FISIKA - F M I P A

Universitas Jenderal Soedirman

OKSIDASI DAN DEPOSISI FILM TIPIS

Fisika dan Teknologi Semikonduktor
Pengampu : Prof. Wahyu Widanarto

Disusun oleh :
Rina Catur Budiwati K1C018023
Moh. Adam Prahardian K1C018047

Jumat, 5 November 2021

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman OUTLINE

 Pendahuluan  Metode Deposisi

 Film Tipis  Klasifikasi Teknik

 Oksidasi Termal Deposisi

 Teknologi Oksidasi  Kesimpulan

 Kualitas Oksidasi  Referensi

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 2

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman PENDAHULUAN

Untuk membuat suatu rangkaian atau perangkat distrik maupun sirkuit perlu
adanya berbagai jenis film tipis untuk mendukung susunan rangkaian tersebut
dengan berbagai fungsi yang ada dan terbentuk.

Film tipis merupakan lapisan dengan bahan yang tipis mulai dari fraksi ketebalan
nanometer hingga mikrometer. Film tipis umumnya diklasifikasikan menjadi empat
kelompok yaitu oksida termal, lapisan dielektrik, silikon polikristalin, dan film logam.

Gambar 1 Skema MOSFET

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 3

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman FILM TIPIS

Film tipis merupakan suatu lapisan yang sangat tipis yang terbuat dari bahan
organik, inorganik, logam, maupun campuran metal organik dan memiliki sifat
konduktor, semikonduktor maupun isolator.

Untuk membuat film tipis suatu reagen direaksikan dengan cara dideposisikan di
atas suatu bahan (substrat), sehingga sifat bahan akan berbeda dengan hasil
endapan baru yang diperoleh dan terbentuk.

Film tipis memiliki ketebalan mulai dari ukuran nanometer (lapisan tunggal)
hingga ketebalan kira-kira mikrometer.

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 4

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman FILM TIPIS

Ciri-ciri film tipis : Kelebihan dari teknologi film

- memiliki permukaan yang tipis :
seragam, yaitu melapisi - Biaya yang relatif rendah
permukaan substrat secara untuk proses produksi skala
merata dengan cacat yang besar (produksi massal).
minim - Produksi sensor juga lebih
- memiliki suhu permukaan cepat dan lebih sensitif
yang stabil karena jarak antar
- memiliki ketelitian yang komponen elektronik
menjadi lebih dekat.
tinggi
- daya rekat antar molekulnya
kuat
- mempunyai struktur kristal.

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 5

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman FILM TIPIS

Proses fabrikasi sensor dengan teknologi film tipis memanfaatkan film

tipis yang berukuran mikrometer dengan metode penumbuhan secara
penguapan, kimia maupun fisika.
Metode penumbuhan yang umum dalam teknologi film tipis antara
lain epitaksi, pelapisan listrik, oksidasi, semprot pirolisis,
pengendapan dan uap kimia.

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 6

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman OKSIDASI TERMAL

Pada mikrofabrikasi, oksidasi termal merupakan salah satu cara

untuk menghasilkan lapisan tipis oksida di permukaan sebuah
lapisan. Teknik ini memaksa oksidator untuk berdifusi ke dalam
lapisan pada suhu tinggi.
Oksidasi termal (contoh : silikon) biasanya dilakukan pada suhu
antara 800 dan 1200˚C untuk menghasilkan lapisan dengan oksidasi
suhu tinggi.
Oksidasi termal menggabungkan silikon yang dikonsumsi dari
substrat dan oksigen yang disuplai dari lingkungan.
Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 7
 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman OKSIDASI TERMAL

Gambar 2 Skema pemanasan tungku oksidasi

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 8

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman OKSIDASI TERMAL

Oksidasi pada fabrikasi lapisan silikon menggunakan temperatur tinggi. Ada dua oksidasi termal
yang dilakukan, yaitu oksidasi basah dan oksidasi kering.

Oksidasi basah dilakukan dengan mengalirkan gas oksigen murni bubbler O2 yang dididihkan
kemudian uap airnya dialirkan ke dalam tungku yang berisi lapisan yang akan dioksidasi. Reaksi
kimia yang terjadi adalah :
Si(s) + 2H2O(l) → SiO2(s) + 2H2(g)

Oksidasi kering dilakukan dengan mengalirkan gas O2 murni dan kering ke dalam tungku
oksidasi yang berisi lapisan. Pertumbuhan oksidasi lebih lambat, tetapi kualitas dielektriknya jauh
lebih baik. Reaksi kimia yang terjadi adalah :
Si(s) + O2(g) → SiO2(s)
Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 9
 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman DEPOSISI

Deposisi dapat diartikan sebagai proses penumbuhan, pembuatan

maupun pembentukan suatu lapisan tipis dari suatu material yang
diharapkan dapat memiliki beberapa sifat yang berfungsi sebagai
rangkaian atau perangkat elektronika.

Secara garis besar, deposisi dikelompokan menjadi dua, yaitu deposisi

secara fisika atau Physical Vapor Deposition (PVD) dan deposisi secara
kimia atau Chemical Vapor Deposition (CVD).

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 10

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman METODE DEPOSISI

Vacuum
Proses evaporasi
Termal
Proses Fisika MBE
(PVD)
Sputtering Ion plating
Proses
pembentukkan Proses ion ARE
film tipis Plasma
CVD ICBD

Proses Kimia
Laser CVD
(CVD)

Chemical
solvent
Gambar 3 Diagram metode deposisi film tipis

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 11

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman KLASIFIKASI DEPOSISI FILM TIPIS
Tabel 1 Klasifikasi teknik deposisi film tipis
Metode Penguapan
• Vacuum Evaporation
- Conventional vacuum evaporation
- Molecular-beam epitaxy (MBE)
- Electron-beam evaporation
- Reactive evaporation

Glow-Discharge Processes
• Sputtering • Plasma Processes
- Diode sputtering - Plasma-enchanced CVD
- Reactive sputtering - Plasma oxidation
- Magnetron sputtering - Plasma polymerization
- Ion beam deposition - Plasma nitridation
- Reactive ion plating - Plasma reduction

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 12

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman KLASIFIKASI DEPOSISI FILM TIPIS

Gas-Phase Chemical Processes

• Chemical Vapor Deposition (CVD)
- CVD Epitaxy
- Low-pressure CVD (LPCVD)
- Metal-organic CVD (MOCVD)
- Laser-induced CVD (PCVD)
• Thermal Forming Processes
- Thermal oxidation
- Thermal nitridation
- Thermal polymerization

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 13

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman KLASIFIKASI DEPOSISI FILM TIPIS

Liquid-Phase Chemical Techniques

• Electro Processes
- Electroplating
- Electroless plating
- Electrolytic anodization
• Mechanical Techniques
- Spray pyrolysis
- Spray-on techniques
- Liquid phase epitaxy

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 14

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman DEPOSISI EVAPORASI VAKUM

Secara teknik deposisi ini terdiri dari

pemompaan ruang vakum dengan tekanan
kurang dari 10-5 Torr dan pemanasan bahan
dari uap untuk deposit bahan ke permukaan.
Bahan yang akan diuapkan biasanya
dipanaskan sampai tekanan uapnya cukup
tinggi untuk menghasilkan fluks beberapa
Angstrom per detik dengan menggunakan
pemanas resistif listrik atau pemboman oleh
balok bertegangan tinggi. Gambar 4 Teknik deposisi evaporasi
vakum

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 15

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman SPUTTERING

Proses supttering dimulai ketika

substrat yang akan dilapisi ditempatkan
dalam ruang vakum yang berisi gas
inert (biasanya Argon) dan muatan
negatif diterapkan ke bahan sumber
target yang akan disimpan ke substrat.
Sputtering hanya terjadi ketika energi
kinetik dari partikel yang
membombardir sangat tinggi, jauh
lebih tinggi dari energi panas normal di
lingkungan plasma.

Gambar 5 Teknik deposisi sputtering

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 16

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman LOW-PRESSURE CVD

Sistem deposisi LPCVD biasanya beroperasi pada tekanan berkisar dari 0,1
hingga 10 Torr. Konfigurasi reaktor yang digunakan untuk proses film tipis
LPCVD meliputi reaktor dinding panas tabung berpemanas resistansi, reaktor
batch aliran vertikal dan reaktor wafer tunggal. Pemrosesan LPCVD banyak
dilakukan dalam reaktor tabung dinding panas horizontal.

Gambar 6 Teknik low pressure chemical vapor deposition dinding panas

horizontal

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 17

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman ELECTROPLATING

Proses perpindahan ion logam melalui larutan dari elektroda positif ke elektroda
negatif. Proses ini menghasilkan logam pelapis pada substrat padat melalui
pengurangan dari kation logam yang melalui arus listrik langsung. Bagian yang akan
dilapisi bertindak sebagai katoda. Sedangkan anoda biasanya berupa balok logam
atau bahan konduktif inert.

Gambar 7 Teknik electroplating

sederhana

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 18

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman KESIMPULAN

 Definisi film tipis adalah suatu lapisan bahan dengan ketebalan antara nano
hingga mikrometer.
 Teknologi pembentukan film tipis tidak murni secara fisika atau kimia saja, tetapi
juga bisa dari kombinasi keduanya.
 Dari banyaknya metode pembentukan film tipis yang ada, terdapat kekurangan
dan kelebihan pada masing-masing metode.
 Untuk pemilihan metode pembentukan film tipis dapat ditentukan berdasarkan
hasil akhir yang diinginkan atau bahan material yang digunakan.

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 19

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman REFERENSI

B. E. Deal and A. S. Grove, “General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon,” J. Appl.
Phys., 36, 3770 (1965).
Huges Matt. 2014. Whats in Sputtering? Magnetron Sputtering?. Semicore Equipment, Inc.
Jaeger, Richard C. 2001. Oksidasi Termal Silikon. Pengantar Fabrikasi Mikroelektrik. Upper
Saddler River:Prentice Hall.
J. Appels, E. Kooi, M. M. Paffen, J. J. H. Schatorje, dan W. H. C. G. Verkuylen. 1970. Oksidasi
Lokal Silikon dan Aplikasinya dalam Teknologi Perangkat Semikonduktor. Laporan
Penelitian PHILIPS. Vol 25 no.2 hlm.118-132.
K. Eujino et al., “Doped Silicon Oxide Deposition by Atmospheric Pressure and Low Temperature
Chemical Vapor Deposition Using Tetraethoxysilane and Ozone,”J. Electrochem. Soc., 138,
3019 (1991).
Subandi, A. 2014. Fabrikasi Chip Masked-Read Only Memory 112 Bits dengan Teknologi N-
Channerl Metal Oxide Semiconductor (N-Mosfet). Unikom.
Sutanto, H. 2012. Teknologi Lapisan Tipis & Aplikasinya. UNDIP Press. Semarang.
S. M. SZE,. M. K. LEE. 2012. Semiconductor Devices Physics and Technology. 3rd Edition. John
Wiley & Sons, Inc. New York.

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 20

 FISIKA - F M I P A
Universitas Jenderal Soedirman PENUTUP

Terimakasih 

Kelompok 2 Fisika dan Teknologi Semikonduktor 21