Rangkaian Pensaklaran MOSFET
Rangkaian Pensaklaran MOSFET
Pengertian Mosfet
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah
perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan
sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari
sebuah IC ( integrated Circuit ) yang di desain dan di fabrikasi dengan single
chip karena ukurannya yang sangat kecil. MOSFET memiliki empat gerbang
terminal antara lain adalah Source (S), Gate (G), Drain (D) dan Body(B).
Fungsi mosfet
1. Rangkaian kontrol radio pada mobil RC, drone atau mainan hobby RC lainnya karena
bentuknya yang kecil namun dengan kemampuan mengontrol arus daya yang besar.
2. Rangkaian kontrol torsi dan kecepatan pada motor.
3. Rangkaian kontrol pada industri dunia.
4. Proyek arduino dan robotic.
5. Baterai BMS untuk sistem daya, baterai BMS kendaraan listrik.
6. Sebagai driver pada inverter.
7. Sebagai regulator dan konverter, masih banyak lagi.
Jenis Mosfet
1. Jenis depletion
Ciri utama MOSFET tipe depletion adalah membutuhkan tegangan source – gate
agar MOSFET dalam kondisi menutup. Dengan kata lain ketika MOSFET jenis
depletion diberi tegangan bias, maka komponen ini akan beroperasi dengan cara
menutup aliran arus pada source – drain.
Simbol untuk MOSFET jenis depletion pada tipe saluran-N dan saluran-P
ditunjukkan pada gambar diatas di atas. Dalam simbol di atas, kita dapat
mengamati bahwa terminal keempat (substrat) terhubung ke ground. Tetapi
dalam MOSFET diskrit terhubung ke terminal sumber.
Garis tebal kontinu yang terhubung antara saluran drain dan terminal source
mewakili jenis penipisan. Simbol panah menunjukkan jenis saluran, seperti
saluran-N atau saluran-P.
Dalam jenis MOSFET ini, lapisan tipis silikon disimpan di bawah terminal
gate. Transistor MOSFET mode depletion umumnya ON pada tegangan sumber
gerbang nol (VGS). Konduktivitas saluran dalam MOSFET depletion kurang
dibandingkan dengan MOSFET enhancement.
2. Jenis enhancement
MOSFET jenis enhancement mirip dengan sakelar “open” dimana jenis transistor
ini memerlukan tegangan source – gate (VGS) untuk
mengoperasikannya. Simbol MOSFET mode enhancement N-channel dan P-
channel ditunjukkan di bawah ini.
Di sini, kita dapat mengamati bahwa garis putus-putus terhubung antara source
dan drain mewakili jenis mode enhancement. Pada jenis MOSFET enhancement,
konduktivitas meningkat dengan ketika lapisan oksida ditambahkan ke pada
partikel pembawa muatan.
Lapisan oksida ini disebut sebagai ‘Lapisan Inversi’. Saluran pembaewa muatan
terbentuk antara drain dan source pada tipe yang berlawanan dengan substrat.
Tipe N-channel dibuat dengan substrat tipe-P. Sementara channel-P dibuat
dengan substrat tipe-N. Konduktivitas saluran elektron atau hole tergantung pada
saluran tipe-N atau tipe-P masing-masing jenis MOSFET.