DISUSUN OLEH : HALAMAN 1 DARI 7

Ir. Sunarto, MS
FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI
Koordinator Mata Kuliah
DIPERIKSA OLEH : UNIVERSITAS TRISAKTI NO. DOKUMEN :

Management Representative MATRIKS SATUAN ACARA PERKULIAHAN

DISETUJUI OLEH : MULAI BERLAKU :
DEVAIS MIKROELEKTRONIKA
Ir. Docki Saraswati, M.Eng
Dekan FTI

Kode Mata Kuliah : IED 309

Nama Mata Kuliah : Devais Mikroelektronika
Sifat Ujian : Buku Tertutup
Waktu Ujian : UTS : 100 menit
UAS : 100 menit
Komposisi Nilai : Tugas 20 % Praktikum - % Absensi - %
UTS 30 % UAS 50 %
Jurusan : Teknik Elektro
Referensi :
1. Pierret, Robert F., Semiconductor Fondamentals, Modular Series on Solid State Devices, volume 1, second edition , Addison-Wesley
Publishing Company, 1988.
2. Neudeck, Gerold W., The PN Junction Diode, Modular Series on Solid State Devices, volume 2, second edition , Addison-Wesley
Publishing Company, 1989.
3. Neudeck, Gerold W., The Bipolar Junction Transistor, Modular Series on Solid State Devices, volume 3, second edition , Addison-
Wesley Publishing Company, 1989.

1
4. Pierret, Robert F., Field Effect Transistor, Modular Series on Solid State Devices, volume 4, Addison-Wesley Publishing Company,
1983.
5. S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, second edition, John Wiley & Son, 1981.

Minggu Pokok Bahasan dan TIU Sub Pokok Bahasan dan Sasaran Belajar Cara Media Tugas Referensi
ke Pengajaran
1 01. SEMICONDUCTOR 01.1 Semiconductor Fundamental Kuliah Papan Baca : 1: 3-15
FUNDAMENTAL 01.1.1 menuliskan daftar material semikonduktor mimbar Tulis, 1: 1-15
TIU: Membahas material 10.1.2 menggambarkan struktur kristal Silicon OHP
semikonduktor, stuktur 01.1.3 menghitung konsentrasi Silicon, Germanium
kristal dan proses pemurnian dan Galium Arsenit
kriatal Silicon 01.1.4 menjelaskan proses pemurnian Silicon dari
Silica menjadi Si murni

2 02. CARRIER MODELLING 02.1 Carrier modelling Kuliah Papan Baca : 1:19-35
TIU: Membahas konsep kuantisasi 02.1.1 menjelaskan konsep atom Bohr dan aplikasi mimbar Tulis, 1:19-35
otom Bohr, aplikasi konsep konsep Bohr pada Silicon OHP
Bohr pada Si, model ikatan 02.1.2 menuliskan rumus level enrsi pada atom
kovalen dan model level Bohr.
enersi 02.1.3 menjelaskan model ikatan kovalen
02.1.4 menjelaskan model level enersi dan
membedakan jenis bahan dari model level

2
 enersi

3 03. CARRIER DISTRIBUTION 03.1 Carrier distribution and concentration Kuliah Papan Baca : 1:36-57
AND CONCENTRATION 03.1.1 menuliskan persamaan distribusi untuk mimbar Tulis, 1:36-57
TIU: Membahas distribusi untuk carrier. OHP
carrier, fungsi Fermi, 03.1.2 menuliskan fungsi Fermi dan grafik fungsi
konsentrasi p dan n, Fermi
konsentrasi intrinsic, 03.1.3 menjelaskan penurunan rumus untuk
perkalian p dan n dan charge konsentrasi p dan n
neutrality relationship 03.1.4 menjelaskan konsentarsi intrinsic ni dan
perkalian p dan n
03.1.5 menuliskan charge neutrality relationship
pada bahan semikonduktor

4 04. CARRIER ACTION 04.1 Drift Kuliah Papan Baca : 1:60-81

TIU: Membahas 3 macam carrier
action yaitu Drift, Difusi dan
R-G ( Recombination-
Generation)
04.1.1 menjelaskan perngertian drift dan mimbar Tulis, 1:60-81
menurunkan rumus arus drift OHP
04.1.2 menjelaskan pengertian konstanta mobilitas
dan hubungannya dengan temperature dan
konsentrasi carrier
04.1.3 menjelaskan hambatan jenis dari bahan
04.1.4 menjelaskan pengaruh bending pada level
enersi terhadap medan listrik dan potensial
dari bahan
04.2 Difusi
04.2.1 menjelaskan perngertian difusi dan
menurunkan rumus arus difusi
04.2.2 menjelaskan pengertian koefisien difusi dan
hubungannya dengan mobilitas dalam
Einstein realtionship

5 04. CARRIER ACTION 04.3 Reombination-Generation Kuliah Papan Baca : 1:81-103

TIU: Membahas 3 macam carrier 04.3.1 menjelaskan konsep recombination- mimbar Tulis, 1:81-

3
 action yaitu Drift, Difusi dan
R-G ( Recombination-
Generation)
Generation OHP 103
04.3.2 menjelaskan pengaruh konsentrasi R-G
senter terhadap kecepatan recombination
04.3.3 menjelaskan pengertiam minority life time
04.3.4 menjelaskan dan menuliskan persamaan
continuity dan persamaan difusi untuk
minority.
04.3.5 menjelaskan berbagai solusi pada persamaan
difusi dan contoh soal.

6 05. PN JUNCTION 05.1 Teknik pabrikasi P-N junction Kuliah Papan Baca : 2:3-13
FABRICATION TECHNIQUE 05.1.1 menjelaskan teknik Alloyed junction dan mimbar Tulis, 2:3-13
TIU: Membahas teknik pabrikasi sifat-sifatnya OHP
suatu P-N junction 05.1.2 menjelaskan teknik Epitaxial Growth dan
sifat-sifatnya
05.1.3 menjelaskan teknik Thermal diffusion dan
sifat-sifatnya
05.1.4 menjelaskan teknik ion implantation dan
sifat-sifatnya
05.1.5 menjelaskan teknik Photolithography dalam
pembuatan P-N junction

7 06. PN JUNCTION 06.1 P-N junction equilibrium electrostatic Kuliah Papan Baca : 2:16-42
EQUILIBRIUM 06.1.1 menggambarkan grafik konsentrasi dari P-N mimbar Tulis, 2:16-42
ELECTROSTATIC junction OHP.
TIU: Membahas persamaan 06.1.2 menurunkan rumus medan listrik dan
elektrostatis untuk P-N potensial dari P-N junction
junction 06.1.3 menggambarkan grafik medan listrik dan
potensial dari P-N junction
06.1.4 menjelaskan pengertian built in potensial dan
menurukan rumus built in potensial
06.1.5 menjelaskan pengertian daerah depletion ,
menghitung luas daerah depletion

4
 06.1.6 menjelaskan pengaruh tegangan bias pada
lebar daerah depletion, medan listrik dan
potensial listrik

8 UJIAN TENGAH SEMESTER

9 07. KARAKTERISTIK V-A 07.1 Karakteristik V-A dari dioda ideal Kuliah Papan Baca : 2:45-68
DARI DIODA IDEAL 07.1.1 menjelaskan tinjauan kualitatif sautu dioda mimbar Tulis, 2:45-68
TIU: Membahas karakteristik dari 07.1.2 menjelaskan pengaruh tegangan bias pada OHP
dioda ideal arus drift dan arus difusi pada dioda
07.1.3 menurunkan persamaan V-A dari dioda
ideal dan menggunakan beberapa
penyederhaan.
07.1.4 menggambarkan grafik karakteristik V-A
dari dioda ideal

10 08. DEVIASI PADA 08.1 Deviasi dari karakteristik ideal dioda Kuliah Papan Baca : 2:75-86
KARAKTERISTIK V-A 08.1.1 menjelaskan penyebab penyimpangan arus mimbar, Tulis, 2:75-86
DARI DIODA IDEAL reverse dan arus forward dari karakteristik Tugas OHP.
TIU: Membahas penyebab deviasi dioda ideal Mandiri
pada karakteristik dioda ideal 08.1.2 menjelaskan dua macam break down pada
dioda yaitu zener break down dan avalanche
break down serta akibatnya.
08.1.3 menjelaskan sarat-sarat yang harus dipenuhi
untuk terjadinya zener break down

11 09. ADMITANSI P-N 09.1 Admitansi P-N junction Kuliah Papan Baca : 2:93-108
JUNCTION 09.1.1 menggambarkan rangkaian ekivalen suatu P- mimbar, Tulis, 2:93-
TIU: Membahas admitansi dari N junction Tugas OHP. 108
suatu P-N junction 09.1.2 menjelaskan bagaimana timbulnya Mandiri
kapasitansi dalam suatu P-N junction
09.1.3 menurunkan rumus Admitansi dari P-N

5
 junction baik forward bias maupun reverse
bias.
09.1.4 menurunkan admitansi untuk dioda p+n dan
n+p

12 10. SWITCHING RESPONSE 10.1 Switching Response dari P-N junction Kuliah Papan Baca : 2:111-124
DARI P-N JUNCTION 10.1.1 menggambarkan rangkaian ekivalen forward mimbar, Tulis, 2:111-
TIU: Membahas switching bias dan reverse bias dari dioda Tugas OHP. 124
response dari P-N junction 10.1.2 menjelaskan penurunan rumus storage time Mandiri
pada turn on transient
10.1.3 menyebutkan pengaruh arus reverse dan
arus forward pada storage time.
10.1.4 menjelaskan penurunan rumus storage time
pada turn off transient

13 11. METAL – 11.1 Sambungasn Metal –semikonduktor Kuliah Papan Baca : 2:127-146
SEMICONDUCTOR 11.1.1 menjelaskan hubungan level enersi pada mimbar Tulis, 2:127-
CONTACT ( SCHOTTKY sambungan metal-semikonduktor OHP. 146
DIODE ) 11.1.2 menurunkan rumus medan listrik dan
TIU : membahas sambungan metal- potensial listrik dari sambungan metal-
semikonduktor ( Schottky semikonduktor
diode ). 11.1.3 menurunkan rumus lebar daerah depletion
dan pengaruh tegangan bias dari sambungan
metal-semikonduktor
11.1.4 menurunkan rumus karakteristik V-A dari
sambungan metal-semikonduktor

14 12. BIPOLAR JUNCTION 12.1. Bipolar Junction Transistor Kuliah Papan Baca : 3:2-20
TRANSISTOR (BJT) 12.1.1 menjelaskan struktur bahan dan pabrikasi mimbar Tulis, 3:2-20
dari suatu transistor OHP
TIU : membahas struktur bahan, 12.1.2 menjelaskan dan menggambarkan diagram
bentuk geometrid an teknik level enersi dari suatu BJT
fabrikasi dari BJT, diagram 12.1.3 menurunkan rumus arus dalam BJT pada

6
 level enersi, arus dalam daerah operasi aktif
devais dan paramaeter α dan 12.1.4 menjelaskan hubungan arus dalam BJT yang
β didefinisikan dengan parameter α dan β

15 13. UNIPOLAR JUNCTION 13.1. Unipolar Junction Transistor ( FET ) Kuliah Papan Baca : 4:3-17
TRANSISTOR (FET) 13.1.1 menjelaskan struktur bahan dan pabrikasi mimbar Tulis, 4:3-17
TIU: membahas struktur bahan, dari suatu transistor unipolar OHP.
bentuk geometrid an teknik 13.1.2 menjelaskan dan menggambarkan diagram
fabrikasi dari FET, diagram level enersi dari suatu FET
level enersi, arus dalam 13.1.3 menurunkan rumus arus dalam FET pada
devais dan MOSFET daerah operasi aktif
13.1.4 menjelaskan struktur dan bahan dari suatu
MOSFET

16 UJIAN AKHIR SEMESTER

Revisi 23,10,2