MAKALAH

SISTEM INSTRUMENTASI

DISUSUN OLEH :

Airlangga Ray U 16106311600

Alpiani 1610631160020
Salsanabila Mariestiara Putri 1610631160130

PROGRAM STUDI ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SINGAPERBANGSA KARAWANG
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kami panjatkan kehadirat Allah S.W.T atas segala Rahmat dan
KaruniaNya, yang telah memberikan kami kesehatan sehingga kami dapat menyelesaikan
makalah ini.
Didalam pembuatan makalah ini kami menyadari, bahwa makalah yang kami buat ini
masih banyak kekurangan di segala sisi, baik dalam bentuk penyajian isi makalah maupun
tata bahasanya.
Kami berharap pembaca dapat menerima dan memahami makalah ini dan kami
berharap pembaca bisa memberi kritik dan saran yang sifatnya mendidik dan membangun.
kami berdoa semoga Allah S.W.T memberikan Taufiq dan HidayahNya kepada kita.
Akhir kata saya ucapkan terima kasih.

Karawang, 6 Desember 2018

Penyusun
 Daftar Isi

Kata Pengantar .................................................................................................................... .....i

Daftar Isi ............................................................................................................................. ....ii

Bab I Pendahuluan.................................................................................................................1
1.1.Latar Belakang.......................................................................................................1
1.2.Rumusan Masalah..................................................................................................1
Bab II Pembahasan..................................................................................................................2
2.1 Pengenalan . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Photodioda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3 Phototransistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.4 Photoresistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.5 Cooled Detector . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6 Thermal Detector . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6.1 Golay Cells . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6.2 Thermopile Sensor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6.3 Pyroelectric Sensor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6.4 Bolometer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.7 Gas Flame Detectors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Daftar Pustaka.........................................................................................................................
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Apakah yang dimaksud dengan Light Detector ? light detector adalah komponen
elektronika yang dapat memberikan perubahan besaran elektrik pada saat terjadi perubahan
intensitas cahaya yang diterima oleh sensor cahaya tersebut. dan yang digunakan untuk
mengubah besaran cahaya menjadi besaran listrik.
1.2 Rumusan Masalah
Perumusan Masalah Atas dasar penentuan latar belakang serta tujuan penulisan, maka
penulis mengambil perumusan masalah sebagai berikut:
1. Apa yang dimaksud dengan Photodioda?
2. Apa yang dimaksud dengan Phototransistor ?
3. Apa yang dimaksud dengan Photoresistor ?
4. Apa yang dimaksud dengan Cooled Detector ?
5. Apa yang dimaksud dengan Thermal Detector?
6. Apa yang dimaksud dengan Golay Cells ?
7. Apa yang dimaksud dengan Thermopile Sensor ?
8. Apa yang dimaksud dengan Pyroelectric Sensor ?
9. Apa yang dimaksud dengan Bolometer ?
10. Apa yang dimaksud dengan Gas Flame Detectors ?

1.3 Tujuan
1. Mengetahui apa itu Photodioda
2. Mengetahui apa itu Phototransistor
3. Mengetahui apa itu Photoresistor
4. Mengetahui apa itu Cooled Detector
5. Mengetahui apa itu Thermal Detector
6. Mengetahui apa itu n Golay Cells
7 . Mengetahui apa itu Thermopile Sensor
8. Mengetahui apa itu Pyroelectric Sensor
9. Mengetahui apa itu Bolometer
10. Mengetahui apa itu Gas Flame Detectors
 BAB II
PEMBAHASAN
2.1 Pengenalan
Sensor adalah suatu peralatan yang berfungsi untuk mendeteksi gejala- gejala atau
sinyal-sinyal yang berasal dari perubahan suatu energi seperti energi listrik, energi fisika,
energi kimia, energi biologi, energi mekanik. Contoh;
Camera sebagai sensor penglihatan, telinga sebagai sensor pendengaran, kulitsebagai
sensor peraba, LDR (light dependent resistance) sebagai sensor cahaya,dan lainnya.
2.2 Photodioda
Photodioda adalah suatu jenis dioda yang resistansinya berubah-ubah jika cahaya
yang jatuh pada dioda berubahubah intensitasnya.Dalam gelap nilai tahanannya sangat
besar hingga praktis tidak ada arus yang mengalir.Semakin kuat cahaya yang jatuh pada
dioda maka makin kecil nilai tahanannya, sehingga arus yang mengalir semakin besar.
Jika photodioda persambungan p-n bertegangan balik disinari, maka arus akan berubah
secara linier dengan kenaikan fluks cahaya yang dikenakan pada persambungan tersebut.
Photodioda terbuat dari bahan semikonduktor.
Berbeda dengan diode biasa, komponen elektronika ini akan mengubah cahaya
menjadi arus listrik. Cahaya yang dapat dideteksi oleh diode foto ini mulai dari cahaya
infra merah, cahaya tampak, ultra ungu sampai dengan sinar-X. Aplikasi diode foto mulai
dari penghitung kendaraan di jalan umum secara otomatis, pengukur cahaya pada kamera
serta beberapa peralatan di bidang medis.

Gambar 2.2.1 Simbol dari photodioda

Photodioda digunakan sebagai komponen pendeteksi ada tidaknya cahaya maupun
dapat digunakan untuk membentuk sebuah alat ukur akurat yang dapat mendeteksi
intensitas cahaya dibawah 1pW/cm2 sampai intensitas diatas 10mW/cm2. Photo dioda
mempunyai resistansi yang rendah pada kondisi forward bias, kita dapat memanfaatkan
photo dioda ini pada kondisi reverse bias dimana resistansi dari photo dioda akan turun
seiring dengan intensitas cahaya yang masuk.
Komponen ini mempunyai sensitivitas yang lebih baik jika dibandingkan dengan
diodapeka cahaya.Hal ini disebabkan karena electron yang ditimbulkan oleh foton cahaya
padajunction ini diinjeksikan di bagian Base dan diperkuat di bagian kolektornya. Namun
demikian,waktu respons dari transistor foto secara umum akan lebih lambat dari pada
dioda peka cahaya.
Jika photodioda tidak terkena cahaya, maka tidak ada arus yang mengalir ke
rangkaian pembanding, jika photo dioda terkena cahaya maka photodiode akan bersifat
sebagai tegangan, sehingga Vcc dan photo dioda tersusun seri, akibatnya terdapat arus
yang mengalir ke rangkaian pembanding.

BAHAN DARI PHOTODIODA

Photodioda terbuat dari bahan semikonduktor yaitu silicon (Si), atau Galium
Arsenida, dan yang lain adalah Insb, InAs, PbSe. Material-material ini meyerap cahaya
dengan karakteristik panjang gelombang mencangkup: 2500 Å – 11000 Å untuk silicon,
8000 Å – 20,000 Å untuk GaAs. Ketika sebuah photon (satu satuan energi dalam cahaya)
dari sumber cahaya diserap, hal tersebut membangkitkan suatu elektron dan
menghasilkan sepasang pembawa muatan tunggal, sebuah elektron dan sebuah hole, di
mana suatu hole adalah bagian dari kisi-kisi semikonduktor yang kehilangan elektron.

PRINSIP KERJA PHOTODIODA

Photodiode terdiri dari satu lapisan tipis semikonduktor tipe-N yang memiliki
kebanyakan elektron dan satu lapisan tebal semikonduktor tipe-P yang memiliki
kebanyakan hole. Lapisan semikonduktor tipe-N adalah Katoda sedangkan lapisan
semikonduktor tipe-P adalah Anoda.
Saat Photodiode terkena cahaya, Foton yang merupakan partikel terkecil cahaya akan
menembus lapisan semikonduktor tipe-N dan memasuki lapisan semikonduktor tipe-P.
Foton-foton tersebut kemudian akan bertabrakan dengan elektron-elektron yang terikat
sehingga elektron tersebut terpisah dari intinya dan menyebabkan terjadinya hole.
Elektron terpisah akibat tabrakan dan berada dekat persimpangan PN (PN junction) akan
menyeberangi persimpangan tersebut ke wilayah semikonduktor tipe-N. Hasilnya,
Elektron akan bertambah di sisi semikonduktor N sedangkan sisi semikonduktor P akan
kelebihan Hole. Pemisahan muatan positif dan negatif ini menyebabkan perbedaan
potensial pada persimpangan PN. Ketika kita hubungkan sebuah beban ataupun kabel ke
Katoda (sisi semikonduktor N) dan Anoda (sisi semikonduktor P), Elektron akan
mengalir melalui beban atau kabel tersebut dari Katoda ke Anoda atau biasanya kita sebut
sebagai aliran arus listrik.
SENSOR WARNA MENGGUNAKAN PHOTODIODA
Setiap warna bisa disusun dari warna dasar.Untuk cahaya, warna dasar penyusunnya
adalah warna Merah, Hijau dan Biru, atau lebih dikenal dengan istilah RGB (Red-Green-
Blue).
Gambar 2 memperlihatkan beberapa sampel warna dan komposisi RGB-nya terskala 8 bit.

KARAKTERISTIK PHOTODIODA
Photodioda mempunyai respon 100 kali lebih cepat daripada phototransistor
Dikemas dengan plastik transparan yang juga berfungsi sebagai lensa. Lensa tsb lebih
dikenal sebagai ‘lensa fresnel’ dan ‘optical filter’
Penerima infra merah juga dipengaruhi oleh ‘active area’ dan ‘respond time’

APLIKASI PHOTODIODA
Diode sebagai kondisi open circuit jika dianalogikan seperi sakelar
Photodiode sebagai close circuit jika dianalogikan seperti sakelar
 2.3 Phototransistor
Transistor foto atau fototransistor secara sederhana adalah sebuah transistor bipolar
yang memakai kontak (junction) base-collector yang menjadi permukaan agar dapat
menerima cahaya sehingga dapat digunakan menjadi sensor cahaya. fototransistor Berfungsi
untuk menggerakkan arus listrik dari satu sisi ke sisi lainnya dengan menggunakan cahaya.
Fototransistor sejenis dengan transistor pada umummya. Bedaannya, pada fototransistor
dipasang sebuah lensa pemfokus sinar pada kaki basis untuk memfokuskan sinar jatuh pada
pertemuan pn.
Fototransistor mempunyai kemampuan kepekaan yang lebih baik dibanding dengan
diodafoto, Ini disebabkan elektron yang dihasilkan oleh foton cahaya pada kaki junction
diinjeksikan dibagian base transistor tersebut yang kemudian diperkuat di kaki c atau
kolektornya. Kekurangannya adalah respon dari sensor cahaya fototransistor ini akan lebih
lambat dibanding dengan diode foto.
Bahan utama dari transistor adalah germanium , memiliki dua tipe NPN dan PNP

Gambar 2..3.1 Photo Transistor

STRUKTUR PHOTOTRANSISTOR
Photo Transistor dirancang khusus untuk aplikasi pendeteksian cahaya
sehingga memiliki Wilayah Basis dan Kolektor yang lebih besar dibanding dengan
Transistor normal umumnya. Bahan Dasar Photo Transistor pada awalnya terbuat dari
bahan semikonduktor seperti Silikon dan Germanium yang membentuk struktur
Homo-junction. Namun seiring dengan perkembangannya, Photo Transistor saat ini
lebih banyak menggunakan bahan semikonduktor seperti Galium Arsenide yang
tergolong dalam kelompok Semikonduktor III-V sehingga membentuk struktur
Hetero-junction yang memberikan efisiensi konversi lebih tinggi. Yang dimaksud
dengan Hetero-junction atau Heterostructure adalah Struktur yang menggunakan
bahan yang berbeda pada kedua sisi persimpangan PN.
 Gambar 2.3.2 Struktur Photo Transistor

Photo Transistor pada umumnya dikemas dalam bentuk transparan pada area dimana Photo
Transistor tersebut menerima cahaya.

BENTUK DAN SIMBOL PHOTOTRANSISTOR

Photo Transistor pada umumnya dikemas dalam bentuk transparan pada area dimana
Photo Transistor tersebut menerima cahaya. Berikut ini adalah bentuk dan simbol Photo
Transistor (Transistor Foto).

Gambar 2.3.3 Bentuk dan Simbol Photo Transistor

PRINSIP KERJA PHOTOTRANSISTOR

Cara kerja Photo Transistor atau Transistor Foto hampir sama dengan
Transistor normal pada umumnya, dimana arus pada Basis Transistor dikalikan untuk
memberikan arus pada Kolektor. Namun khusus untuk Photo Transistor, arus Basis
dikendalikan oleh jumlah cahaya atau inframerah yang diterimanya. Oleh karena itu,
 pada umumnya secara fisik Photo Transistor hanya memiliki dua kaki yaitu Kolektor
dan Emitor sedangkan terminal Basisnya berbentuk lensa yang berfungsi sebagai
sensor pendeteksi cahaya.

Pada prinsipnya, apabila Terminal Basis pada Photo Transistor menerima intensitas
cahaya yang tinggi, maka arus yang mengalir dari Kolektor ke Emitor akan semakin besar.

KARAKTERISTIK PHOTOTRANSISTOR

Fototransistor memiliki beberapa karakteristik yang sering digunakan dalam

perancangan, yaitu:
1. Dalam rangkaian jika menerima cahaya akan berfungsi sebagai resistan.
2. Dapat menerima penerimaan cahaya yang redup (kecil).
3. Semakin tinggi intensitas cahaya yang diterima, maka semakin besar pula resistan
yang dihasilkan.
4. Memerlukan sumber tegangan yang kecil.
5. Menghantarkan arus saat ada cahaya yang mengenainya.
6. Penerimaan cahaya dilakukan pada bagian basis.
7. Apabila tidak menerima cahaya maka tidak akan menghantarkan arus.

Berdasarkan tanggapan spektral, sifat – sifat dan cara kerja dari fototransistor
tersebut, maka perubahan cahaya yang kecil dapat dideteksi. Oleh karena itu
fototransistor digunakan sebagai detektor cahaya yang peka, terutama terhadap cahaya
inframerah.
KELEBIHAN DAN KELEMAHAN PHOTOTRANSISTOR
Meskipun Phototransistor memiliki berbagai kelebihan, namun bukan juga tanpa
kelemahan. Berikut ini adalah beberapa Kelebihan dan kelemahan Phototransistor :

KELEBIHAN PHOTOTRANSISTOR

Tegangan Output merupakan tegangan digital atau sudah mempunyai logika 1 / logika
0.
1. Tidak membutuh Pre-Amp sebagai penguat sinyal.
2. Tegangan yang dibutuhkan relatif rendah, yaitu cukup dengan 5 Volt DC.
 3. Aplikasi Pembuatan Proyek atau alat elektronika menggunakan PhotoTransistor lebih
mudah.
4. Photo Transistor menghasilkan arus yang lebih tinggi jika dibandingkan dengan Photo
Diode.
5. Photo Transistor relatif lebih murah, lebih sederhana dan lebih kecil sehingga mudah
untuk diintegrasikan ke berbagai rangkaian elektronika.
6. Photo Transistor memiliki respon yang cepat dan mampu menghasilkan Output yang
hampir mendekati instan.
7. Photo Transistor dapat menghasilkan Tegangan, sedangkan Photoresistor tidak bisa.

KELEMAHAN PHOTOTRANSISTOR
1. Photo Transistor yang terbuat dari Silikon tidak dapat menangani tegangan yang
melebihi 1000Volt
2. Photo Transistor sangat rentan terhadap lonjakan listrik yang mendadak (electric
surge).
3. Photo Transistor tidak memungkin elektron bergerak sebebas perangkat lainnya
(contoh: Tabung Elektron)
4. Rawan terhadap kotoran, sehingga lensa tidak dapat menerima cahaya dengan baik.
Sehingga perlu perawatan lebih.

2.4 Photoresistor
Photoresistor, dikenal dengan banyak nama: LDR, foto-konduktor, sel foto-
konduktif, atau hanya foto-sel. Dan yang sering digunakan dalam literatur adalah
foto-resistor atau foto-sel.

Gambar 2.x.x Bentuk Fisik photoresistor

Resistansi Photoresistor akan berubah seiring dengan perubahan intensitas cahaya yang
mengenainya atau yang ada disekitarnya. Dalam keadaan gelap resistansi Photoresistor
sekitar 10MΩ dan dalam keadaan terang sebesar 1KΩ atau kurang. Photoresistor terbuat dari
bahan semikonduktor seperti kadmium sulfida. Dengan bahan ini energi dari cahaya yang
jatuh menyebabkan lebih banyak muatan yang dilepas atau arus listrik meningkat. Artinya
resistansi bahan telah mengalami penurunan.
Biasanya Photoresistor (atau lebih dikenal dengan fotoresistor) dibuat berdasarkan
kenyataan bahwa kadmium sulfida mempunyai tahanan yang besar kalau tidak terkena
cahaya dan tahanannya akan menurun kalau permukaan Photoresistor itu terkena sinar.
Resistor peka cahaya atau fotoresistor adalah komponen elektronik yang resistansinya
akan menurun jika ada penambahan intensitas cahaya yang mengenainya. Fotoresistor dapat
merujuk pula pada light dependent resistor (LDR), atau fotokonduktor.
Fotoresistor dibuat dari semikonduktor beresistansi tinggi. Jika cahaya yang
mengenainya memiliki frekuensi yang cukup tinggi, foton yang diserap oleh semikonduktor
akan menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk meloncat ke pita konduksi.
Elektron bebas yang dihasilkan (dan pasangan lubangnya) akan mengalirkan listrik, sehingga
menurunkan resistansinya.
Besarnya tahanan Photoresistor dalam kegelapan mencapai jutaan ohm dan turun
sampai beberapa ratus ohm dalam keadaan terang. Photoresistor dapat digunakan dalam suatu
jaringan kerja (network) pembagi potensial yang menyebabkan terjadinya perubahan
tegangan kalau sinar yang datang berubah.
Photoresistor digunakan untuk mendeteksi intensitas cahaya, yang mana intensitas
cahaya sendiri dinyatakan dalam dua satuan fisika, yaitu lumens per meter persegi dan Watt
per meter persegi. Kedua satuan itu agak berbeda. yang satu berdasarkan pada kepekaan mata
manusia, yang satu lagi berdasarkan energi listrik yang dialirkan ke sumber cahaya .
.

Gambar 2.x.x simbol pada rangkain

Karakteristik LDR terdiri dari dua macam, yaitu Laju Recovery dan Respon Spektral :
Laju Recovery
Bila sebuah Photoresistor dibawa dari suatu ruangan dengan level kekuatan cahaya
tertentu kedalam suatu ruangan yang gelap, maka bisa kita amati bahwa nilai resistansi dari
photoresistor tidak akan segera berubah resistansinya pada keadaan ruangan gelap tersebut.
Namun Photoresistor tersebut hanya akan bisa mencapai harga di kegelapan setelah
mengalami selang waktu tertentu. Laju recovery merupakan suatu ukuaran praktis dan suatu
kenaikan nilai resistansi dalam waktu tertentu. Harga ini ditulis dalam K/detik, untuk
Photoresistor type arus harganya lebih besar dari 200 K/detik (selama 20 menit pertama
mulai dari level cahaya 100 lux), kecepatan tersebut akan lebih tinggi pada arah sebaliknya,
yaitu pindah dari tempat gelap ke tempat terang yang memerlukan waktu kurang dari 10 ms
untuk mencapai resistansi yang sesuai dengan level cahaya 400 lux.
Respon Spektral

Photoresistor tidak mempunyai sensitivitas yang sama untuk setiap panjang

gelombang cahaya yang jatuh padanya (yaitu warna). Bahan yang biasa digunakan sebagai
penghantar arus listrik yaitu tembaga, alumunium, baja, emas, dan perak. Dari kelima bahan
tersebut tembaga merupakan penghantar yang paling banyak digunakan karena mempunyai
daya hantar Pada keadaan gelap tanpa cahaya sama sekali, Photoresistor memiliki nilai
resistansi yang besar (sekitar beberapa Mega ohm). Nilai resistansinya ini akan semakin kecil
jika cahaya yang jatuh ke permukaannya semakin terang. Pada keadaan terang benderang
(siang hari) nilai resistansinya dapat mengecil , lebih kecil dari 1 KOhm. Dengan sifat
Photoresistor yang demikian maka Photoresistor biasa digunakan sebagai sensor cahaya.
Contoh penggunaannya adalah pada lampu taman dan lampu di jalan yang bisa menyala di
malam hari dan padam di siang hari secara otomatis.

Gambar Karakteristik Photoresistor

100 K
Resistansi

10 K

1K

0,1 K
LUX
10 L 100 L 1000 L
Illuminasi

Pada karakteristik diatas dapat dilihat bila cahaya mengenai sensor itu maka harga
tahanan akan berkurang. Perubahan yang dihasilkan ini tergantung dari bahan yang
digunakan serta kekuatan cahaya yang mengenainya.
Simbol Rangkaian Photoresistor

Simbol rangkaian yang digunakan untuk Photoresistor adalah penggabungan resistor

dan penunjukkan bahwa resistor tersebut sensitif terhadap cahaya. Simbol dasar Photoresistor
memiliki persegi panjang yang digunakan untuk menunjukkan fungsi resistansi-nya, dan
kemudian memiliki dua panah masuk, sama seperti yang digunakan untuk foto-dioda dan
foto-transistor.
untuk menunjukkan sensitivitasnya terhadap cahaya. Sebagian menggunakan lingkaran pada
resistor-nya, sebagian lagi tidak. Simbol Foto-resistor atau LDR yang lebih umum digunakan
adalah resistor tanpa lingkaran di sekitarnya.
Mekanisme Photoresistor
Sebuah Photoresistor adalah komponen yang menggunakan foto-konductor di antara
dua pin-nya. Saat permukaannya terpapar cahaya akan terjadi perubahan resistansi di
antaranya.
Mekanisme di balik Photoresistor adalah foto-konduktivitas, yaitu suatu peristiwa
perubahan nilai konduktansi bahan semikonduktor saat energi foton dari cahaya diserap
olehnya. Ketika digunakan sebagai Photoresistor atau LDR, bahan semikonduktor hanya
digunakan sebagai elemen resistif dan tidak ada koneksi PN-nya. Dengan demikian,
Photoresistor atau LDR adalah murni komponen pasif.

Prinsip Kerja Photoresistor

Photoresistor, terdiri dari sebuah cakram semikonduktor yang mempunyai dua buah
elektroda pada permukaannya. Pada saat gelap atau cahaya redup, bahan dari cakram tersebut
menghasilkan elektron bebas dengan jumlah yang relatif kecil. Sehingga hanya ada sedikit
elektron untuk mengangkut muatan elektrik. Artinya pada saat cahaya redup Photoresistor
menjadi konduktor yang buruk, atau bisa disebut juga Photoresistor memiliki resistansi yang
besar pada saat gelap atau cahaya redup.

Pada saat cahaya terang, ada lebih banyak elektron yang lepas dari atom bahan
semikonduktor tersebut. Sehingga akan ada lebih banyak elektron untuk mengangkut muatan
elektrik. Artinya pada saat cahaya terang Photoresistor menjadi konduktor yang baik, atau
bisa disebut juga Photoresistor memiliki resistansi yang kecil pada saat cahaya terang.
Misalnya untuk rangkaian system alarm cahaya (menggunakan LDR / Photoresistor) yang
aktif ketika terdapat cahaya. Ketika kita akan mengatur kepekaan Photoresistor dalam suatu
rangkaian maka kita perlu menggunakan potensiometer. Kita atur letaknya agar ketika
mendapat cahaya maka buzzer atau bell akan berbunyi dan ketika tidak mendapat cahaya
maka buzzer atau bell tidak akan berbunyi.

2.5 Cooled Detector

Untuk pengukuran objek yang memancarkan foton dalam rentang 2 eV atau
lebih tinggi, detektor kuantum memiliki suhu kamar umumnya digunakan. Untuk
energi yang lebih kecil (panjang gelombang yang lebih panjang) semikonduktor
narrower-band-gap diperlukan. Namun, bahkan jika detektor kuantum memiliki celah
pita energi yang cukup kecil, pada suhu kamar, suara intrinsiknya sendiri jauh lebih
tinggi daripada sinyal fotokonduktif.

Dengan kata lain, detektor akan merasakan radiasi termal sendiri. Tingkat kebisingan
tergantung pada suhu; oleh karena itu, ketika mendeteksi foton panjang-gelombang
panjang, rasio sinyal-ke-suara dapat menjadi sangat kecil sehingga pengukuran yang
akurat menjadi tidak mungkin. Ini adalah alasan mengapa, untuk operasi dalam
rentang spektrum inframerah menengah dan jauh, detektor tidak hanya harus memiliki
celah energi yang cukup sempit, tetapi suhunya harus diturunkan ke tingkat di mana
suara intrinsik dikurangi ke tingkat yang dapat diterima. . gambar menunjukkan
respon spektral khas dari beberapa detektor dengan suhu operasi yang
direkomendasikan. Prinsip operasi dari detektor yang didinginkan secara cryogenik
hampir sama dengan sebuah fotoresistor, kecuali bahwa ia beroperasi pada panjang
gelombang yang jauh lebih panjang pada suhu yang jauh lebih rendah. Dengan
demikian, desain sensor menjadi sangat berbeda. Tergantung pada kepekaan yang
diperlukan dan operasi panjang gelombang, kristal berikut biasanya digunakan untuk
jenis sensor ini: timbal sulfida (PbS), indium arsenide (InAs), germanium (G),
selenide timbal (PbSe), dan merkuri-cadmium-telluride (HgCdTe). Pendinginan
menggeser tanggapan ke panjang gelombang yang lebih panjang dan meningkatkan
sensitivitas. Namun, kecepatan respons PbS dan PbSe menjadi lebih lambat dengan
pendinginan. Metode pendinginan termasuk pendinginan Dewar menggunakan es
kering, atau nitrogen cair, helium cair, atau pendingin termoelektrik yang beroperasi
pada detektor fotokonduktif efek Peltier. MCT adalah merkuri-cadmium-telluride dari
elemen sensitif. Aplikasi detektor kuantum cryogenically didinginkan termasuk
pengukuran daya optik melalui rentang spektral yang luas, pengukuran suhu termal
dan pencitraan termal, deteksi kadar air dan analisis gas. menggambarkan spektrum
penyerapan gas untuk berbagai molekul. Sangat kuat
menyerap pada 1.1, 1.4, 1.9, dan 2.7 μm. Dengan demikian, untuk menentukan kadar
air, misalnya, dalam batubara, cahaya monokromatik diproyeksikan pada sampel uji
dan referensi. Cahaya yang dipantulkan dideteksi dan rasio dihitung untuk penyerapan
2.6 Thermal Detector
Sensor thermal adalah sensor yang digunakan untuk mendeteksi gejala
perubahan panas/temperature/suhu pada suatu dimensi benda atau dimensi ruang
tertentu. Contoh : bolometer, Golay Cells termopile, dan Pyroelectric Sensor
2.6.1 Golay Cells
Sel Golay adalah detektor broadband radiasi inframerah. Sel golay sensitif dan
peka. Prinsip operasi sel golay didasarkan pada deteksi pemuaian termal gas yang
terperangkap di dalam suatu ruang tertutup.
Inilah sebabnya mengapa detektor ini kadang-kadang disebut detektor
termopneumatic.
Gambar 2.6.1.1 menggambarkan ruang tertutup memiliki dua lapisan: bagian atas dan
bawah. lapisan atas dilapisi dengan penyerap panas dan lapisan bawah memiliki
permukaan cermin (dilapisi dengan aluminium).

Gambar 2.6.1.1 Golay cell detector untuk radiasi inframerah pertengahan dan jauh
 Cermin disinari oleh sumber cahaya. terjadi pemantulan Sinar cahaya dari
cermin dan menimpa detektor posisi sensitif (PSD). lapisan atas terkena radiasi
inframerah, yang diserap oleh lapisan bawah dan meningkatkan suhu seluruh lapisan.
memanaskan gas yang terperangkap di dalam sensor. Gas meluas dan tekanannya
meningkat. Peningkatan tekanan gas internal membelokkan lapisan bawah, yang
membengkak. Perubahan kelengkungan cermin memodulasi arah sinar cahaya yang
dipantulkan. Cahaya yang dipantulkan menimpa PSD di berbagai lokasi, tergantung
pada tingkat intensitas radiasi yang diserap dan terjadi pembengkak lapisan.

2.6.2 Thermopile Sensor

Sensor suhu thermopile adalah salah satu jenis detektor suhu pasif infrared.
Karakteristik dari sensor ini adalah mengukur suhu berdasarkan prinsip pengukuran
suhu radiasi inframerah. Infra merah merupakan sinar elektromagnetik yang memiliki
panjang gelombang lebih dari cahaya yang terlihat, yakni antara 700 nm dan 1 mm.
Sinar infrared adalah cahaya yang tidak terlihat atau tak tertangkap mata. Apabila
dilihat dengan menggunakan spektroskop cahaya maka radiasi dari sinar infrared akan
terlihat pada spektrum elektromagnet dengan panjang gelombang yang berada di atas
panjang gelombang cahaya merah. Dengan adanya panjang gelombang ini
menyebabkan sinar infrared tidak tertangkap mata, tetapi radiasi dari panas yang
ditimbulkan masih dapat terdeteksi. Respon terhadap sinar infra merah dapat dilihat
pada diagram gambar 2.6.2.1

Gambar 2.6.2.1 Respon Sensor Thermopile

 Thermopile tidak menanggapi suhu mutlak (tetap), tetapi menghasilkan output
tegangan sebanding dengan perbedaan suhu ruangan, yang kemudian disimpan ke
dalam register masing-masing. Memilki memori EEPROM yang gunanya dapat
menyimpan data dan dapat dihapus dengan menggunaan perintah elektris. Untuk jalur
komunikasi antara sensor thermopile dengan mikrokontroler, menggunakan SCL
(Serial Clock) dan SDA (Serial Data) yang membawa informasi data antara I2C
dengan pengontrolnya. Pin ini memerlukan resistor pull-up sebesar 1K5Ω dengan
tegangan sebesar 5 VDC. Secara umum arsitektur sensor thermopile dapat dilihat
pada gambar 2.6.2.2

Gambar 2.6.2.2 Diagram Blok Sensor Thermopile

Thermopile digunakan untuk memberikan output dalam menanggapi suhu
sebagai bagian dari perangkat suhu pengukuran, seperti termometer inframerah
banyak digunakan oleh profesional medis untuk mengukur suhu tubuh. Sensor
thermopile memiliki tegangan kerja 4,8V- 5,4VDC. Data yang dihasilkan dari sensor
thermopile berupa data biner 8 bit dari masing-masing pixel sensor yang merupakan
data suhu yang terukur. Misalkan pada salah satu sensor mendeteksi suhu sebesar
48°C, maka data yang dihasilkan pada sensor tersebut adalah 48 (30H). Sensor
thermopile memiliki 10 register yang dapat diakses dengan menggunakan protokol
I2C. Data suhu dari tiap-tiap pixel sensor terdapat pada register-register dapat dilihat
pada tabel 2.6.2.1 berikut ini.
Tabel 2.6.2.1 Sensor Thermopile
 Sensor thermopile dapat membaca data register dengan mengirimkan nilai alamat
register yang diinginkan dengan alamat register 0×02-0×09 untuk data sensor pixel 1-pixel 8.
Untuk sistem komunikasi I2C data yang terbaca pada register-register yang menyimpan data
sensor tiap pixel adalah data 8 bit yang mempresentasikan nilai suhu yang terukur.
Kelebihan thermopile terhadap sensor temperature lainnya:
a. Akurasinya lebih tinggi karena range suhu yang diukur 0°C - 225°C, dengan akurasi sensor
thermopile ± 2°C.

b. Sensor tidak perlu kontak langsung dengan obyek yang diukur.

c. Visibilitas sensor thermopile 41° x 6°.

d. Mampu mendeteksi api sebuah lilin atau panas di dalam ruangan bersuhu 20°C pada jarak
maksimum 2 m dari mata sensor.

e. Membutuhkan catu daya catu daya 4,8V - 5,4V DC, sehingga dapat langsung dihubungkan
dengan supply mikrokontroler.

2.6.3 Pyroelectric Sensor

Detektor piroelektrik adalah detektor termal: Fluktuasi suhu menghasilkan perubahan
muatan pada permukaan kristal piroelektrik, yang menghasilkan sinyal listrik yang sesuai.
Gradien suhu ini dapat dibuat oleh penyerapan cahaya.
 Gambar 2.6.3.1 pyroelectrik
Bahan piroelektrik yang biasanya digunakan dalam detektor piroelektrik: DLaTGS,
LiTaO3, dan PZT.
Koefisien piroelektrik menentukan kemampuan untuk menghasilkan arus dari radiasi
IR. Artinya: semakin besar, semakin baik. Konstanta dielektrisitas menentukan
kapasitansi, sehingga mempengaruhi kebisingan. Dalam pengoperasi tegangan semakin
besar kapasitansi, semakin rendah noise. Dielektrik murni tidak akan menghasilkan noise.
Untuk membandingkan bahan yang berkaitan dengan kesesuaian fundamental untuk
detektor piroelektrik, untuk menganalisanya menggunakan parameter koefisien
piroelektrik tertentu.
2.6.4 Bolometer
Bolometer adalah alat untuk mengukur energi radiasi atau sinar elektromagnet, biasa
digunakan dalam militer sebagai detektor pada kamera pencitra panas.Bolometer biasa
dikenal dan banyak dipakai publik sebagai sensor infra merah.

Gambar 2.6.4.1 Balometer

Sebuah bolometer terdiri dari elemen absorptif, seperti lapisan tipis dari logam, yang
terhubung ke reservoir panas (badan suhu konstan) melalui hubungan termal. Hasilnya
adalah bahwa setiap radiasi yang menimpa elemen absorptive meningkatkan suhunya di
atas reservoir - semakin besar daya yang diserap, semakin tinggi suhu. Konstanta waktu
termal intrinsik, yang mengatur kecepatan detektor, sama dengan rasio kapasitas panas
elemen serap terhadap konduktansi termal antara elemen serap dan reservoir. Perubahan
suhu dapat diukur secara langsung dengan termometer resistif terlampir, atau ketahanan
dari elemen serap sendiri dapat digunakan sebagai termometer. Metal bolometers
biasanya bekerja tanpa pendinginan. Mereka dihasilkan dari lembaran tipis atau film
logam. Saat ini, sebagian besar bolometers menggunakan semikonduktor atau elemen
serapan superkonduktor daripada logam. Perangkat ini dapat dioperasikan pada suhu
cryogenic, memungkinkan sensitivitas yang jauh lebih besar.
Bolometers peka terhadap energi yang tersisa di dalam penyerap. Untuk alasan ini
mereka dapat digunakan tidak hanya untuk partikel pengion dan foton, tetapi juga untuk
partikel yang tidak mengion, jenis radiasi apa pun, dan bahkan untuk mencari bentuk
massa atau energi yang tidak diketahui (seperti materi gelap); Kurangnya diskriminasi ini
juga bisa menjadi kekurangan. Bolometers paling sensitif sangat lambat untuk direset
(yaitu, kembali ke kesetimbangan termal dengan lingkungan). Di sisi lain, dibandingkan
dengan detektor partikel yang lebih konvensional, mereka sangat efisien dalam resolusi
energi dan sensitif. Mereka juga dikenal sebagai detektor termal.
2.7 Gas Flame Detectors
Deteksi api gas sangat penting untuk sistem keamanan dan pencegahan
kebakaran. Sensor ini lebih peka untuk mendeteksi api daripada mendeteksi asap,
khususnya di luar ruangan, di mana konsentrasi asap mungkin tidak mencapai ambang
batas untuk memicu alarm. Untuk mendeteksi gas yang terbakar, untuk menggunakan
fitur unik dari nyala api: Bagian anoticeable dari spektrum optiknya terletak di
spektrum UV.
Setelah melewati atmosfer, sinar matahari kehilangan sebagian besar spektrum
UV-nya yang berada di bawah 250 nm, sedangkan nyala gas mengandung komponen
UV 250 nm ke bawah. Hal Ini memungkinkan untuk mendesain elemen bandwidth
yang sempit untuk rentang spektrum UV yang peka terhadap api dan tidak peka
terhadap sinar matahari atau lampu listrik.
Gas Flame Detectors ini adalah detektor UV yang memanfaatkan efek
fotolistrik dalam logam bersama dengan efek perkalian gas. Terdiri dari tabung yang
dipenuhi gas langka. UV-transparan
 Gambar Electromagnetic spectra of various sources.

Gambar Detektor api UV. (A) tabung berisi kaca; (B) sudut dalam bidang horizontal; (C)
sirkuit operasi yang direkomendasikan.

housing menjamin sudut pandang yang lebar pada bidang horisontal dan vertikal
(Gbr.14.30C). Perangkat ini membutuhkan tegangan tinggi untuk operasi, dan dalam
kondisi normal, itu tidak konduktif secara elektrik. Setelah terkena api, foton UV
energi tinggi menyerang katoda, melepaskan elektron bebas ke interior tabung berisi
gas. Atom gas menerima semburan energi dari elektron yang dipancarkan, yang
menghasilkan luminescence gas dalam rentang spektral UV. Ini, pada gilirannya,
menyebabkan lebih banyak elektron yang dipancarkan, yang menyebabkan lebih
banyak sinar UV. Dengan demikian, elemen mengembangkan perkalian elektron
avalanche-jenis cepat, membuat wilayah anoda-katoda elektrik konduktif. Oleh
karena itu, setelah terkena nyala gas, elemen bekerja sebagai pengatur arus,
menghasilkan lonjakan tegangan positif yang kuat pada outputnya. Ini mengikuti dari
uraian di atas bahwa elemen menghasilkan radiasi UV dalam menanggapi deteksi api.
Meskipun berintensitas rendah, UV tidak membahayakan orang; namun, hal ini dapat
menyebabkan terjadinya pembicaraan silang antara sensor sebelah yang serupa.