Bab 4

Lapisan Tipis dan Teori

Pembentukan Lapisan Tipis
4.1. Pendahuluan
Proses pembentukan lapisan tipis sangat bergantung dari kondisi deposisi.
Pemahaman tentang parameter-parameter deposisi (antara lain laju alir gas/uap,
molaritas larutan, temperatur deposisi, tingkat keasaman larutan, lama deposisi,
tekanan) merupakan prasyarat utama sebelum melakukan deposisi lapisan tipis.
Khususnya untuk penumbuhan lapisan tipis dalam fase kristalin, parameter
deposisi merupakan hal yang sangat penting dan menentukan kualitas kristal
hasil lapisan. Dalam bab ini akan dipaparkan pengertian dasar mengenai lapisan
tipis dan sifat-sifatnya serta tahapan-tahapan pembentukan lapisan tipis secara
umum. Proses pembentukan lapisan tipis secara keseluruhan meliputi empat
dan/atau 5 tahap. Tahap deposisi merupakan inti dari semua rangkaian
pembentukan lapisan tipis. Pada tahap ini kondisi deposisi sangat menentukan
kualitas pertumbuhan dan sifat-sifat lapisan tipis.
Terdapat tiga mode pertumbuhan lapisan tipis yang mungkin terjadi
bergantung pada kondisi deposisinya. Dengan memahami tahapan proses
deposisi ini dapat diupayakan untuk memperoleh lapisan tipis sesuai dengan
yang diharapkan melalui pengontrolan kondisi deposisinya.

4.2. Proses Pembentukan Lapisan Tipis

Lapisan tipis merupakan material dengan ketebalan tidak lebih dari 10 µm
yang melapisi suatu substrat dan didefinisikan sebagai material berdimensi
rendah yang terbentuk melalui proses kondensasi ion/molekul/atom suatu
materi. Secara umum pembentukan lapisan tipis berlangsung pada tingkat

Teknologi Lapisan Tipis dan Aplikasinya

16
Lapisan Tipis dan Teori Pembentukan Lapisan Tipis

vakum yang tinggi. Lapisan tipis dapat tersusun dari satu komponen atau
multikomponen berupa paduan (alloy) dan compound atau komposit.
Contoh lapisan tipis yang tersusun dari satu komponen adalah lapisan, Pt,
Al atau Au yang biasa digunakan sebagai elektroda. Semikondukstor GaAs
dan GaN, dielektrik SiO2 dan HfO2, serta antireflektif MgF2 merupakan contoh
lapisan tipis yang berbentuk compound, sedangkan Pb-Sn, dan Cr-SiO2
berturut-turut adalah contoh lapisan tipis alloy dan komposit.
Proses pembentukan lapisan tipis pada substrat secara garis besar terdiri
dari empat tahap, yaitu: sumber, transportasi material ke substrat, deposisi
lapisan di atas substrat dan analisis, seperti ditunjukkan pada Gambar 4.1.
Proses annealing kadang-kadang diperlukan untuk keadaan tertentu.

Gambar 4.1. Tahapan proses pembentukan lapisan tipis.

Sumber material dapat berbentuk padat, cair, uap atau gas ditransportasikan

Teknologi Lapisan Tipis dan Aplikasinya

17
Lapisan Tipis dan Teori Pembentukan Lapisan Tipis

ke substrat. Dalam hal ini supply rate/laju alir sumber prekursor sangat
penting, karena sifat-sifat lapisan tipis dapat berubah terhadap laju deposisi dan
terhadap perbandingan elemen-elemen yang disuplai ke lapisan tipis. Tahap
transport menentukan uniformitas yang bergantung pada medium transport
(dalam vakum tinggi atau fluida). Uniformitas pada proses yang berlangsung
dalam vakum tinggi ditentukan oleh geometri, sedangkan yang berlangsung
dalam fluida ditentukan oleh pola aliran gas, dan difusi molekul sumber melalui
gas lainnya. Selain dalam medium vakum tinggi dan fluida, beberapa proses
pembentukan lapisan tipis berlangsung dalam plasma. Plasma mengandung
energi yang tinggi, sehingga proses pembentukan lapisan tipis dapat dilakukan
pada temperatur rendah.
Tahap berikutnya dalam proses pembentukan lapisan tipis adalah
deposisi/kondensasi membentuk lapisan padat pada permukaan substrat yang
terdiri dari beberapa tahap, seperti diilustrasikan pada Gambar 4.2 yaitu:
a. Physisorpsi species-spesies yang mengenai substrat.
b. Pembentukan kluster-kluster (inti-inti) besar.
c. Tumbukan kluster-kluster membentuk inti yang lebih besar dan stabil atau
disebut dengan nukleasi (nucleation)
d. Pembentukan pulau-pulau (islands) yaitu pertumbuhan inti secara parallel
maupun tegak lurus substrat.
e. Pulau-pulau kecil berkoalesen (coalescence) sehingga semakin luas
permukaan substrat yang terlapisi.
f. Pertumbuhan kontinyu pulau-pulau menjadi lebih besar menutupi
permukaan substrat.

Teknologi Lapisan Tipis dan Aplikasinya

18
Lapisan Tipis dan Teori Pembentukan Lapisan Tipis

Gambar 4.2. Ilustrasi pembentukan lapisan tipis pada substrat.

Nukleasi dan pertumbuhan lapisan tipis bergantung pada berbagai kondisi

deposisi. Kondisi deposisi ditentukan oleh sumber, transport dan permukaan
substrat. Terdapat tiga faktor utama permukaan substrat yang menentukan
berlangsungnya proses deposisi, yaitu: kondisi permukaan (kekasaran, tingkat
kontaminan, derajat ikatan kimia dengan material yang dideposisikan dan
kristalografi), reaktivitas material yang mencapai substrat dan energi input.
Energi input dapat diperoleh dari berbagai sumber dan bentuk, misalnya:
foton dan ion bermuatan, namun yang paling mendasar adalah temperatur
substrat. Energi input/masukan sangat mempengaruhi reaktivitas material yang
menuju substrat, komposisi dan struktur lapisan tipis. Kondisi substrat,
reaktivitas dan energi input secara bersamaan menentukan komposisi dan
struktur lapisan tipis yang kemudian menentukan sifat-sifat lapisan tipis.
Berdasarkan kondisi deposisi, nukleasi dan pertumbuhan lapisan tipis
membentuk pola/mode yang berbeda-beda. Pembentukan mode pertumbuhan
tersebut ditentukan oleh energi permukaan lapisan tipis (γf), energi permukaan
substrat (γs) dan energi permukaan interface antara lapisan tipis dan substrat

Teknologi Lapisan Tipis dan Aplikasinya

19
Lapisan Tipis dan Teori Pembentukan Lapisan Tipis

(γfs). Terdapat tiga mode nukleasi yaitu:

a. Tipe island (tipe Volmer-Weber)
b. Tipe layer (Frank-Van der Merwe)
c. Tipe campuran (tipe Stranski-Krastanov)

Gambar 4.3. Ilustrasi adsorpsi atom dan mode nukleasi pada permukaan substrat.

Pertumbuhan lapisan diawali oleh adatom yang terperangkap pada pusat-

pusat nukleasi. Apakah adatom akan tetap pada substrat atau terevaporasi
kembali dari substrat ditentukan oleh lama waktu tinggal rata-rata dan lama
waktu kesetimbangan adatom. Bagaimanakah laju nukleasi serta
kebergantungan pertumbuhan dan koalesen terhadap waktu? Gambar 4.3
mengilustrasikan proses adsorpsi atom pada permukaan substrat dan mode
nukleasi yang terbentuk.
Lama waktu keberadaan adatom diestimasi oleh Persamaan (4.1):
⎛ Ead ⎞
τ s = τ v exp ⎜ ⎟ (4.1)
⎝ kT ⎠
dengan, τv adalah perioda vibrasi yang tegak lurus terhadap substrat yang
diasumsikan bernilai 10-13 s, Ead adalah energi adsorpsi adatom pada substrat
(0,1 – 1 eV). Selanjutnya lama waktu kesetimbangan adatom diekpresikan oleh
Persamaaan (4.2):

Teknologi Lapisan Tipis dan Aplikasinya

20
Lapisan Tipis dan Teori Pembentukan Lapisan Tipis

⎛ − Ead ⎞
τ e = τ s exp ⎜ ⎟ (4.2)
⎝ kT ⎠
Selama berada di permukaan substrat, adatom berdifusi dengan gerakan
kontinu yang acak. Persamaan (4.3) menentukan lama waktu rambat adatom
akibat difusi pada permukaan.
⎛ Ed ⎞
τ d = τ p exp ⎜ ⎟ (4.3)
⎝ kT ⎠

dengan, τp adalah perioda vibrasi pada arah parallel terhadap permukaan yang
nilainya diestimasi sama dengan τs dan Ed adalah energi difusi adatom.
Jarak tempuh rata-rata adatom pada permukaan dinyatakan oleh Persamaan
(4.4).
⎛ E − Ed ⎞
X = ao exp ⎜ ad ⎟ (4.4)
⎝ 2kT ⎠
dengan, adalah jarak kisi atom-atom permukaan substrat.
Analisis merupakan tahap terakhir dalam proses deposisi yang meliputi
pengukuran sifat-sifat lapisan tipis yang penting untuk aplikasinya. Sebagai
contoh adalah pengukuran ketebalan lapisan tipis, konstanta dielektrik dan
tegangan dadal isolator, indeks bias (sifat optik), resistivitas dan kekasaran.
Selain itu analisis dilakukan menggunakan pendekatan empirik melalui
optimasi dengan memvariasikan parameter deposisi, misalnya: variasi
temperatur substrat. Analisis yang lebih dalam lagi dan umumnya lebih sulit
adalah analisis struktur dan komposisi lapisan tipis.

Teknologi Lapisan Tipis dan Aplikasinya

21
Lapisan Tipis dan Teori Pembentukan Lapisan Tipis

4.3. Rangkuman
Lapisan tipis adalah material yang dideposisikan pada suatu substrat
melalui proses kondensasi ion/molekul/atom suatu materi dengan ketebalan
lapisan tidak lebih dari 10 µm. Proses pembentukan lapisan tipis terdiri dari
empat tahap, yaitu: sumber, transportasi material ke substrat, deposisi lapisan
di atas substrat dan analisis. Deposisi lapisan merupakan tahap yang paling
menentukan dalam proses pembentukan lapisan pada substrat. Terdapat 3
mode pertumbuhan lapisan tipis yang ditentukan oleh energi permukaan, yaitu:
island (tipe Volmer-Weber), layer (Frank-Van der Merwe), dan campuran
(tipe Stranski-Krastanov). Mode pertumbuhan yang terbentuk bergantung
pada lama waktu tinggal rata-rata atom-atom deposit pada permukaan substrat.

Daftar Pustaka
Freund, L.B. and Suresh, S. 2003. Thin Film Materials: Stress, Defect Formation
and Surface Evolution
Ohring, M. 2002. Materials Science of Thin Films: Deposition and Structure.
Academic Press. San Diego
Smith, D. L. 1995. Thin Film Deposition: Principles and Practice. Mc-Graw-Hill,
Inc. New York.
Wasa, K. Kitabatake, M., and Adachi, H. 2004. Thin Film Materials Technology:
Sputtering of Compound Materials. William Andrews Inc. New York

Teknologi Lapisan Tipis dan Aplikasinya

22
Lapisan Tipis dan Teori Pembentukan Lapisan Tipis

Senarai
Compound adalah material bahan penyusunnya terdiri lebih dua atom-atom
berbeda. Contoh: SiO2, TiO2, ZnO, GaN, PZT, BST, AlGaN, InGaN
dan lain-lain.
Annealing adalah perlakukan pemanasan yang umumnya dilakukan pada
temperatur yang lebih tinggi dari temperature deposisi.
Nucleation adalah bergabungnya antara titik-titik atom yang terdeposisi pada suatu
substrat saat proses deposisi untuk bergabung membentuk pola pulau-
pulau atom.
Coalescence adalah bergabungnya nucleation-nucleation dan cenderung
membentuk pola tiga dimensi (3-D).

Teknologi Lapisan Tipis dan Aplikasinya

23