Tugas Mata Kuliah

Pendahuluan Fisika Zat Padat

Nama : Ulfah Saniyyah
NIM : A1C319074
Kelas : Reguler C 2019
Soal : Bahan semikonduktor dapat disintesis menggunakan berbagai metode,
jelaskan secara rinci tahapan metode :
a. Sol Gel
b. Chemical Bath Deposition
Tahapan Metode Sol Gel
Pada umumnya, tahapan proses sol gel terbagi atas tiga bagian, yaitu
hidrolisis, kondensasi alkohol, dan kondensasi air. Ada juga beberapa sumber yang
mengatakan bahwasanya tahapan proses sol gel itu terbagi atas empat tahap, yaitu
hidrolisis, kondensasi, aging atau pematangan, dan drying atau pengeringan.
1. Hidrolisis
Pada tahap hidolisis terjadi reaksi penggantian gugus alkoksida – OR oleh gugus
karboksil –OH. Hidrolisis ini dapat terjadi dalam kondisi asam dan basa. Pada kondisi
asam, gugus alkoksida akan terprotonasi dengan cepat. Misalnya, dengan
menggunakan Tetraethyl orthosillicate atau biasa disingkat dengan TEOS yang
merupakan alkoksida dari silikon, menyebabkan alkoksidanya akan lebih mudah
diserang oleh H2O. Hal ini dikarenakan TEOS tersebut akan mengambil kerapatan
dari atom silikon yang mengakibatkan alkoksidanya bersifat elektrofilik. Proses
tahapan sol gel dalam kondisi asam ini berjalan sesuai mekanisme SN-2 yang
menghasilkan formasi penta-coordinate transition state. Mekanisme hidrolisis pada
kondisi asam dapat dilihat pada reaksi di bawah ini :
 Dengan konsentrasi katalis yang sama, ternyata alkoksida silikon pada kondisi
basa akan terprotonasi lebih lama dibandingkan dengan alkoksida silikon pada
kondisi asam yang disebabkan oleh kecenderung oksigen alkoksida untuk menolak
gugus –OH. Mekanisme hidrolisis pada kondisi basa dapat dilihat pada reaksi di
bawah ini :

Gambar 2. Mekanisme hidrolisis pada kondisi basa(8)

2. Kondensasi
Umumnya reakasi kondensasi ini akan terjadi sebelum reaksi hidrolisis selesai.
Molekul yang sudah terhidrolisis akan akan membentuk ikatan siloksan (Si-O-Si),
dua logam yang digabungkan melalui rantai oksigen. Reaksi kondensasi ini
terbagi menjadi dua bagian, yaitu kondensasi dalam suasana asam dan kondensasi
dalam kondisi basa. Pada kondisi asam silanol akan terprotonasi yang menyebabkan
silikon lebih elektrofilik sehingga lebih mudah diserang oleh nukleofilik.
Pada kondisi basa nukleofilik akan menyerang silanol yang terdeprotonasi pada
asam silika netral menghasilkan ikatan siloksan. Mekanisme kondensasi dalam
suasana asam dan basa dapat dilihat pada reaksi di bawah ini :
 3. Aging ( pematangan )
Pada proses pematangan ini, terjadi reaksi pembentukan jaringan gel yang lebih
kaku, kuat, dan menyusut di dalam larutan. Fase cair yang masih mengandung
partikel padat dan menggumpal akan terus bereaksi dan akan mengembun saat gel
mengering. Gel yang dihasilkan sangat fleksibel. Gel tersebut akan semakin
kental yang disebabkan oleh kelompok-kelompok cabang disampingnya yang
mengembun. Hal ini menyebabkan cairan yang terdapat di dalam gel akan diserap
oleh kolompok-kelompok cabang tersebut sehingga gel mengalami penyusutan.
Proses ini akan terus berlanjut selama di dalam gel masih terdapat fleksibilitas.

4. Drying ( pengeringan )
Fase cair atau pelarut yang tersisa perlu dihilangkan atau dibuang melalui proses
drying atau pengeringan yang disertai dengan penyusutan dan densifikasi. Ketika
cairan dikeluarkan dari gel, ada beberapa hal yang mungkin terjadi. Apabila cairan
dalam gel digantikan oleh udara maka akan terjadi perubahan besar pada struktur
jaringan. Jika gel dikeringkan dengan penguapan maka jaringan gel akan runtuh dan
menghasilkan xerogel. Jika pengeringan terjadi pada kondisi superkritis, maka
struktur jaringan dapat dipertahankan, dan akan membentuk gel dengan pori-pori
yang besar yang disebut aerogel. Pada proses penghapusan sisa pelarut tersebut
sangat dipengaruhi oleh distribusi porositas dalam gel tersebut.
 Proses drying ini dilakukan dengan cara menguapkan larutan . untuk
mendapatkan struktur sol gel yang memiliki luas permukaan yang tinggi maka cairan
tidak didinginkan. Untuk mendukung polikondensasi lebih lanjut dan untuk
meningkatkan sifat mekanik serta stabilitas struktural gel, maka diperlukan proses
pembakaran melalui tahap sintering akhir, densifikasi, dan pertumbuhan butir. Untuk
mendapatkan suatu prekursor sol dengan kualitas yang baik, maka prekursor sol
tersebut diletakkan di atas substrat yang akan menghasilkan sebuah film misalnya
dengan dipcoatingatau spin coating dengan cara dilemparkan ke dalam sebuah
wadah yang sesuai dengan bentuk atau model yang kita inginkan misalnya
keramik, gelas, dan aerogels . Metode sol gel ini dapat diterapkan dalam bidang
optik, elektronik, energi, ruang, biosensor, serta obat.
Tahapan Metode Chemical Bath Deposition
Metode chemical bath deposition diperkenalkan pertama kali pada tahun 1980
oleh R.L Call. Saat itu R.L Call membuat lapisan tipis ZnO. Metode ini kemudian
dikembangkan oleh peneliti lain dan menggunakan material lain .
Metode chemical bath deposition merupakah salah satu jenis metode deposisi
yang lazim digunakan dan banyak digunakan untuk mendapatkan aca konduktif.
Selianitu metode CBD merupakan metode dengan cara mencelupkan substrat kaca
pada desposisi pada suhu rendah (25-90 derajat)
Metode chemical bath deposition merupakan salah satu cara fabrikasi lapisan
tipis semikonduktor, metode ini memanfaatkan reaksi kimia untuk mendeposisikan
prekursor ke dalam substrat. Pembentukan lapisan tipis dengan metode chemical
bath deposition yaitu melalui proses kondensasi ion-ion prekursor pada substrat atau
dengan adsorpsi partikel koloid pada substrat. Lapisan tipis akan terdeposisi pada
substrat melalui proses hidrolisis yang lambat. Lapisan tipis TiO 2 terbentuk dengan
cara mengatur proses hidrolisis garam Titanium seperti TiCl 3, TiF4, (NH4)2TiF6,
titanium isoproproxide dan titanium butoxide dalam larutan asam. Pertumbuhan
dengan metode chemical bath deposition merupakan jenis pertumbuhan dengan
proses nukleasi heterogen pada permukaan substrat atau proses nukleasi yang
homogen pada larutan. Secara kimia proses deposisi dapat dituliskan dengan reaksi
sebagai berikut:
Ti3+ + H2O → TiOH2+ + H+ (2.1)
TiOH2+ + O2 → TiO2 + 2OH- (2.2)

Deposisi pertumbuhan lapisan tipis dibagi menjadi dua, yaitu pertumbuhan

secara epitaksial dan difusi. Pertumbuhan epitaksial merupakan pertumbuhan dengan
arah ke atas, terjadi ketika atom-atom terdeposisi saling bertumpukan selama proses
deposisi. Sedangkan pertumbuhan difusi yaitu pertumbuhan dengan arah
pertumbuhan ke atas maupun ke bawah. Pada proses chemical bath deposition dalam
proses deposisinya pertumbuhan lapisan tipis secara epitaksial. Laju pertumbuhan
dengan laju linier dan parabolik.
Dibandingkan dengan metode physical deposition (sputtering DC atau radio
frequency, pulsed laser deposition (PLD)), metode chemical bath deposition
mempunyai kelebihan yaitu memiliki biaya pemrosesan yang rendah dan lapisan tipis
yang terbentuk memiliki kualitas yang sama dengan metode physical deposition.
Selain itu, dengan CBD dapat diproduksi metal oksida dengan temperatur proses
yang rendah, mampu mendeposisikan pada substrat dengan ukuran yang luas, ramah
lingkungan dan dapat menghasilkan metal oksida dengan ukuran kristal kecil

Gambar 2.4 Metode chemical bath deposition (Musembi, 2013)

 Gambar 2. 4 menunjukkan proses chemical bath deposition, pada proses tersebut
substrat direndam pada larutan yang diaduk dan temperatur pada larutan dikontrol.
Pertumbuhan Titanium dioksida bergantung pada pH larutan, konsentrasi larutan dan
temperatur perendaman.
Ketebalan lapisan tipis TiO2 antara 10 nm hingga 50 nm bergantung pada pH dan
waktu deposisi. Penumbuhan lapisan tipis TiO2 menggunakan prekursor TiCl3 pada
substrat Si dalam larutan asam menghasilkan fase rutile. Penambahan pH akan
menyebabkan fase rutile-anatase terbentuk (Selman, 2014). Waktu deposisi
berpengaruh terhadap fase TiO2 dan ketebalan lapisan tipis yang terbentuk. Semakin
lama waktu deposisi maka akan terbentuk fase rutile murni dan ketebalannya pun
semakin tinggi namun besar nilai pita semakin turun. Fase anatase amorf lapisan tipis
TiO2 terjadi pada suhu kalsinasi 500°C, 600°C sedangkan pada suhu 700° mulai
muncul rutile sehingga fase menjadi anatase-rutile amorf.