LAPORAN PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA

RESISTANSI REVERSE BIAS DIODA

Oleh :
Kelompok 4
NAMA MAHASISWA NIM
1. DITA JULIANTY PAKPAHAN 2305211001
2. FEDRICK SIRINGORINGO 2305211093
3. M. BHAGAS HARA 2305211021
4. M. HARITS 2305211045

LABORATORIUM ELEKTRONIKA
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
PRODI TEKNIK
TELEKOMUNIKASI POLITEKNIK
NEGERI MEDAN TAHUN 2024
 LEMBAR PENGESAHAN

LAPORAN PRAKTIKUM
RANGKAIAN ELEKTRONIKA

Diajukan sebagai prasyarat telah melaksanakan Praktikum Elektronika

LABORATORIUM ELEKTRONIKA
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
PRODI TEKNOLOGI REKAYASA
JARINGAN TELEKOMUNIKASI
POLITEKNIK NEGERI MEDAN

Medan, 19 Maret 2024

Dosen Pembina 1 Dosen Pembina 2

Ir. Regina Sirait, M.T. Tuti Aditama Nst, S,T, M.T.

NIP.19651224 NIP. 1990032004

i
 KATA PENGANTAR

Dengan mengucap puji syukur kehadirat Allah SWT yang telah melimpahkan segala
rahmat, nikmat serta hidayah-Nya, sehingga penulis dapat menyelesaikan penyusunan laporan
ini dengan baik. Adapun laporan ini disusun sebagai prasyarat telah
melaksanakan praktikum Elektronika.
Dalam usaha menyelesaikan laporan ini, penulis menyadari sepenuhnya akan
keterbatasan waktu dan pengetahuan, sehingga tanpa bantuan dan bimbingan dari semua
pihak tidaklah mungkin berhasil dengan baik. Oleh karena itu, pada kesempatan ini penulis
mengucapkan banyak terima kasih kepada:

1. Allah SWT yang masih memberikan kita Kesehatan dan kemampuan sehingga
pembuat dapat mampu menyelesaikan laporan ini dengan sebaik baiknya.

2. Saya ingin mengucapkan terimakasi juga kepada dosen pengampu yang bersedia
memberikan ilmunya sehingga kami dapat mempunyai gambaran dan ilmu tentang
bagaimana cara menyelesaikan laporan ini

Mengingat keterbatasan kemampuan yang penulis miliki, maka penulis menyadari

bahwa penyusunan laporan ini masih jauh dari kesempurnaan, walaupun demikian penulis
berharap semoga laporan ini dapat memberikan manfaat bagi pembaca umumnya dan bagi
penulis khususnya.

Medan, 19 Maret 2024

Penulis

(Dita Julianty Pakpahan)

ii
 DAFTAR ISI
1. Lembar Pengesahan...............................................................................................i
2. Kata Pengantar......................................................................................................ii
3. Daftar Isi..............................................................................................................iii
4. BAB I Pendahuluan…………………………………………………………………...1
5. BAB II LandasanTeori………………………………………………………………...2
6. BAB III Metdologi Praktikum…………………………………………………………4
7. BAB IV Analisa Data ………………..……………………………………………….5
8. BAB V Penutup ……………………………………………………………………...7
9. Jawaban Pertanyaan…………………………………………………………………..8
10. DAFTAR PUSTAKA………………………………………………………………9

iii
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Tujuan
Membandingkan tahanan reverse dari dioda Ge dan dioda Si dan
memperlihatkan bahwa, tahanan ini berhubungan dengan perubahan
tempratur.
1.2 Latar Belakang
Dioda adalah komponen semikonduktor yang paling sederhana yang terdiri atas dua
elektroda yaitu katoda dan anoda. Ujung anoda biasanya diberi gelang atau titik yang
menandakan posisi atau letak katodanya. Dioda hanya bisaa dialiri arus satu arah saja
apabila dialiri arus maka yang mengalir terap satu arah saja,karena sifat tersebut dioda
jenis tersebut dijadikan untuk switch

1
 BAB II
LANDASAN TEORI

2.1 Landasan Teori

Dioda adalah komponen elektronika yang terbuat dari bahan semikonduktor. Dioda memiliki fungsi
hanya mengalirkan arus satu arah saja. Struktur dioda adalah sambungan semikonduktor tipe P dan
tipe N.Untuk dioda yang terbuat dari bahan silikon tegangan konduksi lebih besar dari 0,7 volt.

Bias mundur (reverse bias)

Bias mundur adalah pemberian tegangan negatif baterai ke terminal anoda (A) dan tegangan positip
Keterminal katoda (K) dari suatu dioda dengan kata lain tegangan anoda katoda VA-K adalah
negatif (VA-K<0) karena pada ujung anoda (A) yang berupa bahan tipe p diberi tegangan negatif,
maka holehole (pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutup negatif baterai menjauhi persambungan.
Demikian juga karena pada ujung katoda (K) yang berupa bahan tipe n diberi tegangan positip,
maka elektron-elektron (pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutub postif baterai menjauhi
persambungan. Sehingga daerah pengosongan semakin lebar, dan arus yang disebabkan oleh
pembawa mayoritas tidak ada yang mengalir.
Bias maju (forward bias)
Apabila tegangan positif baterai dihubungkan ke terminal anoda (A) dengan negatifnya ke terminal
katoda (K) mka dioda disebut mendapatkan bias maju (froward bias) dengan bisa maju dengan
pemberian polaritas tegangan seperti pada gambar diatas, yakni VA-K postipf maka pembawa
mayoritas dari bahan tipe p (hole) akan tertarik oleh kutub negatif baterai melewati persambungan
dan berkombinasi dengan elektron (pembawa mayoritas bahan tipe n) Demikian juga elektronnya
akan tertarik oleh kutub postif baterai untuk melewati persambungan. Oleh karena itu daerah
pengosongan terlihat semakin menyempit pada saat dioda diberi bias maju dan arus dioda yang
disebkan oleh pembawa mayoritas akan memgalir yaitu ID, sedangkan pembawa minoritas dari
bahan tipe p (elektron) dan dari bahan tipe n (hole) akan berkombinasi dan menghasilkan Is. Arah Is
dan ID adalah berlawanan. Namun karena Is jauh lebih kecil dari pada ID, aka secara praktis
besarnya arus yang mengalir pada dioda ditentukan oleh ID. Adapun jenis-jenis dari dioda
pertemuan yang hanya menekankan perbedaan pada aspek fisik baik ukuran geometrik, tingkat
pengotoran, jenis elektroda ataupun jenis pertemuan atau benar benar peranti berbeda seperti dioda
Gun , dioda laser dan dioda MOSFET.Dioda biasa beroperasi seperti penjelasan di atas. Biasanya
dibuat dari silikon terkotori atau yang lebih langka dari germanium. Sebelum pengembangan dioda
penyearah silikon modern, digunakan kuprous oksida (kuprox) dan selenium, pertemuan ini
memberikan efesiensi yang rendah dan penurunan tegangan maju yang lebih tinggi dengan banyak
lapisan pertemuan ditumpuk untuk mempertinggi ketahanan terhadap tegangan terbalik dan
memerlukan benaman bahan yang besar (kadang kadang perpanjangan dari substrat logam dari
dioda) jauh lebih besar dari dioda silikon untuk rating arus yang sama.
Kegunaan dioda:
1.Dioda germanium digunakan untuk pada rangkaian detektor radio penerima
2.Dioda silikon digunakan sebagai penyearah
3.Dioda zener digunakan untuk penstabil tegangan pada pesawat catu daya, walaupun arus dan
tegangan yang masuk kerangkaian berubah-ubah juga sering digunakan pada alat ukur potensial
yang berisi volt meter) dengan ukuran yang tepat dan akurat.

2
 BAB III
METODOLOGI PRAKTIKUM
3.1 Gambar Rangkaian

X
●
Sumber
Daya
Searah 100 KΩ
VO
Y
●

Gambar 1. Rangkaian Dioda

3.1 Alat dan Bahan

Peralatan dan Bahan yang Digunakan:
1. Sumber Daya Searah ( 1V s/d 15 V ) : 1 Buah
2. Milliammeter ( 0 mA s/d 50 mA ) : 1 Buah
3. Voltmeter Digital : 1 Buah
4. Dioda Silicon : 1 Buah
5. Dioda Germanium : 1 Buah
6. Resistor : 100 K Ω
7. Kabel Penghubung : Secukupnya..

3
 3.2 Prosedur Kerja
1.Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1, dengan menggunakan Dioda Germanium serta Resistor
sebesar 100 KΩ
2. Dengan menggunakan Voltmeter Digital pada terminal X-Y aturlah tegangan masukan sebesar
15 Volt.
3.Ukurlah sekarang tegangan VO pada Resistor.
VO = ........ Volt
Tegangan pada dioda hampir sama dengan tegangan masukan karena tegangan pada Resistor
kecil.
4.Sekarang hitunglah arus yang melalui resistor ( Arus reverse bias dioda ) dengan menggunakan
tegangan pada resistor. Maka arus reverse .

VO
IR =
100 KΩ

5.Tentukanlah resistansi reverse bias dari dioda germanium dengan menggunakan hukum ohm

VS - VO VR
RR = = =
IR IR
6.Kemudian, peganglah ujung katoda dengan ibu jari dan jari telunjuk untuk memanaskan dioda
sedikit demi sedikit, hati – hati jangan sampai dioda terhubung oleh jari saudara atau memparalel
dioda dengan tahanan kulit.
7.Perhatikan tegangan pada resistor selama dioda dipegang, apa yang terjadi.
8.Kemudian lepaskan dioda dan amatilah sekali lagi tegangan pada resistor, jelaskan apa yang
terjadi.
9.Gantilah dioda germanium dengan dioda silicon dan ulangi langkah-langkah diatas.

4
 BAB IV
ANALISA
DATA

4.1 Data Hasil Percobaan

4.1NGaris Beban diode germanium

Dioda Slikom Dioda Germanium
VS Resistor
Vo (V) IR Rr Vo (V) IR Rr

15 100 KΩ 0,65 V 6 µA 2,04 MΩ 0,56 V 5,6 µA 2,57 MΩ

5
4.2 Analisa Pembahasan

6
 BAB V
PENUTUP

5.1 Kesimpulan

7
 JAWABAN PERTANYAAN
1. Buatlah laporan dari hasil praktikum ini serta lampirkan hasil-hasil perhitungan yang telah
dilakukan.
2. Selain pada dioda dimana lagi kita menggunakan garis beban ? jelaskan
3. Dari hasil praktikum buatlah kesimpulan.

1. Bandingkanlah harga resistansi reverse RR yang saudara peroleh dengan RR pada data dioda
yang digunakan ! Apakah ada perbedaan.?
2. Apakah resistansi reverse ini perubahannya sebanding dengan perubahan temperatur ? jelaskan
jawab saudara.
3. Manakah yang lebih besar resistansi reverse dioda germanium atau dioda silicon ? Mengapa ?
4. Dari hasil praktikum buatlah kesimpulan saudara

1. ada, Vr pada dioda silikon setelah dipegang akan berubah harganya menjadi 0,72 V saat Vr
dilepaskan akan 0,65 V pada dioda germanium Vr setelah dipegang 0,66 V Vr setelah
dilepaskan harganya akan berubah menjadi 0,56 V
2. Resistansi reverse tidak selalu berubah sebanding dengan perubahan suhu pada dioda biasanya
terdapat koefisien suhu yang mempengaruhi perubahan resistansi reverse terhadap suhu. Dioda
germanium memiliki koefisien suhu yang lebih besar dibandingkan silikon sehingga resistansi
reverse germanium cendrung lebih sensitif terhadap perubahan suhu
3. resistansi reverse dioda germanium cenderung lebih besar dibandingkan dioda silikon pada suhu
hal ini disebabkan oleh karakteristik interiksi dari material masing-masing dioda germanium
memiliki kumpulan energi yang lebih kecil dari pada dioda silikon sehingga pada suhu
germanium memiliki resistansi reverse yang lebih besar
4. Kesimpulan dari hasil praktikum :
1) resistansi reverse dioda dipengaruhi oleh jenis material (Germanium atau Silikon) dan suhu
2) Perubahan suhu dapat mempengaruhi resistansi reverse dioda terutama dioda germanium
yang memiliki koefisien suhu yang lebih besar
3) penting untuk memperhatikan jenis komponen yang dipakai dan mengukur resistansi reverse
dioda

8
 DAFTAR PUSTAKA
https://www.hajarfisika.com/2017/09/laporan-praktikum-karakteristik-dioda.html
diakses pada tanggal 6 Maret 2018

http://www.nulis-ilmu.com/2015/08/memahami-karakteristik-dioda.html diakses pada

tanggal 6 Maret 2018Susanti, Anna. 2006.
Laboratorium Elektronika..