LAPORAN PRAKTIKUM

Modul 4

DIODA SEMIKONDUKTOR

DIBUAT OLEH :

Nama : Abdul kholil

NIM : -
Program Studi : Teknik Elektronika
Semester : II (Dua)
Matakuliah : Elektronika analog I
Tanggal Pelaksanaan : 10 maret 2020

POLITEKNIK TMKM – KOTABARU

2020
 LEMBAR PENGESAHAN

LAPORAN PRAKTIKUM

Mengetahui Menyetujui DIbuat Oleh

Yudi Nugraha,. ST., MM Yudi Nugraha, ST., MM.Pd Abdul kholil

Ketua Prodi Teknik Elektronika Dosen Mata Kuliah Mahasiswa

i
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kehadirat Tuhan Yang Maha Esa atas segala rahmat-NYA sehingga laporan praktikum
elektronika analog 1 tentang “ dioda semikonduktor” ini dapat tersusun hingga selesai.

Laporan ini bertujuan untuk memenuhi tugas mata Elektronika analog 1. Laporan praktikum yang
telah saya susun ini terambil dari beberapa sumber yaitu merupakan sumber tertulis seperti artikel di
berbagai laman pendidikan yang sesuai dengan judul paraktikum.

Pada kesempatan ini penulis juga mengucapkan terima kasih beserta doa yang setinggitingginya kepada:

1. Bapak Agus Sumitra SE., MM,.Ph.D selaku Direktur POLITEKNIK TMKM

2. Ibu Fajar Adi Purwaningrum ST., MM selaku Pudir 1 POLITEKNIK TMKM

3. Ibu Siti Syafa’at SE., MM selaku Pudir 2 POLITEKNIK TMKM

4. Bapak Eko Agus Darmadi S.kom., MM selaku Pudir 3 POLITEKNIK TMKM

5. Bapak Yudi Nugraha ST.,MM Selaku kajur dan dosen pembimbing matakuliah elekrtonika analog 1.

6. Serta semua Dosen Dosen berserta Staf dan jajarannya.

Terlepas dari semua itu, saya menyadari bahwa masih ada kekurangan baik dari segi susunan
kalimat maupun tata bahasanya. Oleh karena itu dengan tangan terbuka saya menerima segala saran dan
kritik agar dapat memperbaiki makalah ini. Akhir kata saya berharap semoga laporan ini dapat memberikan
manfaat maupun pengetahuan terhadap semua pembaca.

Kotabaru, 24 maret 2020

Abdul kholil

ii
 DAFTAR ISI

Hal

HALAMAN PENGESAHAN .............................................................................................................. i

KATA PENGANTAR ....................................................................................................................... ii
DAFTAR ISI .................................................................................................................................... iii
BAB I PENDAHULUAN ................................................................................................................... 1
A. Latar Belakang ............................................................................................................ 1
B. Tujuan Praktikum.......................................................................................................... 1
C. Manfaan Praktikum ...................................................................................................... 1
BAB II DASAR TEORI...................................................................................................................... 2
BAB III PEMBAHASAN HASIL PRAKTIKUM .................................................................................. 4
A. Alat dan Bahan Praktikum ........................................................................................... 4
B. Tugas Pendahuluan .................................................................................................... 4
C. Mekanisme Percobaan ................................................................................................. 4
a. Percobaan 1 .......................................................................................................... .4
b. Percobaan 2 .......................................................................................................... .5
c. Percobaan 3 .......................................................................................................... .5
d. Percobaan 4........................................................................................................... .5
D. Tugas Akhir .................................................................................................................. .6
a. Pembahasan setiap percobaan ............................................................................. .6
b. Kesimpulan setiap percobaan ............................................................................... .7
Bab IV Kesimpulan .......................................................................................................................... .8
Daftar Pustaka ................................................................................................................................ .9

iii
 BAB I
PENDAHULUAN

A. Latar belakang
Dioda merupakan komponen elektronika yang memiliki beragam fungsi selain sebagai
penyearah arus, dimana sebagai penyerah ars dioda dapat digunakan di dalam catu daya arus DC,
mendeteksi gelombang radio dan TV (Arifin, 2015) pengaman rangkaian listrik. Selain itu, dioda
dapat juga digunakan sebagai penstabil tegangan, pelipat tegangan, penghasil cahaya, dan
digunakan dalam solar sel, dll.Dioda berbahan dasar semikonduktor ini biasanya digunakan pada
tegangan yang tidak terlalu tinggi sedangkan untuk tegangan tinggi biasanya digunakan dioda
vakum.

B. Tujuan penelitian

1. Mengetahui komponen elektronika dioda semikonduktor.

2. Mengetahui karakteristik dioda semikonduktor.
3. Mampu menganalisa rangkaian forward bias dan reverse bias pada dioda semikonduktor.

C. Manfaat penelitian

1. Membuktikan dari semua percobaan hasil yang dikeluarkan bebrbeda beda.

2. Membuat kita menjadi lebih memahaminya secara detail

1
 BAB II

DASAR TEORI

A. Definisi dioda semikonduktor

Dioda adalah komponen elektronika yang terbuat dari bahan semikonduktor. Dioda memiliki
fungsi hanya mengalirkan arus satu arah saja. Struktur dioda adalah sambungan semikonduktor P
dan N. Satu sisi adalah semikonduktor dengan tipe P dan satu sisinya yang lain adalah tipe N.
Dengan struktur demikian arus hanya akan mengalir dari sisi P menuju sisi N. Dibawah ini gambar
simbol dan struktur dioda serta bentuk karakteristik dioda. (Untuk dioda yang terbuat dari bahan
Silikon tegangan konduksi adalah diatas 0.7 volt
Sebagian besar dioda saat ini berdasarkan pada teknologi pertemuan p-n semikonduktor.
Pada dioda p-n, arus mengalir dari sisi tipe-p (anoda) menuju sisi tipe-n (katoda), tetapi tidak
mengalir dalam arah sebaliknya.
Tipe lain dari dioda semikonduktor adalah dioda Schottky yang dibentuk dari pertemuan antara
logam dan semikonduktor (sawar Schottky) sebagai ganti pertemuan p-n konvensional
Jenis-jenis dioda semikonduktor :
a. Dioda biasa
Sebelum pengembangan dioda penyearah silikon modern, digunakan kuprous oksida
(kuprox)dan selenium, pertemuan ini memberikan efisiensi yang rendah dan penurunan
tegangan maju yang lebih tinggi (biasanya 1.4–1.7 V tiap pertemuan, dengan banyak lapisan
pertemuan ditumpuk untuk mempertinggi ketahanan terhadap tegangan terbalik), dan
memerlukan benaman bahang yang besar (kadang-kadang perpanjangan dari substrat logam
dari dioda), jauh lebih besar dari dioda silikon untuk rating arus yang sama.
b. Dioda bandangan
Dioda yang menghantar pada arah terbalik ketika tegangan panjar mundur melebihi tegangan
dadal dari pertemuan P-N. Secara listrik mirip dan sulit dibedakan dengan dioda Zener, dan
kadang-kadang salah disebut sebagai dioda Zener, padahal dioda ini menghantar dengan
mekanisme yang berbeda yaitu efek bandangan. Dll

2
 BAB III

PEMBAHASAN DAN HASIL PRAKTIKUM

A. Alat dan bahan

1. Dioda semikonduktor
2. Resistor
3. Projectboard
4. Catu daya
5. Multimeter
B. Tugas pendahuluan
1. Jelaskan istilah-istilah: Tegangan breakdown, Tegangan knee, Forward bias dan Reverse bias.
2. Apakah dioda dapat bekerja seperti saklar? Jelaskan!
Penjelasan :
1. Breakdown adalah tegangan minimal pada dioda untuk dapat mengalirkan arus listrik, knee
adalah tegangan pada saat arus naik secara cepat pada saat dioda berada didaerah majuatau
disebut sebagai tegangan penghalag, forward bias adalah pemberian tegangan luar ke
terminal dioda, reverse bias adalah arus yang mengalir jauh lebih kecil dari pada kondisi bias
maju atau disebut bias mundur.
2. Bisa karena dioda merupakan sutu penyearah tegangan dimana akan menghantarkan arus bila
tegangan sumber lebih besar dengan tegangan idealnya.
C. Mekanisme percobaan
a. Mengukur Dioda dengan Ohmmeter
1. Atur posisi selector multimeter pada pengukuran Ohm.
2. Pasangkan probe merah (+) pada kaki anoda dioda dan probe hitam (-) pada kaki katoda
dioda.
3. Perhatikan resistansi dioda yang terbaca pada Ohmmeter.
4. Tukarkan posisi probe Ohmmeter, probe merah (+) pada kaki katoda dioda dan probe
hitam (-) pada kaki anoda dioda.
5. Baca nilai resistansi dioda yang terukur pada Ohmmeter.
6. lakukan percobaan diatas pada dioda yang lain.
7. Catat hasil percobaan pada tabel.

3
b. Percobaan kedua
1. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. (R1 = 1 K Ohm)

2. Berikan tegangan mulai dari 0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 0.9, 1, 2, 4, 6, 8, dan 10 volt. Ukur besar
tegangan dan arus pada dioda untuk setiap tegangan sumber yang diberikan.
3. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB.
4. Tuliskan data hasil percobaan pada tabel seperti di bawah ini.

c. Percobaan ketiga
1. Balikkan pemasangan arah dioda pada gambar diatas.
2. Berikan tegangan mulai dari 0, 5, 10, 15, 20, 22, 24, 26, 28, dan 30 volt. Ukur besar
tegangan dan arus pada dioda untuk setiap tegangan sumber yang diberikan.
3. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB.
4. Tuliskan data hasil percobaan pada tabel seperti percobaan kedua.
d. Percobaan keempat
1. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. (R1 = 1 K Ohm)

2. Berikan tegangan sumber sebesar 5 volt. Ukur besar arus yang mengalir pada rangkaian.
3. Perhatikan yang terjadi pada LED.
4. Ganti nilai R1 dengan nilai yang lebih besar.
5. Perhatikan kembali yang terjadi pada LED.
6. Matikan catu daya. Balikkan posisi kaki dioda D1.
7. Lakukan langkah no 2 dan 3.
8. Simulasikan rangkaian diatas pada program EWB.

4
D. Tugas ahir
 Hasil percobaan praktikum
1. Percobaan pertama
Resistansi (Ohm) Resistansi (Ohm)
Dioda (Probe + pd anoda, Probe - (Probe + pd katoda, Probe -
pd katoda) pd anoda)
1 35,73 Mohm 0
2 Tidak terdeteksi 21,18 kohm

2. Percobaan kedua

V(volt) Vd Id(arus)
Sumber Suber Sumber
0 0 0
0,1 100 mv 0,1 μA
0,3 300 mv 0,3 A
0,5 497,7mv 50 μA
0,7 596,4mv 700 mA
0,9 622mv 899,9 mA
1 629 mv 1 mA
2 662,2 mv 2 mA
4 686,1 mv 4 μA untuk Volt sumber disesuaikan
6 698,2 mv 5,9 μA angkanya sesuai dengan tabel yang
8 706,5 mv 8 μA
berlaku.
10 712,7 mv 10 μA

5
3. Percobaan ketiga

v tegangan
arus dioda
sumber dioda
0 0 mv 0 mA
5 5 mv 5 mA
10 10 mv 10 mA
15 15 mv 15 mA
20 20 mv 20 mA
22 22 mv 22 mA
24 24 mv 24 mA
untuk percobaan ketiga juga Volt sumber
26 26 mv 26 mA disesuaikan dengan nilai yang berada di
28 28mA 28mA tabel yang tertera.
30 30mv 30mA

4. Percobaan keempat

Vsumber R dioda Arus

5v 1kohm 4,3mA
5v 15kohm 291mA
5v (dioda dibalik) 1kohm 0

6
b. Kesimpulan dari percobaan

Untuk menghitung nilai karakteristik dari dioda maka ada dua cara yang dapat digunakan
yaitu dengan mengubah nilai resistansi pada rangkaian atau dengan mengubah nilai tegangan
masukannya.
Untuk nilai resistansi yang diubah pada praktikum kali ini menngunakan dua jenis dioda yaitu dioda
silikon dan dioda zenner. Dimana tidak ada perbedaan dalam merangkai rangkaian antara dua
dioda tersebut.
Pada dioda diberikan hambatan sebesar 1 K. Pada praktikum ini tegangan masukan yang
diberikan berbeda beda dimana kemudian tegangan dioda yang didapatkan selanjutnya ternyata
dipengaruhi oleh besar hambatan yang diberikan. Semakin besar hambatan yang diberikan maka
akan semakin kecil tegangan dioda yang dihasilkan dari percobaan ini juga diukur besar arus
saturasi yang dihasilkan oleh rangkaian. Kemudian dapat dilihat bahwa besarnya arus saturasi yang
dihasilkan berbanding terbalik pula dengan besarnya hambatan pada rangkaian.

7
 BAB IV

PENUTUP

Kesimpulan Dari praktikum yang telah dilakukan dapat ditarik beberapa kesimpulan yaitu:
 Bahwa karakteristik dioda pada dioda silikon dan zenner dipengaruhi oleh besarnya hambatan
(resistansi) dan teganagn pada rangkaian.
 Dapat melihat bentuk masukan dan keluran pada rangkaian clipping, slicing, dan clamping.
Dapat merangkai rangkaian dioda sebagai pelipat tegangan doubler, dimana pada pelipat
tegangan doubler tegangan keluaran akan dua kali lebih besar dari tegangan masukan, pelipat
tegangan tripler dimana tegangan keluaran akan tiga kali lebih besar dibanding tegangan
masukan sedangkan pada pelipat teganagan quadrapler tegangan keluaran akan empat kali
lebih besar dibandingkan tegangan masukannya.

8
 DAFTAR PUSTAKA

Blocher, Ricard. D. Phys. 2003. Dasar Elektronika. Yogyakarta : Andi off Set

Http//serbamakalah.com, dioda semikonduktor

Modul 4, praktikum analog 1 , dioda semi konduktor.