PERTEMUAN 13

ASSALAMU’ALAIKUM, SELAMAT PAGI. HARI

INI MATERI KITA TENTANG “THYRISTOR”.
 THYRISTOR

Thyristor merupakan komponen semikonduktor untuk

pensaklaran yang berdasarkan pada struktur PNPN.
Komponen ini memiliki kestabilan dalam dua keadaan
yaitu on dan off serta memiliki umpan balik regenerasi
internal.
Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen
yang terbuat dari bahan semiconductor silicon.
Walaupun bahannya sama, tetapi struktur P-N
junction yang dimilikinya lebih kompleks dibanding
transistor bipolar atau MOS. Komponen thyristor lebih
digunakan sebagai saklar (switch) ketimbang sebagai
penguat arus atau tegangan seperti halnya transistor.
Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer
PNPN seperti yang ditunjukkan pada gambar-1a.
Jika dipilah, struktur ini dapat dilihat sebagai dua
buah struktur junction PNP dan NPN yang
tersambung di tengah seperti pada gambar-1b. Ini
tidak lain adalah dua buah transistor PNP dan NPN
yang tersambung pada masing-masing kolektor dan
base. Jika divisualisasikan sebagai transistor Q1 dan
Q2, maka struktur thyristor ini dapat diperlihatkan
seperti pada gambar-2 yang berikut ini.
Terlihat di sini kolektor transistor Q1 tersambung pada
base transistor Q2 dan sebaliknya kolektor transistor
Q2 tersambung pada base transistor Q1. Rangkaian
transistor yang demikian menunjukkan adanya loop
penguatan arus di bagian tengah. Dimana diketahui
bahwa Ic = Ib, yaitu arus kolektor adalah penguatan
dari arus base.
Jika misalnya ada arus sebesar Ib yang mengalir pada
base transistor Q2, maka akan ada arus Ic yang
mengalir pada kolektor Q2. Arus kolektor
ini merupakan arus base Ib pada transistor Q1,
sehingga akan muncul penguatan pada arus kolektor
transistor Q1. Arus kolektor transistor Q1 tidak lain
adalah arus base bagi transistor Q2. Demikian
seterusnya sehingga makin lama sambungan PN dari
thyristor ini di bagian tengah akan mengecil dan
hilang. Tertinggal hanyalah lapisan P dan N dibagian
luar.
Jika keadaan ini tercapai, maka struktur yang
demikian tidak lain adalah struktur dioda PN (anoda-
katoda) yang sudah dikenal. Pada saat yang demikian,
disebut bahwa thyristor dalam keadaan ON dan dapat
mengalirkan arus dari anoda menuju katoda seperti
layaknya sebuah dioda.
Apa yang terjadi bila tiristor beri beban lampu
dcngan diberi suplai tegangan dari nol sampai
tegangan tertentu seperti pada gambar ?
lampu akan tetap padam karena lapisan N-P yang ada
ditengah akan mendapatkan reverse-bias  (teori dioda).
Pada saat ini disebut thyristor dalam keadaan OFF
karena tidak ada arus yang bisa mengalir atau sangat
kecil sekali. Arus tidak dapat mengalir sampai pada
suatu tegangan reverse-bias tertentu yang
menyebabkan sambungan NP ini jenuh dan hilang.
Tegangan ini disebut tegangan breakdown dan pada
saat itu arus mulai dapat mengalir melewati thyristor
sebagaimana dioda umumnya. Pada thyristor tegangan
ini disebut tegangan breakover Vbo.
Jenis – Jenis Thyristor

SCR (Silicond Conroled rectifier)

Triac
Diac
Fast-Switching Thyristor
Gate-Turn-Off Thyristor (GTO)
Revers-Conducting Thyristor (RCT)
Static Induction Thyristor (SITH)
Light-Activated Silikon-Controlled Rectifier(LASCR)
FET-Controlled Thyristor (FET-CTH)MOS-Controlled
Thyristor (MCT)
 SCR (Silicond Conroled rectifier)
SCR merupakan jenis thyristor yang terkenal dan
paling tua, komponen ini tersedia dalam rating arus
antara 0,25 hingga ratusan amper, serta rating
tegangan hingga 5000volt. Struktur dan simbol dari
SCR
Sedangkan jika didekati dengan struktur transistor,
maka struktur SCR dapat digambarkan
seperti pada gambar dibawah :
Kondisi awal dari SCR adalah dalam kondisi OFF (A dan
K tidak tersambung). Salah satu cara untuk meng-ON
kan (menyambungkan antara A dan K) adalah dengan
memberikan tegangan picu terhadap G (gate). Sekali
SCR tersambung maka SCR akan terjaga dalam kondisi
ON (dapat dilihat pada struktur transistor Gambar
2). Untuk mematikan sambungan A-K, maka yang
perlu dilakukan adalah dengan memberikan tegangan
balik pada A-K-nya, atau dengan menghubungkan G ke
K. Gambar 3 berikut adalah karakteristik volt-amper
SCR dan skema aplikasi dasar dari SCR.
Triac

Triac dapat dianggap sebagai dua buah SCR dalam

struktur kristal tunggal, dengan demikian maka
Triac dapat digunakan untuk melakukan
pensaklaran dalam dua arah (arus bolak balik, AC).
Simbol dan struktur Triac adalah seperti
ditunjukan dalam gamabr dibawah :
Karena secara prinsip adalah ekivalen dengan dua
buah SCR yang disusun secara paralel dengan salah
SCR dibalik maka Triac memiliki sifat-sifat yang mirip
dengan SCR. Gambar dibawah adalah gambar
karakteristik volt-amper dan skema aplikasi dari Triac.
Jika TRIAC sedang OFF arus tidak dapat mengalir
diantara terminal-terminal utamanya (saklar
terbuka). Jika TRIAC sedang ON, maka dengan
tahanan yang rendah arus mengalir dari satu
terminal ke terminal lainnya dengan arah aliran
tergantung dari polaritas tegangan yang digunakan
(saklar tetutup).
Arus rata-rata yang dialirkan pada beban dapat
bervariasi oleh adanya perubahan harga waktu
setiap perioda ketika TRIAC tersebut ON. Jika
porsi waktu yang kecil saat kondisi ON, maka arus
rata-ratanya akan tinggi.
Kondisi suatu TRIAC pada setiap perioda tidak
dibatasi hingga 180o, dengan pengaturan picu di
dapat menghantarkan hingga 360o penuh. Tegangan
gate untuk pemicu biasanya diberi notasi VGT, dan
arus gate pemicu dinotasikan dengan IGT. 
Selama setengah perioda negative, muatan negative
akan berada pada plat bagian atas kapasitor dan jika
tegangan yang berada pada kapasitor telah
mencukupi, maka TRIAC akan ON. 
Kecepatan pengisian kapasitor diatur oleh hambatan
R2, dimana jika R2 bernilai besar, maka pengisisannya
akan lambat sehingga terjadi penundaan penyalaan
yang panjang dan arus rata-ratanya kecil. Jika
R2 bernilai kecil, maka pengisian kapasitor akan cepat
dan arus bebannya tinggi.
Gambar DIAC sebagai pengendali TRIAC
Rangkaian tersebut menggunakan DIAC sebagai
pengendali picu. Prinsip kerjanya, jika tegangan
input berada pada setengah periode positif, maka
kapasitor akan terisi muatan melebihi beban dan
hambatan R. Jika tegangan kapasitor mencapai
tegangan breakover DIAC, maka kapasitor mulai
mengosongkan muatan melalui DIAC ke gerbang
(gate) TRIAC.
Pulsa trigger TRIAC akan menghantarkan TRIAC
pada setengah perioda tadi dan untuk setengah
perioda berikutnya (negative) prinsipnya sama.
Sekali TRIAC dihidupkan, maka dia akan menghantarkan
sepanjang arus yang mengalir melaluinya tetap
dipertahankan. TRIAC tidak dapat dimatikan oleh arus
balik layaknya suatu SCR. TRIAC dapat dimatikan dan
kembali pada kondisi menghambat, ketika arus beban AC
yang melewatinya berharga nol (0), sebelum setengah
perioda lainnya digunakan. Faktor ini akan membatasi
frekuensi respon yang dimiliki oleh TRIAC tersebut.
Bagi beban-beban resitif, waktu yang tersedia guna
mematikan suatu TRIAC akan lebih panjang dari titik
ketika arus bebannya jatuh hingga waktu dimana
tegangan balik mencapai nilai yang dapat menghasilkan
arus latching yang dibutuhkan.
Sedangkan bagi beban-beban induktif komutasinya akan
lebih rumit lagi, dimana jika arus beban jatuh dan TRIAC
berhenti menghantar, maka tegangan masih ada pada piranti
tersebut. Jika tegangannya muncul terlalu cepat, maka akibat
yang dihasilkan oleh persambungan kapasitansi adalah tetap
menghantarnya TRIAC tersebut. Untuk itu maka sering
digunakan rangkaian pengaman yang dapat mengubah nilai
perubahan (Range of Change) tegangan TRIAC.
 Adapun pengaturan tegangan bolak-balik dengan
menggunakan TRIAC ditunjukkan pada gambar dibawah ini.
Contoh Penggunaan TRIAC

Pemakaian motor arus bolak-balik 1 fasa banyak

digunakan dalam kehidupan sehari-hari dibandingkan
dengan motor arus searah. Pengontrolan pun sekarang
sudah banyak ragamnya dari mulai pengaturan
putaran sampai pada proteksinya.
DIAC
Kalau dilihat strukturnya seperti, DIAC bukanlah
termasuk keluarga thyristor, namun prisip kerjanya
membuat ia digolongkan sebagai thyristor. DIAC dibuat
dengan struktur PNP mirip seperti transistor. Lapisan N
pada transistor dibuat sangat tipis sehingga elektron
dengan mudah dapat menyeberang menembus lapisan
ini. Sedangkan pada DIAC, lapisan N di buat cukup tebal
sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya.
Struktur DIAC yang demikian dapat juga dipandang
sebagai dua buah dioda PN dan NP, sehingga dalam
beberapa literatur DIAC digolongkan sebagai dioda.
Gambar : Struktur dan simbol DIAC 
Sukar dilewati oleh arus dua arah, DIAC memang
dimaksudkan untuk tujuan ini. Hanya dengan tegangan
breakdown tertentu barulah DIAC dapat menghantarkan
arus. Arus yang dihantarkan tentu saja bisa bolak-balik
dari anoda menuju katoda dan sebaliknya. Kurva
karakteristik DIAC sama seperti TRIAC, tetapi yang hanya
perlu diketahui adalah berapa tegangan breakdownnya.
Simbol dari DIAC adalah seperti yang ditunjukkan pada
gambar. DIAC umumnya dipakai sebagai pemicu TRIAC
agar ON pada tegangan input tertentu yang relatif tinggi.
Contohnya adalah aplikasi dimmer lampu yang berikut
pada gambar di bawah .
Gambar : Rangkaian Dimmer
Pada rangkaian dimmer, resistor R biasanya diganti
dengan rangkaian seri resistor dan potensiometer.
Di sini kapasitor C bersama rangkaian R digunakan
untuk menggeser phasa tegangan VAC. Lampu dapat
diatur menyala redup dan terang, tergantung pada
saat kapan TRIAC di picu.
Fast-Switching Thyristor

Fast-Switching Thyristor radalah thyristor yang

memiliki waktu turn off yang cepat, umunya dalam
daerah 5 sampai 50 µs bergantung pada daerah
tegangannya. Tegangan jatuh forward pada keadaan
on berfariasi kira-kira seperti fungsi invers dari turn
off time tq. Biasanya Thyristor ini digunakan pada
penerapan teknologi pensaklaran kecepatan tinggi
dengan forced-commutation.
Thyristor ini memiliki dv/dt yang tinggi, biasanya
1000V/µs dan di/dt sebesar 1000 A/ µs. Turn-off
yang cepat dan di/dt yang tinggi akan sangat penting
untuk mengurangi ukuran dan berat dari komponen
rangkaian reaktif dan/atau commutating. Tegangan
keadaan on dari thyristor 2200 A, 1800 V, dan waktu
turn off sangat cepat, sekitar 3sampai 5 µs, biasa
dikenal sebagai asymmetrical thyristor (ASCRT).
GATE-TURN OFF THYRISTOR (GTO)

Gerbang ini dapat dihidupkan dengan memberikan

sinyal gerbang positif dan dapat dimatikan dengan
memberikan gerbang sinyal negative. GTO dihidupkan
dengan memberikan sinyal pulsa pendek positif pada
gerbang dan dimatikan dengan memberikan sinyal
pulsa pendek negative pada gerbang.
GTO memiliki penguatan rendah selama turn-off dan
memerlukan pulsa arus negative yang relative besar
untuk turn-off. Tegangan keadaan on untuk rata-rata
GTO 550 A, 1200 V besarnya 3,4 V.
 REVERS-CONDUCTING THYRISTOR (RCT)
Pada banyak rangkaian chopper atau inverter, diode
anti parallel dihubungkan secra SCR untuk
memperbolehkan aliran arus reverse karena beban
induktif dan untuk meningkatkan kinerja saat turn off
dari rangkaian commutation. Diode memotong
tegangan balik blocking dari SCR ke-1 atau 2 V pada
kondisi tunak. Akan tetapi pada kondisi
transien, tegangan balik dapat meningkat hingga 30
V karena tegangan induksi pada rangkaian
karena induktansi stray dalam devais.
Suatu RCT dapat dipandang sebagai suatu kompromi
antara karakteristik devais dan kebutuhan dari rangkaian
RCT dapat dianggap sebagai suatu thyristor dengan built-
in diode anti paraler. RCT juga dikenal sebagai aymmetrical
thyristor (ASCR). Tegangan forward blocking
berfariasi antara 400 sampai dengan 2000 V dan rating
arus bergerak hingga 500 A. Tegangan blocking revers
biasanya sekitar 30 sampai dengan 40 V. Karena rasio arus
maju yang melalui thyristor terhadap arus reverse dari
diode tetap untuk suatu devais, aplikasinya dibatasi oleh
perancangan rangkaian tertentu.
 STATIC INDUCTION THYRISTOR (SITH)

SITH biasanya dihidupkan dengan memberikan

tegangan gerbang positif seperti thyristor biasa dan
dimatikan dengan memberikan tegangan negatif pada
gerbangnya. SITH merupakan devais dengan
pembawa muatan minoritas. Akibatnya, SITH
memiliki resistansi/tegangan jatuh keadaan on yang
rendah dan dapat dibuat dengan rating tegangan dan
arus yang lebih tinggi.
SITH memiliki kecepatan switching yang tinggi
dengan kemampuan dv/dt dan di/dt yang tinggi.
Waktu switchingnya berada pada orde 1 sampai
dengan 6 µs. Rating tegangan dapat mencapai 2500
V dan rating arus dibatasi 500 A. Devais ini sangat
sensitive terhadap proses produksi, gangguan kecil
pada proses produsi akan menghasilkan perubahan
yang besar pada karakteristik devais.
 LIGHT-ACTIVED SILICON-
CONTROLLED RECTIFIER (LASCR)

Devais ini dihidupkan dengan memberikan radiasi

cahaya langsung ke wafer silicon. Pasangan electron-
hole yang terbentuk selama proses radiasi akan
menghasilkan arus trigger pada pengaruh medan
elektris. Struktur gerbang dirancang untuk
menghasilkan sensitivitas gerbang yang cukup untuk
triggering dengan sumber cahaya praktis.
LASCR digunakan untuk pemakaian arus dan
tegangan yang tinggi. LASCR menyediakan isolasi
elektris penuh antara sumber cahaya pen-trigger dan
devais switching dari converter daya, dengan
potensial mengambang tinggi hingga beberapa
kilovolt. Rating tegangan dari LASCR dapat
setinggi 4 kV, 1500 A dengan daya cahaya pen-
trigger kurang dari 100mW. Di/dt yang umum
adalah 250 A/µs dan dv/dt dapat setinggi 2000
V/µs.
 FET-CONTROLLED THYRISTOR (FET-CTH)

Devais ini mengkombinasikan MOSFET dan Thyristor

secara paraler. Jika tegangan tertentu diberikan pada
gerbang dari MOSFET biasanya, 3 V arus pen-trigger
dari thyristor akan dibangkitkan secara internal.
Devais ini dapat dihidupakan seperti thyristor
konvensional, akan tetapi tidak dapat dimatikan oleh
kendali gerbang. Hal ini akan sangat diperlukan pada
aplikasi yang optical firing digunakan untuk
menghasilkan isolasi elektrik antara masukan atau
sinyal control dan devais pensaklaran dari conver
terdaya.
MOS Controlled Thyristor (MCT)

MOS Controlled Thyristor (MCT) adalah tegangan

yang sepenuhnya dikontrol thyristor. MCT serupa
yang beroperasi dengan thyristor GTO, tetapi telah
dikendalikan dengan terisolasi tegangan gerbang.
Memiliki dua MOSFET dalam rangkaian ekuivalen.
Satu yang bertanggung jawab untuk turn-on dan yang
lain bertanggung jawab untuk turn-off. Sebuah
thyristor dengan hanya satu MOSFET dalam
rangkaian ekuivalen, yang hanya dapat diaktifkan
(seperti biasa SCRs), disebut MOS gated thyristor.
MCT dapat beroperasi sebagai devais yang dikontrol
oleh gerbang jika arusnya lebih kecil dari arus
maksimum yang dapat dikontrol. Usaha untuk
membuat MCT off pada arus yang melebihi itu akan
mengakibatkan kerusakan devais, untuk arus yang
tinggi thyristor harus dimatikan sebagaimana thyristor
biasa.
 Kesimpulan
Thyristor adalah komponen elektronika yang biasa
digunakan untuk pensaklaran dan pengendalian daya AC.
Thyristor dapat berubah dengan sangat cepat dari kondisi
menghantar ke kondisi tidak menghantar.
Thyristor terdiri dari anode, katode, dan gerbang
Thyristors Tidak akan menghantar jika tidak ada arus
bias maju pada Gerbang
Thyristor biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil
Thyristors akan berhenti menghantar jika tegangan nol
atau arus berhenti pada Gerbang.