Tapi lebih tebal n - berdasarkan daerah tinggi-resistif melambat
pada off pengoperasian perangkat. Hal ini karena biaya lebih yang disimpan selama
konduksi. Sebuah perangkat dinilai untuk maju memblokir tegangan dari 1 kV akan
beroperasi jauh lebih lambat daripada thyristor dinilai untuk 100 V.daerah tinggi-resistif
tebal juga menyebabkan maju yang lebih besar tegangan penurunan selama konduksi.
Atom pengotor, seperti platina atau emas, atau iradiasi elektron yang digunakan untuk
membuat situs rekombinasi biaya-operator di thyristor. Banyaknya situs rekombinasi
mengurangi seumur hidup rata-rata pembawa (rata-rata waktu yang elektron atau lubang
bergerak melalui Si sebelum mengkombinasikan dengan jenis biaya-carrier berlawanan).
 2. BUKU PEMBANDING

Thyristor adalah komponen elektronika yang berfungsi sebagai saklar (switch) atau
pengendali yang terbuat dari bahan semikonduktor. Thyristor yang secara ekslusif
bertindak sebagai saklar ini pada umumnya memiliki dua hingga empat kaki terminal.
Meskipun terbuat dari semikonduktor, Thyristor tidak digunakan sebagai Penguat sinyal
seperti Transistor. Istilah “Thyristor” berasal dari bahasa Yunani yang artinya adalah
“Pintu”.

 BAB I: KARAKTERISTIK THYRISTOR

Thyristor merupakan devais semikonduktor 4 lapisan berstruktur pnpn dengan tiga

pn-junction.devais ini memiliki 3 terminal: anode,katode dan gerbang.Thyristor dibuat
melalui proses difusi.Ketika tegangan anode dibuat lebih positif dibandingkan dengan
katode,sambungan J1 dan J3 berada pada kondisi forward bias.Sambungan J2 berada pada
kondisi reverse bias,dan akan mengalir arus bocor yang kecil antara anode ke katode.Pada
kondisi ini thyristor dikatakan pada kondisi forward blocking stau kondisi off-state,dan
arus bocor dikenal sebagai arus off-state ID.Jika tegangan anode ke katode VAK
ditingkatkan hingga suatu tegangan tertentu,sambungan J2 akan bocor.Hal ini dikenal
dengan avalanche breakdown dan tegangan VAK tersebut dikenal sebagai forward
breakdown voltage,VBO .Dan karena J1 dan J3 sudah berada pada kondisi forward
bias,maka akan terdapat lintasan pembawa muatan bebas melewati ketiga sambungan,yang
akan menghasilkan arus anode yang besar.Thyristor pada kondisi ini disebut berada pada
keadaan konduksi atau keadaan hidup.

Ketika pada kondisi on,thyristor akan bertindak seperti diode yang tidak dapat
dikontrol.Devais ini akan terus berada pada kondisi on karena tidak adanya lapisan deplesi
pada sambungan J 2 karena pembawa-pembawa muatan yang bergerak bebas.Akan
tetapi,jika arus maju anode berada dibawah suatu tingkatan yang disebut holding current I
H,daerah deplesi akan terbentuk di sekitar J 2 karena adanya pengurangan banyak
pembawa muatan bebas dan thyristor akan berada pada keadaan blocking.Holding current
adalah arus anode minimum untuk mempertahankan thyristor pada kondisi on.Ketika
tegangan katode lebih positif dibanding dengan anode,sambungan J2 ter forward bias,akan
tetapi sambungan J1dan J3 akan ter-reverse bias.Thyristor akan dapat dihidupkan dengan
meningkatkan tegangan maju VAK diatas VBO,akan tetapi kondisi ini bersifat
merusak.Thyristor dapat dikategorikan sebagai latching device.
  BAB II: Dua Transistor Model SCR

Dasar prinsip operasi SCR, dapat dengan mudah dipahami oleh model yang dua
transistor SCR atau analogi dari silikon dikontrol rectifier, seperti juga kombinasi dari P
dan N lapisan, yang ditunjukkan pada gambar di bawah ini.

diagram skematik thyristor

Ini adalah thyristor pnpn. Jika kita membagi dua melalui garis putus-putus maka
kita akan mendapatkan dua transistor yaitu satu transistor pnp dengan J 1 dan J 2
persimpangan dan lain dengan J 2 dan J 3 persimpangan seperti yang ditunjukkan pada
gambar di bawah.

diagram skematik dua model transistor

Ketika transistor berada dalam keadaan off, yang hubungan antara arus kolektor
dan emitor saat ditampilkan di bawah

Model dua transistor

sini, saya C adalah kolektor saat ini, saya E adalah emitor saat ini, saya CBO
kebocoran arus maju, α adalah dasar umum gain arus maju dan hubungan antara aku C dan
saya B adalah
 B adalah arus basis dan β adalah emitor umum gain arus maju. Mari kita untuk
transistor T 1 hubungan ini memegang

Dan bahwa untuk transistor T 2

Sekarang, dengan analisis dari dua transistor model yang bisa kita dapatkan anoda
saat ini,

Dari persamaan (i) dan (ii), kita dapatkan,

Jika gerbang diterapkan saat ini adalah g maka katoda saat ini akan menjadi
penjumlahan dari anoda saat ini dan gerbang yaitu saat

Dengan menggantikan valyue ini saya k di (iii) yang kita dapatkan,

Dari hubungan ini kita dapat menjamin bahwa dengan meningkatnya nilai dari (α 1
+ α 2) menuju kesatuan, sesuai anoda saat ini akan meningkat.Pada tahap pertama ketika
kita menerapkan gerbang saat aku g, ia bertindak sebagai dasar saat T, 2 transistor yaitu b2
= I g dan emitor yaitu saat k = I g T, 2 transistor. Oleh karena itu pembentukan arus emitor
menimbulkan α 2 sebagai

Kehadiran arus basis akan menghasilkan arus kolektor sebagai

C2 hanyalah mendasarkan saat B1 transistor T, 1, yang akan menyebabkan aliran

arus kolektor,
 C1 dan B1 memimpin untuk meningkatkan C1 karena seorang = I C1 + I B1 dan
karenanya, α 1 meningkat. Sekarang, arus basis baru T 2 adalah g + I C1 = (1 + β 1 β 2) g,
yang akan menyebabkan peningkatan arus emitor k = g + I C1 dan sebagai hasilnya α 2
juga meningkat dan lanjut ini meningkat C2 = β 2 (1 + β 1 β 2) g.Seperti yang saya b1 = I
C2, α 1 lagi meningkat. Ini terus menerus positif efek umpan balik meningkat (a 1 + α 2)
terhadap persatuan dan anoda saat ini cenderung mengalir pada nilai yang sangat besar.
Nilai saat ini maka hanya dapat dikontrol oleh eksternal resistensi dari sirkuit.

 BAB III: MEMBUAT THYRISTOR HIDUP

Suatu thyristor dihidupkan dengan meningkatan arus anoda. Hal ini dapat
dicapai dengan salah satu langkah berikut.

Ø Panas. Jika suhu thyristor cukup tinggi,akan terjadi peningkatan jumlahpasangan

elektron-hole,sehingga arus bocor meningkat. Peningkatan ini akan menyebabkan α 1 dan
α 2 meningkat.karena aksi regeneratif akan menuju ke nilai satuan dan thyristor mungkin
akan on. Cara ini dapat menyebabkan thermal runaway dan biasanya dihindari.Ø Cahaya.
Jika cahaya diizinkan mengenai sambungan thyristor, pasangan elektron-hole akan
meningkat dan thyristor mungkin akan on.Cara ini dilakukan dengan membiarkan cahaya
mengenai silicon wafer dari thyristor.Ø Tegangan Tinggi. Jika tegangan forward anode ke
katode lebih besar dari tegangan maju breakdown VBO, arus bocor yang dihasilkan cukup
untuk membuat thyristor on. Cara ini merusak dan harus dihindari.Ø dv/dt. Jika kecepatan
peningkatan tegangan anode-katode cukup tinggi,arus pengisian sumber kapasitor mungkin
cukup untuk membuat thyristor on.Nilai arus pengisian yang tinggi dapat merusak
thyristor,dan devais harus diproteksi melawan dv/dt yang tinggi.Ø Arus gerbang. Jika suatu
thyristor diberi tegangan bias forward, injeksi arus gerbang dengan menerapkan tegangan
gerbang positif antara terminal gerbangdan katode akan membuat thyeistor on. Ketika arus
gerbang ditingkatkan, tegangan forward blocking akan menurunBeberapa hal berikut
harus diperhatikan ketika merancang rangkaian kendali gerbang:

1. Sinyal gerbang harus dihilangkan setelah thyristor dihidupkan.Suatu sinyal

penggerbangan kontinyu akan meningkatkan daya yang terbuang di sambungan gerbang.

2. Ketika thyristor pada kondisi reverse bias,tidak boleh ada sinyal gerbang;jika ada sinyal
gerbang,thyristor akan rusak karena peningkatan arus bocor.

3. Lebar pulsa gerbang tG harus lebih lama dari waktu yang diperlukan untuk arus anode
meningkat ke nilai arus holding IH.Secara praktis,lebar pulsa tG biasanya diambil lebih
dari waktu turn-on ton dari thyristor.

 BAB IV: MEMBUAT THYRISTOR OFF

Thyristor yang berada dalam keadaan on dapat dimatikan dengan mengurangi arus
maju ke tingkat di bawah arus holding IH.Ada beberapa variasi teknik untuk membuat
thyristor off.Pada semua teknik komutasi,arus anode dipertahankan di bawah arus holding
cukup lama,sehingga semua kelebihan pembawa muatan pada keempat layer dapat
dikeluarkan.Akibat dua sambungan pn,J1 dan J3,karakteristik turn-off akan miripdengan
pada diode,berkaitan dengan waktu pemulihan reverse trr dan aarus pemulihan reverse
puncak IRR.IRR dapat lebih besar daripada arus blocking baik nominal.IR .Pada rangkaian
konverter line-commutated yang tegangan masukannya bersifat bolak-balik ,tegangan balik
muncul pada thyristor seketika setelah arus maju menuju ke nol.Tegangan balik ini akan
mengakselarasi proses turn-off,dengan membuang semua kelebihan muatan dari
sambungan pn J1 dan J3.Sambungan pn alam J2 akan memerlukan waktu yang dikenal
sebagai recombination time trc bergantung pada magnituda dari tegangan balik.Waktu
turn-off tq adalah jumlah dari reverse recovery time trr dan recombination time trc.Pada
akhir masa turn-off ,lapisan deplesi terbentuk sepanjang sambungan J2 dan thyristor
memperoleh kembali kemampuan untuk tahan terhadap tegangan forward.Waktu turn-off
tq merupakan interval waktu minimum ketika arus keadaan on berkurang menjadi nol dan
ketika thyristor dapat menahan tegangan forward tanpa menjadi on.tq bergantung pada
nilai puncak dari arus keadaan on dan tegangan keadaan on sesaat.Reverse recovered
charge QRR adalah besar muatan yang harus dicukupi lagi selama proses turn-off.Nilainya
ditentukan dari daerah yang dicakup oleh aliran arus pengisian balik.Nilai QRR bergantung
pada kecepatan turun arus keadaan on dan nilai puncak arus keadaan on sebelum turn-
off.QRR merupakan sebab dari kehilangan energi dalam devais.

 BAB V: Jenis-jenis Thyristor

 SCR (Silicon Controlled Rectifier)

SCR adalah jenis Thyristor yang memiliki tiga kaki terminal yang masing-masing
terminal dinamai dengan GATE, ANODA dan KATODA. Secara struktur, SCR terdiri dari
4 lapis semikonduktor yaitu PNPN yang terminal pengendalinya terdapat pada lapisan P
(Positif).

Cara Kerja SCR – Saat tidak dialiri arus listrik, SCR akan berada di keadaan OFF.
Saat terminal GATE-nya dialiri arus rendah, SCR akan menjadi ON dan menghantarkan
arus listrik dari ANODA ke KATODA. Meskipun arus listrik GATE-nya dihilangkan,
SCR akan tetap dalam keadaan ON hingga arus yang mengalir dari ANODA ke KATODA
tersebut juga dihilangkan atau 0V.

 SCS (Silicon Controlled Switch)

SCS merupakan jenis Thyristor yang memiliki 4 kaki terminal yaitu terminal
GATE, ANODE GATE, ANODE dan CATHODE. Sama seperti SCR, SCS atau Silicon
Controlled Switch juga berfungsi sebagai Saklar.Cara Kerja SCS – Cara Kerja SCS
hampir sama dengan SCR, namun SCS dapat di-OFF-kan dengan cara memberikan
tegangan tertentu pada kaki terminal Anode Gate (Gerbang Anoda). Perangkat ini juga
dapat dipicu dengan memberikan tegangan negatif ke Anode Gate, arus listrik akan
mengalir satu arah yaitu dari Anoda (A) ke Katoda (K).
  TRIAC (Triode from Alternating Current)

TRIAC adalah Thyristor yang berkaki terminal tiga yang masing-masing

terminalnya dinamai dengan GATE, MI1 dan MI2. Setelah dipicu (trigger) menjadi ON,
TRIAC mampu menghantarkan arus listrik dari kedua arah. Oleh karena itu, TRIAC sering
disebut juga dengan Bidirectional Triode Thyristor.Cara Kerja TRIAC – Cara Kerja
TRIAC juga hampir sama dengan SCR, namun TRIAC dapat mengendalikan arus listrik
dari dua arah baik dari arah MT1 ke MT2 ataupun dari MT2 ke MT1. Dengan demikian
TRIAC dapat digunakan sebagai saklar yang mengendalikan arus DC maupun arus AC.
TRIAC akan berubah menjadi kondisi ON dan menghantarkan arus listrik apabila terminal
GATE-nya diberikan arus listrik, jika arus listriknya dihilangkan makan TRIAC akan
berubah menjadi OFF.

 DIAC (Diode Alternating Current)

DIAC adalah Thyristor yang hanya memiliki dua kaki terminal dan dapat
menghantar arus listrik dari kedua arah apabila tegangan melampaui batas tegangan
breakovernya (tegangan breakdown). DIAC sering disebut juga dengan Bidirectional
Thyristor.Cara Kerja DIAC – DIAC akan berada di kondisi OFF apabila tegangan yang
diberikannya masih dibawah tegangan breakover-nya. Ketika tegangan mencapai atau
melampaui batas breakover-nya, DIAC akan berubah menjadi kondisi ON dan
menghantarkan arus listrik. Setelah DIAC dipicu menjadi ON, DIAC akan terus
menghantarkan arus listrik (dalam kondisi ON) meskipun tegangan yang diberikan tersebut
turun dibawah tegangan breakover. DIAC hanya akan berhenti menhantarkan arus listrik
atau berubah menjadi kondisi OFF apabila tegangan yang diberikannya menjadi “0” atau
dengan kata lain arus listriknya diputuskan.

 BAB VI: Transistor unijunction

Uni Junction Transistor (UJT) atau dalam bahasa Indonesia sering disebut dengan
Transistor Sambungan Tunggal adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari
bahan semikonduktor, UJT memiliki tiga terminal dan hanya memiliki satu sambungan.

Pada umumnya UJT digunakan sebagai Saklar Elektronik dan penghasil Isyarat
Pulsa. Seperti namanya, Uni Junction Transistor atau UJT juga digolongkan sebagai salah
satu anggota dari keluarga Transistor, namun berbeda dengan Transistor Bipolar pada
umumnya, Uni Junction Transistor atau UJT ini tidak memiliki Terminal/Elektroda
Kolektor.

UJT yang memiliki Tiga Terminal ini terdiri dari 1 Terminal Emitor (E) dan 2
Terminal Basis (B1 dan B2). Oleh karena itu, Transistor UJT ini sering disebut juga
dengan Dioda Berbasis Ganda (Double Base Diode).

Struktur Dasar Uni Junction Transistor (UJT)

 Struktur dasar Uni Junction Transistor atau UJT dapat dilihat pada gambar dibawah
ini. Pada dasarnya UJT terdiri dari semikonduktor jenis Silikon yang bertipe N yang
didoping ringan dan sepotong Silikon bertipe P yang berukuran kecil dengan doping tinggi
(berat) di satu sisinya untuk menghasilkan sambungan tunggal P-N (P-N
Junction).Sambungan Tunggal inilah yang kemudian dijadikan terminologi UJT yaitu Uni
Junction Transistor. Di kedua ujung batang silikon yang bertipe N, terdapat dua kontak
Ohmik yang membentuk terminal B1 (Basis 1) dan (Basis 2). Daerah Semikonduktor yang
bertipe P menjadi Terminal Emitor (E) pada UJT tersebut.Berikut ini adalah Bentuk dan
Struktur dasar serta Simbol Uni Junction Transistor (Transistor Sambungan Tunggal).

Cara Kerja Uni Junction Transistor (UJT)

Saat Tegangan diantara Emitor (E) dan Basis 1 (B1) adalah Nol, UJT tidak
menghantarkan arus listrik, Semikonduktor batang yang bertipe N akan berfungsi sebagai
penghambat (memiliki resistansi yang tinggi). Namun akan ada sedikit arus bocor yang
mengalir karena bias terbalik (reverse bias).

Pada saat tegangan di Emitor (E) dan Basis 1 (B1) dinaikan secara bertahap,
resistansi diantara Emitor dan Basis 1 akan berkurang dan arus terbalik (reverse current)
juga akan berkurang. Ketika Tegangan Emitor dinaikan hingga ke level bias maju, arus
listrik di Emitor akan mengalir. Hal ini dikarenakan Hole pada Semikonduktor yang di
doping berat bertipe P mulai memasuki daerah semikonduktor tipe N dan bergabung
kembali dengan Elektron yang di Batang Semikonduktor bertipe N (yang di doping
ringan). Dengan demikian Uni Junction Transistor atau UJT ini kemudian mulai
menghantarkan arus listrik dari B2 ke B1.
 BAB III

PEMBAHASAN

A. KELEBIHAN
1. Buku utama
- Terdapat gambar yang bisa membantu kita untuk lebih memahami materi
- Materinya singkat dan jelas
- Dijelaskan mengenai diode 4 lapis, SCR, DIAC, Prinsip oprasi dasar thyristor, dan
konstruksi dasar thyristor
Buku pembanding
- Dijelaskan mengenai karekteristik thyristor, Dua Transistor Model SCR, membuat
thyristor hidup, membuat thyristor off, jenis jenis thyristor dan Transistor
unijunction
- Terdapat rangakaian-rangkaian dan rumus-rumusnya
- Materinya lebih banyak

B. KEKURANGAN
1. Buku utama
- Materinya lebih sedikit dari materi yang ada di buku pembanding
- Ada beberapa kata yang sulit untuk dipahami
2. Buku pembanding
- Tidak terdapat contoh soal
- Ada kata yang sulit dipahami
 BAB IV

PENUTUP

A. Kesimpulan

Thyristor adalah komponen elektronika yang berfungsi sebagai saklar (switch) atau
pengendali yang terbuat dari bahan semikonduktor. Thyristor yang secara ekslusif
bertindak sebagai saklar ini pada umumnya memiliki dua hingga empat kaki terminal.
Meskipun terbuat dari semikonduktor, Thyristor tidak digunakan sebagai Penguat sinyal
seperti Transistor. Istilah “Thyristor” berasal dari bahasa Yunani yang artinya adalah
“Pintu”.

DIAC bukanlah termasuk keluarga thyristor, namun prisip kerjanya membuat ia

digolongkan sebagai thyristor. DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti transistor.
Lapisan N pada transistor dibuat sangat tipis sehingga elektron dengan mudah dapat
menyeberang menembus lapisan ini. Sedangkan pada DIAC, lapisan N di buat cukup tebal
sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya. Struktur DIAC yang demikian dapat
juga dipandang sebagai dua buah dioda PN dan NP, sehingga dalam beberapa literatur
DIAC digolongkan sebagai dioda.Suatu thyristor dihidupkan dengan meningkatan arus
anoda. Hal ini dapat dicapai dengan salah satu langkah berikut: Panas, cahaya, tegangan
tinggi, dv/dt, dan arus gerbangJenis-jenis Thyristor yaitu: SCR (Silicon Controlled
Rectifier), SCS (Silicon Controlled Switch), TRIAC (Triode from Alternating Current),
DIAC (Diode Alternating Current)Uni Junction Transistor (UJT) atau dalam bahasa
Indonesia sering disebut dengan Transistor Sambungan Tunggal adalah Komponen
Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor, UJT memiliki tiga terminal dan
hanya memiliki satu sambungan. Pada umumnya UJT digunakan sebagai Saklar Elektronik
dan penghasil Isyarat Pulsa.

B. Saran

Saran saya yaitu penulisan tentang buku ini pembahasanyan harus lebih luas lagi
dan agar dapat dimengerti ataupun dipahami bagi pembaca. Walaupun begitu kedua buku
ini sangat baik untuk dica karena kedua buku ini memiliki kelebihan dan kekurangan
masing-masing