TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR DAN PEMANFAATANNYA

a. Teknologi Silikon
Pembahasan tentang divais semikonduktor tentunya tidak bisa lepas dari material
semikonduktor itu sendiri sebagai bahan dasar pembuatan divais tersebut. Silikon (Si) dengan
persediaanyang berlimpah di bumi dan dengan teknologi pembuatan kristalnya yang sudah mapan,
telah menjadi pilihan dalam teknologi semikonduktor. Silikon very large scale integration (VLSI)
telah membuka erabaru dalam dunia elektronika di abad ke-20 ini. Kebutuhan akan kecepatan
yang lebih tinggi dan unjuk kerja yang lebih baik dari komputer telah mendorong teknologi silikon
VLSI ke silikon ultra high scale integration (ULSI). Saat ini metaloxidesemiconductor field effect
transistor (MOSFET) masih dominan sebagai divais dasar teknologi integrated circuit (IC).
Dimensi dari MOSFET menjadi semakin kecildan akan menjadi sekitar 0,1 mikron untuk ukuran
giga-bit dynamic random acces memories (DRAMs). Beberapa masalah yang timbul dalam usaha
memperkecil dimensi dari MOSFET antara lain efek short channel dan hot carrier yang akan
mengurangi unjuk kerja dari transistor itu sendiri.
Walaupun sudah banyak kemajuan yang dicapai, pertanyaan yang selalu muncul adalah
sampai seberapa jauh limit pengecilan yang dapat dilakukan ditinjau dari segi proses produksi,
sifat fisika dari divais itu sendiri dan interkoneksinya. Banyak masalah dari segi fabrikasi yang
dapat menjadi penghambat. Sebagai salah satu contoh keterbatasan dari proses produksi adalah
teknik lithography yaitu teknik yang diperlukan untuk merealisasikan desain sirkuit ke lempengan
(waver) silikon dalam proses fabrikasi IC. Dengan menggunakan cahaya sebagai sumber berkas,
dimensi dari lithography dengan sendirinya akan dibatasi oleh panjang gelombang dari cahaya itu
sendiri. Oleh sebab itu dikembangkan teknik lithographyyang lain menggunakan sinar-X dan
berkas elektron. Dengan menggunakan kedua teknik ini tidak terlalu ekonomis untuk digunakan

pada proses produksi IC secara massal. Dari uraian di atas, terlihat masih adanya beberapa
masalahyang akan timbul dalam proses fabrikasi IC di masa yang akan datang.

b. Teknologi berbasis silikon

Seperti diketahui, ditinjau dari struktur elektronikanya, material semikonduktor dapat
dibedakan atas dua jenis yaitu yang memiliki celah pita energi langsung (direct bandgap) dan celah
pita energi tidak langsung (indirect bandgap). Silikon adalah material dengan celah energi yang
tidak langsung, di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari pita valensi
tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama. Ini berarti agar terjadi eksitasi dan
rekombinasi dari membawa muatan diperlukan perubahan yang besar pada nilai momentumnya.
Dengan kata lain, silikon sulit memancarkan cahaya. Sifat ini menyebabkan silikon tidak layak
digunakan sebagai piranti fotonik/optoelektronik, sehingga tertutup kemungkinan misalnya
membuat IC yang di dalamnya terkandung detektor optoelektronik atau suatu sumber pemamcar
cahaya dengan hanya menggunakan material silikon saja. Beberapa usaha telah dilakukan untuk
mengatasi hal ini antara lain dengan mengembangkan apa yang dikenal sebagai bandgap
engineering. Salah satu contohnya adalah menumbuhkan struktur material SiGe/Si straitned layer
superlattice. Parameter mekanik strain yang timbul karena perbedaan konstanta kisi kristal antara
lapisan SiGe dan Si tersebut akan mempengaruhi struktur elektronik dari material di atas sehingga
muncul efek brillioun-zone folding yang mengubah struktur pitanya menyerupai material dengan
celah energi langsung (direct bandgap). Kombinasi dari kedua material tersebut memungkinkan
terjadinya pemancaran dan penyerapan cahaya. Cara lain yang juga popular untuk memperbaiki
sifat optik dari silikon adalah apa yang dinamakan material silikon porous. Dengan pelarutan
secara elektrokimia, pada lempeng silikon dapat berbentuk lubang-lubang yang berukuran puluhan
angstrom. Dengan bantuan sinar laser, akan dapat dilihat dengan mata telanjang pemancaran
cahaya dari material silikon tersebut. Fenomena ini dapat dijelaskan dengan menggunakan model
two-dimensional quantum confinement. Kelemahan dari teknik ini adalah sifat reproducibility-nya

yang rendah. Kemajuan-kemajuan di atas membuka era baru bagi material silikon dan panduannya
untuk diaplikasikan pada divais optoelektronika.

c. Teknologi GaAs
Salah satu hambatan dari teknologi silikon adalah sifat listrik yang berhubungan dengan
rendahnya mobilitas pembawa muatan dari material silikon ini. Mobilitas adalah parameter yang
menyatakan laju dari pembawa muatan dalam semikonduktor bila diberi medan listrik. Untuk
membuat piranti berkecepatan tinggi, galium arsenide (GaAs) dan material-material panduannya
telah dipertimbangkan sebagai material pengganti silikon. Selain untuk divais elektron, material ini
juga digunakan divais fotonik/laser dan divais gelombang mikro (microwave device). GaAs adalah
material semikonduktor dari golongan III-V yang memiliki mobilitas elektron sekitar enam kali
lebih tinggi dari silikon pada suhu ruang. Material ini bertipe celah energi langsung. Dengan
memanfaatkan kelebihan ini, telah berhasil dibuat transistor yang disebut high electron mobility
transistor (HEMT), menyusul transistor yang lebih dahulu popular untuk teknologi GaAs yaitu
metal semiconductor field effect transistors (MESFET). Struktur dari HEMT mirip dengan
MOSFET, tapi dengan menggunakan teknik modulasi doping, di mana elektron dapat dipisahkan
dari ion pengotornya dan bergerak dalam sumur potensial dua dimensi (2DEG) dengan kecepatan
tinggi. Pengembangan IC dengan berbasis material GaAs saat ini juga sedang ramai diteliti.
Beberapa tahun yang lalu telah berhasil dibuat 64 kb static random access memory (SRAM) yang
berkecepatan tinggi sebesar 2ns dengan menggunakan teknologi HEMT berukuran 0,6 mikron.
Transistor berkecepatan tinggi lainnya yang sedang dikembangkan adalah heterojunction bipolar
transistor (HBT). Struktur dari transistor ini adalah sambungan npn di mana emiter menggunakan
material dengan celah energi yang lebih besar dibandingkan dengan base dan kolektor. Pada
kondisi ini, diharapkan resistansi dari base dan kapasitansi dari sambungan base-emitter akan
dapat direduksi sehingga dapat diperoleh frekuensi maksimum osilasi (fmaks) yang tinggi. Saat ini
sudah dibuat HBT dengan fmaks 200 GHz. Walaupun banyak kemajuan yang sudah dicapai,

banyak orang meragukan kemampuan teknologi GaAs ini untuk dapat bersaing dengan teknologi
silikon dalam orde 0,1 mikron atau yang lebih kecil. Itulah sebabnya, banyak perusahaan
semikonduktor terutama di Amerika Serikat yang tidak menganggap teknologi GaAs ini sebagai
pengganti silikon.

d. Divais kuantum
Dewasa ini, perhatian besar juga diberikan pada struktur semikonduktor berdimensi rendah
(low-dimensional semiconductor) seperti quantum well (2D), quantum wire (1D) dan quantum dot
(0D). Struktur seperti ini adalah pembuka jalan ke era fabrikasi nanoteknologi dan divais kuantum
(quantum device). Telah diketahui bahwa bila elektron dikurung dalam daerah potensial dengan
dimensi yang sama dengan panjang gelombangnya maka akan muncul sifat gelombang elektron
dan berbagai fenomena kuantum akan dapat diamati. Beberapa fenomena kuantum dapat
mengurangi performansi dari divais itu sendiri sedangkan fenomena yang lain dapat memacu
terciptanya divais kuantum yang baru. Beberapa divais kuantum seperti wire-transistor, singleelectron transistor sudah berhasil dibuat dan menunjukkan kecepatan yang tinggi. Permasalahan
yang timbul dari divais yang dibuat berdasarkan struktur semikonduktor dimensi rendah ini adalah
arus drive yang rendah sehingga masih sulit untuk diaplikasikan. Secara umum, permasalahan
yang dihadapi divais kuantum ini adalah operasi kerjanya yang masih harus dilakukan pada suhu
rendah (seperti suhu helium cair : 4,2K) agar dapat diamati fenomena kuantum secara jelas. Hal ini
tentunya akan menaikkan ongkos pembuatan sehingga belum menarik untuk diproduksi.

e. Intelligent material
Dari uraian di atas terlihat bahwa meskipun perkembangan divais semikonduktor dewasa
ini sangat cepat, beberapa hambatan sudah mulai terlihat. Pertanyaan yang muncul adalah apakah

usaha-usaha untuk memperbaiki performasi dari divais semikonduktor dapat terus dilakukan
dengan pola yang ada sekarang ini atau harus dicari pola yang lain. Pola yang ada sekarang adalah
bahwa dalam teknologi IC, transistor sebagai divais aktif dasar hanya mempunyai satu fungsi saja
dan kemudian diubah menjadi berfungsi banyak dengan bantuan disain sirkuit dan software.
Dengan berkembangnya permintaan untuk menciptakan suatu rangkaian terpadu yang makin
kompleks, beban yang ditanggung oleh disain software akan makin berat sehingga kemungkinan
besar sulit untuk direalisasikan. Untuk itu, dari pihak hardware, haruslah dilakukan usaha untuk
dapat membantu meringankan beban tersebut. Salah satu usul adalah menciptakan divais yang
multifungsi sehingga divais menjadi lebih adaptif. Divais seperti ini dapat direalisasikan dengan
menggunakan apa yang disebut sebagai intelligent material. IC yang terbuat dari divais yang
adaptif seperti ini akan menjadi bermultifungsi tanpa harus membebani disain software yang
makin kompleks.

APLIKASI PENERAPAN SEMIKONDUKTOR

1. Resistor.

Gambar Kunstruksi Resistor

Pada dasarnya semikonduktor sendri memilki sifat menghambat seperti halnya dengan
resistor karbon. Hal ini karena bahan yang di gunakan pada resistor itu sama yaitu merupakan
unsure yang terletak pada golongan 4, resistor yang digunakan biansanya adalah karbon,
sedangkan semi konduktor ini memakai bahan dari Silikon. Tapi perbedaanya yaitu pada
pengaplikasinnya, resistor carbon dapat di gunakan dalam bentuk yang besar sedangkan semi
konduktor hanya berpengaruk kecil, karena ukuran dari semikonduktor itu sendiri.

2. Dioda dan transistor.

Dioda atau transisitor merupakan gabungan dari dua atau lebih jenis semikonduktor
ekstrinsik yaitu tipe-p dan tipe-n. Kedua jenis semikonduktor ini digabung dengan menggunakan
bahan khusus yang dapat melekatkan dan dapat dialiri oleh electron. Ada dua bahan elektronik
yang biasa dipakai yaitu dioda dan transisitor. Transisitor bipolar ini dibagi lagi menjadi dua jenis
yaitu P-N-P dan N-P-N. intuk penjelasannya akan di bahas lebih lanjut di bawah ini :

Dioda ini di buat dengan menyambungkan dua semi konduktor yang berbeda jenis. Jika
dioda ini diberi tegangan maju (forward bias) maka pada kutup positif akan memiliki teganagn
yang lebih besar dari pada kutub negatifnya, sehingga elektron pada kutub negatif yang berasal

dari kelebihan elektron pendonor akan berjalan mengisi hole pada kutup negatif. Sehingga arus
listrik dapat berjalan.

Jika teganan yang diberikan berupa tegangan balik (reversebias) maka dapat dipahami
tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P, karena tegangan potensial
di sisi N lebih tinggi. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja, sehingga dipakai
untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). Dioda, Zener, LED, Varactor dan Varistor adalah
beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus.

c. Transistor bipolar.
Pada transistor ini menggunakan 3 semikonduktor yang ditata selang-seling sehingga
penamaanya sesuai penataan bahan semikonduktor. Pada dasarnya Transistor merupakan dioda
dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN.
Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di
tengah, di antara emitor dan kolektor.
Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari
perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2
dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan
transistor bipolar.

Transistor NPN dan PNP

Akan dijelaskan kemudian, transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar
(switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah inovasi yang
menggantikan transistor tabung (vacuum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih
kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. Dalam
beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk
mendapatkan kualitas suara yang baik, namun konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat
melepaskan elektron, teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.

Prinsip Kerja Transistor.

Transistor ini bekerja mirip dengan dioda. Transistor akan bekerja jika pada kutup positif
memilki tegangan yang lebig besar dari pada kutub negative tetapi karena kolektor ini lebih positif,
aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya
akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian
elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus
lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat
menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga
dapat diterjang oleh elektron. Untuk memahami lihat skema prinsip kerja transisitor berikut :

Keterangan : a) Arus yang terjadi pada Transistor jenis NPN, dan b) Arus yang terjadi pada
transistor jenis PNP.
Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi aliran
elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan keran base diberi bias maju (forward
bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base
yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari
emitter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor, karena arus base yang
kecil menghasilkan arus emitter-collector yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi
salah kaprah, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan,
melainkan arus yang lebihkecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan
bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emitter-collector (switch on/off).

3. Sel Surya (solar cell).

Sel surya, solar cell, photovoltaic, atau fotovoltaik sejak tahun 1970-an telah telah
mengubah cara pandang kita tentang energi dan memberi jalan baru bagi manusia untuk
memperoleh energi listrik tanpa perlu membakar bahan baker fosil sebagaimana pada minyak
bumi, gas alam atau batu bara, tidak pula dengan menempuh jalan reaksi fisi nuklir. Sel surya
mampu beroperasi dengan baik di hampir seluruh belahan bumi yang tersinari matahari, sejak dari
Maroko hingga Merauke, dari Moskow hingga Johanesburg, dan dari pegunungan hingga
permukaan laut.
Sel surya dapat digunakan tanpa polusi, baik polusi udara maupun suara, dan di segala
cuaca. Sel surya juga telah lama dipakai untuk memberi tenaga bagi semua satelit yang mengorbit
bumi nyaris selama 30 tahun. Sel surya tidak memiliki bagian yang bergerak, namun mudah
dipindahkan sesuai dengan kebutuhan.
Semua keunggulan sel surya di atas disebabkan oleh karakteristik khas sel surya yang
mengubah cahaya matahari menjadi listrik secara langsung. Artikel ini sengaja ditulis guna
menanggapi banyaknya pertanyaan mengenai bagaimana mekanisme atau prinsip kerja sel surya.
Sengaja di sini hanya melibatkan penjelasan kualitatif.

Proses konversi

Proses pengubahan atau konversi cahaya matahari menjadi listrik ini dimungkinkan karena
bahan material yang menyusun sel surya berupa semikonduktor. Lebih tepatnya tersusun atas dua
jenis semikonduktor; yakni jenis n dan jenis p. Semikonduktor jenis n merupakan semikonduktor
yang memiliki kelebihan elektron, sehingga kelebihan muatan negatif, (n = negatif). Sedangkan
semikonduktor jenis p memiliki kelebihan hole, sehingga disebut dengan p ( p = positif) karena
kelebihan muatan positif. Caranya, dengan menambahkan unsur lain ke dalam semikonduktor,
maka kita dapat mengontrol jenis semikonduktor tersebut, sebagaimana
diilustrasikan pada gambar di bawah ini.
Pada awalnya, pembuatan dua jenis semikonduktor ini dimaksudkan untuk meningkatkan
tingkat konduktifitas atau tingkat kemampuan daya hantar listrik dan panas semikonduktor alami.
Di dalam semikonduktor alami (disebut dengan semikonduktor intrinsik) ini, elektron maupun
hole memiliki jumlah yang sama. Kelebihan elektron atau hole dapat meningkatkan daya hantar
listrik maupun panas dari sebuah semikoduktor.
Dua jenis semikonduktor n dan p ini jika disatukan akan membentuk sambungan p-n atau dioda pn (istilah lain menyebutnya dengan sambungan metalurgi /metallurgical junction) yang dapat
digambarkan sebagai berikut.
1. Semikonduktor jenis p dan n sebelum disambung.

2. Sesaat setelah dua jenis semikonduktor ini disambung, terjadi perpindahan elektronelektron dari semikonduktor n menuju semikonduktor p, dan perpindahan hole dari

semikonduktor p menuju semikonduktor n. Perpindahan elektron maupun hole ini hanya

sampai pada jarak tertentu dari batas sambungan awal.

3. Elektron dari semikonduktor n bersatu dengan hole pada semikonduktor p yang mengakibatkan
jumlah hole pada semikonduktor p akan berkurang. Daerah ini akhirnya berubah menjadi lebih
bermuatan positif. Pada saat yang sama. hole dari semikonduktor p bersatu dengan elektron yang
ada pada semikonduktor n yang mengakibatkan jumlah elektron di daerah ini berkurang. Daerah
ini akhirnya lebih bermuatan positif.

4. Daerah negatif dan positif ini disebut dengan daerah deplesi (depletion region) ditandai dengan
huruf W.
5. Baik elektron maupun hole yang ada pada daerah deplesi disebut dengan pembawa muatan
minoritas (minority charge carriers) karena keberadaannya di jenis semikonduktor yang berbeda.
6. Dikarenakan adanya perbedaan muatan positif dan negatif di daerah deplesi, maka timbul
dengan sendirinya medan listrik internal E dari sisi positif ke sisi negatif, yang mencoba menarik
kembali hole ke semikonduktor p dan elektron ke semikonduktor n. Medan listrik ini cenderung
berlawanan dengan perpindahan hole maupun elektron pada awal terjadinya daerah deplesi (nomor
1 di atas).

7. Adanya medan listrik mengakibatkan sambungan pn berada pada titik setimbang, yakni saat di
mana jumlah hole yang berpindah dari semikonduktor p ke n dikompensasi dengan jumlah hole
yang tertarik kembali kearah semikonduktor p akibat medan listrik E. Begitu pula dengan jumlah
elektron yang berpindah dari smikonduktor n ke p, dikompensasi dengan mengalirnya kembali
elektron ke semikonduktor n akibat tarikan medan listrik E. Dengan kata lain, medan listrik E
mencegah seluruh elektron dan hole berpindah dari semikonduktor yang satu ke
semiikonduktor yang lain.
Pada sambungan p-n inilah proses konversi cahaya matahari menjadi listrik terjadi. Untuk
keperluan sel surya, semikonduktor n berada pada lapisan atas sambungan p yang menghadap
kearah datangnya cahaya matahari, dan dibuat jauh lebih tipis dari semikonduktor p, sehingga
cahaya matahari yang jatuh ke permukaan sel surya dapat terus terserap dan masuk ke daerah
deplesi dan semikonduktor p.

Ketika sambungan semikonduktor ini terkena cahaya matahari, maka electron mendapat
energi dari cahaya matahari untuk melepaskan dirinya dari semikonduktor n, daerah deplesi
maupun semikonduktor. Terlepasnya elektron ini meninggalkan hole pada daerah yang
ditinggalkan oleh elektron yang disebut dengan fotogenerasi elektron-hole (electron-hole
photogeneration) yakni, terbentuknya pasangan elektron dan hole akibat cahaya matahari.

Cahaya matahari dengan panjang gelombang (dilambangkan dengan symbol lambda

sbgn di gambar atas ) yang berbeda, membuat fotogenerasi pada sambungan pn berada pada
bagian sambungan pn yang berbeda pula.
Spektrum merah dari cahaya matahari yang memiliki panjang gelombang lebih panjang,
mampu menembus daerah deplesi hingga terserap di semikonduktor p yang akhirnya
menghasilkan proses fotogenerasi di sana. Spektrum biru dengan panjang gelombang yang jauh
lebih pendek hanya terserap di daerah semikonduktor n. Selanjutnya, dikarenakan pada sambungan
pn terdapat medan listrik E, elektron hasil fotogenerasi tertarik ke arah semikonduktor n, begitu
pula dengan hole yang tertarik ke arah semikonduktor p.
Apabila rangkaian kabel dihubungkan ke dua bagian semikonduktor, maka elektron akan
mengalir melalui kabel. Jika sebuah lampu kecil dihubungkan ke kabel, lampu tersebut menyala
dikarenakan mendapat arus listrik, dimana arus listrik ini timbul akibat pergerakan elektron.

Pada umumnya, untuk memperkenalkan cara kerja sel surya secara umum, ilustrasi di
bawah ini menjelaskan segalanya tentang proses konversi cahaya matahari menjadi energi listrik.

4. IC (Intergrated Circuit).

Jack Kilby, seorang inIsinyur di Texas Instrument,mengembangkan sirkuit terintegrasi (IC :

integrated circuit) di tahun 1958. IC mengkombinasikan tiga komponen elektronik dalam sebuah
piringan silikon kecil yang terbuat dari pasir kuarsa. Para ilmuwan kemudian berhasil
memasukkan lebih banyak komponen-komponen ke dalam suatu chip tunggal yang disebut
semikonduktor. Integrated Circuit (IC) merupakan komponen semikonduktor yang di dalamnya
dapat memuat puluhan, ratusan atau ribuan atau bahkan lebih komponen dasar elektronik yang
terdiri dari sejumlah komponen resistor, transistor, dioda dan komponen semikonduktor yang lain.

Komponen-komponen yang ada di dalam IC membentuk suatu subsistem terintegrasi

(rangkaian terpadu) yang bekerja untuk suatu keperluan tertentu, namun tidak tertutup

kemungkinan dipergunakan untuk tujuan yang lain. Setiap jenis IC didesain untuk keperluan
khusus sehingga setiap IC akan memiliki rangkaian internal yang beragam. Untuk mengetahui
rangkaian internal, lingkungan kerja dan tegangan voltase operasi IC maka perlu dibaca datasheet
yang diterbitkan oleh masing-masing produsennya (Philips, ST, Motorola, Sharp, Beckman, Cirrus
Logic, Texas Instrument, dll) baik dalam bentuk media cetak seperti buku ataupun elektronik (EBook PDF). Datasheet sangat diperlukan apabila kita akan mendesain sebuah rangkaian elektronik.
Integrated Circuit diproduksi dengan berbagai kemasan dengan jumlah pin (kaki) yang
bervariasi sesuai dengan fungsinya. Beberapa contoh kemasan IC yaitu DIP, CERDIP, DIL (dual in
line) yang umum digunakan adalah DIP/DIl. Kemasan IC terbuat dari bahan epoxy atau silikon
dan dari bentuk ini muncul pin-pin atau kaki-kaki dengan jarak kaki yang satu dengan yang
lainnya teatur rapi. Sebuah IC mempunyai urutan kaki nomor 1 sampai dengan sejumlah kaki yang
ada. Urutan kaki IC tidak dicantumkan pada badan IC akan tetapi yang pasti bahwa kaki nomor 1
berdekatan dengan kaki nomor 2, kaki nomor 2 berdekatan dengan kaki nomor 3 dan seterusnya.

IC dibedakan jenisnya menurut bentuk fisik dan fungsinya.

IC Power Amplifier
Mempunyai bentuk pipih dan fisiknya lebih besar dari yang lain. Digunakan pada
rangkaian penguat suara (audio amplifier). Daya output IC ini cukup besar, berkisar antara
15 watt sampai 100 Watt atau bahkan lebih. Contoh tipe IC-nya adalah STK015, STK 070,

STK 105, LA 4440 dan sebagainya.

IC Power Adaptor (Regulator)
Digunakan sebagai komponen utama pada rangkaian power adaptor pada sub rangkaian
regulator yang berfungsi sebagai penstabil tegangan atau voltase. Contoh tipe IC-nya
adalah LM 317H, 78xx (xx = 05, 06, 07, 08, 09, 12), L200, S 042 P, LM 723 dan

sebagainya.
IC Op Amp

Digunakan pada rangkaian digital yang berfungsi sebagai op amp atau untuk keperluan
lain. Misalnya op amp audio amplifier, op amp mic, op amp head tape recorder, termometer
digital dan lain-lain. Contoh tipe IC-nya adalah LM 709, LM 741, LM 386, TL 074, TL

083, TL 084 dan sebagainya.

IC Silinder
IC ini mempunyai bentuk silinder dan banyak digunakan pada rangkaian penguat pesawat
CB(Citizen Band) atau HT (Held Transceived). IC jenis ini mempunyai tingkat ketahanan
dan keawetan lebih lama dari jenis IC penguat yang lain. Contoh tipe IC-nya adalah L

914, A703, A714 dan sebagainya.

IC Flip-Flap (FF) atau Timer (CLK,Clock)
IC ini banyak digunakan pada rangkaian pembangkit (multivibrator) untuk member umpan
atau sumber detak (oscilator) pada IC digital atau untuk keperluan lain. Misalnya NE 555
(IC terpopuler dikalangan pelajar) untuk alarm multiguna, signal injektor, penguji
hubungan, saklar sentuh, timer lampu FF, frekuensi meter, pengacau frekuensi, otak
rangkaian power amplifier, regulator pada power adaptor (dapat berfungsi seperti IC Power
Amplifier dan Power Adaptor), pengusir serangga, organ elektronik dan lain-lain. Contoh

tipe IC-nya NE 555, NE 556 (dua NE 555), M7555 dan sebagainya.

.IC Digital
Dalam IC digital, suatu titik elektronis yang berupa seutas kabel atau kaki IC, akan
mewujudkan salah satu dari dua keadaan logika, yaitu logika '0' (nol, rendah) atau logika '1'
(satu, tinggi). Suatu titik elektronis mewakili satu 'binary digit' atau biasa disingkat dengan
sebutan 'bit'. Binary berarti sistem bilangan 'dua-an', yakni bilangan yang hanya mengenal
dua angka, 0 dan 1.

5. Microprosesor.

Microprocessor adalah alat pemroses data yang merupakan pengembangan dari teknologi
pembuatan Integrated Circuit (IC), Ada beberapa peristilahan yang dipakai untuk menunjukan
tingkat kepadatan (density) dari suatu chip IC, yaitu Small Scale Integration (SSI-mengemas
beberapa puluh transistor), Medium Scale Integration (MSImengemas sampai beberapa ratus
transistor), dan sekarang yang sedang berkembang adalah Very Large Scale Integration (VLSImengemas puluhan ribu sampai jutaan transistor).
Ultra-Large Scale Integration (ULSI) meningkatkan jumlah tersebut menjadi jutaan.
Kemampuan untuk memasang sedemikian banyak komponen dalam suatu keeping yang
berukurang setengah keping uang logam mendorong turunnya harga dan ukuran komputer. Hal
tersebut juga meningkatkan daya kerja, efisiensi dan keterandalan komputer. Chip Intel 4004 yang
dibuat pada tahun 1971 membawa kemajuan pada IC dengan meletakkan seluruh komponen dari
sebuah komputer (central processing unit, memori, dan kendali input/output) dalam sebuah chip
yang sangat kecil. Sebelumnya, IC dibuat untuk mengerjakan suatu tugas tertentu yang spesifik.
Sekarang, sebuah mikroprosesor dapat diproduksi dan kemudian diprogram untuk memenuhi
seluruh kebutuhan yang diinginkan. Tidak lama kemudian, setiap perangkat rumah tangga seperti
microwave oven, televisi, dn mobil dengan electronic fuel injection dilengkapi dengan
mikroprosesor. Contoh tentang teknologi ULSI, misalnya microprocessor jenis 8086 mengandung
40.000 buah transistor, 80286 terdiri dari 150.000 transistor, 80386 memuat 250.000 transistor,
80486 mempunyai 1,2 juta transistor, 80586 (Pentium) 3 juta buah transistor lebih sedangkan Intel
Core 2 Duo mempunyai 271 juta transistor dan Intel Quad Core 2 Extreme yang terdiri dari empat

inti prosesor. Pengembangan lebih lanjut microprocessor 80 inti. Silahkan hitung sendiri
kandungan transistornya dan itu akan berkembang secara terus menerus.