LAPORAN

LABORATORIUM POWER SYSTEM

KARAKTERISTIK PANEL SURYA
SEMESTER GANJIL 2021/2022

OLEH :

KHUSNUL KHOTIMAH
32119063
3C D3 TEKNIK LISTRIK
KELOMPOK 3

PROGRAM STUDI DIII TEKNIK LISTRIK

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
POLITEKNIK NEGERI UJUNG PANDANG
MAKASSAR
2021
A. Tujuan Percobaan
Setelah melakukan praktikum,mahasiswa diharapkan mampu :
1. Mengetahui karakteristik panel surya akibat adanya perubahan radiasi dan
suhu,
2. Membuat kurva I – V dari panel surya berdasarkan perubahan iradiasi dan
suhu,
3. Mengetahui perbedaan panel surya jenis monokristal dan polikristal,
4. Membandingkan hasil pengukuran karakteristik dengan model 1 Dioda
panel surya,
5. Menghitung factor pengisian (fill factor) dari panel surya.

B. Teori Dasar
Cahaya sinar matahari terdiri dari banyak warna,merupakan gabungan
foton inframerah berenergi-rendah (1.1 eV) dengan foton ultraviolet
berenergi-tinggi (3.5 eV) dan foton dengan cahaya yang terlihat
diantaranya.Gambar 1 menunjukkan spectrum dari energy solar (tenaga surya)
yang jatuh pada suatu bidang,yang secara langsung menghadap matahari,di
luar atmosfer bumi pada jarak rata – rata antara matahari dan
bumi.Area/luasan di bawah kurva adalah energy total dalam spectrum yang
dikenal sebagai “Solar Constant” G0,sebesar 1367 Watt per meter persegu
(W/m2).Radiasi energy dalam spectrum yang dapat terlihat (visible spectrum)
sekitar 43% dari total dan 52% dalam infranerah dan 5%
ultraviolet.Berdasarkan ,bahwa 1000 W/m2 setara dengan 120000 Lux atau 1
W/m2 = 119.97 Lux.
Proses perubahan energy surya menjadi energy listrik ini terjadi pada
photovoltaic (PV).Secara harfiah,photovoltaic (PV) berasaldari dua kata yaitu
photo dan volt,yang mempunyai arti cahaya listrik.Sel surya merupakan
komponen terkecil penyusun suatu panel surya yang merupakan elemen aktif
(semikonduktor) dengan memanfaatkan efek photovoltaic untuk mengubah
energy surya menjadi energy listrik.Sel surya pada umumnya menggunakan
bahan Silicon dan memiliki ketebalan minimum 0.3 mm dan biasanya
menghasilkan tegangan 0,5 Volt [1,3].Secara fisik sel PV sangat mirip dengan
Diode p-n (Gambar 1).Ketika cahaya mengenai permukaan sel surya,beberapa
foton dari cahaya diserap oleh atom semikonduktor untuk membebaskan
electron dari ikatan atomnya sehingga menjadi electron yang bergerak
bebas.Adanya perpindahan electron – electron inilah yang menyebabkan
terjadinya arus listrik seperti pada gambar 1.Sebuah sel PV secara fisik
ditunjukkan oleh gambar 2(a) dan panel PV pada gambar 2(b).Sebuah panel
PV tersusun secara seri dan pararel yang disesuaikan dengan tegangan dan
keluaran yang diinginkan.

Gambar 1. Efek solar cell mengubah foton menjadi arus

(a) (b)
Gambar 2. (a) sel – sel surya (b) panel/modul surya.
 Sel PV yang digunakan sampai saat ini telah mengalami perkembangan
sebanyak 3 generasi.
1. Generasi Pertama
Teknologi pertama adalah teknologi yang menggunakan bahan
silicon Kristal tunggal (Mono–crystalline).Jenis sel ini dapat dilihat pada
gambar 3(a).Teknologi ini mampu menghasilkan sel surya dengan
efisiensi yang sangat tinggi yang mencapai 16 sampai 17%.Masalah
terbesar yang dihadapi dalam pengembangan silicon Kristal tunggal ini
adalah bahwa untuk dapat diproduksi secara komersial sel surya ini
harganya sangat mahal sehingga membuat solar sel panel yang dihasilkan
menjadi tidak efisien sebagai sumber alternative.
Teknologi yang kedua adalah dengan menggunakan wafer silicon
poli Kristal,seperti pada gambar 3(b).Saat ini,hampir sebagian besar panel
solar sel yang beredar di pasar komersial berasal dari screen printing jenis
silicon poli Kristal ini.Wafer silicon poli kristal dibuat dengan teknologi
casting berupa balok silicon dan dipotong-potong dengan metode wire-
sawing menjadi kepingan (wafer),dengan ketebalan sekitan 250 – 350
mikrometer.Dengan teknologi ini bias diperoleh sel surya lebih murah
meskipun tingkat efisiensinya lebih rendah jika dibandingkan dengan
silicon kristal tunggal.

(a) (b)

Gambar 3. (a)Sel PV poli Kristal (b) sel PV Kristal tunggal

2. Generasi kedua
Generasi kedua adalah sel surya yang dibuat dengan teknologi
lapisan tipis (thin film).Teknologi pembuatan sel surya dengan lapisan tipis
ini dimaksudkan untuk mengurangi biaya pembuatan solar sel mengingat
teknologi ini hanya menggunakan kurang dari 1% dari bahan baku silicon
jika dibandingkan dengan bahan baku untuk tipe poli Kristal.
Jenis sel thin film ini yaitu Cadmium telluride (CdTe) yang
memiliki tingkat efisiensi 9-11%.Copper indium gallium diselenide
(CIGS) memiliki efisiensi 10-12%,dengan efisiensi tertinggi yang pernah
diproduksi dalam skala lab 21.7%,serta Amorphous thin-film silicon (a-
Si,TF-Si) yang memiliki efisiensi terendah 6-8%.

(a) (b) (c)

Gambar 4. (a) CdTe (b) CIGS (c) a-Si,TF-Si

Keunggulan lainnya dengan menggunakan tipe lapisan tipis adalah

semikonduktor sebagai lapisan solar sel bias dideposisi pada substrat yang
lentur sehingga menghasilkan divais solar sel yang fleksibel.Persoalannya
adalah material ini belum dapat diterima dengan baik karena mengandung
unsur cadmium.Bila rumah yang atapnya dipasang sel surta CdTe
terbakar,unsur cadmium ini akan menimbulkan polusi yang
membahayakan.
3. Generasi Ketiga
Penelitian agar harga solar sel menjadi lebih murah selanjutnya
memunculkan teknologi generasi ketiga yaitu teknologi pembuatan sel
surya dari bahan polimer atau disebut juga dengan sel surya organik dan
sel surya foto elektrokimia.Sel Surya organik dibuat dari bahan
semikonduktor organik seperti poluphenylene vinylene dan fullerene.Pada
solar sel generasi ketiga ini photon yang dating tidak harus menghasilkan
pasangan muatan seperti halnya pada teknologi sebelumnya melainkan
membangkitkan exciton.Exciton inilah yang kemudian berdifusi pada dua
permukaan bahan konduktor (yang biasanya di rekatkan dengan organic
semikonduktor berada diantara dua keeping konduktor) untuk
menghasilkan pasangan muatan dan menghasilkan efek arus foto
(photocurrent).Sedangkan sel surya photokimia merupakan jenis sel surya
exciton yang terdiri dari sebuah lapisan aprtikel nano (biasanya titanium
dioksida) yang di endapkan dalam sebuah perendam (dye).Teknologi ini
pertama kali diperkenalkan oleh Profesor Graetzel pada tahun 1991
sehingga jenis solar sel ini sering jugadisebut dengan Graetzel sel
dataudye-sensitized solar cells (DSSC).

Gambar 5. Sel Dye Sensitizied

 Karaktersitik suatu PV pada umumnya digambarkan pada kurva I-
V dengan radiasi yang berbeda-beda seperti yang ditunjukkan pada
gambar 6,gambar 7 dan gambar 8.Gambar 6 menunjukkan keluaran dari
PV baik arus maupun tegangan pada kondisi radiasi matahari yang
berbeda-beda pula.Gambar 7 menunjukkan kinerja PV pada kondisi
radiasi matahari standar akan tetapi dengan suhu yang berbeda-
beda.Sedangan Gambar 8 menunjukkan titik daya maksimal yang
diperoleh tegangan dan arus maksimal.

Gambar 6.Karakteristik I-V panel PV terhadap radiasi

Gambar 7. Karakteristik I-V panel PV terhadap suhu

 Gambar 8.Hubungan I-V dan P-V panel PV

Iradiasi dan suhu merupakan factor yang paling mempengaruhi

kinerja dari PV.Untuk melihat efek dari iradiasi dan suhu pada kinerja PV
ini dapat digambarkan dalam kurva I-V seperti ditunjukkan pada Gambar
6.Berdasarkan Gambar 6 penurunan iradiasi akan menyebabkan penurunan
ISC Secara Signifikan.Sedangkan padagambar7 kenaikan suhu akan
menyebabkan penurunan Voc secara signifikan.
Kualitas fabrikasi panel surya dapat dilihat dari besaran suatu
factor yang disebut sebagai fill-factor.Pada gambar 6,gambar 7 dan
gambar 8,daya puncak dari besaran suatu panel surya dapat dibayangkan
sebagai luasan hasil kali Im dan Vm.Sedangkan daya maksimum ideal dari
suatu panel surya adalah luasan dari hasil kali Isc dan Voc.Fill-factor dari
suatu panel surya didefinisikan menurut persamaan berikut:

Vm x ℑ
FF =
Voc x Isc
C. Alat dan Bahan
1. Simulator panel surya : 1 set
2. Panel surya jenis monokristal dan polikristal : 1 buah
3. Multimeter : 1 buah
4. Resistor Variabel : 1 Buah
5. Lux meter : 1 buah
6. Kabel penghubung : Secukupnya

D. Keamanan dan Keselamatan Kerja (K3)

A. Potensi Bahaya
1. Electric shock yang dapat mempengaruhi aliran arus di badan manusia.
2. Busur api (arcing) yang dapat menghasilkan panas dan dapat
mengakibatkan hubung singkat,kebakaran,luka sampai kematian.
3. Kebakaran yang diakibatkan oleh ondisi overload dari peralatan dan
kabel.
B. Antisipasi
1. Mengikuti petunjuk instruksi manual dan pembimbing.
2. Memeriksa kembali semua rangkaian sebelum memulai
mengoperasikan peralatan praktikum dengan pengawasan
pembimbing.
3. Mematikan semua sumber tegangan sebelum membuat atau mengubah
koneksi apa pun.
4. Menggunakan peralatan pelinduk seperti safety shoes dan helmet bila
diperlukan.
5. Membiasakan diri dengan peralatan keamanan Emergency stop,Alat
pemadan api dan MCB.
E. Rangkaian Percobaan

Gambar 9.Rangkaian Percobaan Karakteristik Panel Surya

F. Prosedur Percobaan
A. Perubahan Radiasi
1. Menyiapkan alat dan bahan percobaan
2. Merangkai alat dan bahan sesuai dengan rangkaian
3. Meminta kepada dosen pembimbing untuk memeriksa rangkaian yang
telah dibuat
4. Menyalakan sumber cahaya (lampu) dan mengukur besar intensitas
cahaya dengan menggunakan Lux meter (menggunakan Voltage
Regulator (VR) untuk mengatur intensitas cahaya lampu)
5. Mengukur Isc (arus singkat) dan Voc (tegangan terbuka) dengan cara
menghubungkan langsung port keluaran panel surya dan mencatat
hasilnya pada tabel 1
6. Mengubungkan port + keluaran panel surya dengan + amperemeter
dan diserikan dengan RV dan port – keluaran panel surya dengan –
amperemeter kemudian RV diparalelkan dengan voltmeter
 7. Mengatur posisi RV sehingga voltmeter menynjukkan tegangan
sebesar 2V kemudian mencatat arusnya pada tabel 1
8. Mengulangi langkah 5 sampai mencapai Voc dengan kenaikan
tegangan sebesar 2V
9. Mengulang langkah percobaan 3-6 untuk intensitas cahaya yang lebih
tinggi.
10. Membuat minimal 3 jenis intensitas cahaya yang berbeda dan mencatat
hasilnya pada table 1,table 2,dab table 3

B. Perubahan Suhu
1. Menggunakan rangkaian yang sama seperti pada percobaan perubahan
radiasi,
2. Meminta kepada dosen pembimbing untuk memeriksa rangkaian yang
telah dibuat,
3. Mengaktifkan lampu kemudian mengukur intensitas cahaya dan suhu
seperti yang tertera pada TC Controller ( di kolom PV),
4. Mengatur suhu pada TC Controller (di kolom SV) dengan
menambahkan 10⁰ dari yang didapatkan pada langkah 3 dan
mengaktifkan Air Heater dengan menekan saklar,menunggu sampai
suhu pada PV sama dengan SV,Kemudian mencatat Isc dan Voc
seperti pada percobaan perubahan radiasi pada tabel 4.
5. Melengkapi tabel 4 dengan mengulangi langkah 7 dan 8 seperti pada
percobaan perubahan radiasi,
6. Mengulang langkah 3 dan 4 untuk suhu yang lenih tinggi dengan
kenaikan 10⁰.
7. Membuat minimal 4 jenis suhu yang berbeda dan mencatat hasilnya
pada tabel 4,tabel 5 dan tabel 6.
8. Merapikan alat dan bahan.
G. Data Hasil Percobaan
Tabel 1.Hasil Pengukuran arus dan tegangan dengan intensitas cahaya 20000
Lux.
Tegangan (V) Arus (A)
Monokristal Polikristal
0 - -
2 - -
4 0.340 0.266
6 0.326 0.260
8 0.313 0.253
10 0.305 0.245
12 0.296 0.231
14 0.292 0.215
Voc (V)
18.65 17.14
*)Isc M = 0.403A ; P = 0.276A

Tabel 2.Hasil Pengukuran arus dan tegangan dengan intensitas cahaya 15000
Lux.
Tegangan (V) Arus (A)
Monokristal Polikristal
0 - -
2 - -
4 0.285 0.215
6 0.271 0.209
8 0.259 0.202
10 0.251 0.195
12 0.245 0.188
14 0.238 0.170
Voc (V)
17.43 17.03
*)Isc M = 0.356A ; P = 0.238A
Tabel 3.Hasil Pengukuran arus dan tegangan dengan intensitas cahaya 15000
Lux.
Tegangan (V) Arus (A)
Monokristal Polikristal
0 - -
2 - -
4 0.237 0.170
6 0.255 0.166
8 0.217 0.160
10 0.209 0.155
12 0.202 0.149
14 0.198 0.138
Voc (V)
16.79 16.98
*)Isc M = 0.256A ; P = 0.174A

Tabel 4.Hasil Pengukuran arus dan tegangan dengan intensitas cahaya 20000
Lux dan suhu 53 ⁰C
Tegangan (V) Arus (A)
Monokristal Polikristal
0 - -
2 - -
4 0.342 0.268
6 0.331 0.261
8 0.320 0.255
10 0.311 0.248
12 0.304 0.239
14 0.298 0.213
Voc (V)
17.04 16.62
*)Isc M = 0.403A ; P = 0.276A
Tabel 5.Hasil Pengukuran arus dan tegangan dengan intensitas cahaya 20000
Lux dan suhu 48 ⁰C
Tegangan (V) Arus (A)
Monokristal Polikristal
0 - -
2 - -
4 0.292 0.215
6 0.281 0.209
8 0.271 0.202
10 0.264 0.196
12 0.256 0.180
14 0.251 0.168
Voc (V)
16.76 16.24
*)Isc M = 0.356A ; P = 0.238A

Tabel 6.Hasil Pengukuran arus dan tegangan dengan intensitas cahaya 20000
Lux dan suhu 43 ⁰C
Tegangan (V) Arus (A)
Monokristal Polikristal
0 - -
2 - -
4 0.245 0.170
6 0.233 0.166
8 0.223 0.160
10 0.215 0.153
12 0.209 0.144
14 0.204 0.129
Voc (V)
16.45 15.93
*)Isc M = 0.256A ; P = 0.174A
H. Analisis Percobaan
Pada percobaan kali ini,praktikum melakukan penguji karakteristik
panel surya yang menggunakan dua jenis sel surya,yaitu Monochrystal
dan Polichrystal dengan 3 jenis intensitas cahaya yaitu 20000.15000
dan 10000.
a. Percobaan Pertama (Pengukuran Arus dan Tegangan dengah
Intensitas Cahaya 20000 Lux)
Untuk percobaan pertama adalah mengukur tegangan dan
arus dengan intensitas cahaya 20000 lux.Dari data pada tabel
1,praktikan dapat membuat grafik sebagai berikut:

20000 Lux
0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0 2 4 6 8 10 12 14

Monokristal

Gambar 10.Grafik Intensitas Cahaya 20000 Lux Monochrystal

 20000 Lux
0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0 2 4 6 8 10 12 14

Polikristal

Gambar 11.Grafik Intensitas Cahaya 20000 Lux Polychrystal

Berdasarkan grafik diatas,dapat diketahui bahwa intensitas

cahaya mempengaruhi tegangan dan arus pada panel surya.Jika
nilai intensitas semakin besar maka nilai tegangan dan arus juga
semakin besar.
Dari hasil percobaan, dapat pula mengukur nilai daya
maksimum dan fill factor menggunakan persamaan sebagai
berikut:
 Monochrystal :
Vm ×Im
FF =
Voc×Isc
14 × 0,340
=
18,65× 0,403
= 0,633
 Polychrystal :
Vm ×Im
FF =
Voc×Isc
14 ×0,266
=
17,14 ×0,296
= 0,787
b. Percobaan Kedua (Pengukuran Arus dan Tegangan dengah
Intensitas Cahaya 15000 Lux)
Untuk percobaan kedua adalah mengukur tegangan dan
arus dengan Intensitas cahaya 15000 Lux. Dari data pada tabel 2,
praktikan dapat membuat grafik karakternya sebagai berikut :

15000 Lux
0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0 2 4 6 8 10 12 14

Monokristal

Gambar 12. Grafik Intensitas Cahaya 15000 Lux Monochrystal

15000 Lux
0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0 2 4 6 8 10 12 14

Polikristal

Gambar 13. Grafik Intensitas Cahaya 15000 Lux Polychrystal

Berdasarkan grafik diatas, dapat diketahui bahwa intensitas

cahaya mempengaruhi tegangan dan arus pada panel surya . Jika
 nilai intensitas cahaya semakin besar maka nilai tegangan dan arus
juga semakin besar.

Dari hasil percobaan, dapat pula mengukur nilai daya

maksimum dan fill factor menggunakan persamaan sebagai
berikut:

 Monochrystal :
Vm ×Im
FF =
Voc×Isc
14 ×0,285
=
17,43× 0,356
= 0,643
 Polychrystal :
Vm ×Im
FF =
Voc×Isc
14 ×0,215
=
17,03× 0,238
= 0,743
c. Percobaan Ketiga (Pengukuran Arus dan Tegangan dengah
Intensitas Cahaya 10000 Lux)
Untuk Percobaan ketiga adalah mengukur tegangan dan
arus dengan Intensitas cahaya 10000 Lux. Dari data pada tabel 3,
praktikum dapat membuat grafik karakternya sebagai berikut :
 10000 Lux
0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0 2 4 6 8 10 12 14

Monokristal

Gambar 14. Grafik Intensitas Cahaya 10000 Lux Monochrystal

10000 Lux
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0 2 4 6 8 10 12 14

Polikristal

Gambar 15. Grafik Intensitas Cahaya 10000 Lux Polychrystal

Berdasarkan grafik diatas, dapat diketahui bahwa intensitas

cahaya mempengaruhi tegangan dan arus pada panel surya . Jika
nilai intensitas cahaya semakin besar maka nilai tegangan dan arus
juga semakin besar.
 Dari hasil percobaan, dapat pula mengukur nilai fill factor
menggunakan persamaan sebagai berikut:

 Monochrystal :
Vm ×Im
FF =
Voc×Isc
14 ×0,237
=
16,79× 0,256
= 0,771
 Polychrystal :
Vm ×Im
FF =
Voc×Isc
14 ×0,170
=
16,98× 0,174
= 0,806
d. Percobaan Keempat (dengan menggunakan suhu)
Untuk hasil pengukuran arus dan tegangan dengan
intensitas cahaya 20000 lux, 15000 lux dan 10000 lux dapat
disimpulkan bahwa semakin tinggi suhu pada Sel Surya maka arus
dan tegangan akan semakin kecil juga hal ini disebabkan oleh
bahan silicon sel-sel surya yang mampu menyerap energy foton
sekaligus panas dari radiasi matahari.
Berikut adalah grafik dari hasil percobaan pada tabel 4,tabel 5 dan
tabel 6.
 20000 Lux Dengan suhu 53℃
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0 2 4 6 8 10 12 14

Monokristal

Gambar 16. Grafik Intensitas Cahaya 20000 Lux Monochrystal

dengan suhu 53℃

20000 Lux Dengan suhu 53℃

0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0 2 4 6 8 10 12 14

Polikristal

Gambar 17. Grafik Intensitas Cahaya 20000 Lux Polychrystal

dengan suhu 53℃
 15000 Lux dengan suhu 48℃
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0 2 4 6 8 10 12 14

Monokristal

Gambar 18. Grafik Intensitas Cahaya 15000 Lux Monochrystal

dengan suhu 48℃

15000 Lux Dengan suhu 48℃

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0 2 4 6 8 10 12 14

Polikristal

Gambar 19. Grafik Intensitas Cahaya 15000 Lux Polychrystal

dengan suhu 48℃
 10000 Lux Dengan suhu 43℃
0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0 2 4 6 8 10 12 14

Monokristal

Gambar 20. Grafik Intensitas Cahaya 10000 Lux Monochrystal

dengan suhu 43℃

10000 Lux Dengan suhu 43℃

0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0 2 4 6 8 10 12 14

Polikristal

Gambar 21. Grafik Intensitas Cahaya 10000 Lux Polychrystal

dengan suhu 43℃

I. Kesimpulan
Setelah melakukan praktikum, mahasiswa mampu :
1. Mengetahui karakteristik panel surya akibat perubahan iradiasi dan suhu.
2. Membuat kurva I-V dari panel surya berdasarkan perubahan iradiasi dan
suhu.
3. Mengetahui perbedaan panel surya monochrystal dan polychrystal.
4. Membandingkan hasil pengukuran karakteristik dengan model 1 Dioda
panel surya.
5. Menghitung factor pengisian (fill factor dari panel surya).