Bipolar Junction Transistor (BJT)

Outline
• Struktur transistor
• Unbiased transistor
• Biased transistor
• Koneksi CE
• Kurva basis
• Kurva kolektor
• Common emitter
• Daerah operasi transistor
• Bias basis
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
Struktur Transistor
 Struktur Transistor
• Memiliki 3 daerah: emiter, basis
dan kolektor
• Tipe ini disebut npn
• Trdpt tipe lain: pnp
• Tingkat doping di emiter sangat
tinggi sdgkan basis rendah
• Tingkat doping kolektor
diantara
emiter dan basis
• Memiliki 2 junction:emitter-base
diode (emitter diode) & colector-
base diode (collector diode)
• Bayangkan struktur ini sprti 2
buah back-to-backKusuma
diode
Wardana - Sistem Elektronika 2015
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
 Biased Transistor
Elektron Emiter
• VBBmembias maju dioda emiter
• VCCmembias balik dioda kolektor
• Tugas emiter yg memiliki doping tinggi 
memberikan elektron ke basis

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

 Biased Transistor
Elektron Basis
• Jika VBB > barrier potential  elektron mengalir dr
emiter ke basis
• Secara teori, ada 2 kemungkinan aliran elektron 
Menuju RB atau menuju kolektor

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

 Biased Transistor
Elektron Basis
• Namun demikian, elektron umumnya akan mengalir
menuju kolektor.
• Mengapa??  dua alasan: basis didoping ringan dan
basis secara fisik sangatlah tipis

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

 Biased Transistor
Elektron Kolektor
• Kebanyakan elektron dr basis akan menuju kolektor
• Segera setelah mencapai kolektor, elektron bebas
akan ditarik oleh VCC dan mengalir melalui RC

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

 The CE Connection
• Terdapat 3 cara utk menghubungkan
transistor:
1. CE (common emitter)
2. CC (common collector)
3. CB (common base)
• Saat ini kita aka fokus pd CE.

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

 Common Emitter

• Common = bagian ground

• Common emitter  setiap
common/bagian ground
dr sumber dihubungkan
ke emitter
• Trdpt 2 loop: loop basis
dan
loop kolektor

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

Common Emitter
Loop Basis
• VBB membias maju dioda
emiter dgn RB sbg resistor
pembatas arus
• Dgn mengubah VBB dan RB,
maka kita dpt mengubah arus
basis
• Mengubah arus basis berarti
mengubah arus kolektor
• Dgn kata lain, arus basis
mengontrol arus kolektor
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
 Common Emitter
Loop Kolektor
• VCC membias balik dioda
kolektor melalui RC
• Dioda harus dibias dgn
kondisi seperti ini. Jika tdk,
maka transistor tdk akan
bekerja dgn baik
• Dgn kata lain, kolektor hrs
positif utk mngumpulkan
elektron bebas dr basis
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
 Common Emitter
• Tegangan dgn subscript
sama, menunjukkan sebuah
sumber (VBB & VCC)
• Jika subscript berbeda,
maka menunjukkan
tegangan antara 2 titik (VBE
& VCE)
• Tegangan dgn single
subscript berarti teg.simpul
(node voltage) yaitu teg
antara titik dgn ground (VB,
VC,& VE)
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
 Common Emitter
• Perhitungan tegangan:
𝑉𝐶𝐸

= 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐶𝐵

= 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵
𝑉𝐵𝐸
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
 Kurva Basis
• Kurva basis menggambarkan
hub antar IB dan VBE.
• Hub, ini adlah dioda emiter
yg dibias maju
• Menggunakan hukum
Ohm:
𝐼𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵
• 𝑉𝐵𝐸 = 0V (pend. ideal,)
• 𝑉𝐵𝐸 = 0.7V(pendekatan
II) Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
 Common Emitter
Contoh:
• Amati Gb di bwh ini. Berapakah arus yg melalui
resistor kolektor jika 𝖰𝒅𝒄 = 𝟐𝟎𝟎?
• Dimana 𝛽𝑑𝑐 adlh penguatan arus: 𝛽𝑑𝑐 =
𝐼𝐵
𝐼𝐶

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

Jawab:
• Teg. basis sbesar 2V membias maju dioda emiter
melalui resistor pembatas arus 100kOhm. Krn dioda
emiter memiliki 0,7V, maka tegangan spanjang
resistor basis adlh:
• 𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 = 2V − 0,7V = 𝟏, 𝟑𝐕
• Arus yg melalui reistor basis (RB) adlh:
• 𝑰𝑩 = 𝑽𝑩𝑩−𝑽𝑩𝑬
𝑹𝑩 =
1,3V
100kΩ
= 𝟏𝟑𝝁𝐀

• Dgn penguat arus=200, maka:

𝑰𝑪 = 𝖰𝒅𝒄𝑰𝑩
= 200 13𝜇𝐴 = 𝟐,
𝟔𝒎𝑨 Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
 Kurva Kolektor
• Dgn memvariasikan nilai VBB dan VCC serta mengukur
output IC vs VCE, kita dpt memperoleh kurva kolektor
• Contoh transistor 2N3904 berikut di bwh ini
• Misal, kita atur VBB utk mendapatkan Ib=10uA.
• Kemudian variasikan VCC dan ukur nilai IC dan VCE

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

 Tegangan Kolektor dan Daya
• Sesuai dgn hukum Kirchhoff :
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
• Disipasi daya:
𝑃𝐷 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

 Daerah Operasi Transistor
• Trdpt 4 daerah operasi transistor: Active region
• Active region: bag. kurva Breakdown region
horizontal, dimana arus kolektor
adlh konstan
• Breakdown region: transistor
sbaiknya jgn beroperasi di daerah
ini
• Saturation region: kolektor tdk
cukup memiliki tegangan utk
mengumpulkan elektron dr basis
• Cutoff: arus basis nol, tp ada
sedikit arus kolektor  krn arus
bocor permukan & arus
minoritasbalik Saturation region
Cutoff
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
Contoh:
• Amati gambar di bawah. Transistor tsb
memiliki 𝖰𝒅𝒄 = 𝟑𝟎𝟎. Hitunglah nilai IB, IC,
VCE.

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

Jawab:
• Gambar rangkaian:

• Hitung arus basis:

𝑰𝑩 = 𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 = 𝟏𝟎 − 𝟎, 𝟕 𝐕
= 𝟗, 𝟑𝜇A
𝑹𝑩
• Hitung arus kolektor:
𝟏𝐌𝛀
𝑰𝑪 = 𝖰 𝒅𝒄 𝑰𝑩 = 300 9,3𝜇A
= 𝟐, 𝟕𝟗𝑚A
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
• Hitung tegangan kolektor-emiter:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 10V − 2𝑘Ω = 𝟒,
2,79𝑚A 𝟒𝟐V
• Disipasi
𝑷𝑫 = 𝑽𝑪𝑬
daya pd𝑰𝑪kolektor:
= 4,42V 2,79𝑚A = 𝟏𝟐,
𝟑𝑚W
• Jika VBB dan VCC sama, maka rangkaian dpt
disederhanakan sbb:

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

Contoh:
Amatilah rangkaian di bwh ini. Hitunglah
penguatan arusnya

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

Jawab:
• Pertama, cari arus basis:
𝐼𝐵 = 𝑉𝐵 𝐵 − 𝑉𝐵 𝐸 = 10V − 0,7V = 𝟐𝟖, 𝟐𝜇A
𝑅𝐵
• Berikutnya, kita membutuhkan
330𝑘Ω arus kolektor. Berdasarkan
angka pd multimeter, nilai VCE adlh 5,45V. Tegangan
sepanjang arus resistor:
𝑉 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 10V − 5,45V = 𝟒, 𝟓𝟓V
• Nilai arus kolektor:
𝑉 4,55V
𝐼𝐶
= 𝑅𝐶 = = 𝟗, 𝟔𝟖𝑚A
• Kemudian, penguatan
470Ωarus adlh:
𝛽𝑑 = 𝐼𝐶 = 9,68𝑚A = 𝟑𝟒𝟑
𝑐 𝐼𝐵
28,2𝑚A
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
Contoh:
• Amati gb berikut. Hitunglah tegangan
kolektor-emiter dan arus emiter

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

Jawab:
• Arus yg mengalir pd loop basis:
𝑰𝑩 = 𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 = 𝟏𝟓 − 𝟎, 𝟕 𝐕
= 𝟑𝟎, 𝟒𝟐𝜇A
𝑹 𝑩
• Hitung arus kolektor:
𝟒𝟕𝟎𝒌𝛀
𝑰𝑪 = 𝖰 𝒅𝒄 𝑰𝑩 = 100 30,42𝜇A = 𝟑,
𝟎𝟒𝑚A
• Hitung tegangan kolektor-emiter:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐 𝑐 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
= 15V − 3,04𝑚A 3,6𝑘Ω = 𝟒, 𝟎𝟔V
• Arus emiter adlh gabungan arus basis dan arus
kolektor:
𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪 = 30,4𝜇A + 3,04𝑚A = 𝟑, 𝟎𝟕𝑚A
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
 Bias Basis
• Bias basis mmpertahankan
arus basis agar tetap sama
• Misal pd gambar disamping
nilai RB = 1MOhm, maka arus
basis (IB) adalah 14,3uA.
• Nilai IB akan tetap pd nilai
sekitaran 14,3uA dlm segala
kondisi operasi

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015

 Bias Basis
• Pd gb disamping, dgn 𝖰𝒅𝒄=100,
maka arus kolektor sebesar
1,43mA.
• Tegangan kolektor-emiter:
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝒄𝒄 − 𝑰𝑪𝑹𝑪
= 15V − 3𝑘Ω
1,43𝑚A
= 𝟏𝟎, 𝟕V
• Nilai Q (titik operasi):
𝑰𝑪 = 𝟏, 𝟒𝟑𝒎𝑨 dan
𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟎, 𝟕𝐕
Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015
 Daftar Pustaka
• Malvino, A.P. Electronics Principles. McGraw
Hill 7th Edition, New York.
• Malvino, A.P. 1999. Prinsip-Prinsip Elektronika
(terjemahan oleh Alb.Joko Santoso). Salemba
Teknika, Jakarta.

Kusuma Wardana - Sistem Elektronika 2015