BAB I

SEMIKONDUKTOR

1.1. PENDAHULUAN
Berdasarkan kandungan resistivitas atau konduktivitas, sifat hantaran listrik dalam zat
padat dikelompokkan menjadi tiga macam, yaitu : konduktor, semikonduktor dan isolator. Sifat
penghantaran listrik pada ketiga kelompok tersebut tentunya tidak dapat dipisahkan dari sifat-
sifat electron dalam zat padat.
Beberapa teori mengenai electron dalam zat padat telah dikemukakan diantaranya : teori
Drude tentang electron bebas dalam logam, model electron bebas klasik, model electron bebas
terkuantisasi dan model pita energi untuk zat padat.
Dalam bab ini yang akan dibahas adalah model pita energi untuk zat padat, karena
model ini dapat memberikan gambaran yang komprehensif mengenai konduktor,
semikonduktor dan isolator.

1.2. Fungsi Distribusi Fermi-Dirac

Fungsi distribusi Fermi-Dirac telah memasukkan system electron dengan landasan
Fisika Modern. Elektron bebas yang berfungsi sebagai electron konduksi dalam logam dapat
dipandang sebagai gas electron yang memenuhi fungsi distribusi Fermi-Dirac. Penerapan untuk
gas electron memberi syarat bahwa konsep electron sebagai partikel identik yang tidak dapat
dibedakan harus dimasukkan, sehingga larangan Pauli berlaku untuk electron.

F(E) T=0K

1,0 T = 600 K

T = 6000 K

0,5

0,0
EF = 2,5 eV E

Gambar 1.1. Fungsi distribusi Fermi-Dirac

1
Fungsi distribusi Fermi-Dirac secara umum dapat ditulis :

(1)

Gambar (1.1) memperlihatkan bahwa :

- Pada suhu T = 0 K, fungsi distribusi Fermi-Dirac mengharuskan kemungkinan
mendapatkan electron pada suatu keadaan ialah nol atau satu.
f(E) = 1, untuk semua E < EF
f(E) = 0, untuk semua E > EF
- Apabila (E-EF) >> kBT yaitu untuk energi electron lebih besar dari energi Fermi, maka
berlaku :
(2)
1.3. Rapat Keadaan Elektron
Untuk menghitung rapat keadaan elektron dilakukan pendekatan elektron tunggal,
dimana elektron tersebut bergerak dalam potensial V. Dalam model elektron bebas dimana V =
0, maka persamaan Schrodinger adalah :

(3)

dengan solusi : (4)

Dengan energi elektron : (5)

Apabila elektron bergerak dalam kubus dengan rusuk L, maka kx, ky dan kz harus memenuhi :

, , , (6)

nx = ny = nz = 0,  1, 2, …
Hal ini dapat digambarkan dalam ruang k :

kz
k

ky

kx

Gambar 2. Sebuah elektron dalam koordinat ruang k

2
Dalam ruang k tersebut, setiap keadaan menggambarkan volume sebesar : .

Semua keadaan dengan energi elektron sebesar Ek terletak pada permukaan bola dengan jari-jari
k. Semua keadaan dengan energi antara E dan (E+E) terletak dalam kulit bola dengan jari-jari
antara k dan (k+k). Volume elemen tersebut dalam ruang k adalah : 4 k2k, sehingga jumlah
keadaan elektron adalah :

(7)

Apabila diperhitungkan spin elektron, maka jumlah keadaan elektron antara k dan (k+k)
adalah :

Dari rumus :

diperoleh : dan (8)

Substitusi persamaan (8) ke persamaan (7), maka diperoleh rapat keadaan per satuan volume
dengan energi antara E dan (E+E) adalah :

(9)

Rapat keadaan electron per satuan volume adalah (10)

Tugas 2. Turunkan persamaan Keadaan Elektron per satuan Volume !

1.4. Model Kronig-Penney

Sebuah kristal mempunyai bentuk yang teratur atau mempunyai struktur periodik dan
elektron di dalamnya bergerak oleh adanya pengaruh periodik. Struktur periodik dan bentuk
teratur, menggambarkan susunan atom/ion/molekul yang teratur dalam kristal.
Kita mengenal dua tipe elektron, yaitu elektron yang terikat kuat pada atom/ion yang
disebut sebagai elektron teras dan elektron yang ikatannya lemah yang dikenal sebagai elektron

3
valensi. Elektron valensi tersebut relatif mudah terlepas dan berperan sebagai elektron
konduksi.
Meskipun kenyataannya kristal adalah dalam bentuk tiga dimensi, namun untuk
menyederhanakan diambil susunan inti satu dimensi. Model Kronig-Penney menelaah perilaku
elektron dalam kristal linier sederhana, dimana elektron bergerak dalam suatu potensial
periodik, seperti terlihat dalam gambar 3.

V(x)

Vo

-b 0 a (a+b) (2a+b) x

Gambar 3. Tegangan periodic model Krinig-Penney

V(x) mempunyai periode (a + b), dengan potensial sebagai berikut :

V(x) = 0 untuk 0 < x < a
V(x) = Vo untuk – b < x < 0
Persamaan Schrodinger untuk electron tunggal adalah :

di daerah 0 < x < a

di daerah – b < x < 0 (11)

Persamaan di atas mempunyai solusi :

untuk 0 < x < a

untuk - b < x 0 (12)

Sehingga :

untuk 0 < x < a

untuk - b < x 0 (13)

4
Dengan : dan

Penyelesaian persamaan diferential persamaan di atas adalah :

(14)
dimana A, B, C dan D adalah konstanta integrasi dengan syarat kontinuitas dan syarat batas
periodic.
Syarat kontinuitas dan syarat batas periodic :
- syarat kontinuitas pada x = 0 : U1(0) = U2(0) dan U11(0) = U21(0)
- syarat batas periodik adalah : U1(a) = U2(-b) dan U11(a) = U21(-b)
Dengan memasukkan syarat kontinuitas dan syarat batas periodik pada persamaan 14, maka
diperoleh :
A+B=C+D
i(-k)A - i(+k) = (-ik)C – (+ik)D

(15)
Persamaan 15 dapat dinyatakan dalam bentuk matriks dengan determinan sama dengan nol
yaitu :

=0

Determinan menghasilkan persamaan :

(16)

Untuk menyederhanakan persamaan (16), Kronig-Penney mengambil keadaan dimana potensial

penyekat dengan tinggi Vo dan lebar b merupakan fungsi delta dengan Vo menuju tak hingga
dan b menuju 0, tetapi Vob berhingga. Sehingga persamaan (16) menjadi :

(17)

dengan

sehingga : (18)

5
Tugas 3. Turunkan persamaan 18 !

Secara grafis, persamaan (18) dapat digambarkan dalam sketsa seperti terlihat pada ganbar 4,
sebagai fungsi a, yang mempunyai harga maksimum + 1 dan harga minimum –1.
Seperti terlihat pada gambar 4, terdapat daerah-daerah bergaris tebal dan daerah-daerah
bergaris tipis. Daerah bergaris tebal merupakan daerah sebagai hasil atau mempunyai solusi
persamaan (18) dan merupakan daerah yang diperkenankan. Daerah bergaris tipis bukan
merupakan hasil solusi persamaan (18) merupakan daerah terlarang.

P
sin a  cos a
a
+1

-5 -3 -  3 5
-6 -4 -2 0 2 4 6 a

-1

Gambar 4. Daerah-daerah yang diperkenankan ( ) dan daerah-daerah terlarang ( )

Dari gambar dapat ditarik kesimpulan :

a. Spektrum energi elektron terdiri dari beberapa pita energi (daerah energi) yang
diperkenenkan dan beberapa daerah yang terlarang.
b. Lebar pita energi yang diperkenankan bertambah lebar dengan meningkatnya energi.
c. Daerah pita yang diperkenankan dan yang terlarang, diperlihatkan dalam gambar 5 dan
gambar 6, untuk elektron bebas V(x)=0 pada gambar 5a dan 6a, maupun elektron dalam
potensial berkala satu dimensi seperti diperlihatkan pada gambar 5b dan 6b.
a) E(k) b) E(k)

k
- 0 2/a 6 - 0 2/a k
2/a 2/a
 Gambar 5. Daerah pita energi yang diperkenankan dan tidak diperkenankan.
a. Energi elektron bebas
b. Elektron dalam potensial periodik

a) b)

energi Daerah
elektron Daerah energi
bebas energi yang
terlarang diperkenankan

Gambar 6. Ordinat harga e sebagai pita-pita energi

a. Energi elektron
b. Elektron dalam potensial

1.5. Mekanisme Aliran Arus

Telah dijelaskan bahwa spektrum energi terdiri dari pita-pita energi yang diperkenankan
dan pita-pita energi terlarang. Pada pita energi yang diperkenankan terisi penuh oleh elektron,
sehingga elektron tidak dapat berpindah dari satu keadaan ke keadaan yang lain, sehingga tidak
akan terjadi konduksi listrik. Demikian juga pada pita energi yang terlarang, dimana sama
sekali tidak dihuni elektron, sehingga arus netto elektron sama dengan nol, berakibat tidak akan
terjadi konduksi listrik.
Konduksi listrik hanya dapat terjadi pada daerah-daerah energi atau pita-pita energi
yang terisi sebagian oleh elektron. Hal tersebut dapat dilihat dalam gambar 7, yang
menggambarkan gerakan elektron (lingkaran penuh 4, 5, 6, 7, 8 dan 9) ke tempat-tempat
kosong (lingkaran kosong 1, 2 dan 3).

E (k)
1
9
F
2
8

3
7
4 5
6
k
7
 Gambar 7. Mekanisme aliran arus

Kehadiran medan luar  dengan arah yang sama dengan arah k akan menyebabkan gaya sebesar
–e bekerja pada elektron tersebut. Dengan adanya medan searah dengan ….h k, menyebabkan
elektron 4 berpindah ke lokasi 3, dan elektron 5 pindah ke lokasi 4, elektron 6 pindah ke lokasi
5, elektron 7 pindah ke lokasi 6, elektron 8 pindah ke lokasi 7 dan elektron 9 pindah ke lokasi 8.
Demikian seterusnya, sampai pada suatu saat elektron menempati lokasi 1 atau pindah ke lokasi
9 karena refleksi Bragg. Dapat dilihat bahwa elektron bergerak ke arah k negatif, yang berarti
aliran arus listrik ke arah k positif.

1.6. Massa Efektif

Konsekuensi yang ditimbulkan oleh model pita energi adalah munculnya massa efektif
elektron. Elektron dalam potensial periodik berkelakuan seperti elektron bebas tetapi dengan
massa berlainan, dan massa tersebut disebut massa efektif.
Tinjau gerak paket gelombang dalam medan listrik  dan menimbulkan gaya yang
bekerja pada elektron sebesar F. Anggap paket gelombang terbentuk dari berbagai keadaan k
tertentu. Dari hubungan E=, dapat dihitung besar kecepatan grup :

(19)

Menurut hukum Newton, persamaan gerak elektron dalam medan listrik adalah :

atau dimana (20)

Dari persamaan di atas diperoleh :

atau (21)

Jadi massa efektif (m*) dapat diturunkan dari turunan kedua E(k) terhadap k atau massa efektif
berbanding lurus dengan turunan kedua dari energi sebagai fungsi bilangan gelombang.

8
1.7. Pita Energi Konduktor, Semikonduktor dan Isolator
Telah dijelaskan dalam model Kronig-Penney, bahwa atom-atom yang tersusun dalam
kristal akan menghasilkan struktur energi yang berbentuk pita-pita energi yang terpisah antara
satu dengan yang lain oleh celah-celah energi terlarang. Diagram pita energi dari model pita
tersebut secara kualitatif dapat menerangkan perbedaan antara konduktor, semikonduktor dan
isolator, seperti terlihat pada gambar 8. Pita energi terakhir yang terisi penuh oleh elektron
disebut pita valensi, sedangkan pita setelah pita valensi disebut pita konduksi.

Pita Konduksi
Kosong

Pita Konduksi
Eg  6 eV Kosong
Kosong

EF Eg  1 eV Penuh
Penuh
Penuh
Penuh

Penuh Pita Valensi

Pita Valensi

Gambar 8. Diagram pita energi : a) Isolator, b) Semikonduktor, c) Konduktor

Dalam isolator, pita valensi terisi penuh dengan elektron dan mempunyai celah energi
terlarang (Eg) cukup besar, mengakibatkan elektron tidak dapat melompat dari pita valensi ke
pita konduksi sehingga tidak terjadi konduksi listrik. Dalam isolator, tingkat energi Fermi (E F)
melalui daerah energi terlarang (Eg).

Dalam konduktor, pita konduksi setengahnya terisi oleh elektron atau tumpang tindih
dngan pita valensi, sehingga tidak ada celah energi terlarang dan tingkat energi Fermi melalui
pita energi tersebut. Ada keadaan-keadaan kosong di atas E F, sehingga apabila suhu dinaikkan
maka akan terjadi perpindahan elektron yang mengakibatkan terjadinya konduksi listrik.

9
 Dalam semikonduktor, pita valensi terisi penuh oleh elektron pada suhu nol absolut 0 K,
sehingga pada suhu tersebut bahan bersifat sebagai isolator. Tetapi karena celah energi
terlarangnya cukup kecil, maka apabila suhu dinaikkan, beberapa elektron valensi mendapat
energi termal yang lebih besar dari Eg, sehingga mampu pindah ke pita konduksi. Elektron-
elektron ini merupakan elektron bebas dalam artian dapat bergerak apabila mendapat medan
listrik yang kecil sekalipun. Bahan yang tadinya bersifat sebagai isolator berubah menjadi agak
bersifat konduktor. Perpindahan elektron ke pita konduksi mengakibatkan terjadinya
kekosongan pada pita valensi. Kekosongan pada pita valensi tersebut disebut “hole” (lubang)
yang mempunyai muatan berlawanan dengan elektron. Sehingga dapat dikatakan bahwa
elektron bermuatan negatif, sedangkan hole bermuatan positif. Elektron dan hole, keduanya
berperan sebagai muatan bebas dalam penghantaran arus listrik.

1.8. Celah Energi Terlarang (Eg)

Celah energi terlarang (celah energi) pada bahan semikonduktor ada dua macam yaitu
celah energi langsung (direct band gap) dan celah energi tak langsung (indirect band gap),
seperti terlihat pada gambar 9. Celah energi langsung, besarnya tidak bergantung pada
perubahan momentum kristal sedangkan celah energi tak langsung, besarnya bergantung pada
perubahan momentum kristal.

Pada proses transisi elektron dari pita valensi ke pita konduksi terjadi melalui
penyerapan foton. Pada umumnya proses penyerapan foton pada kristal dengan celah energi tak
langsung lebih terhambat dibandingkan pada kristal dengan celah energi langsung.

tepi
bawah
pita E(k) E(k)
konduksi

tepi
bawah Eg
tepi atas Eg pita tepi atas
pita konduksi pita
valensi valensi

a) k b) k
10
 Gambar 9. Hubungan energi dengan bilangan gelombang

a). Celah energi langsung. b). Celah energi tak langsung

Dimana penyerapan foton oleh kristal pada celah energi langsung terjadi melalui transisi
langsung, sedangkan pada celah energi tak langsung, transisi elektron memerlukan bantuan
fonon untuk dapat memenuhi kekekalan vektor gelombang.

1.9. Semikonduktor Intrinsik

Dalam sub bab sebelumnya telah dibahas bahwa dengan eksitasi termal elektron bisa
pindah dari pita valensi ke pita konduksi yang menghasilkan elektron dalam pita konduksi serta
hole (lubang) dalam pita valensi. Keduanya berperan sebagai pembawa muatan bebas dalam
penghantaran arus listrik. Pada suhu tertentu, getaran termal kontinu akan menghasilkan
eksitasi elektron ke pita konduksi dan meninggalkan hole di pita valensi dalam jumlah yang
sama. Dalam keadaan demikian sebuah semikonduktor disebut sebagai semikonduktor Intrinsik
(murni). Jadi dalam semikonduktor intrinsik, kadar kedua jenis pembawa tersebut yaitu elektron
dan hole selalu sama. Demikian pula tingkat energi Fermi dalam semikonduktor intrinsik
berjarak sama dari tepi bawah konduksi dan dari tepi atas pita valensi. Diagram pita energi
semikonduktor intrinsik dapat dilihat pada gambar 10.

Pita konduksi
Ec

EF

Ev
Pita valensi

Gambar 10. Diagram pita energi semikonduktor intrinsik (murni)

Untuk seterusnya, akan didefinisikan besaran Ev (energi valensi) yaitu energi tertinggi
di pita valensi, besaran Ec (energi konduksi) yaitu energi terendah di pita konduksi dan Eg
(celah energi) yaitu merupakan selisih energi antara konduksi dengan energi valensi (Eg=Ec-
Ev).

11
 Untuk mendapatkan rapat elektron (yaitu jumlah elektron bebas per satuan volume),
mula-mula dihitung rapat keadaan elektron dengan energi antara E dan (E+dE) yaitu N(E),
seperti yang telah diturunkan dalam sub bab 1.3 pada persamaan (10). Rapat elektron
didefinisikan sebagai integrasi perkalian rapat keadaan elektron dengan fungsi distribusi Fermi-
Dirac. (Start)

(22)

Dimana rapat keadaan elektron dalam pita konduksi :

(23)

Dan fungsi distribusi Fermi-Dirac untuk elektron apabila (E-EF)/kBT >> 1 adalah :

Substitusi nilai N(E) dan F(E) ke persamaan (23), diperoleh :

(24)

Jika x=(E-Ec)/kBT, persamaan (24) menjadi :

(25)

Integral persamaan (25) dapat diselesaikan dengan menggunakan definisi dan sifat-sifat fungsi
gamma, sebagai berikut :

(26)

Apabila dihitung, integral pada persamaan (26) sama dengan sehingga diperoleh :

12
 (27)

Dengan adalah rapat efektif keadaan elektron pada pita konduksi. Finish

Pada suhu ruang (300 K), besar Nc adalah 2,8 x 10 19 cm-3 untuk Silikon (Si) dan 4,7 x 10 17 cm-3
untuk Gallium Arsenide (Ga-As).

Dengan cara yang sama kita peroleh rapat hole (p) pada pita valensi, yaitu dengan mengambil
fh(E)=1-f(E)exp ((E-EF)/kBT), maka diperoleh :

Dengan merupakan rapat efektif keadaan hole pada pita valensi. Tugas

Pada suhu ruang, besar Nv adalah 1,04 x 1019 cm-3 untuk Si dan 7,0 x 1018 cm-3 untuk Gallium-
Arsenide.

Rumus-rumus n dan p yang telah diturunkan di atas adalah penurunan secara umum,
bukan hanya berlaku untuk semikonduktor intrinsik.

Khusus untuk semikonduktor intrinsik berlaku persamaan n = p = n i, dimana ni adalah

rapat pembawa intrinsik. Dari pernyataan tersebut dapat dihitung tingkat energi Fermi sebagai
berikut :

atau

karena mn  mp maka Nc  Nv, sehingga EF = EI = (Ec + Ev) / 2. Jadi EF terletak di tengah-tengah

antara Ec dan Ev seperti terlihat pada gambar 11.

13
 Ec

EF
Ec

Gambar 11. Diagram pita energi semikonduktor intrinsic

Rapat pembawa intrinsik dapat diperoleh sebagai berikut :

n . p = ni2

ni2 = Nc Nv exp (-Eg/kBT) atau ni = (Nc Nv)1/2 exp (-Eg/2kBT)

dimana Eg = Ec - Ev

Persamaan di atas disbut hukum aksi massa, berlaku untuk semikonduktor intrinsik.

pada T=450 K

ni = 3,85 x 1010 cm-3

1.10. Semikonduktor Ekstrinsik

Dalam semikonduktor intrinsik, celah energi Eg cukup besar, sehingga pada suhu ruang
jumlah pembawa muatan bebas tidak memadai untuk melaksanakan fungsi-fungsi praktis yang
diharapkan dari semikonduktor. Untuk mengatasi kekeurangan tersebut, maka ke dalam
semikonduktor intrinsik dimasukkan atom-atom tak murnian (impurity atoms). Dengan memilih
tak murnian dan mengatur kadarnya akan dapat mengubah struktur pita energi dan distribusi
populasi elektron sedemikian rupa menghasilkan karakteristik penghantaran yang diinginkan.
Semikonduktor tersebut disebut sebagai semikonduktor ekstrinsik.
1.10.1 Tak murnian Donor

14
 Salah satu jenis tak murnian yang biasa digunakan untuk maksud tersebut adalah dengan
memasukkan atom-atom pentavalen (bervalensi 5) seperti As, Sb, P, ke dalam semikonduktor
bervalensi empat seperti Si dan Ge.
Jenis tak murnian ini menghasilkan elektron yang dapat disumbangkan sebagai muatan
bebas dalam pita konduksi, maka tak murnian ini disebut tak murnian donor. Semikonduktor
ekstrinsik yang diberi tak murnian donor disebut sebagai semikonduktor tipe-n. Dalam
semikonduktor tipe-n ini, jumlah elektron bebas jauh lebih besar daripada jumlah hole. Oleh
karena itu, elektron disebut sebagai pembawa muatan mayoritas dan hole disebut sebagai
pembawa minoritas.
Dalam gambar 11 diperlihatkan satu contoh substitusi atom donor As ke dalam kristal
Si. Atom donor As yang bervalensi 5 membentuk ikatan kovalen dengan kristal Si yang
bervalensi 4. Berdasarkan asas larangan Pauli, lintasan valensi 3s 3p hanya dapat menampung 8
elektron, sehingga ada kelebihan elektron yang berasal dari atom donor As. Kelebihan elektron
tersebut berfungsi sebagai elektron bebas.
Pengaruh tak murnian donor pada tingkat-tingkat energi semikonduktor dapat dilihat
pada gambar 12. Dalam diagram tersebut diperlihatkan pemunculan sekelompok tingkat energi
tak murnian ED yang terletak di bawah pita konduksi dalam celah energi Eg. Jarak antara
tingkat energi ini dari tepi bawah pita konduksi lebih kurang 0,05 eV pada suhu ruang. Harga
tersebut jauh lebih kecil dari harga celah energi Silikon (Eg = 1,17 eV). Oleh karena itu,
elektron-elektron dari atom-atom tak murnian yang menempati kelompok energi tersebut
dengan mudah dapat dieksitasikan ke dalam pita konduksi.

+4e

+4e +5e +4e

+4e

Gambar 11. Tak murnian pentavalen (valensi 5) As dalam kristal Si yang bervalensi 4

15
 Pita konduksi 0,05 eV
Ec
ED
Eg=1,17 eV
Ec
Pita valensi

Gambar 12. Diagram tingkat-tingkat energi tak murnian donor (ED) yang
ditempati elektron-elektron dari atom As

Telah diketahui bahwa rapat elektron dalam pita konduksi adalah n = N c exp (EF –
Ec)/kBT. Misalkan dalam semikonduktor tipe-n mengandung kadar donor sebesar N D sebagai
ketidakmurnian. Bila diberikan energi yang kecil saja maka donor akan menyebarkan elektron
ke pita konduksi. Kadar atom atau rapat elektron dalam pita konduksi sama dengan kadar atom
tak murnian (donor) dikurangi kadar yang tersisa dalam ED.
Jadi : n= Nc exp (EF – Ec)/kBT = ND – ND f(ED)

= ND exp [(ED – EF) / kBT]

Sehingga diperoleh :

Karena ND/NC << 1 maka ln (ND/NC) negatif dan EF akan terletak agak jauh di bawah ED. Tetapi
dengan menambah kadar tak murnian (donor), EF akan bergeser ke atas. Pada T = 0 K atau N D =
NC, EF akan terletak di tengah-tengah EC dan ED, seperti terlihat pada gambar 13. Jadi tingkat
energi Fermi dapat dikendalikan dengan mengatur kadar tak murnian yang dimasukkan ke
dalam semikonduktor yang bersangkutan.
EC EC
EF
ED ED

EF

EV EV

Gambar 13. a. Tingkat energi Fermi untuk kasus NC >> ND

16
 b. Tingkat energi untuk kasus NC = ND

1.10.2 Tak murnian Akseptor

Tak murnian akseptor mempunyai valensi lebih kecil dari valensi kristal yang
disubstitusi. Umumnya tak murnian akseptor yang disubstitusi ke dalam kristal Si adalah
berupa atom-atom trivalen (bervalensi tiga) seperti Al, Ga dan In.

Jenis tak murnian akseptor menghasilkan tempat-tempat penampungan bagi elektron-

elektron valensi. Semikonduktor ekstrinsik yang diberi tak murnian akseptor disebut sebagai
semikonduktor tipe-p. Dalam semikonduktor tipe-p ini, jumlah hole lebih besar dibandingkan
jumlah elektron, sehingga hole disebut sebagai pembawa mayoritas sedangkan elektron disebut
sebagai pembawa minoritas.

+4e

+4e +3e +4e

+4e

Gambar 14. Tak murnian trivalen (valensi 3) Al dalam kristal Si yang bervalensi 4

Dalam gambar 14 diperlihatkan atom tak murnian Al yang bervalensi tiga membentuk
ikatan kovalen dengan kristal Si yang bervalensi empat. Dalam ikatan tersebut terdapat satu
tempat yang kosong karena lintasan valensi hanya terisi oleh tujuh elektron. Kekosongan
tersebut mempermudah elektron untuk pindah.

Kehadiran atom akseptor mengakibatkan munculnya kelompok-kelompok tingkat energi

tak murnian akseptor (EA) di atas pita valensi yang mengandung tempat-tempat kosong atau

17
hole, seperti terlihat pada gambar 15. Jarak pita valensi dengan pita akseptor lebih kurang 0,057
eV pada suhu ruang. Lubang-lubang atau hole tersebut yang berfungsi sebagai pembawa
muatan positif.

Pita Konduksi
Ec
Eg=1,17 eV
EA
EV
Pita Valensi 0,05 eV
Gambar 15. Diagram tingkat-tingkat energi tak murnian akseptor (EA) yang

ditempati elektron-elektron dari dari atom Al.

Dalam semikonduktor tipe-p kadar hole diionisasikan negatif dengan memberikan

elektron dari jalur valensi. Secara matematis dapat ditulis :

P = NV exp [(EV – EF)/kBT] = NA f(EA)

Yang menghasilkan :

Karena NV >> NA maka ln(NV/NA) bernilai positif, maka EF naik bila temperatur naik. Pada
harga NV = NA, EF berada di tengah-tengah EV dan EA.
EC EC

EF
EA
EA EF
EV EV

Gambar 16. Tingkat energi Fermi untuk kasus : a). NV >> NA, b). NV = NA

18
 Sehingga hukum aksi massa (hukum Guldberg-Waage) pada sub bab semikonduktor
intrinsik, dapat ditulis :

np = nn pn = np pp = ni2

dimana : nn adalah rapat elektron dalam semikonduktor tipe-n

pn adalah rapat hole dalam semikonduktor tipe-n

np adalah rapat elektron dalam semikonduktor tipe-p

pp adalah rapat hole dalam semikonduktor tipe-p

1.11. Ionisasi Lengkap

Untuk donor dangkal pada Silikon dan Gallium Arsenide biasanya ada cukup energi
thermal sehingga ED mampu mengionisasi semua ketidakmurnian donor pada suhu ruang
kemudian menyediakan jumlah elektron yang sama pada pita konduksi. Keadaan ini disebut
ionisasi lengkap.

Pada ionisasi lengkap berlaku : n = ND

Dengan substitusi persamaan (38) ke dalam persamaan (33), maka diperoleh :

Persamaan (39) mengisyaratkan bahwa semakin tinggi kadar atau konsentrasi donor, maka
semakin kecil perbedaan energi (EC – EF) yang artinya tingkat energi Fermi akan semakin
mendekati dasar pita konduksi.

Dengan cara yang sama, untuk akseptor dangkal (jika terdapat ionisasi lengkap), maka
kadar atau konsentrasi hole adalah : p = NA.

Dan diperoleh hubungan energi Fermi :

19
Persamaan (41) mengisyaratkan bahwa semakin tinggi konsentrasi akseptor, maka tingkat
energi Fermi akan semakin mendekati bagian atas pita valensi.

Jika persamaan (29) dan persamaan (30) dinyatakan dalam konsentrasi pembawa
intrinsik ni dan tingkat energi intrinsik (Ei) maka akan diperoleh rapat elektron :

atau

Apabila kedua jenis ketidakmurnian donor dan akseptor ada, maka tak murnian yang
konsentrasinya lebih besar akan menentukan jenis konduktivitas pada semikonduktor. Tingkat
Fermi harus disesuaikan untuk mempertahankan muatan tetap netral, dimana muatan negatif
total (elektron dan akseptor terionisasi) harus sama dengan muatan positif total (hole dan donor
terionisasi) :

n + NA = p + ND

Substitusi persamaan (44) dengan persamaan hukum aksi massa pada persamaan (37) diperoleh
rapat muatan elektron pada semikonduktor tipe-n :

Persamaan (45) menyatakan bahwa elektron adalah pembawa mayoritas, sedangkan hole adalah
pembawa minoritas.

Dengan cara yang sama untuk semikonduktor tipe-p, rapat muatan hole adalah :

Persamaan (46) menyatakan bahwa hole adalah pembawa mayoritas, sedangkan elektron adalah
pembawa minoritas.

Umumnya, kadar atau konsentrasi ketidakmurnian ND – NA  adalah lebih besar dari
konsentrasi pembawa intrinsik ni , sehingga persamaan (45) dan (46) disederhanakan menjadi :

20
nn  ND – NA jika ND > NA

pp  NA –ND jika NA > ND

21
22