MBE (Molecular Beam Epitaxy)

MOCVD (Metal-Organic Chemical

Vapor Deposition)

Moh. Wildan Ali Fikri

165060300111016
 MBE
MBE atau molecular beam epitaxy adalah tipe
deposisi thin film yang menggunakan metode
merubah substrat menjadi bahan semikonduktor.

Bahan yang digunakan: Si, Ge, gallium arsenide.

Tujuan: untuk membuat chip atau integrated circuit.

3 kunci utama: a) atom, b) argon, c) panas tinggi.

 PRINSIP KERJA
1) Memanaskan subtrat dan media sampai 500~600 derajat celcius.
2) GUN akan menembakkan atom ke substrat yang disebut effusion cells.
3) Setiap atom berbeda yang ditembakkan berasal dari GUN yang
berbeda pula. Tergantung berapa jenis sinar yang diingingkan.
4) Atom akan mendarat di permukaan substrat.
5) Kemudian atom mengembun.
6) Atom lama kelamaan akan saling membangun secara sistematis
namun dg waktu yang sangat lambat.
7) Kristal yang terbentuk akan memiliki lapisan atom.

Secara simple: MBE adalah proses pembuatan jalur konduksi yang mirip dg
proses printer inkjet. Printer inkjet membuat lapisan warna pada
permukaan kertas dg menembakkan tinta jet dari hot gun yang berbeda –
beda.
 KELEBIHAN
a) Dapat dikontrol dg kondisi yang
sistematis
b) UHV atau Ultra High Vacuum
memiliki kebersihan vakum ekstrim
c) UHV memiliki persentase gangguan
polusi sangat kecil
d) Tekanan maksimal mencapai 10^-6
torr atau lebih kecil (1.33 x 10-3 Pa
= 1 x 10-5 torr)
 MOCVD

CVD atau Chemical Vapor Deposition adalah proses

pelapisan thin film dengan menguapkan atom yang berada
di atas substrat yang sudah dipanaskan mencapai
200~2000 derajat celcius agar menjadi semikonduktor.

MOCVD adalah metode pembuatan semikonduktor dengan

menguapkan bahan metal-organic. MOCVD juga bisa dikenal
dengan nama lain MOVPE atau metal organic vapor phase
epitaxy.

Ex: (trimethylgallium Ga(CH3)3 , trimethylaluminum

C6H18Al2, trimethylindium InC3H9 ,dsb)
Prinsip Kerja:
1. substrat dipanaskan antara 200~2200
derajat celcius, tergantung zat kimianya.

2. gas campuran dimasukkan ke dalam

planetary reactor (horizaontal flow).

3. gas akan mengendap ke permukaan

substrat yang dipanaskan.

4. menunggu waktu, momen dipol akan

terjadi sehingga memecah ikatan antar
atom.

5. atom hidrogen dan carbon akan

terangkat dan keluar dari planetary reactor.
TAMBAHAN
 Sumber Referensi:
https://www.explainthatstuff.com/molecular-beam-epitaxy-introduction.html
diakses 29/10/2019

HOW MOCVD WORKS by Aixtron

https://technifab.com/vacuum-technology/ diakses 29/10/2019

keluargafisika.blogspot.com diakses 29/10/2019

Lecture 22 Thin Film Deposition by EECS 598-002

MOCVD Growth System.pdf