Disusun oleh:

Kelompok 5

1. Inayah Az-Zahra C.P.U (20302244021) Kelas : Pendidikan Fisika C 2020

2. Jevanny Aulia Safitri (20302244014) Mata kuliah : Fisika Zat Padat
3. Rizqi Nur Laily (20302241044) Dosen : Prof. Dr. Heru Kuswanto M.Si.
 MATERI

Interaksi
Kapasitas Konduktivitas
Kristal
Panas Fonon Termal
Anharmonik

2
1 Kapasitas Panas
Fonon

3
 Kapasitas Panas
Kapasitas panas dari suatu zat didefinisikan sebagai panas/kalor yang
dibutuhkan untuk menaikkan suhu satu gram molekul zat sebesar 1oC
didefinisikan

𝒅𝑸
𝑪=
𝒅𝑻

𝒅𝑸 adalah banyaknya panas yang ditambahkan ke sistem untuk menaikkan suhu

dari 𝑻 → 𝑻 + 𝒅𝑻.

4
 Kapasitas Panas
Banyaknya panas yang dibutuhkan untuk menaikkan suhu bergantung pada
kondisi masing-masing zat.

1. Kapasitas panas pada tekanan konstan → 𝐶𝑝

2. Kapasitas panas pada volume konstan → 𝐶𝑉

Berdasarkan hukum I Termodinamika,

𝒅𝑸 = 𝒅𝑼 + 𝒑𝒅𝑽

Keterangan:
𝒅𝑸 : banyaknya panas yang ditambahkan ke sistem untuk menaikkan suhu
dU : perubahan energi dalam system
pdV : kerja yang dilakukan untuk merubah volume sebesar 𝑑𝑉 pada tekanan 5
 Kapasitas Panas
Kapasitas panas yang biasa kita kenal yaitu kapasitas panas pada volume
konstan (𝐶𝑉 ) yang lebih mendasar dari kapasitas panas pada tekanan konstan
yang dimaksudkan dalam eksperimen.
Jika panas ditambahkan pada sistem dengan volume konstan, maka dapat
dituliskan sebagai:
𝝏𝑸 𝝏𝑼
𝑪𝑽 = =
𝝏𝑻 𝑽
𝝏𝑻 𝑽

Keterangan:
U = Energi
T = Temperatur/suhu 6
 Kapasitas Panas Zat Padat
Dalam padatan, sebagian besar panas yang ditambahkan dalam sistem
digunakan untuk meningkatkan energi dalam.

#Cara meningkatkan energi dalam:

1. Atom-atom bergetar di sekitar titik kesetimbangannya. Hal ini
menyebabkan peningkatan suhu. (Kapasitas panas kisi)
2. Elektron bebas dalam logam dan semikonduktor tereksitasi termal ke
tingkat energi yang lebih tinggi. (Kapasitas panas elektronik)

7
 Kapasitas Panas Zat Padat
Kapasitas panas zat padat secara umum didefinisikan.
𝑪𝒔𝒐𝒍𝒊𝒅 = 𝑪𝒍𝒂𝒕 + 𝑪𝒆𝒍𝒆𝒄
Dengan asumsi :
• Tidak ada kontribusi elekron bebas dalam kapasitas panas kristal.
• Hanya kapasitas kisi saja yang dipertimbangkan.

Sehingga
𝑪𝒔𝒐𝒍𝒊𝒅 = 𝑪𝒍𝒂𝒕

Apabila partikel fonon yang mempunyai frekuensi 𝜈, maka menurut kuantum Planck,
besar energinya adalah
𝑬 = 𝒉𝝂 = ħ. 𝝎
Keterangan:
𝐶𝑙𝑎𝑡 = Lattice = kisi = Kapasitas panas kisi
𝐶𝑒𝑙𝑒𝑐 = Kapasitas kontribusi elektronik
h = konstanta planck 8
 Kapasitas Panas Zat Padat
Kontribusi fonon terhadap kapasitas panas kristal disebut kapasitas panas kisi dan
dilambangkan dengan 𝐶𝑙𝑎𝑡 . Sehingga energi total dari fonon pada temperatur 𝜏 = 𝐾𝐵 𝑇 dalam
kristal dapat ditunjukkan dengan penjumlahan dari semua mode energi foton, di sini
dikumpulkan dengan vektor gelombang K dan indeks polarisasi p.

𝑼 = ෍ ෍ 𝑼𝑲,𝒑 = ෍ ෍ 𝒏𝑲,𝒑 ħ𝝎𝑲,𝒑

𝑲 𝒑 𝑲 𝒑

Dimana 𝑛𝐾,𝑝 adalah daerah keseimbangan termal dari panjang vektor fonon K dan polarisasi p.
Bentuk 𝑛𝐾,𝑝 yang diturunkan dari fungsi distribusi planck diperoleh :
𝟏
𝒏𝑲,𝒑 =
ħ𝝎
𝐞 −𝟏
𝝉
Dimana 𝑛 menyatakan rata-rata titik keseimbangan termal.
9
 Distribusi Planck
Untuk osilator harmonik yang sama pada keseimbangan termal memiliki
perbandingan antara jumlah kedaan N pada keadaan kuantum n + 1 ke keadaan
kuantum n, sehingga:
ħ𝝎
𝑵𝒏+𝟏 −
=𝒆 𝒌𝒃 𝝉
; 𝝉 = 𝑲𝑩 𝑻
𝑵𝒏
Dengan menggunakan faktor boltzman. Solusi dari bilangan osilator total pada
keadaan kuantum ke n adalah
𝒏ħ𝝎
𝑵𝒏 𝐞 −
𝝉
=
σ∞
𝒔=𝟎 𝑵𝒔 σ∞
𝒔ħ𝝎
𝒔=𝟎 𝝉
Maka
𝒔ħ𝝎
σ𝒔 𝒔𝒆− 𝝉
𝒏 = 𝒔ħ𝝎
σ𝒔 𝒆− 𝝉 10
 Distribusi Planck
ħ𝝎
−
Kita misalkan 𝒙 = 𝒆 𝝉 dengan
𝟏 𝒙
෍ 𝒙𝒔 = 𝐝𝐚𝐧 ෍ 𝒔𝒙𝒔 = 𝟐
𝟏−𝒙 𝟏−𝒙
𝒔 𝒔
Sehingga persamaan di atas menjadi
σ𝒔 𝒔𝒙𝒔 𝒙
𝒏 = =
σ𝒔 𝒙𝒔 𝟏−𝒙

Kemudian kita ganti kembali harga 𝑥 nya. Maka persamaannya menjadi

ħ𝝎
𝒙 𝒆− 𝝉 𝟏 𝟏 𝟏
𝒏 = = ħ𝝎
= ħ𝝎 ħ𝝎
= ħ𝝎
= ħ𝝎
𝟏−𝒙
𝟏 − 𝒆− 𝝉 𝒆 𝝉 𝟏 − 𝒆− 𝝉 𝒆 𝝉 − 𝒆𝟎 𝒆 𝝉 −𝟏

𝟏
𝒏 = ħ𝝎
𝒆 𝝉 −𝟏 11
 Distribusi Planck
Sehingga energi totalnya,
𝑼 = ෍ ෍ 𝒏𝑲,𝒑 ħ𝝎𝑲,𝒑
𝑲 𝒑
ħ𝝎𝑲,𝒑
𝑼 = ෍෍ ħ𝝎
𝑲 𝒑 𝒆 𝝉
−𝟏
Biasanya untuk menulis penjumlahan dari K bisa menggunakan integral. Jika kristal
dalam bentuk 𝐷𝑃 𝜔 𝑑𝜔 mengakibatkan polarisasi p dalam rentang frekuensi 𝜔
sampai 𝜔 + 𝑑𝜔, energinya menjadi:
ħ𝝎
𝑼 = ෍ න 𝒅𝝎𝑫𝑷 𝝎 ħ𝝎
𝑷 𝒆𝝉 −𝟏
12
 Distribusi Planck
Kapasitas panas kisi bisa dicari dengan mendeferinsialkan terhadap temperatur.
ħ𝜔 ħ𝜔 𝜕𝑈
Dengan memasukkan 𝑥 = = dengan , sehingga dinyatakan
𝜏 𝐾𝐵 𝑇 𝜕𝑇 𝑉

(𝒙𝟐 𝐞 𝒙)
𝑪𝒍𝒂𝒕 = 𝑲𝑩 ෍ න 𝒅𝝎𝑫𝑷 𝝎
𝐞𝒙 − 𝟏 𝟐
𝑷

13
Rapat Keadaan dalam 3 Dimensi
4𝜋 3
𝑉𝑏𝑜𝑙𝑎 = 𝑘
3
2𝜋 3
Volume sel primitive kubus dengan sisi L yaitu
𝐿

𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 𝑏𝑜𝑙𝑎
𝑁=
𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 𝑠𝑒𝑙 𝑝𝑟𝑖𝑚𝑖𝑡𝑖𝑣𝑒 𝑘𝑢𝑏𝑢𝑠
4𝜋 3 4𝜋 3
𝑘 𝑘 4𝜋𝑘 3 𝐿3
𝑁= 3 = 3 =
2𝜋 3 8𝜋 3 3 8𝜋 3
𝐿 𝐿3
𝐿3 𝑘 3
𝑁= 2
→ 𝑉 = 𝐿3
6𝜋
𝑉𝑘 3 𝑑𝑁 𝑉𝑘 3 3𝑉𝑘 2 𝑉𝑘 2
𝑁= 𝐷 𝑘 = = = =
6𝜋 2 𝑑𝑘 6𝜋 2 6𝜋 2 2𝜋 2
𝒅𝑵 𝒅𝑵 𝒅𝒌 𝑽𝒌𝟐 𝒅𝒌
Rapat keadaan untuk setiap polarisasi → 𝑫 𝝎 = = . =
𝒅𝝎 𝒅𝒌 𝒅𝝎 𝟐𝝅𝟐 𝒅𝝎 14
Rapat Keadaan Model Debye
Teori Debye mengasumsikan bahwa :
“Titik titik kesetimbangan atom seolah dihubungkan oleh pegas sehingga
getarannya terikat oleh pegas”
Debye merumuskan kapasitas termal zat padat dengan memandang vibrator
(atom yang bergetar) dalam satu rangkaian, bisa secara transversal ataupun
longitudinal. Debye mengatakan bahwa masing masing vibrasi memiliki
frekuensi tertentu. Sebuah kuantum untuk energi vibrasi di dalam zat padat
dinamakan fonon dan bergerak dengan kecepatan bunyi.

15
 Rapat Keadaan Model Debye
Persamaan kerapatan keadaan untuk setiap polarisasi yaitu:
𝒅𝑵 𝒅𝑵 𝒅𝒌 𝑽𝒌𝟐 𝒅𝒌
𝑫 𝝎 = = . =
𝒅𝝎 𝒅𝒌 𝒅𝝎 𝟐𝝅𝟐 𝒅𝝎

Dalam pendekatan Debye kecepatan bunyi diambil sebagai konstanta untuk

masing-masing tipe polarisasi. Hubungan dispersinya dapat ditulis menjadi
𝝎 = 𝒗𝑲
Dengan 𝑣 adalah konstanta kecepatan bunyi.
Sehingga kerapatan keadaan menjadi
𝑽𝝎𝟐
𝑫 𝝎 =
𝟐𝝅𝟐 𝒗𝟑

16
Rapat Keadaan Model Debye
Jika terdapat N sel primitif dalam contoh, total nomor ragam fonon
akustiknya adalah N. Sehingga frekuensi 𝜔𝐷 dapat ditentukan menjadi

𝟔𝝅𝟐 𝒗𝟑 𝑵
𝝎𝟑𝑫 =
𝑽
Untuk frekuensi ini terdapat koresponden sebuah arus listrik gelombang
vektor dalam K ruang yang dapat dituliskan sebagai
𝝎𝑫 = 𝒗𝑲𝑫
𝟏
𝝎𝑫 𝟐
𝟔𝝅 𝑵 𝟑
𝑲𝑫 = =
𝒗 𝑽

17
Rapat Keadaan Model Debye
Dalam ragam Debye kita tidak diperbolehkan ragam vektor gelombangnya
lebih besar dari 𝐾𝐷 . Nomor ragam dengan 𝐾 ≤ 𝐾𝐷 menghilangkan nomor
derajat kebebasan dari kisi monoatomik.
Energi termalnya menjadi

𝝎𝑫
𝑽𝝎𝟐 ħ𝛚
𝑼 = ∫ 𝒅𝝎𝑫 𝝎 𝒏 𝝎 ħ𝛚 = න 𝒅𝝎
𝟎 𝟐𝝅𝟐 𝜽𝟑 ħ𝛚
𝐞 𝛕 −𝟏

18
Rapat Keadaan Model Debye

Untuk masing-masing tipe polarisasi. Kita asumsikan bahwa kecepatan fonon

adalah kebebasan polarisasi, sehingga kita dapat mengalikan dengan faktor 3
untuk memperoleh

𝝎𝑫
𝟑𝑽ħ 𝝎𝟑 𝟑𝑽𝒌𝟒𝑩 𝑻𝟒 𝒙𝑫 𝒙𝟑
𝑼= න 𝒅𝝎 = න 𝒅𝒙 𝒙
𝟐𝛑𝟐 𝒗𝟑 ħ𝛚 𝟐𝝅𝟐 𝒗𝟑 ħ𝟑 𝟎 𝒆 −𝟏
𝟎 𝐞𝛕 −𝟏

ħ𝜔 ħ𝜔 ħ𝜔𝐷 𝜃
Dimana 𝑥 = = dan 𝑥𝐷 = =
𝜏 𝑘𝐵 𝑇 𝑘𝐵 𝑇 𝑇
19
Rapat Keadaan Model Debye
Ketentuan Debye pada suhu 𝜃 dalam kondisi 𝜔𝐷 , kita dapat mengungkapkan
𝟏
𝟐 𝟑
ħ𝒗 𝟔𝝅 𝑵
𝜽= .
𝒌𝑩 𝑽

Sehingga total energi fononnya adalah

𝟑 𝒙𝑫
𝑻 𝒙𝟑
𝑼 = 𝟗𝑵𝒌𝑩 න 𝒅𝒙 𝒙
𝜽 𝟎 𝒆 −𝟏

Sehingga kapasitas panasnya menjadi

𝟑 𝒙𝑫
𝑻 𝒙𝟒 𝒆𝒙
𝑪𝑽 = 𝟗𝑵𝒌𝑩 න 𝒅𝒙 𝒙 𝟐
𝜽 𝟎 𝒆 −𝟏

20
Rapat Keadaan Model Einstein
Atom-atom kristal dianggap bergetar satu sama lain di sekitar titik
setimbangnya secara bebas. Getaran atomnya dianggap harmonik
sederhana yang bebas sehingga mempunyai frekuensi sama

𝝎
𝝂=
𝟐𝝅

Sehingga di dalam zat padat terdapat sejumlah N atom maka ia akan

mempunyai 3N osilator harmonik yang bergetar bebas dengan frekuensi
𝜔 .
𝑼 = ෍ 𝒌𝒃 𝑻 = 𝟑𝑵𝒌𝒃 𝑻
𝒌𝒑

21
Rapat Keadaan Model Einstein
Maka Kapasitas Panas

𝝏𝑼 𝒅
𝑪𝑽 = = 𝟑𝑵𝒌𝒃 𝑻
𝝏𝑻 𝒅𝑻
𝑪𝑽 = 𝟑𝑵𝒌𝒃 → 𝑵𝒌𝒃 = 𝑹 ➔ 𝑪𝑽 = 𝟑𝑹

R adalah konstanta universal gas

22
Rapat Keadaan Model Einstein

Hasil Umum untuk 𝐷(𝜔) → rapat keadaan

𝑽 𝒅𝑺𝝎
𝑫 𝝎 = 𝟑
න
𝟐𝝅 𝒗𝒈

Dimana 𝑣𝑔 = 𝛻𝐾 𝜔 adalah besar dari kecepatan grup fonon.

23
2 Interaksi Kristal
Anharmonik

24
 Interaksi Kristal
Anharmonik
Teori vibrasi kisi juga membahas bahwa pada energi potensial untuk
perpindahan interatomik yang merupakan teori untuk kristal harmonik.
Berikut untuk karakteristiknya adalah:
1. Dua gelombang kisi tidak berinteraksi; gelombang tunggal tidak
berubah terhadap waktu.
2. Tidak ada pemuaian.
3. Konstanta elastis adiabatik dan isotermal sama.
4. Konstanta elastis tidak bergantung pada tekanan dan suhu.
5. Kapasitas panas menjadi konstan pada suhu tinggi 𝑇 > 𝜃
25
Interaksi Kristal
Anharmonik
Dalam kristal nyata, tak ada satu pun karakteristik tersebut yang dapat dipenuhi
secara akurat. Penyimpangan dapat disebabkan oleh kelalaian anharmonik (lebih tinggi dari
kuadratik). Demonstrasi efek anharmonik adalah eksperimen interaksi dua fonon
menghasilkan fonon ketiga pada suatu frekuensi 𝜔3 = 𝜔1 + 𝜔2 . Proses tiga fonon
disebabkan oleh urutan ketiga dalam kisi energi potensial.
Interaksi fonon: kehadiran satu fonon menyebabkan regangan elastis periodik yang
melalui interaksi anharmonik memodulasi dalam ruang dan waktu elastis konstan kristal.
Fonon kedua merasakan modulasi konstanta klastik dan kemudian menyebar untuk
menghasilkan fonon ketiga, sama seperti sebuah kisi tiga dimensi yang bergerak.

26
Pemuaian
Energi potensial atom pada jarak x dari pemisahan ekuilibrium
pada posisi nol mutlak dapat dituliskan sebagai
𝑈(𝑥) = 𝒄𝒙𝟐 − 𝒈𝒙𝟑 − 𝒇𝒙𝟒
Keterangan:
c, g, dan f adalah positif.
𝑥 3 mewakili asimetri dari tolakan bersama atom
𝑥 4 melambangkan pelunakan dari getaran pada amplitudo besar.
Minimum pada 𝑥 = 0 bukan minimum mutlak, sedangkan untuk osilasi
kecil, menghasilkan bentuk representasi potensial interatomik yang
memadai.
27
 Pemuaian
Dengan menghitung pemindahan rata-rata dengan menggunakan
fungsi distribusi Boltzmann, dengan mengukur nilai x yang mungkin sesuai
dengan kinerja probabilitas pada termodinamika:

∞
∫−∞ 𝒅𝒙 𝒙 𝒆𝒙𝒑 [−𝜷𝑼(𝒙)]
(𝒙) = ∞
∫−∞ 𝒅𝒙 𝒆𝒙𝒑 [−𝜷𝑼(𝒙)]
Keterangan:
1
Dengan 𝛽 =
(𝑘𝑏 𝑇)

Untuk perpindahan pada kasus anharmonik memiliki energinya kecil jika

dibandingkan dengan 𝑘𝑏 𝑇.
28
Pemuaian
sehingga;

න 𝒅𝒙 𝒙 𝒆𝒙𝒑 [−𝜷𝑼(𝒙)] ≅ න 𝒅𝒙[𝒆𝒙𝒑(−𝜷𝒄𝒙𝟐 )](𝒙 + 𝜷𝒈𝒙𝟒 + 𝜷𝒇𝒙𝟓 )

𝟏
𝟑
𝟑𝝅𝟐 𝒈
= ( )( 𝟓 )𝜷−𝟐
𝟒
𝒄𝟐

∫ 𝒅𝒙 𝒆𝒙𝒑[−𝜷𝑼] ≅ ∫ 𝒅𝒙 [𝒆𝒙𝒑(−𝜷𝒄𝒙𝟐 )]

𝝅 𝟏
= ( )𝟐
𝜷𝒄

Di mana pemuaiannya sebesar

𝟑𝒈
(x) = 𝒌 𝑻 29
𝟒𝒄𝟐 𝒃
Pemuaian

Pada daerah klasik perlu diingat bahwa pada persamaan

∫ 𝒅𝒙 𝒆𝒙𝒑[−𝜷𝑼] ≅ ∫ 𝒅𝒙 [𝒆𝒙𝒑(−𝜷𝒄𝒙𝟐 )]

terdapat suku 𝑐𝑥 2 di dalam eksponensial, sehingga

𝒆𝒙𝒑(𝜷𝒈𝒙𝟑 + 𝜷𝒇𝒙𝟒 ) ≅ 𝟏 + 𝜷𝒈𝒙𝟑 +𝜷𝒇𝒙𝟒 + ..... Dst

30
Pemuaian

Pengukuran konstanta kisi dari

argon padat dapat dilihat pada
Gambar 15. Kemiringan dari
kurva sebanding dengan
koefisien pemuaian. Koefisien
pemuaian hilang pada 𝑇 → 0.

31
3 Konduktivitas
Termal

32
Konduktivitas Termal
Koefisien 𝐾 konduktivitas thermal padat didefinisikan dengan hubungan aliran
𝑑𝑇
keadaan mantap dari panas sebuah batang panjang dengan gradien suhu ;
𝑑𝑥

𝒅𝑻
𝒋𝑼 = 𝑲
𝒅𝒙
Dimana 𝑗𝑈 = flux energi thermal. Implikasi dari persamaan ini adalah proses
transfer energi thermal secara acak. Dari teori kinetik gas, kita mendapatkan
sebuah pendekatan bentuk dari konduktivitas thermal:
𝟏
𝑲= 𝑪𝒗ℓ
𝟑
Dimana 𝐶 adalah kapasitas panas per satuan volume, 𝑣 adalah rata-rata
kecepatan partikel, dan ℓ adalah “mean free path” tabrakan diantara partikel.
33
Konduktivitas Termal
Jika 𝑐 adalah kapasitas panas sebuah partikel, kemudian bergerak dari
temperatur 𝑇 + Δ𝑇 ke temperatur 𝑇 , sebuah partikel tersebut akan
melepaskan energi 𝑐Δ𝑇, dengan
𝒅𝑻
𝜟𝑻 = ℓ = 𝒗𝒙 𝒕
𝒅𝒙 𝒙
Dimana 𝑡 adalah waktu rata – rata di antara tumbukan.
Energi net flux
𝟐
𝒅𝑻 𝟏 𝟐
𝒅𝑻
𝒋𝑼 = −𝒏 𝒗𝒙 𝒄𝒕 = − 𝒏 𝒗 𝒄𝒕
𝒅𝒙 𝟑 𝒅𝒙
untuk fonon dengan 𝑣 konstan :
𝟏 𝒅𝑻
− 𝒄𝒗 ℓ
𝟑 𝒅𝒙
1
dengan ℓ = 𝑣𝑡 dan 𝐶 = 𝑛𝑐, maka 𝐾 = 𝐶𝑣ℓ 34
3
 1. Resistivitas Termal Untuk Gas Fonon
Fonon yang berarti “free path ℓ” itu secara prinsip, ditentukan dengan 2 proses, yaitu
penghamburan geometri dan penghamburan oleh fonon lain. Jika gaya – gaya antar atom
harmonik,maka tidak ada tumbukan mekanik diantara fonon – fonon dan “the mean free path”
akan dibatasi oleh tumbukan sebuah fonon dengan ikatan Kristal dan lattice imperfections.
Dengan interaksi anharmonic Lattice, pasangan antara 2 fonon yang berbeda yang memiliki
harga mean free path yang terbatas. Keadaan eksak sistem anharmonik tidak terlalu lama seperti
fonon.
Teori pasangan efek anharmonik resistivitas thermal memprediksi bahwa ℓ proposional
1
dengan pada temperature tinggi. Untuk mendefinisikan sebuah konduktivitas thermal, harus
𝑇

ada mekanisme dalam Kristal dimana distribusi fonon memungkinkan mencapai titik
kesetimbangan thermal.
35
1. Resistivitas Termal Untuk Gas Fonon

Tidak cukup hanya dengan membatasi “the mean free path”, tetapi
harus ada pembangunan sebuah lokasi kesetimbangan thermal dari distribusi
fonon. Tabrakan fonon dengan ikatan Kristal tidak akan membuat
kesetimbangan thermal karena tumbukan tidak merubah energy fonon
secara individual. Ini dapat ditandai ulang dengan proses tabrakan 3 fonon.
𝑲𝟏 + 𝑲𝟐 = 𝑲
Tidak akan menuju kesetimbangan, tapi untuk reaksi halus total
momentum gas fonon tidak akan berubah oleh tumbukan.

36
1. Resistivitas Termal Untuk Gas Fonon

Gambar 1.a

Gambar 1.b
37
1. Resistivitas Termal Untuk Gas Fonon

Gambar 1.c

Gambar 1.d
38
2. Proses Umpklapp
Tiga fonon penting diproses menyebabkan resitivitas panas tidak
dalam bentuk 𝐾1 + 𝐾2 = 𝐾3 dengan 𝐾 yang konsevatif , tetapi dalam bentuk :

𝑲𝟏 + 𝑲𝟐 = 𝑲 + 𝑮
Keterangan:
𝐺Ԧ = vektor kisi timbal balik.
Proses ini ditemukan oleh Pierls, yang dikenal dengan proses Umklapp.
Kita bisa menyebutnya 𝐺Ԧ untuk semua momentum konservatif dalam
kristal. Misalnya dari proses interaksi gelombang dalam kristal yang total
vektor gelombangnya berubah sampai mendekati nol.
39
2. Proses Umpklapp

Gambar 2.a Gambar 2.b

40
2. Proses Umpklapp

Pendapat paling kuat untuk fonon: hanya fonon palsu 𝐾 pada daerah

brillouin pertama, jadi tidak ada 𝐾 yang dihasilkan pada tumbukan harus

kembali ke daerah pertama dengan tambahan 𝐺.

Ԧ

Sebuah tumbukan dari dua fonon dengan hasil yang negatif dari 𝐾𝑥
dapat dilakukan dengan proses Umklapp 𝐺 ≠ 0 membuat fonon positif 𝐾𝑣 .
Proses Umklapp juga disebut proses 𝑈.

41
2. Proses Umpklapp
Proses tumbukan dengan 𝐺Ԧ = 0 disebut proses normal atau
𝑁 proses. Pada temperatur tinggi 𝑇 > 𝜃 semua fonon sedang tereksitasi
karena 𝑘𝑏 𝑇 > ℏ𝜔𝑚𝑎𝑘𝑠 , semua tumbukan lenting sempurna akan
mengalami proses 𝑈 dengan bantuan momentum tinggi yang terjadi
dalam tumbukan.
Dalam keadaan ini, kita dapat memperkirakan resistivitas thermal
tanpa perbedaan secara tinjauan partikel antara proses 𝑁 dan 𝑈, dengan
anggapan awal tentang efek non linear kita dapat memperkirakannya
untuk mendapatkan hambatan thermal kisi sebanding dengan 𝑇 pada
temperatur tinggi.
42
2. Proses Umpklapp
1
Energi dari fonon 𝐾1 , 𝐾2 cocok untuk terjadinya Umklapp jika saat 𝑘𝐵 𝜃, karena baik
2

1
fonon 1 ataupun 2 harus mempunyai gelombang vektor kisaran 2 𝐺 sehingga tumbukkan

𝐾1 + 𝐾2 = 𝐾3 + 𝐺 bisa mungkin terjadi. Jika kedua fonon mempunyai 𝐾 rendah,

sehingga energinyapun rendah, tidak mungkin tumbukan antara mereka gelombang
vektornya keluar dari daerah pertama.
Proses Umklapp yang energinya konservatif , hanya cukup untuk proses normal. Pada
1
temperature rendah bilangan fonon yang memenuhi dari energi tinggi 𝑘 𝜃 memerlukan
2 𝐵

−𝜃
harga ekspetasi ekstrem sebagai 𝑒𝑥𝑝 , menurut faktor Boltzmann. Kesimpulannya ,
2𝑇

1
fonon bebas pada saat memasuki k = 3 𝑐𝑣𝑙 itu adalah saat bebas untuk tumbukan Umklapp

diantara fonon dan tidak untuk semua fonon.

43
3. Ketidaksempurnaan
Efek geometri sangat penting untuk “free path” atau lintasan bebas rata2.
Dianggap bahwa bagian kecil dari kristal dibatasi oleh massa isotopik terdapat
dalam elemen kimia alami, kimaa pemurnian, ketidaksempurnaan pola-pola
geometris dari molekul-molekul, dan struktur benda tak berbentuk.

Pada temperatur rendah, rata-rata dari “free path ℓ” menjadi sebanding

dengan lebar spesimen uji, sehingga nilai dari ℓ tersebut dibatasi oleh lebar
spesimen uji, dan konduktivitas thermalnya menjadi fungsi dari dimensi
spesimen. Penurunan yang tajam pada konduktivitas thermal dari kristal pada
temperatur rendah dikarenakan oleh efek ukuran. Efek ini ditemukan oleh De
Haaz dan Biermasz.
44
3. Ketidaksempurnaan
Di temperatur rendah, proses umklapp menjadi tidak efektif dalam
membatasi konduktifitas thermal, dan efek ukurannya menjadi dominan
seperti yang ditunjukkan pada gambar 18. Dapat kita perkirakan “free path”
fonon akan menjadi konstan, dengan diameter 𝐷 spesimen, dapat kita lihat
𝑲 ≈ 𝑪𝒗𝑫
𝐶 merupakan konduktivitas panas dimana 𝑇 nya harus temperatur
rendah. Efek ukuran akan mempengaruhi jika rata-rata “free path” dari fonon
menjadi sebanding dengan diameter dari spesimen.

45
3. Ketidaksempurnaan

Gambar 3.a Gambar 3.b

46
3. Ketidaksempurnaan
Kristal dielektrik memiliki konduktivitas thermal yang sama dengan logam
Al2 O3 adalah salah satu kristal dielektrik yang mempunyai konduktivitas thermal
yang sama tingginya dengan metal (tergantung pada suhunya) yang nantinya
akan dijelaskan pada chapter 6.
Pada kasus yang lain, misalnya kristal sempurna, distribusi dari isotop pada
elemen kimia sering menjadi mekanisme dalam proses bagian-bagian terkecil
pada ponon. Distribusi acak dari massa isotopik akan mengganggu kerapatan
seperti yang terlihat pada gelombang elastis. Bagian-bagian kecil pada
substansi-substansi ponon saling terkait. Tingginya konduktivitas thermal juga
pernah didapatkan untuk Silikon dan Intan.

47
Thanks!
Any questions ?

48