BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang
Integrated Circuit atau disingkat dengan IC adalah Komponen Elektronika aktif yang
terdiri dari gabungan ratusan, ribuan bahkan jutaan Transistor, Dioda, Resistor dan Kapasitor
yang diintegrasikan menjadi suatu Rangkaian Elektronika dalam sebuah kemasan kecil. Sebelum
ditemukannya IC, peralatan Elektronik saat itu umumnya memakai Tabung Vakum sebagai
komponen utama yang kemudian digantikan oleh Transistor yang memiliki ukuran yang lebih
kecil. Tetapi untuk merangkai sebuah rangkaian Elektronika yang rumit dan kompleks,
memerlukan komponen Transistor dalam jumlah yang banyak sehingga ukuran perangkat
Elektronika yang dihasilkannya pun berukuran besar dan kurang cocok untuk dapat dibawa
berpergian (portable).
Bahan utama yang membentuk sebuah Integrated Circuit (IC) adalah Bahan
Semikonduktor. Silicon merupakan bahan semikonduktor yang paling sering digunakan dalam
Teknologi Fabrikasi Integrated Circuit (IC). Dalam bahasa Indonesia, Integrated Circuit atau IC
ini sering diterjemahkan menjadi Sirkuit Terpadu.
Tanpa adanya Teknologi IC (Integrated Circuit) mungkin saat ini kita tidak dapat
menikmati peralatan Elektronika Portable seperti Handphone, Laptop, MP3 Player, Tablet PC,
Konsol Game Portable, Kamera Digital dan peralatan Elektronika yang bentuknya kecil dan
dapat dibawa bepergian kemana-mana. Mengenai IC yang sangat bermanfaat dan penting bagi
kehidupan manusia, maka penulis mencoba menyajikan makalah dengan judul Intregated
Circuit .

B. Rumusan Masalah
1. Apa pengertian Integrated Circuit ?
2. Jelaskan evolusi Integrated Circuit
3. Apa saja komponen yang ada didalam Integrated Circuit ?
4. Apa simbol Integrated Circuit?
5. Terbuat dari apa Kemasan pembungkus Integrated Circuit?
6. Ada berapa teknologi Interated Circuit?

1
 7. Apa saja jenis jenis Integrated Circuit?
8. Bagaimana proses fabrikasi Integrated Circuit?
9. Apa saja contoh sirukuit pemakai Integrated Circuit?
10. Apa saja Keuntungan dan Kerugian dari Sirkuit Terpadu?

C. Tujuan dan Manfaat

1. Mengetahui pengertian Integrated Circuit
2. Mengetahui evolusi Integrated Circuit
3. Mengetahui komponen yang ada didalam Integrated Circuit
4. Mengetahui simbol Integrated Circuit?
5. Mengetahui Kemasan pembungkus Integrated Circuit
6. Mengetahui teknologi Interated Circuit
7. Mengetahui jenis jenis Integrated Circuit
8. Mengetahui proses fabrikasi Integrated Circuit
9. Mengetahui contoh sirukuit pemakai Integrated Circuit
10. Mengetahui Keuntungan dan Kerugian dari Sirkuit Terpadu

2
 BAB II
LANDASAN TEORI

Evolusi teknologi elektronika diawali dari keinginan manusia untuk melakukan

otomatisasi pekerjaannya baik di kantor maupun di rumah. Pada awalnya semua pekerjaan itu
dilakukan secara manual dengan bantuan hewan atau alat-alat lainnya. Revolusi industri dunia
yang dipelopori oleh negara Inggris telah mengubah wajah industri dari tenaga kasar ke tenaga
mesin. Secara perlahan tetapi pasti tenaga mesin konvensional mulai ditinggalkan dengan
ditemukannya komponen-komponen elektronika yang digunakan untuk membuat mesin yang
lebih baik. Salah satu penemuan besar manusia adalah peralatan elektronika pintar yang
dinamakan dengan komputer. Komputer generasi pertama menggunakan komponen elektronika
dalam bentuk tabung sehingga bentuknya sangat besar, memakan tempat dan tidak portable.
Perkembangan teknologi elektronika yang sangat pesat seiring dengan kebutuhan manusia akan
peralatan yang kompak dan dapat dibawa ke mana-mana memunculkan ide untuk memperkecil
ukuran komponenkomponen elektronika tersebut. Ide ini akhirnya dapat direalisasikan setelah
ditemukannya teknologi yang memungkinkan mereka mengimplementasikan hal ini yakni
teknologi Integrated Circuit.
Teknologi Integrated Circuit (IC) atau Sirkuit Terpadu ini pertama kali diperkenalkan
pada tahun 1958 oleh Jack Kilby yang bekerja untuk Texas Instrument, setengah tahun kemudian
Robert Noyce berhasil melakukan fabrikasi IC dengan sistem interkoneksi pada sebuah Chip
Silikon. Integrated Circuit (IC) merupakan salah satu perkembangan Teknologi yang paling
signifikan pada abad ke 20.
Sebelum ditemukannya IC, peralatan Elektronik saat itu umumnya memakai Tabung
Vakum sebagai komponen utama yang kemudian digantikan oleh Transistor yang memiliki
ukuran yang lebih kecil. Tetapi untuk merangkai sebuah rangkaian Elektronika yang rumit dan
kompleks, memerlukan komponen Transistor dalam jumlah yang banyak sehingga ukuran
perangkat Elektronika yang dihasilkannya pun berukuran besar dan kurang cocok untuk dapat
dibawa berpergian (portable).
Teknologi IC (Integrated Circuit) memungkinkan seorang perancang Rangkaian
Elektronika untuk membuat sebuah peralatan Elektronika yang lebih kecil, lebih ringan dengan
harga yang lebih terjangkau. Konsumsi daya listrik sebuah IC juga lebih rendah dibanding

3
dengan Transistor. Oleh karena itu, IC (Integrated Circuit) telah menjadi komponen Utama pada
hampir semua peralatan Elektronika yang kita gunakan saat ini.
Tanpa adanya Teknologi IC (Integrated Circuit) mungkin saat ini kita tidak dapat
menikmati peralatan Elektronika Portable.

4
 BAB II
PEMBAHASAN

1. Pengertian integrated circuit

Kita dapat mendifinisikan rangkaian terintegrasi (integrated circuit - IC) sebagai komponen atau elemen
mandiri di atas permukaan yang kontinu membentuk rangkaian yang terpadu. Komponen atau elemen
tersebut dapat berupa diode, transistor, resistor,kapasitor dan lain-lainya terdifinisi di atas wafer silikon
atau bahan semikonduktor yang lain. Setelah melalui proses pabrikasi yang kompleks akhirnya IC
digunakan dalam rangkaian dalam bentuk yang terbungkus rapi dan mudah untuk digunakan seperti :

Proses pembuatan IC diawali dari merancang rangkaian elektronika sesuai dengan fungsi yang
diharapkan. Rancangan ini kemudian dituangkan ke bentuk IC melalui proses yang cukup panjang dan
hati-hati. Wadah yang digunakan untuk mengimplementasikan rangkaian elektronika ini dinamakan
dengan wafer. Pengerjaan IC ini harus dilakukan dalam ruangan dengan suhu di bawah 18 C dengan
konsentrasi debu satu pro mil atau 1/1000 dan pekerjanya harus menggunakan pakaian khusus seperti
dokter bedah. Aturan ini diberlakukan untuk mencegah debu yang menempel di baju, di tangan atau yang
melayang di udara menempel pada rancangan rangkaian elektronika di wafer. Pada kadar tertentu, debu
yang menempel dapat mempengaruhi karakteristik IC yang dibuat dan dapat menggagalkan produksi.
Kegiatan pembuatan IC seperti di atas tidak sulit untuk rangkaian-rangkaian sederhana dengan jumlah
komponen yang minim. Namun pada saat rangkaian yang akan diimplementasikan sangat kompleks
dengan komponen yang ribuan jumlahnya diperlukan cara lain agarperancangannya lebih cepat dan
meminimisasi kemungkinan kesalahan yang dapat berakibat fatal.

5
 Dengan tujuan agar IC yang dibuat memenuhi persyaratan yang diberikan, dirancanglah suatu
perangkat lunak (software) untuk tugas-tugas peracangan IC yang dinamakan dengan Very High Speed
Integrated Circuit Hardware Description Language (VHSIC HDL) yang lebih dikenal dengan VHDL.

Sekilas VHDL

VHDL adalah software yang digunakan untuk menerangkan tingkah laku dan struktur rancangan
perangkat keras (hardware) sistem digital elektronika baik rangkaian digital konvensional maupun
Applied Specific Integrated Circuit (ASIC) dan Field Programmable Gate Array (FPGA). Pada dasarnya
VHDL dirancang untuk mengisi sejumlah kebutuhan dalam proses perancangan sistem digital
elektronika. Pertama, ia mengijinkan penjelasan struktur suatu rancangan yakni bagaimana rancangan itu
didekomposisi ke dalam sub-sub rancangan dan bagaimana sub-sub rancangan tersebut berhubungan.
Kedua, ia mengijinkan penspesifikasian fungsi suatu rancangan menggunakan bentuk-bentuk bahasa
pemrograman yang sudah dikenal. Ketiga, sebagai hasil akhir, ia mengijinkan suatu rancangan
disimulasikan sebelum diproduksi sehingga para perancangnya dapat dengan cepat membandingkan
alternatif-alternatif dan menguji ketepatan fungsinya tanpa penundaan dan penambahan biaya untuk
mem-prototype hardware lagi. Simulasi dan sintesa adalah dua perangkat (tool) utama VHDL. Fasilitas
simulasi digunakan untuk mensimulasikan program rangkaian untuk menguji ketepatan fungsinya.
Fasilitas sintesa digunakan untuk menguji kelayakan rangkaian untuk diimplementasikan ke bentuk
hardware-nya karena dalam beberapa kasus rangkaian yang berhasil disimulasikan dengan sempurna
tidak menjamin lulus dari pengujian sintesa. Bila ini yang terjadi harus ada modifikasi pada program
rangkaian dan siklus perancangan dimulai lagi dari awal. Penulis pernah mengalami masalah yang sama
ketika mensimulasikan rangkaian digital fungsi XOR. Ternyata tidak mudah karena harus mempunyai
programming sense yang tinggi agar rangkaian yang dirancang dengan pengkodean (coding) tersebut
dapat melewati fase sintesa dengan mulus untuk kemudian diproduksi dalam jumlah besar.

2. Evolusi Integrated Circuit

1900-an: Tabung Vakum.

1905 Tabung vakum dioda elektronik pertama dikembangkan (Fisikawan Inggris J. Ambrose Fleming)
Mengizinkan perubahan arus AC arus DC.
1906 Tabung vakum trioda elektronik pertama dikembangkan (insiyur Amerika Lee DeForest)
Mengizinkan sinyal dapat terkontrol dan dikuatkan
Teknologi elektronik lahir.

6
Akhir 1960-an: Medium Scale Integration (MSI), 30-300 gates per chip.
1968 MOS memory circuits diperkenalkan.

1970-an: Large Scale Integration (LSI), 300-3000 gates per chip.

1970 8-bit MOS calculator chips diperkenalkan (7 micrometer chip geometries).
1971 16-bit Microprocessors diperkenalkan.1980's: Very Large Scale Integration (VLSI), > 3000 gates
per chip.
1981 Very High Speed Integration (VHSIC), tens's of thousands of gates per chip (1.5 micrometer chip
geometries).
1984 0.5 micrometer chip geometries.

Akhir 1940-an: Transistor.

1947 Transistor bipolar (dwikutub) point-contact ditemukan (Tim Lab Bell Bardeen, Shockley, and
Brattain Nobelprize in physics)
1951 Junction field-effect transistor (JFET) ditemukan
1952 Fabrikasi single-crystal silicon.
1954 Pengembangan Oxide masking process

Akhir 1950-an: Penemuan-2 Kunci IC

1958 IC silikon pertama dikembangkan (Texas Instrument's Jack Kirby).
1959 Planar process u/ mendistribusi transistor pda Siilikon, dengan lapisan oksida pasif u/ memproteksi
persambungan (junctions), dikembangkan (Fairchild Semiconductor's Noyce and Moore.
A modern version of this process is used today.

1960's: Small Scale Integration (SSI), termuat 3-30 gates per chip.
1960 Transistor Metal-Oxide-Silicon (MOS) transistor ditemukan.
1962 Logik Transistor-transistor (TTL) dikembangkan
1963 Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS) ditemukan.

7
3. Komponen didalam Integrated Circuit

Piranti elektronika merupakan rangkaian elemen aktif seperti transistor dikombinasikan dengan
komponen lain seperti resistor, kapasitor dan induktor. Secara praktis masing-masing komponen dapat
diproduksi secara terpisah (diskrit) kemudian dirangkaikan dengan menghubungkannya dengan kawat
logam. Konsep dasar ini tetap digunakan dalam sistem elektronika-mikro seperti telah direalisasi dalam
bentuk IC. Perbedaannya adalah bahwa semua komponen dan interkoneksi antar komponen dibuat dalan
satu permukaan substrat. Termasuk elemen pasif dalam elektronika adalah resistor, kapasitor dan
induktor. Masing-masing komponen memiliki kemampuan sesuai dengan fungsinya yang masing-masing
diukur sebagai resintansi, kapasitansi dan induktansi.

Resistansi :

Menunjukkan besarnya energi yang terdesipasi oleh elektron saat mereka bergerak melalui
struktur atom konduktor. Dalam bentuk diskrit resistor terbuat dari karbon atau bahan lain yang
bukan penghantar yang baik. Dalam elektronik-mikro resistor merupakan lapisan tipis suatu tipe
semikonduktor dikelilingi oleh semikonduktor tipe lain.

Kapasitansi :

Merupakan ukuran energi yang tersimpan dalam medan listrik yang mengelilingi muatan
konduktor. Kapasitor diskrit terbuat dari dua keping konduktor yang dipisahkan oleh bahan
isolator. Pada elektronika-mikro kapasitor dibuat pada permukaan kristal semikonduktor dilapisi
isolator tipis kemudian di atasnya dibuat lapisan logam.

Induktansi :

Merupakan ukuran energi yang disimpan dalam medan magnet yang dikontrol oleh arus listrik.
Induktor diskrit dibuat dari kumparan kawat dan di dalamnya kadang-kadang diisi dengan bahan
feromagnetik. Belum ada induktor yang baik pada elektronika-mikro.

Skema komponen pasif diskrit dan pada elektronika-mikro disertai dengan simbul dan isyarat arus
sebagai respon dari tegangan yang diberikan diperlihatkan pada gambar 10.5.

8
 Gambar 10.5 Skema komponen pasif (resistor, kapasitor dan induktor) diskrit dan pada elektronika- mikro
disertai dengan simbul dan isyarat arus sebagai respon dari tegangan (Freeman, 1997).

Resistor

Seperti telah diuraikan di atas, untuk membuat resistor dalam sistem elektronikamikro, pada
prakteknya kita dapat membuat jendela pada lapisan silikon dioksida yang ditumbuhkan pada
substrat silikon dan kemudian impuritas dengan tipe konduktivitas yang berbeda dengan wafer
ditanamkan dengan proses difusi. Pada gambar 10.6 diperlihatkan bentuk skema resistor

9
elektronika-mikro tampak atas dan tampak melintang dengan bentuk berkelok dan bentuk
batang.

Gambar 10.6 Resistor pada rangkaian terintegrasi, pandangan atas dan pandangan penampang melintang (Sze,
1981).

Kapasitor

Pada dasarnya terdapat dua tipe kapasitor yang digunakan dalam IC, yaitu jenis MOS (metal-oxide-
semiconductor) dan sambungan p-n. Kapasitor MOS dapat dipabrikasi dengan membuat daerah berdoping
tinggi pada semikonduktor sebagai suatu pelat, di atasnya ditambahkan lapisan oksida sebagai dielektrik
dan kemudian lapisan logam dibuat di atasnya sebagai pelat kedua (lihat gambar 10.7-a).

10
 Gambar 10.7 Kapasitor dalam elektronika-mikro: a) MOS dan b) Sambungan p-n (Sze, 1981).

Proses pembuatan kapasitor MOS, lapisan oksida cukup tebal ditumbuhkan secara termal pada
substrat silikon. Kemudian dengan litografi di buat jendela sehingga oksida tergerus (etched).
Pada daerah jendela kemudian dibuat tipe-p+ dengan proses difusi atau inplantasi, sementara
oksida tebal di sekelilingnya berfungsi sebagai masker. Lapisan oksida tipis kemudian
ditumbuhkan secara termal pada daerah jendela kemudian diikuti dengan pembuatan lapisan
logam di atasnya.

Transistor

Pada elektronika-mikro, transistor dibuat di atas kristal silikon tunggal melalui serangkaian
langkah pabrikasi. Pada gambar 10.8 diperlihatkan skema transistor bipolar npn dan pnp yang
dibuat pada substrat kristal tunggal silikon tipe-p.

11
Gambar 10.8 Skema transistor bipolar npn dan pnp pada wafer kristal silikon (Freeman, 1997)

12
Gambar 10.9 Transistor unipolar jenis n-MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) (Freeman,
1997).

13
 Gambar 10.10 Transistor unipolar jenis p-MOSFET (Freeman, 1997).

Gambar 10.11 Piranti MOSFET komplemen dibuat pada kristal yang sama (Freeman, 1997)

4. Simbol Integrated Circuit

Secara umum, tidak ada simbol standar untuk IC. Seringkali diagram rangkaian hanya
menunjukkan blok dengan nomor terminal. Namun, terkadang simbol standar digunakan untuk
amplifier operasional atau gerbang logika digital. Beberapa simbol yang digunakan dengan IC
ditunjukkan di bawah ini.

Gambar A Gambar B

14
 Gambar A menunjukkan simbol penguat IC r-f yang mengandung 3 transistor, 3 resistor dan 8

terminal. Demikian pula

Gambar B menunjukkan penguat audio IC yang berisi 6 transistor, 2 dioda, 17 resistor dan memiliki 12 terminal.

5. Kemasan Pembungkus Integrated Circuit

Kemasan Untuk melindungi IC dari lingkungan luar dan untuk memberikan perlindungan mekanis,
berbagai bentuk enkapsulasi digunakan untuk sirkuit terpadu. Sama seperti perangkat semi konduktor,
paket IC terdiri dari dua jenis yaitu :

(i) hermatic (logam atau keramik dengan kaca) (ii) non-hermatic (plastik)

Plastik lebih murah dari pada hermatic namun masih dianggap tidak memuaskan dalam suhu dan
kelembaban ekstrem. Meskipun IC muncul di pasar beberapa tahun yang lalu, namun standarisasi paket
dimulai hanya dalam beberapa tahun terakhir. Tiga jenis paket IC yang paling populer ditampilkan

15
Gambar(i) menunjukkan paket TO-5 * yang menyerupai transistor sinyal kecil dalam penampilan dan
ukuran tetapi berbeda karena memiliki 8, 10 atau 12. lead dekat jarak dan kesulitan pemindahan dari
papan sirkuit tercetak telah mengurangi popularitas paket ini dengan pengguna.

Gambar (ii) menunjukkan wadah kemasan datar dengan 14 timbal, tujuh di setiap sisinya.

Gambar (iii) menunjukkan paket dual-in-line (DIL) dalam versi 14-timah. DIL 14-pin adalah

* Ini adalah jenis paket paling awal dan wajar bagi manufaktur semikonduktor yang akan digunakan
diubah transistor kasus.

6. Teknologi Integrated Circuit

Teknologi Bipolar
RTL (Resistor Transistor Logic)
Teknologi mikroelektornika pertama
Menggunakan banyak transistor dan hanya sedikit resistor
TTL (Transistor Transistor Logic)
transistors berjumlah banyak dan terkait laungsung satu sama lain; Sampai
sekarang tetap menjadi teknologi bipolar paling populer
I2L (Integrated-injection logic)
technology mereduksi kerapatan packing dari devais bipolar devices ke suatu
ukuran mendekati ukurana devais MOS _ melalui compressing suatu
rangkaian logika yang terdiri dari dua transistor menjadi suatu satuan tunggal (a
single unit).

ECL (emmitter-coupled logic)

16
 Devais dikembangkan u/ aplikasi-2 yang membutuhkan kecepatan yang sangat tinggi
(extremely high speed).

Mengkonsumi lebih banyak energi/power,

digunakan secara ekslusif pada komputer-komputer Cray

Teknologi MOS

Menawarkan reduksi dalam hal persyaratan ruang yang besar dan konsumsi

Daya atau energi yang tinggi dari devais-2 bipolar.

Rangkaian elektronik MOS pertama devais MOS p-channel (PMOS) karena paling mudah
dibuat.

Teknologi MOS lebih maju, devais MOS n-channel (NMOS) menggantikan devais PMOS
karena teknologinya menawarkan kinerja kecepatan yang lebih tinggi untuk kerapatan,
kompleksitas dan biaya yg sama.

Kebutuhan akan konsumsi daya yang lebih rendah pengembangan devais-2

complementary MOS (CMOS) devices yang lebih besar tapi konsumsi dayanya

lebih efisien

Meskipun keuntungan kerapatan dan efisiensi daya dari teknologi MOS, namun teknologi high-
speed bipolar masih tetap dikembangkan teknologi

biCMOS : kombinasi keuntungan kecepatan dari tek. Bipolar modern dgn

keuntungan ruang dan daya dari tek. MOS. (Oldham, 1991).

7. Jenis Integrated Circuit

Pembagian menurut struktur:

IC monolitik

17
 IC hybrid

Rangkaian terintegrasi termasuk kelompok monolitik jika semua komponen atau elemen
(diode, transistor, resistor, kapasitor dan seterusnya) terbuat dan terdifinisi dalam satu permukaan
keping semikonduktor yang disebut sebagai chip. Pada IC monolitik semua komponen tersebut
dibuat dalam waktu yang bersamaan termasuk interkoneksi antar komponen.

Gambar 10.3 Bentuk tampilan luar IC komersial

A B

Gambar 10.4 Skema rangkaian terintegrasi: a) monolitik dan b) hybrid

18
 Pembagian menurut Fungsi:

IC Digital : DTL (dioda-transistor logic), TTL (transistor-transistor logic), dll

IC Linier (analog) :

Op-amp inverting merupakan rangkaian penguat yang tegangan keluarannya berbanding

terbalik dengan tegangan masuknya.

Op Amp non inverting menghasilkan tegangan keluaran sebanding dengan tegangan

masukan yang diberikan.

IC timer 555 yang berfungsi sebagai rangkaian pewaktu monostable dan aestable. Pada
rangkaian monostable , IC 555 berfungsi sebagai penghasil pulsa diskrit. Pada rangkaian
astable, IC 555 berfungsi sebagai penghasil sinyal kotak (pulsa) dengan frekuensi tertentu
secara terus menerus.

19
 IC Power merupakan jenis IC yang beroperasi pada catu daya . Umumnya , IC power
digunakan pada rangkaian regulator, adaptor dan power supply.

Pembagian menurut tingkat integrasi:

IC SSI : mengandung 3 30 gate

IC MSI : mengandung 30 300 gate

IC LSI : mengandung 300 3000 gate

IC VLSI : mengandung > 3000 gate

8. Proses Fabrikasi IC

Bahan awal untuk fabrikasi sirkuit terpadu (IC) adalah wafer silikon kristal tunggal.

Produk akhir fabrikasi adalah chip berfungsi yang siap untuk pengemasan dan pengujian listrik
sebelum dikirim ke pelanggan. Langkah-langkah perantara disebut sebagai fabrikasi wafer
(termasuk sortir). Fabrikasi Wafer mengacu pada serangkaian proses manufaktur yang digunakan
untuk membuat perangkat semikonduktor dan sirkuit.

20
Beberapa terminologi wafer yang umum digunakan adalah chip, die, device, circuit, dan
Microchip.

21
Wafer Fabrication

a) Cleaning Silikon wafer harus senantiasa bersih (tidak terkontaminasi partikel organik maupun
logam) dalam setiap tahapan proses Wafer Fabrication. Adapun yang paling banyak digunakan
adalah metode RCA Clean.
b) Oxidation Salah satu alasan utama mengapa silikon paling banyak dipilih sebagai bahan
semi-konduktor adalah karena silikon menawarkan berbagai kemudahan, antara lain kemudahan
untuk membentuk lapisan insulator berkualitas tinggi di atas permukaannya melalui proses
oksidasi. Yaitu terjadinya reaksi kimia antara silikon dengan oksigen atau uap air pada
temperatur antara 1000oC - 1200oC sehingga membentuk lapisan film Silicon Dioxide (SiO2)
pada permukaan wafer. SiO2 bersifat stabil pada temperatur tinggi dan merupakan salah satu
bahan insulator terbaik.

22
c).Photolithography Photolithography merupakan proses utama pada Wafer Fabrication,
dimana pola mikroskopik yang telah didesain dipindahkan dari masker ke permukaan wafer
dalam bentuk rangkaian nyata. Diawali dengan memberikan lapisan photoresist (cairan kimia
yang bersifat photosensitive) pada permukaan wafer.

Kemudian pada silikon wafer yang sudah dilapisi photoresist tersebut diletakkan di atasnya
masker/reticle berbentuk lempengan kaca transparan yang telah dipenuhi pola circuit (die) yang
sejenis yang akan dibuat, lalu dipaparkan terhadap sinar UV sehingga lapisan photoresist pada
permukaan wafer yang terekspos langsung sinar UV akan mudah dikelupas dengan bantuan
cairan kimia khusus. Maka pada permukaan wafer akan terlihat pola circuit seperti pola pada
masker/reticle.

23
24
d) Ion ImplantationDalam proses pembuatan IC, tahapan ini merupakan tahapan yang
memerlukan pengontrolan khusus. Ion implantation ialah proses menanamkan atom impuritas
(ion) ke dalam silikon wafer yang tidak tertutup oleh lapisan photoresist dengan bantuan
tegangan listrik (untuk mengatur kedalaman penetrasi ion) dan arus listrik (untuk mengatur
jumlah ion) Atom impuritas itu sendiri berfungsi untuk mengubah sifat kelistrikan dari silikon
wafer.

Teknik ion implantation ini lebih banyak digunakan walaupun sebenarnya ada teknik lain untuk
menanamkan atom impuritas ke dalam silikon wafer yang disebut dengan teknik Difussion, yaitu
teknik untuk menanamkan atom (dopant) pada silikon wafer agar terjadi perubahan sifat
resistivity-nya dengan bantuan temperatur tinggi antara 1000oC - 1200oC. Proses difussion ini
mirip dengan proses merambatnya tinta yang diteteskan pada gelas berisi air bening. Pada saat
silikon wafer dikeluarkan dari temperatur tinggi ke temperatur ruangan, maka atom yang
merambat tersebut akan berhenti merambat (berada di posisinya yang terakhir).

25
e) Etching Di tahun-tahun awal berkembangnya teknologi IC, teknik etching yang dipakai
adalah Wet Etching yaitu dengan menggunakan cairan kimia yang mampu menyebar ke segala
arah dengan sama rata (isotropic) untuk meluruhkan lapisan SiO2 pada permukaan silikon wafer.
Kelemahannya adalah bagian lapisan SiO2 yang berada tepat di bawah lapisan photoresist juga
sebagian ada yang ikut luruh, sehingga akan menjadi masalah tersendiri jika jalur polanya sangat
tipis.

Seiring perkembangan teknologi IC yang kemudian menggunakan material lain seperti Silicon
Nitride (Si3N4) dan Polysilicon dimana pada kedua material ini tidak bisa menggunakan teknik
Wet Etching maka pada saat ini teknik Wet Etching tersebut sudah ditinggalkan. Sebagai
penggantinya dikenalkan teknik Dry Etching yang menggunakan gas (flourine, chlorine dan
bromine) yang memiliki efek Anisotropic yaitu kemampuan untuk meluruhkan dengan kecepatan
penetrasi yang tidak sama rata.

f)
Chemical Vapor Deposition (CVD) Pada tekanan rendah dan temperatur tertentu gas atau uap
kimia akan bereaksi terhadap lapisan film pada permukaan silikon wafer

26
 Gas
Ammonia (NH3) dan Dichlorosilane (SiHCl2) akan bereaksi untuk menghasilkan lapisan film
Silicon Nitride (Si3N4) yang solid dengan ketebalan beberapa micron atau beberapa nanometer
saja. Sedangkan gas-gas sisa reaksi berupa Hydrogen Chloride (HCl), Chlorine (CL2), Hydrogen
(H2) dan Nitrogen (N2) akan dipompa keluar dari reaktor.

g) Sputter Deposition Walaupun secara umum proses CVD lebih unggul dari pada sputtering
tetapi tidak semua logam yang diperlukan dalam proses pabrikasi IC bisa terbentuk pada
permukaan silikon wafer. Proses sputtering memanfaatkan medan listrik untuk mengambil ion
Argon positif agar membentuk lapisan logam tipis (film) pada target yang berada di permukaan
silikon wafer.

27
h) Chemical Mechanical Planarization (CMP) CMP adalah kombinasi penggunaan metode
kimia (untuk melunakkan terlebih dahulu lapisan material yang akan dibuang) dan mekanik
(penggosokkan dengan polishing slurry) untuk membuang material-material yang tidak
diperlukan pada permukaan silikon wafer sehingga hanya material-material yang dibutuhkan saja
(sesuai desain) yang masih menempel pada permukaan wafer.

Dari semua proses yang sudah dijelaskan di atas dan dikombinasikan dengan proses lainnya yang
jumlahnya sangat banyak, salah satunya adalah Metallization (untuk menghubungkan semua
komponen yang terkandung (resistor, kapasitor, transistor dll) sehingga membentuk rangkaian IC
yang sesuai dengan desain yang sudah direncanakan), maka hasil akhirnya adalah sejumlah IC
(die) yang masih menyatu pada sebuah silikon wafer.

28
Wafer Test Die-die yang dihasilkan pada proses Wafer Fabrication tidak 100% berfungsi
dengan baik. Untuk mengetahui die mana saja yang rusak, diperlukan pengetesan awal. Setiap
jenis die yang diproduksi memiliki alat pengetesan tersendiri yang disebut probe card. Alat
spesial ini dibuat khusus untuk setiap jenis die yang berbeda, tetapi semuanya telah dilengkapi
dengan jarum kecil yang dirancang sedemikian rupa supaya pas dengan posisi bond pad pada die
yang akan dites.

29
Silikon wafer yang akan dites kemudian dijepit pada alat penjepit yang terdapat pada Wafer
Prober. Wafer Prober sepenuhnya dikendalikan oleh Tester, yaitu sistem komputerisasi yang bisa
diprogram secara otomatis untuk menggerakan Probe Card guna melakukan pengetesan berbagai
sifat kelistrikan pada setiap die yang terdapat pada permukaan silikon wafer kemudian menandai
setiap die yang tidak berfungsi dengan baik (rusak).

Packaging IC Silicon yang sudah berbentuk die perlu penanganan yang hati-hati karena mudah
pecah walaupun sudah diberi lapisan pelindung khusus. Selain itu, bond pad-nya memiliki
ukuran yang sangat kecil sehingga sangat sulit untuk dihubungkan dengan komponen lainnya
pada sebuah rangkaian aplikasi elektronika. Untuk melindungi die tersebut dan untuk
memudahkan penanganan serta penyambungan dengan komponen elektronika lainnya, maka
diperlukan pengemasan/packaging. a) Silikon
wafer yang sudah dites diletakkan di atas blue tape yang dibentangkan pada logam yang
permukaannya rata dengan bagian belakang yang tidak memiliki circuit menempel pada
permukaan blue tape tersebut. Kemudian dilanjutkan dengan pemotongan silikon wafer menjadi
potongan-potongan die dengan menggunakan pisau khusus (bermata berlian) yang berkecepatan

30
tinggi. Potongan-potongan die akan tetap menempel pada permukaan blue tape.
b) Potongan die yang bagus (telah
lolos pengujian awal) dicabut dari blue tape dan dipindahkan ke atas leadframe (komponen yang
terbuat dari tembaga yang berfungsi sebagai kaki-kaki pada IC) dan direkatkan dengan epoxy
kemudian dipanaskan agar epoxy mengeras dan die tidak terlepas dari leadframe. Proses
pencabutan dari blue tape dan pemindahan ke atas leadframe dilakukan oleh mesin secara
otomatis. c) Wirebonding, yaitu proses dimana kaki-
kaki leadframe dihubungkan ke bond pad yang terdapat pada die dengan menggunakan benang
emas (gold wire). Pekerjaan ini juga dilakukan oleh mesin secara otomatis.
d) Molding, yaitu menutup leadframe dengan
menggunakan compound yang dipress pada temperatur dan tekanan udara tertentu sehingga die
dan benang emas yang semula terbuka akan tertutup oleh compound.
e) Solder Platting, yaitu proses penyepuhan kaki-kaki IC dengan
timah sehingga kaki-kaki yang terbuat dari tembaga tersebut berwarna perak.
f) Marking, yaitu proses pemberian label tipe IC , part number, nama perusahaan,
tanggal dan lain sebagainya untuk memudahkan identifikasi selanjutnya

31
Teknik molding seperti yang diuraikan di atas, menyebabkan kemasan luar IC lebih besar
daripada ukuran die di dalamnya. Efeknya, sinyal frekuensi tinggi dari IC sedikit terganggu.
Untuk menanggulangi kelemahan tersebut, saat ini telah dikembangkan teknologi yang
memungkinkan untuk memproduksi IC dengan ukuran kemasan yang hampir sama besar dengan
ukuran die di dalamnya. Teknik ini juga telah berhasil memperbaiki kualitas sinyal frekuensi
tingginya. Teknik tersebut diberi nama Flip Chip. Pada teknik ini, terlebih dahulu dibuat bond
pad yang merupakan pasangan untuk connecting pad yang terdapat pada die yang akan dikemas.
Kemudian pada bond pad yang telah disiapkan tersebut diberi timah yang membentuk bola-bola
kecil (bump). Setelah semua bond pad terisi oleh bump, selanjutnya dipasangkan dengan
connecting pad pada die untuk kemudian dipanaskan sehingga keduanya menyatu oleh timah
yang meleleh.

Final Test Selama proses packaging ada kemungkinan die mengalami kerusakan atau proses
packaging yang kurang sempurna. Pengujian akhir dilakukan terhadap semua IC yang sudah
selesai dikemas dengan tujuan agar IC yang mengalami kerusakan selama proses packaging tidak
ikut terkirim bersama-sama dengan IC yang bagus. Metode pengujian akhir ini hampir sama
dengan pengujian awal terhadap silikon wafer, bedanya IC yang sudah jadi tidak memerlukan
lagi Wafer Prober tetapi menggunakan Handler. Handler juga sepenuhnya dikendalikan oleh
Tester guna melakukan pengetesan berbagai sifat kelistrikan pada setiap IC sekaligus memilah-
milah kualitas dari masing-masing IC.

32
9. sirkuit pemakai Integrated Circuit

Gambar menunjukkan rangkaian pengatur tegangan menggunakan LM 309. Ini adalah tiga
perangkat terminal dengan terminal yang diberi label sebagai input, output dan ground terminal.
Ini menyediakan fixed 5 V antara terminal output dan ground.

LM 309 memiliki sejumlah keunggulan dibandingkan dioda zener. Pertama, ini jauh lebih akurat
daripada dioda zener. Kedua, ada built-in overload protection. LM 309 juga mengalami
overheating perlindungan. Jika suhu internal menjadi berlebihan, suhu mati akan turun sampai
suhu berkurang, pada saat mana

33
10. Keuntungan dan Kerugian dari Integrated Circuit

Sirkuit terpadu membebaskan perancang peralatan dari kebutuhan untuk membuat rangkaian
dengan komponen diskrit individual seperti transistor, dioda dan resistor. Dengan pengecualian
beberapa rangkaian yang sangat sederhana, tersedianya sejumlah besar sirkuit terpadu berbiaya
rendah telah banyak menghadirkan sirkuit diskrit yang sudah usang. Oleh karena itu, diinginkan
untuk menyebutkan keuntungan yang signifikan dari sirkuit terpadu melalui sirkit diskrit.
Namun, sirkuit terpadu memiliki beberapa kelemahan dan upaya terus menerus untuk
mengatasinya.

Keuntungan:

Sirkuit terpadu memiliki keuntungan sebagai berikut dibandingkan sirkuit diskrit:

(i) Peningkatan kehandalan karena jumlah koneksi yang lebih rendah.

(ii) Ukuran sangat kecil pada pembuatan berbagai elemen rangkaian dalam satu chip bahan
semikonduktor.

(iii) Berat ringan dan kebutuhan ruang sedikit karena rangkaian miniatur.

(iv) Persyaratan daya rendah.

(v) Kemampuan yang lebih besar untuk beroperasi pada suhu ekstrim.

(vi) Biaya rendah karena produksi simultan dari ratusan sirkuit serupa pada wafer semikonduktor
kecil.

(vii) Sirkuit ini sangat disederhanakan karena sirkuit terpadu dibatasi untuk menggunakan
jumlah koneksi eksternal minimum.

Kekurangan: Kelemahan dari sirkuit terpadu adalah:

(i) Jika ada komponen dalam IC yang macet, keseluruhan IC harus diganti dengan yang baru.

(ii) Dalam IC, tidak nyaman atau ekonomis untuk menghasilkan kapasitansi yang melebihi 30
pF.

34
Oleh karena itu, untuk nilai kapasitansi tinggi, komponen diskrit eksterior untuk chip IC
dihubungkan.

(iii) Tidak mungkin untuk membuat induktor dan transformer pada permukaan chip
semikonduktor. Karena itu, komponen ini terhubung eksterior ke chip semikonduktor.

(iv) Tidak mungkin menghasilkan IC daya tinggi (lebih besar dari 10 W).

(v) Kurangnya fleksibilitas dalam IC, biasanya tidak memungkinkan untuk memodifikasi
parameter dimana sirkuit terpadu akan beroperasi.

35
 BAB III
PENUTUP

A. Kesimpulan

Komponen atau elemen mandiri di atas permukaan yang kontinu membentuk

rangkaian yang terpadu. Komponen atau elemen tersebut dapat berupa diode, transistor,
resistor, kapasitor dan lainnya terdefinisi di atas wafer silicon atau bahan semikonduktor
yang lain. Jenis IC secara garis besar ada dua yaitu IC Linear (Analog) dan IC Digital.
Kelebihan IC yaitu Selain ukuran dan berat IC yang kecil dan ringan dan mengkonsumsi
sedikit sumber tenaga dan tidak menimbulkan panas berlebih sehingga tidak membutuhkan
pendinginan (cooling system). Kelemahan IC antara lain keterbatasannya di dalam
menghadapi kelebihan arus listrik yang besar, dimana arus listrik berlebihan dapat
menimbulkan panas di dalam komponen, sehingga komponen yang kecil seperti IC akan
mudah rusak jika timbul panas yang berlebihan

36
DAFTAR PUSTAKA

Sumari, Arwin. ___. Teknologi Integrated CIrcuit Menuju Airforce Industry [pdf],
(http://arwin91.tripod.com/publikasi/teknologi-ic.pdf) diakses 24 september 2017

Iqbal, Mohamad. ___. Integrated Circuit [pdf],

(http://elektro.umk.ac.id/1qbal/ic/slide/2015/005%20pembagian%20ic.pdf) diakses 24 september
2017

Robby, Rangkaian Terintegrasi [pdf],

(http://robby.c.staff.gunadarma.ac.id/Downloads/files/4802/bab%252010%2520Rangkaian%252
0Terintegrasi.pdf) diakses 24 september 2017

Mehta ,v.k. Mehta, Rohit. principle of electronics, New Delhi

Paul R. Gray , Paul J. Hurst. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 5th Edition .
2009
Scotten W. Jones. Introduction to integrated circuit technology ,fifth edition. 2001-2012

37