Karakteristik Diode

• Karakteristik diode umumnya dinyatakan dengan grafik hubungan

antara tegangan pada diode versus arus yang melewatinya
sehingga disebut karakteristik tegangan-arus (V-I)
• Secara teoritis, hubungan antara tegangan dan arus diode
dinyatakan oleh persamaan:
VD /VT
I D  I s (e 1
Keterangan: )
ID=arus diode, positif jika di dalam diode arahnya
dari anode ke katode
Is=arus mundur jenuh (10-8 s.d. 10-14 A)
T kT
VT=tegangan kesetaraan suhu= volt=
11 .600 q
pada T=300oK, VT=26mV dan pada T=273oK,VT=25mV
= koefisien emisi, antara 1 sampai dengan 2 dan
untuk silikon pada arus normal mendekati 2
e= bilangan natural=2,72
 Karakteristik V-I Diode Secara Teoritik
TEGANGAN MUNDUR TEGANGAN MAJU
Dengan VD(V) ID(nA) VD(V) ID(nA)
menggunakan 0 0 0 0
persamaan -0,02 -3,19 0,01 2,12
karakteristik -0,05 -6,18 0,02 4,69
tersebut, dapat -0,1 -8,54 0,1 58,5
diperoleh tabel -0,2 -9,79 0,2 459
pengaruh tegangan -0,3 -9,97 0,3 3205
diode (VD) -0,4 -9,99 0,4 22011
terhadap arus -0,5 -10 0,5 150841
yang melewatinya -0,6 -10 0,6 1033362
(ID) dengan asumsi -0,7 -10 0,7 7078894
Is=10nA, =2, dan -0,8 -10 0,8 48492587
VT=26 mA sebagai -V D VD

berikut:
-ID ID

V R V
 Karakteristik V-I Diode Secara Teoritik
Berdasarkan tabel di atas dapat
digambarkan karakteristik diode seperti
gambar di samping.
Terlihat pada V =0,6V ID I D  I s (eV D / VT
1)
nilai ID kira-kira 100.000 kali Is atau
Karena ketika Is=10nA ,ID≈1mA.

VD=0,6V disebut tegangan ambang

atau threshold atau cut-in atau offset
atau break point yang diberi lambang
V.
Definisi letak V tidak pasti karena di
sekitar V kurvanya berupa garis
lengkung dan tidak ada titik patah. VD
0,6V
Biasanya V untuk diode silikon sekitar
0,6V dan untuk diode germanium kira- IS
kira 0,2V. V
 Pengaruh Suhu Pada Karakteristik V-I Diode
Menurut persamaan karakteristik di atas,
perbedaan suhu T1 dan T2 dapat T2>T1
memberikan karakteristik yang berbeda
ID
T1
seperti gambar di samping.

1. Jika diode pertemuan pn diberi

tegangan maju konstan, maka suhu ID2
yang semakin tinggi menyebabkan
arus diode semakin tinggi berubah dari
ID1 ke ID2. ID konstan

2. Jika diberi arus konstan, kenaikan ID1 suhu

menyebabkan tegangan turun VD2 VD1
berubah dari V D1 ke VD2. Keadaan ini
menjadikan diode pertemuan pn dapat
dimanfaatkan sebagai sensor suhu. VD konstan
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
Diode adalah komponen non linear, sehingga hukum-hukum arus
dan tegangan untuk komponen linear seperti Hukum Kirchhoff
tidak dapat secara langsung diberlakukan. Untuk itu diperlukan
analisis grafis terhadap rangkaian yang mengandung komponen
non linear seperti diode.
Contoh: Perhatikan rangkaian diode dan karakteristiknya sebagai
berikut! I (mA) D

30
VD Dengan
menggunakan
20 analisis garis beban,
V= 1 V VO
hitung arus, tegangan
RL  50
diode, dan tegangan
10 output!

VD(V)
0 1
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
Jawab:
1. Menyusun persamaan arus pada rangkaian, yakni:
Persamaan tegangan :
V  VD  V O VO  ID .RL
VD
V  VD  I D .RL
Persamaan arus :
I D  VD  V
R V=1V VO
L
RL  50
1 V
ID   VD
RL L

R
Identik dengan persamaan garis
lurus :
1 V
y  ax  b, dengan a  RL , x  VD , b  RL
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
2. Mencari titik potong pada sumbu-x atau VD:
Anggap ID=0 sehingga:

 V
ID  
1
VD Jadi diperoleh titik potong I (mA)
RL RL
1 D
0 VD  V
RL (x,y) atau (VD,0) atau (1,0) 30
RL
VD  V  1V
Titik potong
(0,ID) atau
(0,20)
3. Mencari titik potong pada sumbu-y atau ID: 20

Anggap VD=0 sehingga:

ID  
1
VD
 V
Jadi diperoleh titik 10
RL RL
potong(x,y) atau (0,ID)
ID 1 V RL
 0
atau (0,20)
ID  V 1
  0,02A  20mA
RLRL 50
VD(V)
0 1
Titik potong
(VD,0) atau
(1,0)
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
4. Membuat garis beban:
Garis beban ditarik dari koordinat (1,0) sampai dengan (0,20)
5. Menentukan titik operasi ID(mA)

diode (Q):
30
Titik operasi Q adalah titik
potong antara garis beban Titik potong
(0,ID) atau
dengan kurva statis. (0,20)
20
6. Menentukan tegangan dan Garis beban
arus diode:
Tegangan dan arus diode Titik operasi
10 Q
ditentukan dengan menarik
garis dari titik operasi Q ke arah ID,Q = 8mA
horizontal dan vertikal.
VD(V)
Jadi tegangan diode=VD=0,6V 0 1
Titik
VD,Q,=0,6V
arus diode=ID=8mA potong
(VD,0) atau
(1,0)
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
Resistansi DC
Berdasarkan analisis grafik
dapat ditemukan tegangan ID(mA)

dan arus diode pada titik

tertentu. Resistansi DC atau 30

resistansi statis pada suatu Titik potong

titik dari diode didefinisikan: (0,ID) atau
(0,20)
RF  VD 20
Garis beban
A

ID
RF pada titik Q adalah: B
Titik operasi
0,6 10 Q
RF  VD  0,6V   75
I D 8mA 8x10 V -3 A
I = 8mA
D,Q
C

VD(V)
0 1
Titik
VD,Q,=0,6V potong
(VD,0) atau
(1,0)
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
Dalam analisis ini diode dimodelkan sebagai komponen linear, sehingga
modelnya sering disebut sebagai piece wise linear model (model linear
sepotong-sepotong).

Pendekatan I SAKLAR ON Pada pendekatan I, dalam keadaan

A K A K forward biased, diode dapat dianggap
sebagai saklar tertutup sedangkan
V RL V RL dalam keadaan reverse biased dapat
dianggap seperti saklar terbuka.

RANGKAIAN MODEL FORWARD

FORWARD BIAS PENDEKATAN I ID
ID
SAKLAR OFF

K A K A

V RL V RL
VD
0 V 0
KARAKTERISTIK MODEL
RANGKAIAN MODEL REVERSE KARAKTERISTIK D
PENDEKATAN I
REVERSE BIAS PENDEKATAN I SESUNGGUHNYA
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
Pendekatan II

Pada pendekatan II, dalam keadaan

A K A K
forward biased, diode dapat dianggap
V sebagai sumber tegangan sebesar
VV
RL RL V (untuk silikon V=0,6V dan untuk
germanium V=0,2V), sedangkan
dalam keadaan reverse biased dapat
RANGKAIAN MODEL FORWARD
FORWARD BIAS PENDEKATAN II
dianggap seperti saklar terbuka.
ID
I
SAKLAR OFF D

K A K A

V RL V RL

VD
0 V 0 KARAKTERISTIK MODEL
RANGKAIAN MODEL REVERSE KARAKTERISTI D PENDEKATAN II
REVERSE BIAS PENDEKATAN II K
SESUNGGUHNY A
V
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
Pendekatan III
Pada pendekatan III, dalam keadaan
rF
A K A K forward biased, diode dapat dianggap
V
sebagai sumber tegangan sebesar
V
RL V RL
V dengan resistansi dinamis forward
rFyang terpasang secara seri,
sedangkan dalam keadaan reverse
RANGKAIAN MODEL FORWARD biased dapat dianggap sebagai
FORWARD BIAS PENDEKATAN III resistansi dinamis reverse rR.
I ID
D

K A K rR A

V RL V RL
VD
0 V
0 KARAKTERISTIK MODEL
KARAKTERISTIK D PENDEKATAN III
RANGKAIAN MODEL REVERSE SESUNGGUHNYA
REVERSE BIAS PENDEKATAN III
V
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
Pendekatan III
ID
ID Nilai resistansi
dinamis forward rF
ditentukan dengan
1A
rumus:

ID
ID

VD
rF  VD
VD
VD VD

0 0
I D
0,6V 1,1V

VD merupakan kenaikan tegangan yang disebabkan oleh kenaikan arus diode
ID. Contoh: Tegangan diode silikon dalam keadaan forward bias sebesar 1,1 V
dan arus yang mengalir sebesar 1A. Hitung besarnya rF!
Jawab: Kita anggap bahwa arus diode ID=0 ketika tegangan diode VD=0,6V.
Dengan menggunakan persamaan di atas dapat diperoleh:

rF  VD  1,1V  0,6V  0,5

ID 1A  0
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
rF  2,5 Perhatikan rangkaian diode di samping ini!
Gambarkan rangkaian pengganti/rangkaian
Si
ekivalen dan hitung besarnya tegangan dan arus
Vin=10V RL  diode menggunakan pendekatan I, pendekatan II
100 dan pendekatan III!

VD  V  0,6V V  0,6V
rF  2,5
Jawab: VD  0V

ID ID
ID
Vin= RL  Vin= Vin=
RL  RL 
10V 100 10V 100 100
10V
PENDEKATAN I
PENDEKATAN II PENDEKATAN III

10V -
ID  Vin  V 
ID  Vin  V L
0,6V
F  0,092A
ID  Vin  10V  RL R r 100  2,5
RL 100 0,1A 10V - VD  Vin  ID.RL

0,6V
100
 0,094A  10V -
0,092A.100
 0,8V