MAKALAH PENGANTAR ILMU MATERIAL

“ SEMIKONDUKTOR DAN TEKNOLOGINYA”

Disusun Oleh

KELOMPOK 7

1. Vevi Veronika 19034042

2. Wahyu Cahyaningrum 19034094

DOSEN PENGAMPU

Dra. Yenni Darvina, M.Si.

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGRI PADANG

2021
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kehadirat Tuhan Yang Maha Kuasa atas segala limpahan rahmat-Nya
sehingga kami dapat menyelesaikan pembuatan makalah ini dalam bentuk yang sangat
sederhana. Makalah ini kami buat untuk pemenuhan tugas mata kuliah Pengantar Ilmu
Material. Semoga makalah ini dapat dipergunakan sebagai salah satu acuan, petunjuk ataupun
pedoman bagi pembaca dalam pembelajaran Pengantar Ilmu Material. Kami juga berharap
somoga makalah ini juga dapat membantu menambah pengetahuan tentang Semikonduktor
dan Teknologinya.

Terima kasih kami ucapkan kepada Ibuk Dra. Yenni Darvina, M.Si. selaku dosen
pengampu yang telah membimbing kami dalam pembelajaran dan tidak lupa ucapan terima
kasih kami untuk semua pihak yang karyanya telah menjadi referensi bagi kami.
Makalah ini masih banyak kekurangan karena pengalaman yang kami miliki masih
kurang. Oleh karena itu, kami harapkan kepada pembaca untuk memberi masukan-masukan
yang bersifat membangun untuk kesempurnaan makalah ini sehingga tujuan pembuatan
makalah ini tercapai.

Dharmasraya, 02 Oktober 2021

Penulis

i
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR .............................................................................................. i

DAFTAR ISI ........................................................................................................... ii
BAB I ....................................................................... Error! Bookmark not defined.
1.1 Latar Belakang ............................................ Error! Bookmark not defined.
1.2 Rumusan Masalah ....................................... Error! Bookmark not defined.
1.3 Tujuan Penulisan......................................... Error! Bookmark not defined.
BAB II...................................................................................................................... 3
2.1 Pengertian Semikonduktor .......................................................................... 3
2.2 Teknologi Proses Pemurnian Semikonduktor .............................................. 4
2.3 Teknologi Proses Pembuatan Wafer Semikonduktor ................................... 8
2.4 Teknologi Proses Pembuatan Devais Semikonduktor ................................ 15
BAB III .................................................................................................................. 20
3.1 Kesimpulan.................................................................................................... 20
3.2 Saran ............................................................................................................. 21
DAFTAR PUSTAKA ............................................................................................ 22

ii
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Bahan semikonduktor adalah suatu material dengan sifat konduktivitas di antara
konduktor dan isolator. Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena
konduktansinya yang dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut
pendonor elektron). Beberapa komponen dari bahan semikonduktor yang umum
digunakan pada rangkaian elektronika adalah seperti diode, transistor, FET, JFET,
MOSFET, dan IC (integrated Circuit).

Dalam perindustrian teknologi semikonduktor metupakan industry yang

pertumbuhannya dinamis. Berkat produk-produk industry tersebutlah ditemukan
banyaknya penerapan dalam berbagai bidang industry dan telah memberi jalan
terbukanya bindustri-industri baru. Ledakan perkembangannya nampak dengan adanya
penggunaan semikonduktor.

Beberapa perusahaan semikonduktor di dunia membuat karakteristik perkembangan

yang sudah berjalan selama selang tahun 1980-1987. Setelah diambil karakteristiknya
ternyata pada selang waktu tersebut tampak perkembangan penggunaan piranti-piranti
yang terbuat dari bahan semikonduktor bisa mecapai 150 kali. Dalam hal ini
perkembangan itu akan terus berlanjut lagi sebagai tantangan imajinatif dan ujian
panjang bagi semua ilmuwan.

1.2 Rumusan Masalah

1. Apa yang dimaksud dengan semikonduktor ?
2. Bagaimanakah teknologi proses pemurnian semikonduktor ?
3. Bagaimana teknologi porses pembuatan wafer semikonduktor ?
4. Bagaimana teknologi proses pembuatan devais semikonduktor ?

1.3 Tujuan Penulisan

1. Untuk mengetahui pengertian dari semikonduktor
2. Untuk mengetahui tentang teknologi proses pemurnian semikonduktor

1
3. Untuk mengetahui tentang teknologi proses pembuatan wafer semikonduktor
4. Untuk mengetahui tentang teknologi proses pembuatan dewais semikonduktor

2
 BAB II

PEMBAHASAN

2.1 Pengertian Semikonduktor

Semikonduktor adalah sebuah material dengan konduktivitas yang berada diantara
isolator dan konduktor. Konduktivitas memegang peranan penting didalam proses
transport atau pergerakan elektron atau hole didalam material. Semikonduktor pada
umumnya berasal dari atom golongan IV pada sistem berkala, seperti Silicon dan
Germanium. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai isolator pada suhu yang sangat
rendah, namun pada suhu ruangan bersifat sebagai konduktor. Semikonduktor adalah
bahan dasar untuk komponen aktif dalam peralatan elektronika seperti diode, transistor
dan IC.

Material semikonduktor dapat dimanfaatkan dalam proses fotokatalisis. Kriteria

yang diperlukan dari material semikonduktor untuk dapat digunakan sebagai fotokatalisis
antara lain :

a. Bersifat fotoaktif
b. Mampu memanfaatkan cahaya tampak atau ultraviolet dekat
c. Bersifat lembam (inert)secara biologis dan kimiawi
d. Bersifat fotostabil (stabil terhadap cahaya)

Semikonduktor Intrinsik
Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri dari suatu jenis
bahan saja seperi terbuat dari silikon murni atau germanium murni. Silikon dan
Germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat penting dalam elektronika.
Keduanya terletak pada golongan IV A dalam tabel periodic dan mempunyai 4 elektron
valensi.
Semikonduktor Ekstrinsik
Bahan semikonduktor ekstrinsik adalah bahan semikonduktor yang telah dicampuri
dengan atom lain. Proses pengototoran atom pada bahan semikonduktor murni disebut
doping. Proses doping dilakukan untuk mengatur jenis pembawa muatan yang diinginkan
dari bahan semikonduktor. Oleh karena itu, semikonduktor ekstrinsik dapat
diklarifikasikan berdasarkan sifat/jenis pembawa muatan yang dihasilkan, yakni
semikonduktor tipe-n, semikonduktor tipe-p dan semikonduktor paduan.

3
  Semikonduktor tipe-n
Semikonduktor tipe-n merupakan semikonduktor intrinsic yang didoping oleh
unsur golongan V dalam susunan berkala misalnya atom silikon yang didoping
oleh atom arsenic (AS) yang mempunyai elektron valensi lima.
 Semikonduktor tipe-p
Semikonduktor tipe-p merupakan semikonduktor intrinsic yang didoping oleh
golongan III dalam susunan berkala misalnya ato, silokon yang didoping oleh atom
Galium (Ga) yang merupakan elektron valensi tiga.

2.2 Teknologi Proses Pemurnian Semikonduktor

Proses penjernihan atau pembersihan zat atau bentuk. Suatu proses memurnikan suatu
campuran larutan untuk mendapatkan zat-zat murni. Sumber daya alam umumnya ditemukan
hampir dalam bentuk yang bermanfaat, tetapi yang lebih berguna dalam bentuk murni.

Pemurnian merupakan suatu cara yang digunakan untuk menentukan suatu senyawa atau
sekelompok senyawa yang mempunyai susunan kimia yang berkaitan dari suatu bahan, baik
dalam skala laboratorium maupun skala industri. Pemurnian dilakukan untuk mendapatkan
zat murni dari suatu zat yang telah tercemar oleh zat lain.

Untuk mendapatkan alat-alat semikonduktor yang bermutu tinggi, hal yang terpenting
adalah “kemurnian” dan kesempurnaan dari kristal tunggal dari semikonduktor yang
dipergunakan sebagai bahan untuk pembuatan alat-alat tersebut. Pada kristal semikonduktor
penambahan sedikit ketidakmurnian mempengaruhi pembawa muatan, yang akan
berpengaruh besar pada karakteristik komponen yang dibuat.

Ada beberapa cara untuk memperoleh semikonduktor yang memiliki tingkat kemurnian
tinggi, yaitu :

1. Pemurnian secara proses kimia

Proses pemurnian secara kimia dilakukan untuk memisahkan bahan-bahan komponen
seperti kisi Si dari komponen SiCl4, SH4 dan SiHCl3. Kemurnian yang diperoleh dari
proses kimia ini adalah 99,999 %.
2. Pemurnian secara proses fisika
Proses pemurnian secara fisika dikenal dengan gejala segregasi. Pada proses
kemurnian ini sebagian besar ketidakmurnian atau pengotor dari bagian yang padat

4
 terserap kebagian yang sedang meleleh. Tingkat kemurnian yang diperoleh mencapai
99,99999999 %.
Ada dua cara pemurnian berdasarkan metoda sifat segregasi. Pertama bahan
semikonduktor dilelehkan keseluruahannya kemudian dibekukan kembali dari salah satu
ujungnya. Yang kedua bagian yang meleleh digeserkan sepanjang batang semikonduktor
yang berbentuk memanjang, sehingga setiap bagian dilelehkan dan dibekukan kembali secara
berurutan. Cara yang pertama disebut dengan pembukuan normal (dipakai dalam pembuatan
kristal tunggal), sedangkan cara yang kedua disebut pemurnian wilayah (kristal tunggal yang
disebut pemerataan wilayah).
Berikut beberapa metoda untuk memperoleh kristal tunggal semikonduktor :
a. Metoda pelelehan daerah (Zone Melting)
Dalam metode pembuatan kristal tunggal ini, menggunakan langsung prinsip
pemurnian Kristal, keuntungannya ialah bahwa ketidakmurnian yang ditambahkan
terbagi secara merata dalam seluruh kristal untuk semikonduktor yang elementeir
yang mempunyai titik leleh relative rendah (seperti Ge) menggunakan sebuh cara
pelelehan daerah (pemerataan daerah) yang disebut zone melting.
Zone melting adalah metoda pemisahan dengan tujuan untuk memurnikan, yang
dilakukan dengan cara meleburkan suatu zat, pada logam yang tidak murni atau
bahan kimia yang lainnya. Yang disesuaikan dengan garis lebur pada logam tersebut.
Metoda ini digunakan untuk memperoleh Kristal tunggal yang sengaja diberi
pengotor untuk bahan baku pembuatan semikonduktor.
Dalam sebuah cawan grafit murni ditaruh sekeping kecil kristal tunggal (kristal
benih), didekat benih diletakkan bahan tidak murni yang akan didopkan dan dekat
bahan tersebut ditaruhkan bahan semikonduktor Ge (yang sangat murni), antara
kristal benih dan balok dipanaskan terlebih dahulu dan meleleh, selanjutnya dengan
menggeserkan daerah meleleh sepanjang balok maka ketidak murnian didopkan
secara merata dan tumbuh kristal dengan sumbu mengikuti sumbu kristal benih
(menghasilkan kristal tunggal yang telah didopkan).
Untuk bahan semikonduktor yang mempunyai titik leleh tinggi (Si) dan keaktifan
kimia pada suhu tinggi penggunaan cawa grafit atau kwarsa tidak dimungkinkan
karena memungkinkan terjadinya pelembekan cawan atau terjadinya kontaminasi
bahan dari cawan.

5
 Gambar 1.1. Metoda zone melting

b. Metoda Czochralski (Metoda penarikan)

Metoda Czochralski adalah metoda pertumbuhan Kristal digunakan untuk
mendapatkan Kristal tunggal dari semikonduktor (misalnya silikon, germanium dan
gallium arsenide).
Metoda ini merupakan cara standard yang lazim digunakan untuk membuat
kristal Ge atau Si. Kristal benih dan Ge cair saling menempel, dalam keadaan ini
dengan menarik kristal benih ke atas bagian yang cair terangkat ke atas, dan
menghasilkan pertumbuhan kristal tunggal (disebut metode penarikan). Bahan yang
mencair harus berada dalam gas mulia dan ukuran benih kristal yang cukup, bila
temperature dan kecepatan penarikan tidak sesuai maka kristal dapat putus dalam
proses ini. Beberapa hal yang harus diuraikan sebagai berikut :
1. Penumbuhan Kristal tunggal harus dilakukan dalam keadaan kuasi statis,
berarti sangat dihindarkan adanya getaran selama proses penumbuhan
dijalankan
2. Temperature dan gradient temperature harus dengan presisi yang sangat
tinggi. Dari tiap penumbuhan mungkin agak berbeda, dan ini membutuhkan
keahlian tinggi.
3. Kristal tunggal yang dihasilkan sipergunakan untuk membuat bebagai sifat
elektronika, dan adanya kontaminasi atau pengitiran sangat tidak dikehendaki.
Sebagai hasil pengotoran oleh ketidakmurnian dari tempat pelebur dapat
dihindarkan dan terdapat dislokasi Kristal yang lebih sedikit dibanding dengan
metoda pelelehan daerah. Tetapi bila kecepatan putar dari alat penarik dan
temperature tidak dikontrol dengan cermat maka dislokasi kristal timbul.
Ini disebebkan oleh perputaran dari kristal benih memberi sifat pengadukan dari
bahan yang cair untuk mendapatkan distribusi yang unform ketidak murnian yang
ditambahkan dan untuk mencegah terjadinya gradient temperature.

6
 Gambar 1.2. Metoda Czochralski

c. Metoda Epitaksi
Metoda epitaksi adalah proses pertumbuhan lapisan tipis Kristal tunggal
semikonduktor diatas substrat semikonduktor. Umumnya jenis dopan lapisan tipis
semikonduktor berlainan sengan dopan subtratnya. Salah satu teknik terkenal adalah
epitaksi fase uap (Vapor Phase Epitaxy (VPE)). Lapisan epitaksi dapat ditumbuhkan
pada temperature 30-50% lebih rendah dari pada titik leburnya. VPE yang umum
dipakai adalah seposisi uap kimiawi (chemical vapor deposition (CVD)). CVD
adalah proses dimana lapisan epitaksi terbentuk karena reaksi kimia diantara gas-gas
pembentuknya. Pada Gambar 1.4 ditunjukkan tiga macam susceptor yang umum
dipakai untuk pertumbuhan epitaksial. Bentuk geometri susceptor menjadikan nama
reaktornya horizontal, pancake, dan susceptor barrel, semuanya terbuat dari graphit.
Susceptor dalam reactor epitaksial adalah krusibel dalam dapur pertumbuhan Kristal.

Gambar 1.3. Proses Chemical Vapor Depositon (CVD)

7
 Gambar 1.4. Tiga macam susceptor pada CVD: a. Horizontal, b. Pancake, dan c. Susceptor Barrel

2.2 Teknologi Proses Pembuatan Wafer Semikonduktor

Wafer merupakan bahan landasan dari komponen microsystem. Wafer pada
umumnya bermodel lempengan tipis bermodel lingkaran dengan garis disalah satu
sisinya. Pada umumnya wafer terbuat dari kristal silikon.
Semikonduktor kebanyakan dibuat dengan menggunakan silikon karena banyak
tersedia di bumi (27%). Itu terjadi secara alami di batuan silikat (mengandung Si-O) dan
pasir. Silikin unsur yang digunakan dalam pembuatan prangkat semikonduktor
dihasilkan sari pasir kuarsa dan kuarsit dengan kemurnian tinggi , yang mengandung
relatif sedikit pengotor.
Berikut beberapa teknologi dalam proses pembuatan wafer semikonduktor :
a. Teknologi Planar
Teknologi planar merupakan satu-satunya teknologi yang menjadi dasar utama dalam
permulaan pengolahan bahan-bahan semikonduktor. Dengan adanya teknologi planar ini
telah memungkin terciptanya transistor stabil dan mendorong pesatnya industry
semikonduktor pada akhir tahun 1950-an. Pada awal tahun 1960-an teknologi itu
dikembangkan lagi menjadi sebuah piranti baru yang berupa sirkuit terintegrasi yang
meru[akan kombinasi dari transistor, resistor dan kapasitor.
Pada teknologi planar yang menjadi perhatian serius saat ini adalah dalam
pengolahan bahan baku silikon semikonduktor menjadi bentuk wafer, yang merupakan
bahan yang siap dikonversi mejadi bentuk-bentuk piranti seperti IC. Adapun proses yang

8
termasuk mejadi langkah pembuatan wafer silikon yaitu proses,] produksi silikon
polikristal, pengembangan Kristal, serta pemotongan dan pembentukan wafer.

b. Pemurnian Silikon Polikristalin Kelas Elektronik (Polysilicon)

Silikon kelas elektronik, nama yang digunakan untuk silikon dalam pembuatan
perangkat semikonduktor, adalah produk dari rangkaian proses yang dimulai dengan
konverensi pasir kuarsa atau kuarsit menjadi “silikon kelas metalurgi” (MG-Si), dalam
listrik tungku busur (pada Gambar 1.5) menurut reaksi kimia :

SiO2 + C → Si + CO2

Gambar 1.5. Skema tungku busur elektoda terendam yang digunakan

dalam produksi MG-Si

Silikon yang dibuat dengan cara ini disebut “tingkat metalurgi” karena sebagian
besar produksi dunia sebenrnya digunakan untuk pembuatan baja. Ini kita 98% murni.
MG-SI tidak cukup murni untuk digunakan langsung dalam manufaktur elektronik.
Sebagian kecil (5%-10%) dari produksi MG-Si di seluruh dunia dimurnikan lebih lanjut
unutk digunakan dalam maufaktur elektronik. Pemurnian MG-Si menjadi silikon kelas
semikonduktor (elektronik) adalah proses multi-langkah, yang ditunjukan secara
skematis pada Gambar 1.5. Dalam proses ini, MG-Si digiling pertama dalam ball-mill
untuk menghasilkan sangat halus (75% < 40 μM) partikel yang kemudian diumpankan ke
Fluidized Bed Reactor (FBR). Disana MG-Si bereaksi dengan gas asam klorida anhidrat
(HCl), pada 575 K (sekitar 300˚C) menurut rekasi :

Si + 3HCl → SiHCl3 + H2

9
 Reaksi hidroklorinasi di FBR menghasilkan produksi gas yang sekitar 90%
triklorosilan (SiHCl3). 10 % sisa gas yang dihasilkan pada tahap ini sebagian besar
adalah tetraklorosilan SiCl4 dengan beberapa diklorosilan SiH2Cl2. Campuran gas ini
dimasukkan melalui serangkaian distilasi fraksional yang memrunikan titraklorosilan dan
mengumpulkan serta menggunakan kembali produk sampingan tetraklorosilan dan
diklorosilan. Proses pemurnian ini menghasilkan triklorosilan yang sangat murni dengan
pengotoran utama dalam kisara bagian per miliar rendah.

Silikon polikristalin padat yang dimurnikan dihasilkan dari triklorosilan dengan

kemurnian tinggi menggunakan metode yang dihasilkan sebagai “ Proses Siemens”.
Dalam proses ini, triklorosilan diencerkan dengan hydrogen dan diumpamakan ke reactor
pengendapan uap kimia. Disana kondisi reaksi diatur sehingga silikon polikristalin
diendapkan pada batang silikon yang dipanaskan secara elektirk sesuai dengan kebalikan
dari reaksi pembentukan triklorosilan :

SiHCl3+ H2 → Si + 3HCl

Produk sampingan dari rekasi deposisi (H2, HCl, SiHCl3, SiHCl4, dan SiH2Cl2)
ditangkap dan diatur ulang melalui proses produksi dan pemurnian triklorosilan seperti
ditunjukan pada Gambar 1.6. Kimia dari proses produksi , pemurnian dan pengembangan
silikon yang terkait dengan silikon kelas semikonduktor lebih kompleks dari pada
deskripsi sederhana ini. Ada juga sejumlah kimia alternative yang dapat digunkan untuk
produksi polysilicon.

Gambar 1.6. Diagram alir untuk produksi silikon kelas semikonduktor (kelas elektronik)

10
c. Fabrikasi Wafer Silikon Kristal Tunggal
Wafer silikon yang begitu akrab bagi kita diindustri semikonduktor sebenarnya
adalah irisan tipis Kristal tunggal silikon besar yang dikembangkan dari silikon
polikristalin kelas elektronik yang meleleh. Proses yang digunakan dalam menumbuhkan
Kristal tunggal ini dikenal sebagai proses Czochralski (penemunya adalah Jan
Czochralski). Pada Gambar 1.7 menunjukkan urutan dasar dan komponen yang terlibat
dalam proses Czocharalski.

Gambar 1.7. (a) Skema proses Czochralski (b) Peralatan proses (diproduksi
dengan izin PVA TePla AG 2017)

Proses Czocharalski dilakukan dirungan yang dapat dievakuasi, biasanya disebut

sebagai “penarik Kristal” yang menampung wadah besar, biasanya kuarsa dan elemen
pemanas listrik. Polysilicon tingkat semikonduktor diisi kedalam wadah bersama dengan
jumlah yang tepat dari setiap dopan seperti fosfor atau bororn yang mungkin diperlukan
untuk memberikan karakteristik P atau N yang ditentukan pada produk wafer.
Evakuasi menghasilkan udara dari ruangan untuk menghindari oksidasi silikon
yang dipanaskan selama proses pertumbuhan. Crucible yang bermuatan listrik
dipanaskan sampai suhu yang cukup untuk melelehkan polisilikon (lebih dari 1421˚ C).
Setelah muatan silikon sepenuhnya meleleh, Kristal benih kecil, dipasang pada batang,
diturunkan kedalam silikon cair. Kristal benih biasanya berdiameter sekitar 5 mm dan
panjang hingga 300 mm. yang bertindak sebagai “starter” untuk pertumbuhan Kristal
silikon yang lebih besar dari lelehan. Kristal benih dipasang pada batang dengan segi
Kristal yang diketahui berorientasi vertical salam lelehan (segi Kristal ditentukan oleh
“indeks miller”).dalam kasus Kristal benih, faset memiliki indeks Miller < 100 >=””><
110 =””> atau <111 =””. Biasanya dipilih.

11
 Pertumbuhan Kristal dari lelehan akan menyesuaikan dengan orientasi awal ini,
memberikan Kristal tunggal besar akhir orientasi Kristal yang diketahui. Setelah
peredaman dan lelehan, Kristal benih perlahan-lahan (beberapa cm/jam) ditarik dari
lelehan saat Kristal yang lebih besar tumbuh. Kecepatan tarik menentukan diameter akhir
dari Kristal besar. Baik Kristal dan wadah diputar selama tarikan Kristal untuk
meningkatkan homogenitas Kristal dan distribusi dopan. Kristal besar terakhir berbentuk
silinder yang disebut “boule”.
Pertumbuhan Czocharalski adalah metode paling ekonomis untuk produksi boule
Kristal silikon yang cocok untuk memproduksi wafer silikon untuk fabrikasi perangkat
semikonduktor umum (dikenal sebagai wafer CZ). Metode tersebut dapat membentuk
boule yang cukup besar untuk menghasilkan wafer silikon hingga diameter 450 mm.
namun metode tersebut memiliki batasan tertentu, karena boule ditanam dalam kuarsa
(SiO2) wadah, beberapa kontaminasi oksigen selalu ada dalam silikon (biasanya 1018
atom cm-3 atau 20 ppm).
Crucible grafit telah digunakan untuk menghindari kontaminasi ini, namun
mereka menghasilkan kotoran karbon dalam silikon, meskipun dengan urutan
konsentrasi yang lebih rendah. Baik kotoran oksigen dan karbon dalam silikon, meskipun
dengan urutan konsentrasi yang lebih rendah. Baik kotoran oksigen dan karbon menurun
panjang difusi pembawa minoritas dalam wafer silikon akhir. Homogenitas dopan pada
arah aksial dan radial juga terbatas pada silikon Czocharalski, sehingga sulit untuk
mendapatkan wafer dengan resistivitas lebih dari 100 ohm-cm.
Silikon dengan kemurnian lebih tinggi dapat diprosuksi dengan metode yang
dikenal sebagai pemurnian Float Zone (FZ). Dalam metode ini, ingot silikon polikristalin
dipasang secara vertical diruang pertumbuhan, baik dibawah vakum atau atmosfer inert.
Ingot tidak bersentuhan dengan salah satu komponen ruang kecuali untuk gas ambien
dan Kristal benih dengan orientasi yang diketahui di dasarnya (Gamabar 1.8). Ingot
dipanaskan menggunakan kumparan frekuensi radio (RF) non-kontak yang membentuk
zona bahan yang meleleh didalam ingot, biasanya dengan tebal sekitar 2 cm.
Dalam proses FZ, batang bergerak vertical ke bawah, memungkinkan zona cair
untuk naik sepanjang ingot, mendorong kotoran sebelum pencairan dan meningkatkan
silikon kristalin tunggal yang sangat murni. Wafer silikon FZ memiliki resistivitas
setinggi 10.000 ohm-cm.

12
 Gambar 1.8. konfigurasi pertumbuhan Kristal zona apung

Setelah silikon boule dibuat, ia dipotong menjadi panjang yang dapat diatur dan
setiap panjang digiling ke diameter yang diinginkan. Float orientasi yang menunjukkan
doping silikon dan orientasi untuk wafer dengan diameter kurang dari 200 mm juga
digiling ke dalam boule pada tahap ini. Untuk wafer dengan diameter kurang dari 200
mm, datar primer (terbesar) diorientasikan tegak lurus dengan sumbu Kristal tertentu
seperti <111 =””> atau < 100 =””> (Gambar 1.9). Flat sekunder (lebih kecil)
menunjukkan apakah wafer tipe-p atau tipe-n. Wafer 200 mm (8 inci) dan 300 mm (12
inci) menggunakan takik tunggal yang berorisntasi pada sumbu Kristal yang ditentukan
untuk menunjukkan orientasi wafer tanpa indicator untuk jenis doping. Gambar 1.9
menunjukkan hubungan antara jenis wafer dan penempatan flat di tepi wafer.

Gambar 1.9. Penunjuk daftar wafer untuk orientasi dan doping wafer yang berbeda

Setelah boule digerus hingga diameter yang diinginkan dan flat dibuat, boule
dipotong menjadi irisan tipis menggunakan pisau bertatahkan berlian atau kawat baja.
Tepi irisan silikon biasanya membulat pada tahap ini. Penandaan laser yang
menunjukkan jenis silikon, resistivitas, pabrikam, dan lain-lain. Juga ditambahkan di
dekat flat utam saat ini. Kedua permukaan irisan yang belum selesai digiling dan
dilibatkan untuk membawa semua irisan kedalam ketebalan dan toleransi kerataan yang
ditentukan. Penggerindaan menjadikan irisan memiliki ketebalan yang kasar dan
toleransi kerataan setelah proses lapping menghilangkan sisa bahan yang tidak
diinginkan dari permukaan irisan, meninggalkan permukaan yang halus, rata dan tidak

13
terpoles. Lapping biasanya mencapai toleransi kurang dari 2,5 μm keseragaman dalam
kerataan permukaan wafer.
Tahap terakhir dalam pembuatan wafer silikon melibatkan secara kimiawi etsa
menghilangkan semua lapisan permukaan yang mungkin telah menumpuk kerusakan
Kristal dan kontaminasi selama penggergajian, penggilingan dan pemukulan dan diikuti
oleh pemolesan mekanis kimiawi (CMP) untuk menghasilkan pemukaan yang sangat
reflektif, bebas goresan dan kerusakan di satu sisi wafer. Pengetsaan kimiawi dilakukan
dengan menggunakan larutan etsa asam fluoride (HF) yang dicampurkan dengan asam
nitrat dan asam asetat yang dapat melarutkam silikon.
Dalam CMP, irisan silikon dipasang ke pembawa dan ditempatkan dimesin CMP
dimana mereka menjalani pemolesan kimia dan mekanis gabungan. Biasanya CMP
menggunakan bantalan pemolesan poliuretan keras yang dikombinasikam dengan bubur
alumina terdispersi halus atau partikel abrasive silica dalam larutan alkali. Produk akhir
dari proses CMP adalah wafer silikon. Yang memiliki permukaan yang sangat reflektif,
bebas goresan dan kerusakan di satu sisi tempat perangkat semikonduktor dapat dibuat.

Gambar 1.10. Chimical Mechanical planarization (CMP)

Gambar 1.11. Wafer silikon 8 inci

14
2.3 Teknologi Proses Pembuatan Devais Semikonduktor
Dalam pembahsan tentang devais semikonduktor tentunya tidak akan lepas dari
material semikonduktor itu sendiri sebagai bahan dasar pembuatan devais tersebut. Pada
teknologi devais semikonduktor kebutuhan akan bahan semikonduktor yanh memiliki
struktur Kristal tunggal dan tingkat kemurnian yang tinggi menjadi syarat utama untuk
memperoleh devais semikonduktor yang berkualitas tinggi. Tahapan proses dasar untuk
pembuatan devais semikonduktor yaitu dengan fotolitografi yang menggunakan
teknologi mikroelektronika.
Fotolitografi
Proses fotolitografi adalah proses pemindahan pola bentuk geometris pada
masker ke lapisan tipis (beberapa micron) dan bahan yang peka terhadap radiasi
(photoresist). Pola resis dibentuk oleh proses fotolitografi bukanlah elemen yang tetap
hanya tiruan dari feature rangkaian. Fotoresis biasanya dilapiskan dengan cara spin
coating atau spray coating untuk melapisi permukaan wafer silikon. Fotoresis adalah
komposisikimia molekul tinggi yang mempunyai daya tahan pelarut, daya lekat yang
kuat dan eka cahaya dapat digunakan untuk fotolitografi.
Lapisan Silikon Oksida (SiO2) merupakan masker pencegah masuknya
ketidakmurnian kedalam bagian wafer yang tifak di kehendaki pada saat proses difusi.
Dengan membuat pola tertentu pada lapisan oksida dapat dilakukan difusi, metalisasi dan
pelapisan silikon secara efektif. Selain itu lapisan ini juga dipergunakan untuk menjaga
agar silikon (Si) tidak dipengaruhi secara langsung dalam udara terbuka dan pula dapat
dipergunakan untuk mengisolasi silikon terhadap interkoneksi.
Proses fotolitografi dalam proses fabrikasi devais semikonduktor merupakan
bagian yang penting dimana geometri devais ditentukan pada permukaan devais wafer
silikon. Pembuatan devais semikonduktor terdiri atas berulang kali proses fotolitografi
seperti dalam tahap proses pembukaan gerbang (gate) untuk proses difusi, oksidasi atau
pasivasi atau metalisasi.
1) Masker untuk fotolitografi
Masker mengandung pola lapisan yang akan ditransfer ke wafer untuk
membentuk rangkaian. Tiap langkah proses memerlukan sebuah masker yang
memnuat pola tertentu yang dibuat oleh perancang.
Perancang membuat pola rangkaan dan devaise sesuai dengan fungsi IC
yang diharapkan. Dalam pentransferan pola tiap masker dilakukan dengan alat
Pattern Generator yang mampu menggambar pada plate kaca masker dengan

15
bantuan sinar yang bentuk dan ukurannya diatur oleh data computer, yang
menghasilkan kontras hitam putih pada masker yang berbentuk kaca tersebut.
Sejumlah masker dipersiapkan dan selanjutnya dipergunakan dalam proses
fotolitografi untuk merealisasika chip yang dipesan oleh perancang. Untuk proses
MOS diperlukan jumlah masker berkisar antara 9-12 buah tergantung pada proses
yang ada di pandai silikon ituu..

2) Tahap proses fotolitografi

Proses fotolitografi dilakukan dengan mengunakan bahan fotoresis.
Fotoresis merupakan jenis senyawa organik yang peka cahaya (sinar ultraviolet).
Ada dua jenis fotoresis yaitu fotoresis negatif dan positif.
Fotoresis negatif dimana cahaya UV yang jatuh pada resis menyebabkan
terjadinya proses polimerisasi yang menyebabkan ikatan kimianya bertambah
kuat sehingga lebih tahan terhadap pelarut. Contoh dari fotoresis negatif :
Selextiluc N 220, Olint Hunt way Coat Negative, KPR, KMER, KTFR dan
lainya. Fotoresis positif dimana cahaya UV yang jatuh pada resis merusakkan
struktur kimia dari senyawa sehingga mudah larut dalam larutan pengembang
(developer). Contoh fotoresis positif : AZ 1350-J Shipley, AZ 111, AZ 119, AZ
345 dan lain sebagainya.
Fotoresis umumnya harus memiliki sifat- sifat yang diperlukan pada
proses devais seperti :
- Daya adhesi yang baik
- Tahan terhadap larutan etchant
- Sensitivitas atau kepekan terhadap cahaya
- Resolusi yang baik sehingga pola gambar dalam bentuk orde micron
dapat dicapai dengan tajam
Pada pemakaian fotoresis adalah lapisan hams rata (uniform), homogeny
dan bebas dari pinhole. Untuk memperoleh lapisan yang merata pada wafer
digunakan fotoresis spinner.
Berikut adalah gambar dari alat spinner :

16
 Gambar 1.12. Spinner

Fotolitografi (etsa foto) sangat penting dalam proses pembuatan rangkaian

terintegrasi (IC) dan bermanfaat untuk etsa yang selektif pilihan pada oksida dan
juga untuk etsa dari pola interkoneksi. Hal-hal yang penting dalam etsa foto
(fotolitografi) dapat dijelaskan sebagai berikut :

(a) Masker (pelindung) foto : Masker foto terdiri dari sebuah pelat gelas
dengan pola dari bahan yang tak tembus sinar ultraviolet. Bahan itu
semacam gelatin yang mengandung halogenida perak ( untuk masker yang
lunak), atau logam chromium atau oksida logam (untuk masker yang
keras).
(b) Fotoresis : Fotoresis merupakan reaksi polimerisasi oleh sinar ultraviolet,
membutuhkan daya larut yang kuat dan pula ketahanan terhadap bahan
kimia yang dipakai selanjutnya. Pada waktu penyimpanan resis, harus
sangat hati-hati terutam terhadap debu dan kotoran, sedangkan kelembaban
dan temperature juga harus dijaga baik. Resis yang mempunyai daya
ketajaman yang tinggi yang perlu dipaka pada pola yang sangat halus.
(c) Pelapisan resisi : Dalam proses pelapisan dari resis dipergunakan alat
pinner (pemutar). Metoda dengan spinner ini dilakukan dengan keeping
(wafer) silikon yang akan dilapisi dengan resis ditaruh pada meja yang
berputar. Keuniforman lapisan yang dilapiskan akan baik bila momen
inersia dari meja putar spinner kecil, sehingga waktu percepatan hingga
mencapai kecepatan yang diinginkan sangat singkat.
Apabila lapisan resisi tebal, maka dapat memberikan
ketajaman/kejelasan yang kurang sempurna, dan bila lapisan resis tipis
maka menyebabkan gangguan terhadap daya tahan kimia, meskipun
resolusinya sempurna. Dan lapisan resis yang terlalu tipis akan timbul

17
 lubang-lubang kecil yang banyak. Maka perlu dipilih ketebalan yang
sesuia.
(d) Pemanggangan : Karena resisi yang dilapiskan pada keeping (wafera0
tidak cukup keras, maka diadakan pemanggangan mula (prebake) supaya
tidak melekat pada masker, pada temperature yang tidak menyebabkan
reaksi polimerisasi. Pemanggangan lanjut (postbake), dalam proses ini
resisi dipanaskan dalam temperature cukup tinggi, dimana terjadi
polemerisasi, dan melekat sangat erat pasa wafer singga tidak dapat
terkupas pada waktu etsa SiO2. Akan tetapi perludiperhatikan bahwa
pemanggangan yang terlalu tinggi temperaturenya maka resis dapat retak-
retak.
(e) Penyinaran dan pencetakan : Dalam proses penyinaran dipergunakan
alat alignment (pelurus) masker, yang terdiri dari sumber cahaya (sinar
ultraviolet atau dengan lampu merkuri) dan suatu alat yang mudah
bergerak pada sumbu x, y dan z serta memutari sumbu putarnya. Sumber
cahaya tegak lurus pada permukaan yang disiniari dan membutuhkan
kekuatan cahaya yang konstan. Wafer dan masker diimpitkan satu sama
lain setelah dicatat dan kemudian disinari. Jumlah cahaya yang disinarkan
bervariasi tergantung pada bahan resis yang digunakan. Bila terlalu banyak
atau kekurangan penyinaran dapat mempengaruhi ketajaman (resolusi).
(f) Etsa dari lapisan oksida : ini adalah proses untuk membuka lapisan
oksida pada tempat-tempat yang terpilih, dimana akan dilakukan difusi.
Lapisan oksida yang tidak berguna dilarutkan dengam mencelupkan dalam
pelarut dengan waktu yang cukup sehingga oksidasi terbuang. Sebagian
bahan etsa untuk silikon dioksidasi ialah tipe NH4F 9etsa buffer) yang
biasa digunakan. Laju dari etsa tergantung pada keadaan sifat oksida,
komponen dan temperature bahan etsa itu, dan dapat dipilih dengan
optimal.
(g) Membuang lapisan resis : Lapisan resis dapt dilarutkan dengan
menggunakan asm sulfat pekat panas, tetapi metoda ini tidak dapat
digunakan pada pola jalur alumunium untuk interkoneksi. Selain itu ada
juga cara dengan mengalirkan plasma gas oksigen yang bergantung pada
proses yang ada di pandai silikon itu.
Adapun jalannya proses fotolitografi yaitu sebagai berikut :

18
 Pada permukaan subtrat dibuat lapisan tipis fotoresis, kemudian
diletakkan masker pola untuk membuat lubang bukaan yang
diinginkan, lalu dilakukan pencahayaan dengan sinar ultraviolet,
terjadi perubahan solubilitas (kelarutan) yang timbul pada pola.
 Pada fotoresis positif, pencahayaan itu menambah solubilitas, pada
fotoresis negatif, pencahayaan itu mengurangi solubilitas. Sehingga
menimbulkan pola yang belainan sesudah dilakukan proses
pengembangan (development).
 Setelah proses pengembangan, dilanjutkan dengan proses etching
(pengikisan) untuk menimbulkan pola pada subtract dan diteruskan
dengan pembersihan fotoresis.

Gambar 1.13. Ilustrasi skema urutan proses fotolitografi

19
 BAB III

PENUTUP

3.1 Kesimpulan
Semikonduktor adalah sebuah material dengan konduktivitas yang berbeda
diantara isolator dan konduktor. Semikonduktor disebut juga sebagai bahan setengan
penghantar listrik. Semikonduktor merupakan bahan yang dipakai dalam pembuatan
omponen elektronika seperti resistor, diode, transistor, kapasitor dan lain sebagainya..
Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri dari satu unsur saja.
Misalnya Si atau Ge. Dan semikonduktor ekstrinsik merupakan semikonduktor yang
telah dicampuri (tidak murni) oleh atom dari jenis lainnya. Semikonduktor ekstrinsik
dapat diklarifikasikan berdasarkan sifat atau jenis pembawa muatan yang dihasilkan,
yakni semikonduktor tipe-n, semikonduktor tipe-p, dan semikonduktor paduan.

Pemurnian merupakan suatu cara yang digunakan untuk menentukan suatu

senyawa atau sekelompok senyawa yang mempunyai susunan kimia yang berkaitan dari
suatu bahan, baik dlam skala laboratorium maupun skala industri. Untuk mendapatkan
alat-alat semikonduktor yang bermutu tinggi, hal yang terpenting adalah “kemurnia” dan
kesempurnaan dari kristal tunggal dari semikonduktor yang digunakan. Pada kristal
semikonduktor penambahan sedikit ketidak murnian mempengaruhi pembawa muatan,
yang akan berpengaruh besar pada karakteristik komponen yang dibuat. Beberapa
metoda untuk memperoleh kristal tunggal semikonduktor yaitu Metode pelelehan daerah
(Zone Melting), Metoda Czockralski (Metoda penarikan), dan Metoda Epitaksi.

Wafer merupakan bahan landasan dari komponen microsystem. Pada umumnya

wafer terbuat dari kristal silikon. Semikonduktor kebanyakan dibuat dengan
menggunakan silikon karena banyak tersedia di bumi (27%). Itu terjadi secara alami di
batuan silikat (mengandung Si-O) dan pasir. Beberapa teknologi dalam proses
pembuatan wafer semikonduktor yaitu teknologi planar, pemurnian silikon polikristalin
kelas elektronik (polysilicon), fabrikasi wafer silikon kristal tunggal.
Tahapan proses dasar untuk pembuatan devais semikonduktor yaitu dengan
fotolitografi yang menggunakan teknologi mikroelektronika. Proses fotolitografi adalah
proses pemindahan pola bentuk geometris pada masker ke lapisan tipis (beberapa
micron) dan bahan yang peka terhadap radiasi (photoresist). Pembuatan devais

20
 semikonduktor terdiri atas berulang kali proses fotolitografi seperti dalam tahap proses
pembukaan gerbang (gate) untuk proses difusi, oksidasi atau pasivasi atau metalisasi.

3.2 Saran
Kami menyadari masih banyak kekurangan dan makalah ini masih jauh dari kata
sempurna. Untuk itu insyaallah kedepannya kami akan lebih baik lagi. Semoga dengan
makalah ini,kita lebih memahami tentang materi semikonduktor dan teknologinya.

21
 DAFTAR PUSTAKA

Boltzmann Rf. L, 2018. Fabrikasi Semikonduktor [online],

(https://id.scribd.com/document/370551034/2-Fabrikasi-semikonduktor, diakses
01 Oktober 2021).

Haikal Yusuf, 2014. Semikonduktor 2 [online],

(https://id.scribd.com/doc/246812947/semikonduktor-2, diakses pada 02

Oktober 2021).

Van Vlack, 1992, Ilmu dan Teknologi Bahan, Jakarta: Erlangga (W1)

Wahyuu. K, 2019. Semikonduktor [online],

(https://id.scribed.com/document/426367836/pembuatan-semikonduktor,
diakses pada 30 september 2021).

(https://id.dsnsolar.com/info/silicon-wafer-production-49732652.html, diakses pada 01

Oktober 2021).

Widodo S. & Sudrajad N. (2014). Proses Fotolitografi dalam fabrikasi Divais

Semikonduktor. Proseding seminar Nasional Fisika. 3 : 306-316.

William F. Smith, 1993, Foundations of materials science and engineering, Mcgraw-

Hill,inc, Singapore (W2)

22