Pertumbuhan thin film terdiri dari beberapa fase yaitu nukleasi, difusi, dan tumbuh pada

permukaan substrat. Jenis nukleasi yang terjadi pada proses pertumbuhan thin film
merupakan nukleasi heterogen yaitu suatu proses nukleasi yang melibatkan permukaan
(misalnya: substrat). Jadi, substrat memfasilitasi proses terjadinya nukleasi, dimana nantinya
nukleasi ini akan bergantung pada contact angle antara nuklei dan substrat. Termasuk reaksi
tidak spontan. Terdapat 3 mode dasar nukleasi, yaitu pertumbuhan Island atau Volmer-Weber,
pertumbuhan Layer atau Frank-van der Merwe dan pertumbuhan Island-layer atau StranskiKrastonov.
pada proses pembentukan film juga terjadi penurunan energi bebas Gibbs dan
peningkatan energi permukaan (energi antar muka). Perubahan total energi bebas Gibss
G , akibat pembentukan nuklei ini diberikan dalam persamaan berikut.
G=a3 r 3 v +a 1 r 2 vf + a2 r 2 fs a 2 r 2 sv
r adalah jari-jari nuklei,

vf

sf

nuklei-substrat dan substrat-uap, dan

(1)

sv

merupakan energi permukaan dari uap-nuklei,

adalah perubahan energi bebas Gibbs per satuan

volum.
. Untuk besaran konstanta geometri diberikan pada persamaan dibawah ini.
a1=2 ( 1cos )

(2)

a2= sin2

(3)

a3 =3 (23 cos +cos 2 )

(4)

Nuklei akan stabil jika ukurannya lebih besar dari ukuran kritis

(r ) . Saat keadaan kritis

dG / dr=0
d
(a r 3 v + a1 r 2 vf +a2 r 2 fs a2 r 2 sv )=0
dr 3
2

3 a3 r v +2 a1 r vf +2 a2 r fs2a 2 r sv =0
r=

2(a 1 vf +a2 fs a 2 sv )
2
a3 r G v

(5)

Energi barrier kritis diberikan oleh:

4 (a1 vf + a2 fs a2 sv )3
G =
27 a 32 Gv

(6)

Dengan mensubstitusikan persamaan 2, 3, dan 4 ke persamaan 5 dan 6 maka diperoleh:

r=

2 vf
Gv

G =

)(

sin2 .cos +2 cos 2

23 cos +cos3

16 vf
2
3( G v )

)(

23 cos +cos
4

(7)

(8)

untuk model Island, sudut kontak antara nuklei dengan substratnya haruslah lebih
besar daripada nol ( >0 ). Dengan

adalah sudut kontak yang hanya bergantung

terhadap permukaan yang mengalami kontak dan ditentukan berdasarkan persamaan Young
sebagai berikut.
sv = fs + vf cos

(9)

Karena >0 , dengan demikian persamaan Young berubah menjadi:

sv < f s + vf

(10)

Pada pertumbuhan layer, deposit membasahi substrat sepenuhnya sehingga sudut

kontaknya sama dengan nol. Bentuk persamaan Youngnya menjadi:
sv = fs + vf

(11)

Pertumbuhan Island-layer atau Stranski-Krastonov lebih rumit daripada pertumbuhanpertumbuhan sebelumnya karena dalam proses pertumbuhannya melibatkan stress atau
tegangan. Pada awal prosesnya mirip dengan proses pada pertumbuhan layer. Pada
pertumbuhan selanjutnya deposit menegang karena terdapat missmatch antara kisi deposit
dengan substrat seperti yang ditunjukkan oleh gambar 4b. Gambar 4b menunjukkan kondisi
strained, yaitu kondisi dimana parameter kisi film>parameter kisi substrat. Hal ini akan
menyebabkan hadirnya energi tegangan atau disebut sebagai strain energy
5.3. Vacum Science

Es

Dalam fase gas, molekul gas terus bergerak dan bertabrakan antara molekul itu
sendiri serta dengan dinding wadah. Tekanan gas adalah hasil transfer momentum dari
molekul gas ke dinding. Dibawah ini merupakan persamaan yang mengungkapkan
kebergantungan antara mean free path dengan tekanan gas.
5 103
mfp =
P

dengan

mfp

(16)

adalah mean free path (cm) dan P adalah tekanan (torr). Ketika tekanannya

berada dibawah

103

torr, molekul gas hanya bertabrakan dengan dinding ruang vakum

atau tidak ada tabrakan antara molekul gas dengan sesamanya. Jumlah molekul gas yang
menumbuk permukaan persatuan waktu diberikan oleh fluks .
Berdasarkan pada geometri sistem dan tekanan yang terlibat, alliran gas dapat
dibedakan menjadi tiga, yaitu aliran molekuler bebas (free molecular flow), aliran menengah
(intermediate flow), dan aliran kental (viscous flow). Pernyataan diatas diilustrasikan pada
gambar 6. Pada keadaan free molecular flow, jumlah molekul sangat sedikit (keadaan vakum
mfp D

tinggi), sehingga

atau mean free path antara molekul lebih besar dari dimensi

sistem, dan hanya terdapat tumbukan antara molekul dengan dinding sistem saja. Pada
tekanan tinggi, terdapat banyak molekul sehingga terjadi tumbukan antar molekul gas karena
mean free path semakin berkurang.
Pada keadaan ini, jenis aliran gasnya yaitu viscous flow atau aliran kental. Namun, pada
keadaan dimana

mfp D

, sudah pasti tidak akan ada tumbukan antara patrikel gas dengan

dinding sistem. Diantara keduanya terdapat keadaan yang merupakan keadaan transisi antara
free molecular flow dan viscous flow, yaitu intermediate flow.
Berdasarkan gambar 5 dan tabel 1 dapat ditegaskan bahwa semakin besar massa jenis suatu
gas, maka semakin besar pula tekanan gasnya, sedangkan mean free path nya akan semakin
kecil. Dengan demikian, laju alirnya mendekati kearah aliran viskos jika mean free path nya
akan semakin kecil.
5.4.1.1. Laser Beam Evaporation

Alarcon dkk mengaplikasikan metoda laser beam evaporation untuk proses deposisi thin
film TiO2 dan menyelidiki pengaruh penambahan bismuth Bi terhadap thin film TiO 2 (Bi
TiO2).
Prosedur:

Digunakan vakum bertekanan 10-5 Torr.

Uap Bi diproduksi dengan evaporasi panas dari butiran Bi;
Dilakukan variasi arus dalam penguapan Bi (mengubah jumlah atom Bi yang

menempel pada substrat).

Laju deposisi>> terdapat lebih banyak nanopartikel pada permukaan film.
Ukuran partikel >> jumlah Bi >>.
Dopping Bi dalam film TiO2 dapat meningkatkan kinerja fotokatalitik.

5.4.1.2. Electron Beam Evaporation (EBE)

Pemanasan filamen: Filamen panas memproduksi berkas elektron yang tereksitasi
Pemanasan bahan: Sumber panas merupakan berkas elektron yang dihasilkan dari tahap
pertama, digunakan magnet untuk mengarahkan gerak elektron.
Kondensasi : Setelah material berubah menjadi uap, menudian memenpel pada substrat dan
terkondensasi.
5.4.1.3. Modified Activated Reactive Evaporation (M Arc)
Sahoo dkk mengaplikasikan metode M Arc untuk membuat Thin film tembaga oksida (CuO)
dengan oksidasi langsung dari uap reaktif thin film tembaga nitrat Cu3N.
Prosedur:

Thin film Cu3N diendapkan pada substrat kaca (suhu ruang) dan dihubungkan dengan

katoda frekuensi radio (RF).

Tekanan yang digunkan yaitu 5 mTorr.
Film dianil selama1 jam pada temperatur yang berbeda (200-350C).

5.4.2. Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Digunakan chamber ultra high vacuum (tekanannya 10-10 torr).

Uap atom antara satu sama lainnya tidak saling berinteraksi
Mean free path atom > daripada jarak antara sumber dengan substratnya.
Lingkungan sangat bersih, suhu pertumbuhan rendah (misalnya 550C untuk GaAs),
sehingga dapat membatasi prose difusi.

Song dkk menumbuhkan film InSb1-xBix pada substrat GaAs dengan MBE pada substrat
GaAs.

Chamber terdiri dari sel filamen efusi ganda untuk In dan Ga, sel filamen tunggal

untuk Bi dan katup untuk Sb dan As.

Laju pertumbuhan kecepatan rendah (0.2 m/h), tekanan 310-8- 1.510-7 Torr.

Prosedur:

Substrat dianil pada suhu 650C, didinginkan hingga suhunya 620C (tumbuh lapisan

GaAs tebal 50nm)

Didinginkan jadi 510C (tumbuh GaSb tebal 200 nm), 280 C (tumbuh InSb tebal

30nm diatas lapisan GaSb)

Dipanaskan menjadi 355 C dan 395 C (tumbuh InSb1-xBix).

5.4.3. Sputtering

Proses pelepasan atom atau molekul dari material target (sampel) dengan

menggunakan ion berenergi tinggi.

Digunakan tekanan vakum tinggi dan substrat yang digunakan berbentuk wafer
Target dan substrat letaknya saling berhadapan ( berperan sebagai elektroda).
Medium awal berupa gas inert (argon) tekanan 100mTorr
Terjadi lucutan elektron pada elektroda ketika diberi tegangan
Elektron bebas energetik dipercepat oleh medan listrik sehingga bertumbukan dan

mengionisasi atom argon.

Ion menembus ke dalam bahan dan menyimpan energinya didalam substrat untuk
meningkatkan proses pelingkupan (coverage).