THIN FILM

A. Thin Film
Thin film didefinisikan sebagai suatu materi dengan dimensi kecil yang dibuat
melalui kondensasi, satu per satu, materi atomic/molecular/ ionik. Thin film
dideposisikan pada substrat untuk memperoleh sifat-sifat fisik yang berbeda dengan
sifat awal substrat, misalnya perubahan pada sifat optic, sifat listrik, sifat magnetic,
sifat kimia, sifat mekanik dan sifat termalnya. Thin film telah digunakan lebih dari
setengah abad apada pembuatan peralatan elektronik, lapisan optik, lapisan keras
instrument, dan bagian dekoratif.
Film tipis yang diendapkan pada substrat dengan evaporasi termal, dekomposisi
kimia, dan / atau penguapan bahan sumber oleh iradiasi spesies energik atau foton.
Penumbuhan film tipis menunjukkan hal-hal berikut:
1. Pembuatan thin film semua material dibuat dengan teknik deposisi yang dimulai
dengan proses nukleasi yang random yang diikuti dengan tahap nukleasi dan
penumbuhan
2. Tahap nukleasi dan penumbuhan bergantung pada kondisi variasisi deposisi
seperti temperature, tingkat pertumbuhan dan substrat kimia.
3. Tahap nukleasisasi dapat dimodifikasi dengan signifikan dengan agensi eksternal ,
seperti elektron atau ion pemboman
4. Film struktur mikro , dan tekanan film tergantung pada kondisi deposisi pada
tahap nukleasi
5. Fase kristal dan orientasi dari film yang diatur oleh kondisi deposisi.
Sifat dasar dari film, seperti komposisi film, fase kristal dan orientasi , ketebalan
film, struktur mikro, dikontrol oleh kondisi deposisi. Thin film menunjukkan sifat
unik yang tidak dapat diobservasi pada material:
1. Sifat unik bahan dihasilkan dari proses penumbuhan atom
2. Efek ukuran, termasuk efek ukuran kuantum, dikarakterisasi oleh ketebalannya,
orientasi kristal, dan aspek multi lapisan.
Tabel 1. Aplikasi Thin Film (Lapisan Tipis)
No.

Kategori Sifat

Penggunaan

Mekanik

Kekuatan,adhesi, mikromekanik, tribologi

Listrik

Insulasi, konduksi, devais semikonduktor, piezoelektrik

Termal

Heat-sink, lapisan pembatas

Magnetik

Devais memori (RAM, static RAM, Dinamik RAM)

Optik

Disk memori (CD,

DVD), pandu gelombang, filter

interferensi, refleksi dan antirefleksi, dekorasi

6

Kimia

Sensor gas, anti korosi, pembatas difusi atau alloy

B. Metode Pembuatan Thin Film

Metode pembuatan thin film terbagi menjadi dua jenis, yaitu wet method dan dry
method. Wet method adalah metode pembuatan thin film dengan melibatkan pelarut.
Sedangkan dry method merupakan metode pembuatan thin film tanpa menggunakan
pelarut.
1. Metode Basah (Wet Method)
a. Casting
Casting merupakan proses pembuatan benda dari bahan logam atau logam
campuran dengan cara mencairkan logam tersebut kemuadian menuangkannya
atau mensetrifugasi ke dalam ruangan (mould chamber) yang sudah dipersiapkan
sebelumnya. Dalam hal ini logam dicairkan dengan cara pemanasan (peleburan)
dan dengan tekanan, logam cair tersebut didorong masuk ke dalam mould
chamber.
b. Deep Coating
Deep coating adalah suatu proses yang digunakan untuk pelapisan, misalnya
bahan semikonduktor. Pada proses pelapisan ini, biasanya di bagi menjadi
beberapa langkah. Perendaman (immersion), dimana substrat inidirendam dalam
larutan bahan lapisan pada kecepatan konstan. Kemudian Start-up, dimana
substrat telah berada di dalam larutan untuk sementara waktu dan mulai ditarik ke
atas. Kecepatan menentukan ketebalan lapisan (penarikan lebih cepat memberikan
bahan pelapis yang lebih tebal). Pengeringan, dimana kelebihan cairan akan
mengalir dari permukaan. Penguapan (evaporation), dimana pelarut yang
menguap dari cair, membentuk lapisan tipis. Pada proses dip coating ini,
kecepatan alat sangat berpengaruh pada tiap langkah yang dilalui. Untuk itu, perlu
diperhatikan dalam pengontrolan kecepatan gerak alat agar hasil pelapisan bahan
semikonduktor mencapai hasil yang sesuai dengan kebutuhan.
c. Lanmuir Blodgett
Metode Lanmuir Blodgett merupakan metode pembuatan lapisan yang berisi
satu atau lebih monolayer dari bahan yang diendapkan dari permukaan cairan ke
padatan dengan cara merendam substrat padat menjadi cairan. Sebuhan monolayer

diserap homogeny dengan masing-masing perendaman sehingga film dengan

ketebalan yang sangat akurat dapat dibentuk. Ketebalan ini akurat karena
ketebalan setiap monolayer diketahui oleh karena itu dapat ditambahkan untuk
menemukan total ketebalan film Langmuir-Blodgett. Monolayer disusun secara
vertikal dan biasanya terdiri dari molekul amfifilik dengan kepala hidrofilik dan
ekor hidrofobik, contoh asam lemak.
2. Metode Kering (Dry)
Pada metode kering pembuatan thin film yang dilakukan dengan 2 tipe deposisi,
Physical Vapor Deposition (PVD) dan Chemical Vapor Deposition (CVD).
a. PVD
Proses PVD terdiri dari dua proses yaitu penguapan secara termal dan
sputtering.
1. Penguapan Thermal
Penguapan termal terdiri dari bahan penguapan yang diletakkan di
ruang vakum di bawah 1x10-6 torr (1,3 10-4) dan mengkondensasikan partikel
di atas substrat.

Gambar 1 . Proses Penguapan Termal

Resistive heating adalah yang paling umum digunakan untuk deposisi thin
film. Sumber material diuapkan dengan resistively heated filament or
boat,yang terbuat dari logam refraksi seperti W, mo, atau Ta dengan atau
tanpoa ceramics coatings. Logam tahan panas di uapkan dengan sebeerkas
sinar elektron deposisi ketika pemanas sederhana tidak dapat menguapkan titik
lebur logam.
Pulsed laser Deposition (PLD)
Pulsed laser deposisi (PLD) adalah proses termal ditingkatkan digunakan
untuk pengendapan atau senyawa dengan terkontrol komposisi kimia. Dalam
deposisi laser, daya tinggi berdenyut laser yang seperti sebagai KrF laser

excimer (1 J / shot) disinari ke target sumber bahan melalui jendela kuarsa.

Sebuah lensa kuarsa digunakan untuk meningkatkan kepadatan energi dari
kekuatan laser pada sumber sasaran. Atom yang ablated atau menguap dari
permukaan dikumpulkan pada sampel terdekat permukaan untuk membentuk
film tipis. PLD mempunyai keuntungan desain yang simple dan target
mempunyai banyak bentuk seperti bubuk, sintered pellet dan kristal tunggal.

Gambar 2. PLD (Pulsed Laser Deposition)

Kecepatan Evaporasi
Berdaarkan eksperimen evaporasi merkuri , Hertz, 1882 mengamati bahwa
kecepatan evaporasi:
1. Tidak dibatasi oleh penyuplai panas yang cukup di permukaan vaporant
cair.
2. Sebanding dengan perbedaan antara kesetimbangan tekanan P dari Hg
pada temperature yang diberikan dan tekanan hidrostatik Ph bereaksi
dengan evaporant
Hertz menyimpulkan bahwa cairan mempunyai kemampuan spesifik untuk
menguapkan pada temperatur yang diberikan. Kecepatan evaporasi maksimum
dicapai ketika jumlah molekul uap yang dipancarkan sesuai dengan yang
dibutuhkan untuk kesetimbangan tekanan gas ketika tak kembali. Ide ini
menyebabkan dasar persamaan untuk tingkat penguapan dari kedua
permukaan cair dan padat.

Dimana adalah flux evaporasi nomor atom atau molekul per satuan area
Koefisien evaporasi

Evaporasi Senyawa
Sementara logam dasar menguap sebagai atom atau sekelompok atom, tetapi
tidaksamauntuk senyawa. Sangat sedikit senyawa anorganik menguap tanpa
perubahan secara molecular dan bagaimanapun komposisi uapnya berbeda dari zat
padat asli atau sumber cair. Konsekuensi dari ini adalah bahwa stoikiometri dari
deposit film yang umumnya akan berbeda dari yang dari sumber. Studi
spektroskopi massa fasa uap telah menunjukkan bahwa proses asosiasi molekul
serta disosiasi sering terjadi. Sebuah berbagai fenomena penguapan dalam
senyawa terjadi, dan ini dikategorikan secara singkat pada Tabel 3-1.
Evaporasi Alloys (Campuran 2 Metal)
Contoh penting alloy yang menguap langsung termasuk Al-Cu, permalloy
(Fe-Ni), nichrome (Ni-Cr), and Co-Cr. Atompada logam seperti alloy secara
umum mempunyai ikatan yang kurang kuat dibandingkan dengan atom pada
senyawa inorganic. Konstituen dari alloy, oleh karena itu, menguap hampir
independen satu sama lain dan memasuki fase uap sebagai atom tunggal dengan
cara paralel dengan perilaku logam murni. Metalik mencair solusi dan dengan
demikian diatur oleh hukum termodinamika. Ketika interaksi energio antara Adan
B atom dasri Alloy AB meleleh sama dengan A-A dan B-B atom, dan tidak ada.

3. Sputtering
Proses Sputtering merupakan salah satu proses deposisi yang biasa
digunakan untuk pembuatan lapisan tipis konduktor, isolator ataupun lapisan aktif
lainnya dengan ketebalan dibawah 1 mikron. Adapun prinsip dasar proses
sputtering adalah proses terpentalnya materi (atom) dari suatu permukaan zat
padat atau cair akibat adanya tumbukan dari partikel berenergi tinggi sehingga
atom-atom tersebut menempel pada substrat membentuk lapisan tipis. Proses
berlangung dalam suatu ruang vakum. Sebagai gas pembawa muatan biasa
digunakan gas inert Argon. Gambar 6 menunjukkan konfigurasi proses sputtering.

Gambar 3. Skema proses Sputtering

b. CVD
Chemical Vapor Deposition (CVD) adalah proses reaksi kimia senyawa
volatile dari material yang akan dideposisikan dengan gas lain untuk
menghasilkan padatan non volatile yang nenyimpan atom pada substrat.
Kebanyakan proses CVD beroperasi di kisaran beberapa torr di atas tekanan
atmosfer. Temperatur yang cukup tinggi

dibutuhkan untuk proses

CVD.Beberapa proses CVD bertujuan untuk meningkatkan efisiensi dari

reaksi kimia di temperature substrat yang rendah.
Plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) adalah salah satu
modifikasi proses CVD yang konvensional.Konstruksi dasar PACVD
ditunjukkan oleh gambar 5. Daya listrik disuplai ke reactor untuk
menghasilkan listrik plasma, yang disuplai oleh induksi coil dari luar ruangan
atau langsung oleh elektroda dioda cahaya. Biasanya kisaran kerja antara 10
sampai 100 Pa. Dlama plasma, derajat ionisasi biasanya hanya 10-4 sehingga
gas di reactor sebagian besar netral. Ion dan elektron melalui perjalanan netral
dan mendapatkan energy dari medan listrik dalam plasma. Rata-rata energy
elektron 2-8eV yang sesuai dengan suhu elektron 23.000-92.800 K.
Sebaliknya, beratnya, lebih tak bergerak, ion tak dapat secara efektif
mendapatkan energy kopling dari medan listrik. Energy ion dalam plasma
sedikit lebih tinggi dari molekul gas netral pada suhu kamar. Biasanya suhu
ion plasma adalah sekitar 500 K.

Gambar 4. Chemical Vapor Deposition (CVD)

Gambar 5. Plasma assisted Chemical Vapor Deposition (PACVD)

Beberapa proses PECVD telah dikembangkan. Jadi satu pengembangan

utama, plasma berbasis microwave telah digunakan untuk mengurangi tekanan
kerja. Sebuah medan magnet ditumpangjkan pada microwave plasma pada
kekuatan bidang yang sesuai untuk menyebabkan resonansi atara frekuensi
siklotron elektron dan medan listrik. Ini diketahui sebagai kondisi resonansi
siklotron elektron (ECR), konstruksinya ditunjukkan pada gambar 6.

Gambar 6. ECR plasma assisted chemical vapor deposition

C. Teknologi Vakum
Kebanyakan dari proses deposisi film yang dapat dibahas dalam buku ini
beroperasi di bawah beberapa derajat vakum. Sistem vakum dilakukan

untuk

menyimpan dan mengkarakterisasi thin film berisi bermacam-macam pompa, pipa,

katup, dan alat pengukur untuk mengurangi tekanan.
Pompa vakum dibagi menjadi dua kategori besar, gas transfer pump dan entrapment
pump. Gas transfer memindahkan molekul gas dari pompa volum dan
menyampaikan ke ambient di satu atau lebih tahap dari pengompresan. Sedangkan
entrapment pumps mengkondensasikan atau mengikat molekul kimia di dinding yang
terletak dalam ruang yang pompa. Berbeda dengan gas transfer pump yang
menghilangklan gas permanen , beberapa entrapment pump reversible dan melepas
gas yang terjebak kembali ke dalam sistem pada pemanasan. Berikut beberapa
contoh pompa vakum:
1. Rotary Mechanical Pump
Piston pemutar dan baling-baling pemutar adalah dua perangkat yang sangat
umum digunakan untuk mengurangi tekanan. Disana gas diisolasi dari inlet setelah
satu revolusi kemudian dikompresi dan exhausted selama siklus berikutnya. Pompa
piston sering digunakan untuk mengevaluasi sistem yang besar dan untuk kembali ke
pompa Roots blower.
Pompa pemutar baling-baling berisi rotor eksentrik dengan baling-baling
pengisi. Selama rotasi baling-baling bergeser masuk dan keluar dalam pompa silinder
interior, memungkinkan kuantitas gas yang akan dipompa dibatasi, dikompresi dan
dibuang melaui katup buang ke atmosfer. Rasio kompresi hingga 106 dapat dicapai
dengan cara ini.

Gambar 7. Rotary Piston Pump

2. Roots Pump
Sebuah varian penting dari perpindahan positif Roots pump ditunjukkan
gambar, dimana dua angka delapan berbentuk lobus berputar dalam arah berlawanan
terhadap satu sama lain. Tolereansi sangat dekat menghilangkan kebutuhan untuk
menutup dengan minyak. Pompa ini mempunyai kecepatan pompa yang sangat tinggi
dan meskipun dapat mencapai tekanan utama di bawah 10-5 torr, sebuah foregump
diperlukan. Pemompaan maksimum dicapai pada tekana antara 10-3 sampai 20 torr.,
dimana kecepatan hingga ribuan liter per detik dapat dicapai. Kombinasi
karakteristik ini membuat Roots pump popular dikenal dengan sistem low pressure
chemical vapor deposition dimana volume besar gas terus menerus melewati reactor
dipertahankan pada 1 torr.

Gambar 8. Roots Pump

3. Diffusion Pump
Berbeda dengan pompa mekanik, diffusion pump tidak memilki bagian yang
bergerak. Diffusion pump dirancang untuk beroperasi di aliran molekul dan dapat
berfungsi dibwah tekanan di bawah 10-10 torr sampai 10-2 torr. Karena diffusion
pump tidak dapat melepaskan langsung ke atmosfer, sebuah foregump mekanik
dibutuhkan untuk mempertahankan tekanan outlet sekitar 0,1 torr. Karena pompa
inlet pada dasarnya menyukai orifice, kecepatan pemompaan 11, 7 A L/detik akan
secara teoritis diharapkan untuk udara pada suhu kamar. Kecepatan pemompaan
yang sebenarnya biasanya hanya 0,4 dari nilai ini. Diffusion pumb dibuat dengan
kecepatan pemompaan mulai dari beberapa liter per detik menjadi lebih dari 20.000
L/detik. Pemompaan dicapai melalui aksi medium cairan (biasanya minyak
silicon)yang direbus dan menguap di perakitan jet multistage.

Gambar 9. Diffusion Pump

4. Turbomolekular
Seperti pompa difusi, turbomolekular pump menanamkan arah yang
diinginkan gerak molekul, tetapi dalam kasuslah kompresor aliran aksial
vertikal

ini dorongan disebabkan oleh dampak dengan berputar cepat

turbin rotor berputar pada tingkat 20.000 sampai 30.000 revolusi per
menit. Turbomolekular pump adalah kompresor aliran aksial vertikal yang
terdiri dari banyak pasangan rotor-rotor yang dipasang secara seri. Gas
ditangkap oleh stage atas ditransfer ke stage yang lebih rendah, di mana itu
adalah berturut-turut dikompresi dengan tingkat tekanan kedepan-vakum.
Maksimal kompresi bervariasi secara linear dengan kecepatan rotor
keliling, tapi eksponensial dengan akar kuadrat dari berat molekul gas.
Rasio khas kompresi untuk hidrokarbon, N2, dan H2, adalah 1010, 109 dan
103. Turbomoleculer merupakan pompa yang mahal, tetapi semakin
digunakan dalam segala macam deposisi dan karakterisasi thin film.
Karakteristik khasnya meliputi memompa dengan kecepatan 103 L/ detik
dan tekanan utama di bawah 10-10 torr.

10

Gambar 10. Turbomoleculer

REFERENSI
Ohrin, Milton. 1992. The Materials Science of Thin Film. UK: academic Press
Sukirno. 2008 Teknologi Lapisan Tipis. Bandung: Penerbit ITB
Wasa, Kiyotakla et al. 2004. Thin Film Materials Technology: Sputtering of Compound
Materials. USA: William Andrew Publishing.

11