LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA I

KARAKTERISASI LED

oleh

Sondang Bulan Simarmata, Christopher Jaya, Sekar Tanjung

10217043, 10217080, 10217081

LABORATORIUM FISIKA LANJUT

PROGRAM STUDI FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG
2019-2020
 ABSTRAK

Dioda adalah bahan semikonduktor yang berupa sambungan antara

semikonduktor tipe p dan tipe n. Kurva karateristik dioda terdiri dari kurva maju
dan kurva mundur. LED adalah komponen yang terdiri dari bahan semikonduktor
tipe p dan tipe n (p-n junction). LED (Light Emitting Diode) adalah komponen
yang dapat memancarkan cahaya monokromatik yang diberikan tegangan maju.
Pada daerah sekitar sambungan tipe p dan tipe n, akan terjadi proses rekombinasi
antara elektron dan hole yang kemudian akan mengemisikan foton. Energi foton
dari LED ini akan sebanding dengan beda energi pita konduksi dan pita valensi
(energy band-gap).Pada percobaan ini, pengamatan LED akan dilakukan
sebanyak 2 kali. Data yang akan diperoleh pada percobaan ini adalah jenis warna
yang dihasilkan oleh masing-masing LED, data nilai tegangan threshold dan data
tegangan dan arus dari software I-V Meter untuk masing-masing percobaan. Data
yang diperoleh pada percobaan ini kemudian diolah yang kemudian akan
dihasilkan data konstanta hasil fitting, data hasil regresi, kurva karateristik dari
LED, data tegangan threshold dan data energi gap pada LED, data nilai panjang
gelombang dan galat serta data nilai parasitic resistance pada LED. Percobaan ini
diperoleh adanya perbedaan nilai panjang gelombang percobaan terhadap
referensi yang diakibatkan karena adanya kesalahan pengamatan dan faktor
temperatur ruang.

Kata Kunci : Energi band-gap, I-V Meter, LED, Tipe n, Tipe p.

 DAFTAR ISI

ABSTRAK ……………………………………………………………………i
DAFTAR ISI ……………………………………………………………………ii
Bab I Pendahuluan...........................................................................................1
Bab II Dasar Teori.............................................................................................3
II.1 Semikonduktor...............................................................................3
II.2 Semikonduktor tipe P dan tipe N...................................................4
II.3 Dioda Semikonduktor....................................................................5
II.4 LED (Light Emitting Diode)..........................................................7
Bab III Metode dan Hipotesis...........................................................................10
III.1 Metode.........................................................................................10
III.2 Hipotesis.......................................................................................10
Bab IV Hasil dan Pembahasan.........................................................................11
IV.1 Hasil Eksperimen.........................................................................11
IV.1.1 Percobaan Data Nyala LED.............................................11
IV.1.2 Percobaan Data Konstanta Hasil Fitting..........................11
IV.1.3 Percobaan Data Konstanta Hasil Regresi.........................12
IV.1.4 Percobaan Data Tegangan Threshold Pada LED.............16
IV.1.5 Percobaan Data Energi Gap Pada LED............................17
IV.1.6 Percobaan Data Nilai Panjang Gelombang Pada LED.....17
IV.1.7 Percobaan Data Nilai Galat Panjang Gelombang Pada
LED..................................................................................18
IV.1.8 Percobaan Data Parasitic Resistance Pada LED..............19
IV.1.9 Percobaan Data Variasi Speed Level...............................19
IV.1.10 Percobaan Data Rangkaian LED-Resistor yang
dirangkai Secara seri dan Pararel............20
IV.2 Pembahasan..................................................................................21
IV.2.1 Pertanyaan........................................................................21
IV.2.2 Analisis.............................................................................23
IV.2.3 Open Problem...................................................................24
Bab V Kesimpulan...........................................................................................26
DAFTAR PUSTAKA...........................................................................................27

ii
 Bab I Pendahuluan

Dioda adalah bahan semikonduktor yang berupa sambungan antara

semikonduktor tipe p dan semikonduktor tipe n. Bagian terminal anoda adalah
ujung dari tipe p sedangkan bagian terminal katoda adalah ujung dari tipe n.
Dioda beroperasi berdasarkan polaritas relatif kaki anoda terhadap kaki katoda.
Kurva karateristik dioda terdiri dari kurva maju dan kurva mundur. Pada kurva
maju, tegangan diberikan bias maju sehingga arus mengalir dengan besar
sedangkan pada kurva mundur, tegangan diberikan bias mundur sehingga yang
mengalir hanya arus bocor kecil. LED adalah komponen yang terdiri dari bahan
semikonduktor tipe p dan tipe n (p-n junction). Pada daerah sekitar sambungan
tipe p dan tipe n, akan terjadi proses rekombinasi antara elektron dan hole yang
kemudian akan mengemisikan foton. Energi foton dari LED ini akan sebanding
dengan beda energi pita konduksi dan pita valensi (energy band-gap). LED
(Light Emitting Diode) adalah komponen yang dapat memancarkan cahaya
monokromatik yang diberikan tegangan maju. Cahaya yang dihasilkan oleh LED
bergantung pada jenis bahan semikonduktor yang digunakan. Sinar inframerah
dapat juga dihasilkan oleh LED, pada percobaan ini sinar inframerah dapat
diamati dengan menggunakan kamera android samsung. LED dapat menghasilkan
cahaya tanpa perlu waktu untuk pemanasan. Bahan yang dapat digunakan untuk
membuat LED adalah GaAsP, galium arsenida (GaAs), GaP sebagai doping untuk
memperoleh bahan semikonduktor tipe P dan tipe N. Selain itu, LED dapat dibuat
dari campuran antara AlAs dengan GaAs, doping ZnTe pada ZnSe atau doping
CuSe pada ZnSe, serta bahan seperti ZnSiP2 dan ZnSiAs2.

Tujuan dari percobaan ini adalah :

1. Menentukan jenis warna dari LED yang diamati.

2. Menentukan kurva karakteristik dari LED dengan menggunakan I-V
Meter.
3. Menentukan nilai tegangan threshold (Vth) dari LED.
4. Menentukan nilai band-gap energy (Eg) dari LED.

1
 5. Menentukan nilai panjang gelombang λ cahaya yang dipancarkan serta
nilai galat λ dari percobaan terhadap λ referensi.
6. Menentukan nilai parasitic resistance dari LED.

Batasan-batasan pada percobaan ini adalah :

1. LED yang diamati adalah 8 jenis

2. LED yang ditempatkan pada I-V Meter berada pada keadaan panjar maju.
3. Besaran-besaran masukan pada software ELKAHFI 100 ditentukan
dengan ketentuan yang ada pada modul 05.
4. Dalam pergantian pengamatan LED, I-V Meter dimatikan dan dihidupkan
kembali.
5. Dilakukan pengulangan 2 kali untuk masing-masing LED.

Asumsi yang digunakan dalam eksperimen ini adalah:

1. Energi gap dari emisi LED adalah eVth.

2. Tegangan threshold diambil tepat saat lampu mulai menyala.
3. Set alat I-V Meter ELKAHFI 100 berada pada keadaan baik.
4. Temperatur ruang tidak mempengaruhi nilai energi bandgap LED.
5. Energi bandgap dari LED sebanding dengan energi foton yang
dipancarkan oleh LED.

2
 Bab II Dasar Teori

II.1 Semikonduktor

Semikonduktor adalah suatu bahan yang memiliki sifat kelistrikan diantara bahan
konduktor dan isolator. Pada bahan semikonduktor ini, sifat kelistrikannya sangat
mudah dipengaruhi oleh cahaya atau medan magnet, dan temperatur (Herman,
2007).

Pasa suatu atom, elektron yang menempati orbit terluar disebut elektron valensi.
Elektron valensi ini dapat keluar dari ikatan kovalen menuju daerah konduksi
apabila diberikan energi panas. Elektron yang dapat lepas ini disebut elektron
bebas. Jumlah elektron bebas yang keluar dari ikatan kovalen akan semakin
banyak apabila semakin besar energi panas yang diberikan. Adanya perbedaan
elektron valensi akan mempengaruhi level energi yang disebut dengan pita energi
valensi. Apabila suatu energi diberikan pada elektron valensi, maka elektron
tersebut akan meloncat keluar ke daerah pita konduksi, dimana pita konduksi ini
adalah level energi elektron terlepas dari ikatan inti atom dan menjadi elektron
bebas. Daerah terlarang adalah jarak antar celah pita valensi dan pita konduksi
(Herman, 2007).

Energi band-gap adalah energi yang diperlukan oleh elektron valensi untuk
berpindah dari pita valensi menuju pita konduksi. Semakin besar nilai energi
bandgap maka akan semakin besar nilai energi yang dibutuhkan untuk elektron
valensi berpindah ke pita konduksi (Herman, 2007).

3
 Gambar II.1 Diagram energi semikonduktor (Herman, 2007).

Pada semikonduktor jarak antar celah pita energi atau daerah terlarang relatif
kecil. Pada temperatur 0 kelvin, tidak ada elektron valensi yang dapat keluar
menuju pita konduksi. Sebaliknya pada suhu ruang, energi panas mampu
memindahkan sebagian elektron valensi ke pita konduksi yang kemudian menjadi
elektron bebas. Elektron valensi yang menuju pita konduksi akan meninggalkan
daerah yang disebut hole. Hole secara listrik bermuatan positif dikarenakan
ditinggalkan oleh elektron yang bemuatan negatif. Arah gerakan hole berlawanan
dengan arah gerakan elektron (Herman, 2007).

II.2 Semikonduktor tipe P dan tipe N

Pada bahan tipe n apabila jumlah elektron bebasnya meningkat maka jumlah
holenya menurun. Hal ini dikarenakan dengan bertambahnya jumlah elektron
bebas, maka kecepatan hole dan elektron bebas untuk berekombinasi semakin
meningkat, sehingga jumlah holenya akan menurun. Pada keadaan suhu ruang,
maka elektron akan mencapai pita konduksi dan kemudian akan menjadi elektron
bebas (Herman, 2007).

4
 Gambar II.2.1 Diagram pita energi semikonduktor tipe n (Herman, 2007).

Gambar II.2.2 Bahan semikonduktor tipe n (Herman, 2007).

Pada tipe p, hole merupakan pembawa mayoritas dan pembawa minoritas nya
adalah elektron. Pada tipe p ini, dibutuhkan energi yang sangat kecil bagi elektron
valensi untuk menempati hole di level energi akseptor (Herman, 2007).

Gambar II.2.3 Diagram pita energi semikonduktor tipe p (Herman, 2007).

Gambar II.2.4 Bahan semikonduktor tipe p (Herman, 2007).

5
II.3 Dioda Semikonduktor

Dioda semikonduktor dapat dibentuk dari penyambungan semikonduktor tipe p

dan tipe n. Rekombinasi hole-hole pada bagian p dan elektron pada bagian n akan
terjadi saat proses penyambungan tipe p dan tipe n. Adanya hole dan elektron
yang berekombinasi akan saling meniadakan, sehingga akan terbentuk daerah
deplesi. Daerah deplesi ini tidak terjadi terus-menerus, hal ini dikarenakan adanya
potensial dari ion-ion positif dan negatif yang menghalanginya. Tegangan atau
potensial ekivalen pada daerah pengosongan ini disebut dengan tegangan
penghalang (Herman, 2007).

Gambar II.3.1 Pembentukan sambungan semikonduktor (Herman, 2007).

Gambar II.3.2 Pembentukan daerah deplesi (Herman, 2007).

Panjar maju adalah pemberian tegangan positif baterai pada terminal anoda dan
tegangan negatifnya ke terminal katoda dari suatu dioda.

6
 Gambar II.4 Dioda diberi bias maju (Herman, 2007).

Pada bahan tipe P hole akan tertarik ke kutub negatif baterai melewati
persambungan dan berekombinasi dengan elektron. Demikian halnya dengan
elektron, elektron akan tertarik ke kutub positif baterai untuk melewati
persambungan. Hal ini akan mengakibatkan daerah deplesi yang semakin
menyempit saat diberikan tegangan panjar maju (Herman, 2007).

Panjar mundur adalah pemberian tegangan negatif baterai pada terminal anoda
dan tegangan positif ke terminal katoda dari suatu dioda.

Gambar II.5 Dioda diberi bias mundur (Herman, 2007).

Pada bahan tipe P diberi tegangan negatif, maka hole akan tertarik ke kutub
negatif baterai dan akan menjauhi persambungan. Hal demikian juga berlaku
untuk tipe n yang diberi tegangan positif, maka elektron akan tertarik ke kutub
positif baterai yang kemudian menjauhi persambungan. Sehingga apabila
diberikan tegangan panjar mundur, maka daerah deplesi akan semakin melebar
dan akan terjadi kebocoran arus (Herman, 2007).

7
II.4 LED (Light Emitting Diode)

LED merupakan salah satu semikonduktor p-n junction yang akna menghasilkan
cahaya apabila ada arus listrik yang melewati celah antara katoda dan anoda. LED
akan mengalami proses electroluminescense yaitu, proses konversi energi listrik
menjadi cahaya. Apabila semikonduktor tipe p dan tipe n disambungkan maka
elektron dari tipe n akan berdifusi menuju tipe p yang kemudian elektron dan hole
akan mengalami proses rekombinasi yang mengakibatkan daerah deplesi disekitar
sambungan tipe p dan tipe n. Daerah deplesi akan semakin lebar jika diberikan
tegangan panjar mundur dan akan semakin menipis apabila diberikan tegangan
panjar maju.

Energi band -gap dari energi yang teremisiskan antara pita konduksi dan pita
valenis dapat diperoleh dengan menggunakan persamaan berikut

E g=hf =hc / λ (II.6.1)

Dengan Eg adalah energi bandgap (J), h adalah konstanta planck (

6,626 ×10−34 J . s ¿ dan c adalah kecepatan cahaya (3 ×108 m/s ¿ serta λ adalah
panjang gelombang (m)

Energi band-gap akan bernilai lebih besar dari selisih pita konduksi atau valensi
dengan energi fermi jika semikonduktor membawa muatan besar. Sehingga energi
band-gap dapat diperoleh dengan menggunakan

b ×e
E g=e ×V th = (II.6.2)
c

Dengan Eg adalah energi bandgap (J), e adalah muatan elektron sebesar (

1,6 ×10−19 C ) dan V th adalah tegangan threshold (V) serta b dan c adalah
konstanta hasil fitting.

Dari hubungan persamaan II.6.1 dapat diperoleh besar nilai panjang gelombang,
yang dapat diperoleh dengan menggunakan persamaan berikut

λ=( h× c) /E g (II.6.3)

8
Dengan λ adalah panjang gelombang (m), Eg adalah energi bandgap (J), h adalah
konstanta planck (6,626 ×10−34 J . s ¿ dan c adalah kecepatan cahaya (
3 ×108 m/s ¿.

Nilai galat dari panjang gelombang percobaan terhadap nilai panjang gelombang
referensi dapat diperoleh dengan menggunakan persamaan berikut

|λ pengamatan −λ referensi|
galat= (II.6.4)
λ referensi

Dengan λ adalah panjang gelombang (m)

LED memiliki parasitic resistance yang tidak diinginkan dan nilai ini dapat
diperoleh dengan menggunakan persamaan berikut

1
R s= (II.6.5)
m

Dengan m adalah konstanta gradien hasil regersi dan R s adalah hambatan

paarasitik dari LED (Ω).

9
 Bab III Metode dan Hipotesis

III.1 Metode

Pada percobaan ini, digunakan I-V Meter untuk pengukuran. Tegangan threshold
diamati tepat saat lampu LED meyala, data akan diambil sampai kurva
karakteristik telah berhenti dibuat oleh software ELKAHFI 100. Data kemudian
disimpan dalam folder yang telah ditentukan dengan format excel dengan
menekan tombol save as, lalu tombol clear graph ditekan sebelum memulai
pengukuran selanjutnya. Setelah tombol I-V Meter dimatikan dengan tombol
power ditekan. Pada percobaan selanjutnya, langkah diatas dilakukan dengan cara
yang sama namun, nilai voltage minimum dan maksimum diatur dengan rentang
kurang lebih 0,2 V dari nilai tegangan LED pada percobaan sebelumnya,
kemudian nilai tegangan yang terukur diambil sebagai nilai tegangan threshold
pengamatan.

III.2 Hipotesis

Pada percobaan ini, akan diperoleh jenis warna yang teramati berbeda-beda untuk
masing-masing LED, dan nilai panjang gelombang yang berbeda untuk tiap LED,
akan diperoleh nilai tegangan threshold yang berbeda-beda bergantung pada jenis
LED, akan diperoleh nilai parasitic resistance yang mengakibatkan kurva
karateristik dari tiap LED yang diperoleh tidak sesuai dengan kurva karateristik
ideal.

10
 Bab IV Hasil dan Pembahasan

IV.1 Hasil Eksperimen

Pada percobaan ini, pengamatan LED akan dilakukan 2 sebanyak 2 kali. Data
yang akan diperoleh pada percobaan ini adalah jenis warna yang dihasilkan oleh
masing-masing LED, data nilai tegangan threshold dan data tegangan dan arus
dari software I-V Meter untuk masing-masing percobaan. Data yang diperoleh
pada percobaan ini kemudian diolah yang kemudian akan dihasilkan data
konstanta hasil fitting, data hasil regresi, kurva karateristik dari LED, data
tegangan threshold dan data energi gap pada LED, data nilai panjang gelombang
dan galat serta data nilai parasitic resistance pada LED serta data pada saat LED
di paralel dan seri dengan suatu hambatan, dan kurva karakteristik dari varaisi
level speed.

IV.1.1 Percobaan Data Nyala LED

Tabel IV.1.1. Data nyala LED
No. warna Selubung Warna nyata
1 Bening Putih
Z Merah Merah
4 Bening Hijau
5 Bening Biru
y Kuning Oranye
no label Bening Infrared
x Hijau Kuning
2 Bening Merah

Dari tabel diatas, diperoleh untuk masing-masing LED memiliki warna emisi
foton yang berbeda-beda. Lampu diatas ditandai dengan kode – kode yaitu dengan
kode 1,Z,4,5,y,no label, x dan kode 2.

IV.1.2 Percobaan Data Konstanta Hasil Fitting

Tabel IV.2.2. Data konstanta hasil fitting
No. a b c d (10-5) R2
1 500,500 39,840 15,160 -0,681 0,994
Z 500,500 37,280 13,520 -0,125 0,995

11
 4 500,500 34,800 20,230 -1,694 0,997
5 500,500 25,840 5,374 3,050 0,966
y 500,500 47,910 13,090 0,662 0,994
No label 500,500 41,570 16,010 0,254 0,998
x 500,500 39,420 9,203 0,290 0,999
2 500,500 42,840 16,240 -0,489 0,998

Data diatas merupakan hasil pengolahan yang dilakukan dengan menggunakan

mathlab. Konstanta diatas diperoleh dari hubungan persamaan yang dihasilkan
dari hubungan plot tegangan terhadap arus. Data yang digunakan untuk
menghasilkan konstanta diatas adalah data percobaan 2.

IV.1.3 Percobaan Data Konstanta Hasil Regresi

Tabel IV.3.3. Data konstanta hasil regresi
No. M P R2
1 0,023 -0,060 0,9896
Z 0,024 -0,041 0,9562
4 0,010 -0,023 0,9863
5 0,012 -0,032 0,9721
y 0,018 -0,031 0,9848
no label 0,024 -0,025 0,963
x 0,023 -0,041 0,9498
2 0,021 -0,036 0,9784

Data pada tabel diatas diperoleh dari plot hubungan tegangan terhadap arus. Data
yang digunakan untuk menghasilkan konstanta diatas adalah data percobaan 1.
Regresi linear diambil saat yang bagian linear keatas. Plot kurva karakteristik ini
ditunjukkan oleh Gambar IV.4.3.1.sampai Gambar IV.5.3.8.

0
0
f(x) = 0.02 x − 0.06
Arus (A)

0 R² = 0.99 Percobaan 1
0 Percobaan 2
0 Linear (Percobaan 2)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Tegangan (Volt)

Gambar IV.6.3.1. Kurva karateristik lampu dengan kode 1

12
Gambar dihasikan dari data pada percobaan 1 untuk lampu dengan kode 1 yang
merupakan plot hubungan tegangan terhadap arus dengan hubungan kelinearan
0,9896.

0
0
0 f(x) = 0.02 x − 0.04
R² = 0.96
Arus (A)

0
0 Percobaan 1
0 Percobaan 2
0 Linear (Percobaan 2)
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tegangan (Volt)
Gamba
r IV.7.3.2. Kurva karateristik lampu dengan kode Z

Gambar dihasikan dari data pada percobaan 1 untuk lampu dengan kode Z yang
merupakan plot hubungan tegangan terhadap arus dengan hubungan kelinearan
0,9562.

0
0
f(x) = 0.01 x − 0.02
0 R² = 0.99
0
Arus (A)

Percobaan 1
0
Percobaan 2
0 Linear (Percobaan 2)
0
0
0 10 20 30 40 50 60
Tegangan (Volt)

Gambar IV.8.3.3. Kurva karateristik lampu dengan kode 4

Gambar dihasikan dari data pada percobaan 1 untuk lampu dengan kode 4 yang
merupakan plot hubungan tegangan terhadap arus dengan hubungan kelinearan
0,9863.

13
 0

0
f(x) = 0.01 x − 0.03
0 R² = 0.97
Arus (A)

0 Percobaan 1
0 Percobaan 2
Linear (Percobaan 2)
0

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
Tegangan (Volt)
Gamba
r IV.9.3.4. Kurva karateristik lampu dengan kode 5

Gambar dihasikan dari data pada percobaan 1 untuk lampu dengan kode 5 yang
merupakan plot hubungan tegangan terhadap arus dengan hubungan kelinearan
0,9721.

0
f(x) = 0.02 x − 0.03
0 R² = 0.98
Arus (A)

0 Percobaan 1
0 Percobaan 2
Linear (Percobaan 2)
0

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tegangan (Volt)
Gamba
r IV.10.3.5. Kurva karateristik lampu dengan kode y

Gambar dihasikan dari data pada percobaan 1 untuk lampu dengan kode y yang
merupakan plot hubungan tegangan terhadap arus dengan hubungan kelinearan
0,9848.

14
 0

0 f(x) = 0.02 x − 0.03

R² = 0.96
0
Arus (A)

Percobaan 1
0 Percobaan 2
Linear (Percobaan 2)
0

0
0 5 10 15 20 25 30
Tegangan (Volt)
Gamba
r IV.11.3.6. Kurva karateristik lampu dengan kode no label

Gambar dihasikan dari data pada percobaan 1 untuk lampu dengan kode no label
yang merupakan plot hubungan tegangan terhadap arus dengan hubungan
kelinearan 0,9627.

0
0
0 f(x) = 0.02 x − 0.04
R² = 0.95
0
Arus (A)

Percobaan 1
0
Percobaan 2
0 Linear (Percobaan 2)
0
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tegangan (Volt)

Gambar IV.12.3.7. Kurva karateristik lampu dengan kode x

Gambar dihasikan dari data pada percobaan 1 untuk lampu dengan kode x yang
merupakan plot hubungan tegangan terhadap arus dengan hubungan kelinearan
0,9498.

15
 2.5
2
f(x) = 21.3 x − 36.47
Arus (mA) 1.5 R² = 0.98
Percobaan 1
1
Percobaan 2
0.5 Linear (Percobaan 2)
0
0 0.5 1 1.5 2
Tegangan (Volt)
Gamba
r IV.13.3.8. Kurva karateristik lampu dengan kode 2

Gambar dihasikan dari data pada percobaan 1 untuk lampu dengan kode 2 yang
merupakan plot hubungan tegangan terhadap arus dengan hubungan kelinearan
0,9784.

IV.1.4 Percobaan Data Tegangan Threshold Pada LED

Tabel IV.14.4.Data tegangan threshold hasil pengamatan dengan tegangan
threshold hasil perhitungan linear
V thPengamatan V thperhitungan linear
No.
(V) (V)
1 2,440 2,613
Z 1,530 1,726
4 1,980 2,269
5 2,430 2,758
y 1,720 1,721
no label 0,930 1,025
x 1,680 1,778
2 1,480 1,712

Data tegangan threshold hasil pengamatan diperoleh dari percobaan 2 dan data

p
perhitungan linear diperoleh dari hubungan− pada data Tabel IV.15.3. Dari
m
data diatas diperoleh nilai tegangan threshold untuk masing-masing LED berbeda.

16
IV.1.5 Percobaan Data Energi Gap Pada LED

Tabel IV.16.5.Data energi gap tiap LED

E g Pengamatan E g Perhitungan Eg Perhitungan Linear
No.
(10 ) (J)
−19
Eksponensial (10 −19
) J) (10−19 ) (J)
1 3,904 4,205 4,181
Z 2,448 4,412 2,762
4 3,168 2,752 3,631
5 3,888 7,693 4,413
y 2,752 5,856 2,753
no label 1,488 4,154 1,639
x 2,688 6,853 2,845
2 2,368 4,221 2,740

Pada tabel diatas, nilai energi band-gap diperoleh dengan menggunakan

persamanan II.6.2. Pada percobaan ini, diperoleh nilai energi band-gap dari tiap
LED berbeda-beda. Nilai energi band-gap ini dapat menunjukkan bahwa masing-
masing LED memiliki nilai tegangan threshold yang berbeda-beda. Nilai energi
band-gap secara pengamatan diperoleh dengan menggunakan tegangan threshold
pengamatan, nilai energi band-gap secara perhitungan eksponensial diperoleh
dengan menggunakan hubungan konstanta dari hasil fitting dan nilai energi band-
gap secara perhitungan linear diperoleh dengan menggunakan tegangan threshold
linear.

IV.1.6 Percobaan Data Nilai Panjang Gelombang Pada LED

Tabel IV.17.6. Data panjang gelombang tiap LED

λ Perhitungan λ Perhitungan
λ referensi λ Pengamatan
No. Eksponensial Linear
(nm) (nm)
(nm) (nm)
1 450 509,170 472,751 475,413
Z 630-660 812,010 450,561 719,660
4 550-570 627,462 722,220 547,511
5 430-505 511,265 258,379 450,487
y 602-620 722,311 339,442 721,948
no label 850-940 1335,887 478,480 1212,453
x 585-595 739,509 290,045 698,669
2 630-660 839,443 470,966 725,482

17
Pada tabel diatas diperoleh panjang gelombang yang berbeda-beda untuk masing-
masing LED. Nilai panjang gelombang ini dapat diperoleh dari hubungan energi
band-gap terhadap panjang gelombang. Nilai panjang gelombang ini dapat
diperoleh dengan menggunakan persamaan II.6.3. Untuk mencari panjang
gelombang perhitungan eksponensial digunakan nilai energi band-gap
perhitungan eksponensial serta untuk mencari panjang gelombang perhitungan
linear digunakan nilai energi band-gap perhitungan linear.

IV.1.7 Percobaan Data Nilai Galat Panjang Gelombang Pada LED

Tabel IV.18.7. Data galat panjang gelombang tiap LED

Galat λ Galat λ Perhitungan Galat λ Perhitungan
No. Pengamatan Eksponensial Linear
(%) (%) (%)
1 13,149 5,056 5,647
Z 23,032 28,482 9,039
4 10,081 26,705 0,453
5 1,241 39,912 4,764
y 16,502 43,614 16,443
no label 42,116 43,708 28,984
x 24,287 50,420 17,423
2 27,188 25,244 9,922

Besar nilai galat dari panjang gelombang percobaan terhadap nilai panjang
gelombang referensi dapat diperoleh dengan menggunakan persamaan II.6.4.
Apabila nilai panjang gelombang berada pada rentang nilai panjang gelombang
referensi maka galatnya akan bernilai 0%. Adanya galat dalam percobaan ini
diakibatkan karena adanya galat panjang gelombang tersebut disebabkan oleh
adanya kesalahan pengamatan saat mengambil nilai tegangan threshold LED yang
diambil tepat saat lampu LED menyala, hal ini juga dapat diakibatkan karena
adanya delay mata dan gerakan motorik saat pengamatan, adanya pengaruh
temperatur yang mengakibatkan adanya perpindahan elektron dari keadaan pita
valensi menuju pita konduksi yang pada percobaan ini temperatur diasumsikan
tidak mempengaruhi pengukuran serta adanya perbedaan tegangan threshold pada

18
tiap LED yang mana tegangan threshold ini akan mempengaruhi nilai energi
bandgap dari tiap LED kemudian nilai energi bandgap ini dapat digunakan untuk
menentukan nilai panjang gelombang dari emisi foton tiap LED.

IV.1.8 Percobaan Data Parasitic Resistance Pada LED

Tabel IV.19.8. Data parasitic resistance tiap LED

No. Parasitic resistance (Ω)
1 43,685
Z 41,883
4 96,637
5 85,565
y 55,494
no label 40,860
x 42,876
2 46,957

Besar nilai parasitik resistansi pada LED dapat diperoleh dengan menggunakan
persamaan II.6.5. Adanya faktor parasitik resistansi ini, akan mempengaruhi hasil
kurva karakteristik dari LED.

IV.1.9 Percobaan Data Variasi Speed Level

Pada percobaan ini, akan dilakukan variasi dengan menggunakan varaisi speed
level yang akan menunjukkan perbedaan pada kurva karakterisasi pada LED.

0
0
Arus (A)

0 Level 1
Level 2
0 Level 3
0 Level 4
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
Tegangan (Volt)

Gambar IV.20.9. Kurva karateristik dengan variasi speed level

Gambar diatas menunjukkan pengaruh dari speed level yang dapat mempengaruhi
kurva karakterisasi LED.

19
IV.1.10 Percobaan Data Rangkaian LED-Resistor yang dirangkai
Secara seri dan Pararel

Pada percobaan rangkaian LED-Resistor ini, akan dilakukan karakterisasi dengan

cara yang sama seperti pada percobaan 1. Rangkaian LED-Resistor ini dilakukan
secara seri dan paraelel.

0
0 f(x) = 0 x − 0
R² = 1
0
Arus (A)

0
0
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Tegangan (V)

Gambar IV.21.10.1 Kurva karateristik dengan rangakaim LED-Resistor secara

seri

Pada Gambar IV.22.10.1 diperoleh dari hasil rangkaian LED-Resistor secara seri,
diperoleh bagian linear berada pada bagian paling atas yang bernilai 0,9988.

0
0 f(x) = 0.02 x − 0.03
R² = 0.97
Arus (A)

0
0
0
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
Tegangan (V)

Gambar IV.23.10.2 Kurva karateristik dengan rangakaim LED-Resistor secara

paralel

Pada Gambar IV.24.10.2 diperoleh dari hasil rangkaian LED-Resistor secara

paralel, diperoleh hubungan kelineran yang bernilai 0,9692.

20
IV.2 Pembahasan

Pada bagian ini, akan dijawab soal-soal yang ada pada modul 05 : karakteriasi
LED yang meliputi pertanyaan, analisis dan open problem.

IV.2.1 Pertanyaan

LED merupakan salah satu perangkat semikonduktor dengan sambungan tipe p-n
(p-n junction), dimana pada sambungan p-n ini, hole pada bagian p dan elektron
pada bagian n disekitar sambungan cenderung untuk berekombinasi. Daerah
deplesi atau daerah kosong akan terbentuk disekitar sambungan p dan n
dikarenakan hole dan elektron yang berekombinasi akan saling meniadakan.
Daerah kosong ini tidak berlangsung terus-menerus dikarenakan adanya tegangan
penghalang (barrier potential). Pada diagram pita energi untuk tipe n dan tipe p ,
dapat dilihat pada Gambar IV.2.2 dan Gambar IV.2.4. Pada tipe n ini, pada suhu
ruang semua elektron donor sudah bisa mencapai pita konduksi dan menjadi
elektron bebas. elektron bebas menjadi pembawa mayoritas dan hole sebagai
pembawa minoritas. Sedangkan, pada tipe p hole sebagai pembawa mayoritas dan
elektron sebagai pembawa minoritas. Diagram pita energi tipe p menunjukkan
bahwa dibutuhkan energi yang sangat kecil bagi elektron valensi untuk
menempati hole di level energi akseptor. Oleh karena itu, pada suhu ruang banyak
sekali jumlah hole di pita valensi yang merupakan pembawa muatan, oleh
karenanya pada LED elektron dari tipe n akan berdifusi menuju tipe p sehingga
akan terjadi proses rekombinasi yaitu, pertemuan elektron dari tipe n dengan
banyak hole dari tipe p dan akan melepaskan foton. Beda energi pita konduksi
dan pita valensi (energi band gap) akan sebanding dengan energi dari foton LED.

Asumsi yang digunakan pada pengolahan data adalah pertama tegangan threshold
diamati tepat saat lampu LED menyala, hal ini dilakukan karena tegangan
threshold merupakan tegangan yang menyebabkan proses pembentukan daerah
deplesi tidak terjadi secara terus-menerus. Kedua, besar nilai energi band gap akan
sebanding dengan banyaknya elektron dikali tegangan threshold, hal ini
dikarenakan foton yang teremisi tepat saat nilai tegangnan threshold. Ketiga,

21
temperatur tidak mempengaruhi pengukuran. Keempat, nilai energi foton emisi
LED sebanding dengan energi bandgap dari LED.

Keadaan reverse bias adalah keadaan dengan memberikan tegangan negatif

baterai ke terminal anoda dan pemberian tegangan positif ke terminal katoda. Dari
Gambar IV.3.1, diperoleh ujung dari anoda adalah tipe p , sehingga apabila diberi
tegangan negatif baterai maka hole yang merupakan pembawa mayoritas akan
tertarik ke kutub negatif baterai dan menjauhi persambungan demikian hal nya
dengan ujung katoda yang merupakan tipe n, dengan pemberian tegangan positif
baterai pada katoda akan menyebabkan elektron yang merupakan pembawa
mayoritas tertarik ke kutub positif sehingga menjauhi persambungan. Dengan
demikian, daerah deplesi disekitar persambungan akan semakin melebar dan tidak
ada arus yang mengalir. Pada keadaan ini, peristiwa rekombinasi tidak terjadi
dikarenakan jarak antara pita energi valensi dan konduksi yang semakin besar
sehingga LED tidak menyala karean tidak ada foton yang tereimisi dari proses
rekombinasi elektron dan hole.

Parasitic resistance adalah hambatan yang berada pada LED. Hambatan ini dibagi
2 yaitu, hambatan seri dan hambatan paralel. Hambatan mempengaruhi kurva
karateristik LED yang tidak sesuai dengan kurva karateristik LED ideal.

Material yang digunakan untuk membuat LED adalah material yang berjenis
direct bandgap. Hal ini dikarenakan, pada jenis direct bandpgap proses
rekombinasi yaitu turunnya elektron dari pita konduksi menuju pita valensi
dengan memancarkan foton terjadi secara spontan atau langsung. Hal ini dapat
terjadi secara langsung dikarenakan elektron dan hole memiliki momentum yang
sama. Sedangkan pada jenis material indirect bandgap, proses rekombinasi tidak
terjadi secara langsung melainkan membutuhkan partikel ketiga yang disebut
phonon untuk membantu memperbaiki nilai momentum antara elektron dan hole
dikarenakan pada indirect bandgap nilai momentum elektron dan hole tidak sama.

22
IV.2.2 Analisis

Arus drift adalah arus yang dihasilkan dari adanya perpindahan muatan-muatan
yang diakibatkan oleh perbedaan potensial sedangkan arus difusi adalah
perpindahan muatan akibat adanya distribusi muatan yang tidak uniform. Arus
yang dominan pada saat grafik tegangan terhadap arus mulai linear adalah arus
difusi. Pada saat adanya penumpukan muatan pada ujung daerah deplesi, akan
mengakibatkan munculnya medan listrik yang menghasilkan arus drift. Medan
listrik ini akan menggerakkan hole pada tipe n menuju elektron pada tipe p,
sehingga pada proses ini akan terjadi kesetimbangan dan tidak terdapat arus yang
mengalir. Sedangkan pada arus difusi, akan semakin banyak jumlah hole dari tipe
n yang berdifusi menuju elektron pada tipe p yang mengakibatkan akan semakin
besar arus yang dihasilkan. Hal ini disebabkan karena tegangan yang diberikan
pada LED semakin besar, namun tidak melewati nilai tegangan threshold yang
dapat menyebabkan selisih antara tegangan penghalang dan tegangan yang
diberikan bernilai kecil.

Perbandingan antara nilai panjang gelombang LED hasil percobaan dan hasil
referensi tidak sesuai, hal ini disebabkan karena diperoleh galat dari perhitungan
nilai panjang gelombang percobaan terhadap nilai panjang gelombang referensi.
Pada percobaan ini tidak diperoleh nilai panjang gelombang secara perhitungan
yang berada pada rentang panjang gelombang referensi. Adanya galat panjang
gelombang tersebut disebabkan oleh adanya kesalahan pengamatan saat
mengambil nilai tegangan threshold LED yang diambil tepat saat lampu LED
menyala, hal ini juga dapat diakibatkan karena adanya delay mata dan gerakan
motorik saat pengamatan, adanya pengaruh temperatur yang mengakibatkan
adanya perpindahan elektron dari keadaan pita valensi menuju pita konduksi yang
pada percobaan ini temperatur diasumsikan tidak mempengaruhi pengukuran serta
adanya perbedaan tegangan threshold pada tiap LED yang mana tegangan
threshold ini akan mempengaruhi nilai energi bandgap dari tiap LED kemudian
nilai energi bandgap ini dapat digunakan untuk menentukan nilai panjang
gelombang dari emisi foton tiap LED.

23
Energi bandgap dari LED sebanding dengan energi foton yang dipancarkan oleh
LED pada saat proses rekombinasi di dearah sambungan semikonduktor tipe p
dan tipe n. Hal ini benar dikarenakan pada semikonduktor, nilai energi band-gap
akan bernilai lebih besar dari selisih pita konduksi atau valensi dengan energi
fermi jika semikonduktor membawa muatan besar. Sehingga energi badgap dapat
diperoleh dari hubungan muatan elektron dan nilai tegangan threshold. Nilai
energi bandgap dapat dipengaruhi dari perbedaan nilai energi fermi terhadap nilai
energi valensi dan pengaruh dari perbedaan nilai energi fermi terhadap nilai energi
konduksi.

LED memiliki nilai tegangan threshold yang berbeda-beda. Adanya perbedaan

tegangan threshold ini disebabkan oleh bahan pembentuk LED tersebut atau
karena disebabkan doping yang digunakan pada bahan pembentuk LED. Adanya
perbedaan tegangan threshold ini mengakibatkan perbedaan energi bandgap dari
masing-masing LED. Energi bandgap atau beda energi pita konduksi dan pita
valensi akan sebanding dengan energi foton LED yang teremisikan, sedangkan
energi foton ini akan mempengaruhi nilai panjang gelombang (lihat persamaan
II.6.3). Dengan demikian, diperoleh hubungan antara tegangan threshold, energi
bandgap dan energi foton serta nilai panjang gelombanng. Hal tersebut yang
menyebabkan adanya perbedaan jenis warna yang dihasilkan pada tiap LED.

IV.2.3 Open Problem

Kurva karakteristik dengan variasi speed level dapat dilihat pada Gambar IV.25.9.
speed level tidak akan mempengaruhi kurva karakteristik dari LED namun speed
level akan mempengaruhi pembacaan nilai tegangan threshold yang teramati.
Semakin lambat nilai level speed yang kita atur atau semakin tinggi nilai speed
level, maka nilai yang teramati akan semakin akurat. Kondisi yang dapat
mempengaruhi nilai speed level adalah temperatur. Hal ini karenakan pada suhu
ruang, energi panas mampu memindahkan sebagian elektron valensi ke pita
konduksi yang kemudian menjadi elektron bebas.

Hasil percobaan karakterisasi dengan cara yang sama seperti percobaan 1 terhadap
rangkaian LED-Resistor yang dirangkai secara seri dan pararel secara bergantian

24
dapat dilihat pada Gambar IV.26.10.1 dan Gambar IV.27.10.2. Hambatan seri
adalah hambatan yang diakibatkan karena adanya hambatan yang berlebihan pada
kontak LED atau dapat diakibatkan karena adanya hambatan pada daerah netral
pada LED, sedangkan hambatan paralel ada karena diakibatkan oleh adanya
saluran yang melewati sambungan tipe p dan tipe n. Saluran ini dapat disebabkan
karena adanya kerusakan pada daerah sambungan tipe p dan tipe n. Rangkaian
LED-Resistor secara paralel lebih mendekati kurva karakteristik I-V ideal LED.

Perhitungan nilai energy bandgap dan panjang gelombang secara perhitungan

linear dari masing-masing LED dengan menggunakan tegangan threshold
perhitungan linear dapat diilhat pada Tabel IV.28.5 dan Tabel IV.29.6. Untuk
menentukan perhitungan mana yang lebih baik antara perhitungan secara linear
dan eksponensial adalah dengan melihat galat dari panjang gelombang
perhitungan secara linear dan eksponensial terhadap panjang gelombang referensi.
Galat ini dapat dilihat pada Tabel IV.30.7. Dari data tersebut, diperoleh bahwa
perhitungan secara linear lebih baik daripada perhitungan secara eksponensial.
Hal ini dikarenakan pada perhitungan secara eksponesial menggunakan metode
fitting.

25
 Bab V Kesimpulan

1. Jenis warna dari LED masing-masing LED yang teramati dapat dilihat pada
Tabel V.31.1. Tabel tersebut menunjukkan adanya perbedaan dari warna
selubung LED dengan warna yang teramati saat LED diberikan tegangan
panjar maju.
2. kurva karakteristik dari masing-masing LED dengan menggunakan I-V Meter
ditunjukkan pada Gambar V.32.3.1 sampai Gambar V.33.3.8. Kurva
karakteristik dari masing-masing LED akan berbeda-beda tergantung pada
energi bandgap dan tegangan threshold untuk tiap LED.
3. Besar nilai tegangan threshold (Vth) dari LED masing-masing LED berbeda-
beda. Nilai tegangan threshold (Vth) untuk tiap LED dapat dilihat pada Tabel
V.34.4.
4. Besar nilai band-gap energy (Eg) dari masing-masing LED berbeda-beda. Nilai
band-gap energy (Eg) untuk tiap LED dapat dilihat pada Tabel V.35.5.
5. Besar nilai panjang gelombang λ cahaya yang dipancarkan serta nilai galat λ
dari percobaan terhadap λ referensi dapat dilihat pada Tabel V.36.6 dan pada
Tabel V.37.7. Adanya galat panjang gelombang tersebut disebabkan oleh
adanya kesalahan pengamatan saat mengambil nilai tegangan threshold LED
yang diambil tepat saat lampu LED menyala, hal ini juga dapat diakibatkan
karena adanya delay mata dan gerakan motorik saat pengamatan, adanya
pengaruh temperatur yang mengakibatkan adanya perpindahan elektron dari
keadaan pita valensi menuju pita konduksi yang pada percobaan ini
temperatur diasumsikan tidak mempengaruhi pengukuran serta adanya
perbedaan tegangan threshold pada tiap LED yang mana tegangan threshold
ini akan mempengaruhi nilai energi bandgap dari tiap LED kemudian nilai
energi bandgap ini dapat digunakan untuk menentukan nilai panjang
gelombang dari emisi foton tiap LED.
6. Besar nilai parasitic resistance dari masing-masing LED dapat dilihat pada
Tabel V.38.8. Adanya faktor parasitik resistansi ini, akan mempengaruhi hasil
kurva karakteristik dari LED.

26
 DAFTAR PUSTAKA

Surjono, Herman Dwi. (2007) : Elektronika : Teori dan Penerapan, Cerdas Ulet
Kreatif Publisher, Jember, 1, 1-24.

Schubert, EF. 2006 Light Emitting Diodes. 2nd Edition. New York : Cambridge
University Press

Pustaka dari Situs Internet :

Cahyadi, Eko Fajar. (2017): Pertemuan 5 Optical Sources,

http://ekofajarcahyadi.dosen.ittelkom-pwt.ac.id/wp-
content/uploads/sites/10/2017/02/Pertemuan-5-Optical-Sources.pdf,
diunduh pada 26 Oktober 2019.

Kho, Dickson. : Pengertian LED (Light Emitting Diode) dan Cara Kerjanya,
https://teknikelektronika.com/pengertian-led-light-emitting-diode-cara-
kerja/, diunduh pada 26 Oktober 2019.

Elkahfi Instruments. 2013. ELKAHFI 100: IV Meter, User Manual, Versi 2.1.
(https://sites.google.com/site/elkahfii/products/analytical-instruments/i-
vmeter-picoa) diunduh pada 26 Oktober 2019.

27