Dr. Ir. Thomns Sri Widode D[A, Dipl.

Ing

$ril
 Dn lR. THoMAS Snl Wroooo DEA ,
Drpt-. lrrrc

ELEKTRONIKA DASAR
DILENGKAPI D.ENGAN
CONTOH DAN LATIHAN
SERTA KUNCI JAWABAN

a = :'
#,
Peneftstt
ie=i $alemba Yeknika

-1
 ELEKTRONIKA DASAR
THOMAS SRI WIDODO

-e7x. s3 /

@ 2002, Penerbit Salemba Teknika

Grand Wijaya Center Blok D-7
Jl. Wijaya 2, Jakarta 12160
Telp. (021) 721-0238, 7.25-8239
Faks. (02t) 721-0207
Email salemba@centrin, net. id
Website I
hftp: I www,salembateknika.com

Hak cipta dilindungi Undang-undang. Dilarang memperbanyak sebagian atau seluruh isi buku
ini dalam bentuk apa pun, baik secara elektronik maupun mekanik, termasuk memfotokopi, merekam,
atau dengan sistem penyimpanan lainnya, tanpa izin tertulis dari Penerbit,

Sri Widodo, Thomas

Elektronika Dasar/Thomas Sri Widodo

- Edisi Pertama - lakarta: Salemba Teknika, 2002

1 jll.: 26 cm

ISBN 979-9549-19-l

1, Teknik Elektro I. Judul

 cVntuk bk*u
,pemadeta
dan anak-anakku
3"*,Jory, dan $Q:utian
"fzo,
,PnekATA'

f).rkernbangan eiektronika yang pesat telah membar',a kemajrran dalam biclang komtri..ri..-:
I komputer, irLstrumerrtasi, dan bldang lainnl-a vang terkait. Llrrtuk dap;at nremarrf;.:1...-:-
perkembangan leknoiogi eieki.rorrika ii-,i, nraka ciiperlililor', tetrbelajaran eiektronika di Perg,u -;..'-
Tinggi cli biciang sairrs, teknrk, (oilrputer, darr birianS; liiir-r 1.ai1g uremi:utul-rkaiurva. n'rcrrE'r *-::
masih seclikrt buku eiektron-ika cialam-uairasa iircioircsia, rnaka berdasarkan L)elrg.iiarir.ri r f :,.- :
melrgajareleki.r'onrkayangcuKup}ar.na,penuiisrnerrcc,bamuru'usunbukuyangrrlerlbair.i.ti...:-
dasarciekironika;ec.irarir.gka:,ari.rlius,cla;rri-rircl"rlrdrnicrrgelii.Ur-rliuiniakalsarrg;iberiil:,:,-::
bagi p"rra rti.ihasisw.t oici.rng saii-,s, tc'itnik, cl.rr'r l,ori',prller, seri.1 n1L.r'L.ka 1'ang beuniria i' nicir-,: L .- :-'-
elek tr', niika.
Euku i,ri ierciiri dali ij b,ro clelrgarr lremb;rlras;,n sel.atai beiikut:
Birb 1 berisi dasar fisikti rlern aiirarr arrt:, ci:ii:.;rr -qlini kcrrrdr-rktor'. Scrnikondr,ri.ir,r ir..iri.',: .
dan ek:,trinsrk luga ciitrairas daiarri bab ini.
Bab 2 dan bab 3 n-reuib;llas ciiotic ,lart uri.tai riiotL. I.aral,te.ristll.. ciio,-k , pcnriasif irp.-ri',ii-1.-. . :- --
dioc'le serta peleraparrrll a cibair:r." cir.larii cii a bab ilti.
Bab 4 meuibahas karakteri;qiil trairsis'rirr bi;r...,;a. clan p,ei1;;l5iLapan serta penur.rf :r..-.. -:
sebagai penguat. Iierbagari llr-rrriigurasi 1)eligilat sclla bcsarart-L1rrsir.riL yalg p,errtilg jr.rg;.r ql.-,.- .:
pada bab irri.
Bab 5 rnetnba-lr.Ls ilartsislor uniprol..ii- i:tru Fll'. Strlii.:tur, liaiaktcri,sLik, dan;.reu,r'.r--l- -'
scrta petteraParlnya sebagai perrguai rrniiii. Jl:i.,i' ciair i',4t;SFET ciirir'z,ikiii', pilj.t btib irLi.
Bab ij rtreiirbaira" pcngiLat \rI;!iasiojlel (op alr-,p;. i'.rilr l;lir ini luga <-1;tu'a.ii.aii kare,l.l-. .-
kctcrl,.atasarr op ai1 rp deui ;iriii.;i,r i ry'a.
Bab 7 meiir-b"r}:."is';siil Lrri. tr{.iiicria a;J;ri r-.i*:iriri,il osilalor scr-l,a i;er'b,-r;;;i jcms ol;ihi",.-r: t.rL,' : -,,
pader bab irLi.
iJ;rbdrnenll;.'rira:,p,:;rgiliitii;ii'a.Jili-.,iiikr,-.i1relig,.iatdai,ab.:r;cr-iai'lIjsjr.rrs;rrr,iiriit,.r.li;,.,...,.-'
b;lb ini.
tnlleskipr-rnpeiluiislncradab.rh',..'abrkr,r jni bi.lr1].r!;eu]p1.ri"i-,;r,ilaii1'-ir-.t.r,ritr.iijs.irtrir:rlipL.,r1.,..
buku ini rrietnberi inaniaai Lragi i.ei1q5i1ia. Malta sar"an dair i:ritri<,,.ang in(:nrirar-irtiir ai..il', i'.,:
I er i;r,a tlelrg.ri I s,Jliil iij .i-:ir ti.

5i1;r btLi.li pcrla;r'ra iiri rner',da1:; i sani:r-i iar-i i,ang L-ai j,: dari pcnbaca, prurilis aL:ln ::i,ln',-1, ..
birkil kccitr.r _r-a,rg br:rjr ii lr l "Eiektro:rika i,aniutan ".
I

.'\khirrr'''r pi':ruiis il1{'l.11.'ii1l'ri'rilika:r iici,1.an tr:rinrri kasih kcpiLrie s.liii,r g,,ilrirk -r arr;:. '
rrieirilt;rci,g cian nremltanlii pgnnlisan ;rukt: ,ri.

i'cl'.rll
I
-t
/-\
l,LZl

Prakata vii
Daftar lsi ix

Dasar Semikonduktor
1

1.1 Teori Atom 2

1.2 Semikonduktor Intrinsik 4
1.3 Semikonduktor Ekstrinsik 6
1.4 Konduksi di dalam semikonduktor 9
1.5 Perubahan Tegangan pada Semikonduktor dengan
Doping Tidak Merata 77

,2
Diode
15

2.1 Sambungan pn 16
2.2 Sambungan pn Sebagai Penyearah 18
2,3 Karakteristik Sambungan pn 20
2.4 Pengaruh Suhu 27
2.5 Resistans Diode 21,
2.6 Kapasitans Transisi 23
2.7 Pembawa Minoritas pada Diode 25
2.8 Kapasitans Difusi 27
2.9 Diode Zener 28
r

\,
Untai Diode
J1

3.1 Untai Diode l(esistor 32

3.2 ['en',,earah Setengah Gelombar:Lg (i{alf War.r. itectifier) -15
3.3 Per-ryearah CelornbangPeiruh 33
3.4 Tapis ([ilier) Kapasi.ior 40
3.5 Regulator''fcganqan deirgan Lfiode Zei-,er 43

4
Transistor
45

1.1, Struktur Transistor 46

'1.2 Arrrs Di dalam Transisicr +8
1,3 K.-rlakteiisiik fransistol 19
4.1 Untai Pr.rsikap Trar-rsistirr 53
4.5 Untai PenEuat"Iransistor 58

5
Transistor Efek Medan
71

5.1 IFET 72
5.2 I\{CSFET 8i
5.3 Pcngr-ral FET 88

6
Penguat Operasional
9')

5..1 Perrgr,Lal Difererrsial i Ul

5.2" Karakicristik Pcngt'.'rt Cperasior''iii iOP Autp) 106
b.-? Aplikasi lreiigLr;rl Oticrasir.ltal i0!i
 7
Penguat Cperasional

7.1. Prinsip K-erja Osilator 1aA

7.2 Csilatol Geser Fase 125
/.3 Csjlator Iembatan Wien 128
7.4 Osiiator LC 130
7.5 Osilator Kristal 135

I
Penguat Opera.sional
743

8.1 Pengr-rat l)a',,a Keias A Tergandeng l-angsung i45

Q.) Penguat Dava Kelas A Tergancieng Transfonnator 150
8.3 Penguat Dorong-Tarik Kelas B 153
8.4 Penguat Kelas AB t56

Latihan Soal 763

Lampiran 181
Daftar Pustaka 187
ndeks
I 189
 DnsAR
SeMTKoNDUKToR

TEonr Arovr
S=rrlrxoruDUKToR I lrrRrrusrx

SEur<orvDUKToR Exsrnrrusrx

KoNouxsr Dr DALAM sEMTKoNDUKToR

PenuenHnru TeonNGAN pADA Seur<oruDUKToR

DENGAN Doprrue Tronx Menarn

(.) (.)
:-r@r:-o@Co@C
(.) (J L) I
lo@o3@o:1--o@e:-
tt
A i l'
lr lr f1---","*uon
\.i varens, (.J 'ot
''o-{.)-'-o (.)
! !
:-=r@o:-----r@Co@-C :-o@o3@rlo@C
It lt
ooaoao 0--'-,"
I-o@COoC)o@C
lt 0 (]

(lfllr fllt
=o@Co@.-@C
lt
7

Ersrrr<oNrxa D.esa.R

lekironika arlal:iiL ihni,L \'aliii iii...ri!pL'l.rjirr i trntarrg sifat dan prrrrrakaian devais
yang azas kt'rjiiiiiza l-'e,'tlas.:r:'l<ar.: aliran el(ll'.trol1 di dalarn rr-lang hampa atarr
gas dan aliratr elektr:cii !re'r'ra l1llrang di dalanr semikondirktor. Fenerapan
elektronika rnL.ncaklrp antal:a lajn untul.< radio, TV, komptrter, intrun:entasi,
kendali dan peralatan komtrnikasi vans lajr-r.

1 .1 Teori Aiom
Atom ferdili;i|tsinti ritcn oar.elcktroti 1:;111, rnengitari atom. Inti terdiri atasprotcn
1'otrg bt:nnrratrrn pcsiiit iall i;r'tii;';il )Iailo tidal< berrnr-ratan scdang e1c'ktron
bermrratan negati f. Req,ri-rniratan elol<tror-r drn prctrlr sirr-na yaitir e = 1,6x10-1e
Coulomb. \{oclel Cnsar atom disebut model Bohr seperti pada Gam.bar. 1.1. Orbit
eiektron atarr krrlit (shel1) dirdentifikasi densan hunrf K hingea Q. Kulit terdalarn
adalah kuljt K, diikrrti dengan kr-rlit L dan seterusn),a. Kulit terluar atom disebut
kttlitvalensi. Elektron valen-si pada kulit terh,rar adalah kritis karena menentuka.n
konduktivitas atom.

Kulit Orbil

9+v"1ry J
'1- "
Model Bohr unluk atom

Kulit valensi atorn dapat berisi hingga delaparr elektron. Konduktivitas

atom tergantung pada jr.lmlah elektron pada kulit valensi. Bila atom memiliki
satu elektron valensi maka akan m.endekati konduktor sempurna. Bila atom
memiliki delapan elektrorr valensi, kulit valensi disebtrt lengkap dan atom adalah
is alat or . lr{aka kr:nrlrrktivitas tu rr-in d engan bertarnbalrnya elektron valensi.

Semikondukt<'rr adalah atorn \.ang berisi empat elektron valensi. Karena

jtLmlah elektron valensi di ilalam semikonduktor adalah di tengah antara satu
(konduktor) dan delapan (isolator), maka atom semikonduktor bukan konduktor
yang baik dan b,-rkan isolator 1'ang baik.
Bahan semikondnktor yangbanyak digunakan adalah si/ikon (Si), gerntaniunr
(Ge), dan carbon (C). Atom-atom ini digambarkan seperti pada Gambar 1.2.
B.qe 1 Dasan SsrvtxoNouxron

Garvrean 1.2
Atom-atom
semikonduktor
Silikon Germanium Carbon

Sil-ikon dan germanium digunakan untuk membuat komponen-komponen

zat-oadat (solid state) sedangkan carbon terutama untuk membuat resistor dat'l
potensiometer.
Bila tidak ada gaya luar yang menyebabkan konduksi, cacah elektron dan
proton adalah sama. Karena muatan elektron (negatif) dan proton (positif) adalah
sa:rra dan berlaw'anan, maka muatan neto pada atom adaiah nol. Bila atom
kehilangan elektron valensi maka muatan neto atom menjadi positif, sebaliknya
bila menerima elektron, muatan neto menjadi negatif.
Hukum dasar mengenai relasi antara elektron dankulit orbit adalah sebagai
berikut:
1. Elektron pada stiattr kulit tidak dapat berada pada ruang antara dua kulit orbit.
2. Setiap kulit orbit sesuai dengan suatu rentang tenaga. Maka semua elektron
yang terletak pada kulit orbit yang sama mempunyai besar tenaga yang relatif
sama. Aras tenaga r.mtuk kulit bertambah bila makin jauh dari inti atom. Maka
elektron valensi selalu mempunyai aras tenaga tertinggi.
3. Untuk elektron yang meloncat dari satu kulit ke kulit lain, maka elektron harus
rnenyerap cukup tenaga untuk mengatasi perbedaan tenaga antara aras tenaga
awal dan aras tenaga kuiit tujuan loncatan.
4. Bila elektron menyerap cukup tenaga untuk meloncat dari satu kulit ke kuiit
lain, maka elektron dapat melepaskan tenaga yang diserapnya dan kembali ke
kulit yang bertenaga lebih rendah.

Tiga pertama dari prinsip ini diilustrasikan pada Gambar 1.3. Ruang antara
setiap dua kulit orbit disebut celah tenaga (energy gap). Elektron akan melewati
celah tenaga bila bergerak dari satu kulit ke kulit lain tetapi tidak dapat berada
pada celah tenaga tersebut.

e4 = 1,8 eV

Garvreen 1.3
e3 = 0,7 eV Aras dan celah tenaga
pada Silikon.
//---\\
,'---\ \
((o))
\
gj

\//
\\--l/
/
)

12
r
Er,arrRoxrxe. Dasap

Sebagai contoh kulit valensi pada Gbr. 1.3. mernpunyai aras tenaga kira-
kira 0,7 eV (elektron Volt), bidang konduksi mempunyai aras tenaga minimum
kira-kira 1,8 eV. Maka agar elektron dapat meloncat dari bidang valensi ke bidang
konduksi harus menyerap sejumlah tenaga sebesar : (1,8 - 0,7) eV = 1,1 eV. Untuk
konduktor, semikonduktor dan isol.rtor celah tenaga dari bidang valensi kebidang
konduksi masing-masing kira-kira 0,4 , 1,1 dan 1,8 eV. Karena itu makin besar
celah tenaga akan makin sulit terjadi konduksi karena makin banyak tenaga harus
diserap.
Bil,a-elektron menyerap cukup tenaga untuk meloncat dari biclang valensi
ke bidang konduksi maka elektron dikatakan dalam keadaan terangsang (excited
state). Elektron yang terangsang dapat melepaskan tenaga vang diserapnya dan
kembali ke aras tenaga semula. Tenaga yang dilepaskan oleh elektron adalah dalarn
bentuk cahaya atau panas.

1 .2 Semikonduktor lntrinsik
Atom-atorn semikonduktor l,ang rnempun\-ai empat elektron vaiensi te.rsusun
sebagai klistai tetrahedral oleir adanr.'a ikatan kor'.rlen dengan atonl yang terdekat.
Untuk memahami ikatan kor-alen dengan mek.rnisrne hantararrnya digunakan
gambaran dua dlmensi susunan kristaln,va. (Cbr. 1.a).

\./
l\ \., \.J
loeClrOoCr@ol
i\ /\ (.)
lo@ConC.a.=
tj'^""i'""" t.)
Garvrean 1-4 ,. ,., r .o
r.r
\./ fr
\.,
(.,1_____""r,,on (.)
,o, vaeas, ''0""n---(-)-o L)
lo@o:-o@{-oreo^ :-o@o1=r@Co9C
a
0
r.
(l ,.r\."
iloe -A\.1 rl-r-l
'. o' '.' \./ \./
lo@CO.-eC loO.-r@C.9C
,q
(l,a,
(l 0,o. .o
0,o.
0 /o\
\r
(a) (b)
Kristal semikonduktor pada suhu 0K Pada suhu yang agak tinggi, elekton keluar
dari ikatan kovalen dan terbentuk lubang

Lingkaran dengan tanda +4 melukiskan ion semikonduktor yakni inti atont

beserta elektron-elektronnya selain empat elektron valensi. Ikatan kovalen
dilukiskan dengan garis lengkung dengan dtta elektron valensi didalamnya.
Pada suhu 0K elektron valensi terikat erat dengan ikatan kovalen dan tidak ada
elektron yang bergerak bebas (Gbr. 1.4a). keadaan ini dilukiskan dalam bidang
tenaga seperti pada Gbr. 1.5a. Semua elektron valensi mempunyai tenaga yang
terletak pada bidang valensi.
Kalatr suhu kristal dinaikkan sehingga ada elektron valensi 1,ang kenaikan
tenaga termalnya rneiebihi celah tenaga E., rnaka elektron-elektron ini akan
meloncat ke biclang konduksi meniadi elektron bebas (Gbr. 1.4b clan Cbr.1.5b).
B.ae 1 DasaR Ssulxomrrxroe

E
LCI___

EI Bidang
Celah tenaga

=,-J-

Garuean 1-5
(a) (b)
Bidang tenaga kristal pada suhu 0K Pada suhu agak tinggi

Kekosongan yang teqadi pada ikatan kovalen karena adanya eiektron yang
keluar haruslah bermuatafl positif, ini disebabkan oleh keadaan kistal yang harus
tetap netral, kekosongan ini dinamakan lubang (hole).
Mekanisme konduksi oleh lubang adalah sebagai berikut :
Kaiau pada suatu ikatan kovalen terbentuk lubang, maka elektron valensi dari
atom yang berdekatan akan melepaskan diri dari ikatan kovalen untuk mengisi
lubang tersebut. Elektron ini akan meninggalkan lubang pada tempat yang
ditinggalkannya.
Maka lubang akan bergerak dengan arah yang berlawanan dengan elektron.
Pada Gbr 1.5a menunjukkan delapan ion dengan lubang pada ion 4. Bila sebuah
elektron dari ion 5 mengisi lubang pada ion 4 maka akibatnya seperti Gbr 1.6 b.
Terlihat bahwa lubang bergerak dengan arah yang berlawanan dengan elektron.

aeeeEf-bood
e*,nron
''o(n
^^
'l
, G,arvrean ,6
Mekanisme konduksi

b) eeeeo
12345
oee
678
arah aliran elektron
lubang.

arah aliran lubang

Maka semikonduktor intrinsik pada suhu 0K bersifat sebagai isolator dan

pada suhu yang lebih tinggi bersifat sebagai konduktor karena terjadi
pembentukan pasangan elektron bebas dan lubang yang banyaknya sama dan
beriaku sebagai pembawa muntan.

Bila n : konsentrasi elektron bebas (elektron,/cm3)

p : konsentrasi lubang (lubang/cm3)
r
6 Er-nxrnoNrxa D.asap

Maka n=p=r, (i.1)

Dengan n : konsentrasi intrinsik

Secara teoritis n bervariasi dengan suhu T sebagai berikut:

fl,' = A,'., T3 e -Eco/kr (7.2)

dengan A., : tetapan tak terS5antung srihrr

T: suhu (K)
celah tenaga (eV) pada suhu 0K
k: tetapan Boltzmann = 8,62 . 10'eV,i K

Terlihat bahwa n bervariasi dengan suhr.t. Pada suhu tertentu jumlah

pembawa rnrratan ini tetap. Kalau ditinjarl secara mikroskopis terlihat bahwa
jumlah yang tetap tadi karena selain terjac-li karena kecepatan pembentukan
pasangan eiektron-lubang (ionisasi) sama dengan kecepatan penggabungan
kembaii elektron-lubang (rekombinasi).
Konduktivitas o untuk semikonduktor intrinsik diberikan oieh persamaan:

o = gni (F. + I,Lo) (i 3)

dengan o konduktivitas (Amp/Vo1t . m)

q muatan elektrc'rn = 7,602. 10-1q Coulomb
u mobilitas elektron (cm2lVolt . sekon)
Lt urot'rilitas lr.rbarrg (cm2/Volt . sekon)
'p

1 .3 Semikonduktor Ekstrinsik
Untuk menyusun devais elektronis diperlukan bahan yang kaya akan satu jenis
pembawa ml1atal1 saja yaitu lubarry alau elektron sa1a.
Untuk itu dilakukan doping yakni memasukkan atorn asing bervalensi 5
atau 3 dengan prosentase kecil, sehingga dihasilkan semikonduktor ekstrinsik.
Misalnya doping clenga4 meryr.4sukkan 1 atom asing per 1 juta atom asli atau 1
atom asing per 100 juta atom asli.

Semikonduktor Jenis n
Semikondr.rktor jenis n diperoieh dengan doping atom asing bervalensi 5, seperti
fosfor (P), Arsen (As), dan Arttirnon (Sb) kedalam semikonduktor intrinsik. Aras
tenaga elektron valensi atom pengotor bevalensi 5 ini adalah Eo sangat dekat
dengan E. (aras tenaga terendah pada bidang konduksi). Dengan menambahkan
tenaga yang kecil saja pada elektron valensi ini maka elektron ini masuk ke bidang
 1 Dasan SurqrKoNDuxron

konduksi (Gbr 1.7a). Atom valensi 5 ini disebut atom donor karena dalam
membentuk ikatan kovalen dibebaskan keiebihan elektronnya (Gbr 1.7b).
semikonduktor yang dihasilkan adalah jenis n karena dengan penambahan atom
donor terjadi elektron bebas. Atom donor setelah membebaikan satu elekh.ol
valensi menjadi ion positif yang terikat ditempat.

(.)(.)(.)
Bidang Konduksi lc@o:-----r@oCoOo=
/.ao
elektron

aaooa^/
bebas
(] \
I,o,I a.---_!-l
/\ elelkon
oeoas
-F'" 'o,
_l l-----oOo:-.----.-.rOC@C
tGl
I
o r)
ooa
\ai \./ r)
\.1 Gannean 1-7
Bidang Vaiensi
l. . olo: .lo : o--

(a)
000 ,a.
,o, ,o,

(b)
Arus tenaga elektron valensi atom donor Terladinya elektron bebas pada
semrkonduktor jenis slmbol

PS&edaal s,gmi\qnduktor.intrinsik dan semikonduktor jenis n adalah :

a. Pada sernikonduktor intrinsik, terbentuknva elektron bebas disertai lubang
yang dapat bergerak sebagai pembawa muatan.
b. Pada semikonduktor jenis n terbentuknya elektron bebas tidak disertai
terbentunya hibang, tetapi terbentuk ion positif yang tidak ci.apat bergerak.

Tenaga untuk membebaskan elektron valensi atom donor aclarah tenaga

ionisasi atom donor (Ec - ED) yang besarnya 0,05 ev (si) dan 0,01 ev (Ge). Tenaga
ionisasi atom donor ini lebih kecil dibandingkan dengan tenaga ionisasi atom
asli (E") yang besarnya 1,1 eV (Si) dan 0,72 eV (Ge).
Akibatnya jumlah pasangan elektron-lubang dapat diabaikan terhadap
jumiah elektron bebas dari atom donor pada suhu yang ticlak terlalu tinggi,
sehingga :

n>>p
Maka elektron bebas sebagai pernban a mayoritas dan lubang sebagai pembawa
minoritas.
Pada semikonduktor jenis n, konsentrasi eiektron bebas adalah :

[=No (1.4)

dengan
n : konsentrasi elektron (elektron/cm3)
ND : konsentrasi atom donor (atom/cm3)
I Er,xrnorgrxa Dasm

Konsentrasi lubang dihitung berdasarkan hukum aksi-massa yaitrl':

fl'p = n,2 (i s)

dengan p : konsentrasi lubang (h-rbang/cm3)

n.2
ll
n.2
maka P = (1.6)

Konduktivitas semikonduktor jenis n adalah :

6=q(np"+ppo) (1.7)
=gNoli,

Semikonduktor Jenis p
Semikonduktor jenis p diperoieh dengan doping atom asing bervalensi 3, seperti
boron (B), aluminium (A1) dan galium (Ca) ke dalam semikonduktor intrinsik.
Atom bervalensi 3 ini disebut atom akseptor, karena untuk membenttik
ikatan kovalen memperoleh sebuah elektron (Cbr 1.8a). Aras tenaga elektron-
valensi atom akseptor (Eo) ini sedikit lebih tinggi clibandingkan dengan aras tenaga
elektron valensi atom kristal asli (E") (Gbr 1.Bb). Dengan menambahkan sedikit
tenaga (EA - Ev) kepada elektron valensi atom asli, maka elektron ini dapat
meloncat dari ikatan kovalennya disertai pembentukkan lubang pada ikatan
kovalen yang ditinggalkannya"

UL)L)
lo@CoOo:1_rOC
aoa Bidang Konduksi

/) /) /\
Gauean 1.8 i./ \dJ-_ ,,ounn \./ -EC
lo@.-------.@Coe C E.l
-o---o- o-o--o<:
/'\fi'
t/aao \/ 0
I

ooooo*_
Bidang Valensi
lo@a-o@.:-.---.--.-o@C
flfllt (b)
(a)
Terjadinya lubang pada Aras tenaga elektron
semikonduktor jenis p, dan valensi atom akseptor

Karena menerima sebuah elektron maka atom akseptor menjadi ion negatif
yang terikat ditempat. Tenaga ionisasi atom akseptor (Eo - Er) adalah 0,05 eV (Si)
dan 0,010 eV (Ge). Dengan doping atom akseptor maka dihasiikan lubang tanpa
elektron bebas. Semikonduktor yang dihasilkan dinamakan semikonduktor
jenis p.
Bas 1 DasaR SeltrxorgDuxron

Analogi dengan semikonduktor jenis n maka :

P= N^ (1.8)

dengan No : konsentrasi atom akseptor (atom/cm3)

Konsentrasi elektron dapat dihitung dengan :

fi,'
(1 e)
N,
Karena tenaga ionisasi atom akseptor (Eo - Eu) lebih rendah dibandingkan dengan
tenaga ionisasi untuk pembentukkan pasangan elektron-lubang (E") maka
konsentrasi lubang jauh lebih besar daripada konsentrasi elektron, atau :

p>>11

Maka lubang merupakan pembawa mayoritas dan elektron merupakan pembawa

minoritas.
Konduktivitas semikonduktor jenis p adalah :

o = q (n[r,.+ pp], )= e No [r,, (1.10)

1.4 Konduksi di dalam semikonduktor

Partikel yang menghantarkan arus di dalam semikonduktor adalah elektron dan
lubang. Ada dua penghantaran arlls yaitu difusi dan drift (hanyutan).

Difusi
Difusi adalah penghantaran arus di dalam semikonduktor yang disebabkan oleh
tidak meratanya konsentrasi partikel atau terjadi gradien konsentrasi seperti pada
Gambar 1. Konsentrasi lubang (p) bervariasi dengan jarak x, maka terjadi gradien
konsentrasi dp/dx.

Garuean 1.9
Konsentrasi lubang sebagai
fungsi jarak.

, *-J
7

10 ErexrRotrxp. Dasax

Besarnya rapat arlls difusi lubang

u*p,"'"
in ( )
adalah sebancling dengan
gradien konsentrasi.

do
Tp (dif)= s Dp ' (1.1 1)
dx

Dengan Dp : tetapan difusi untuk lubang f -L \

\r I
Tanda negatif karena p berkurang dengan bertambahnya x.

Rapat arus difusi untuk elektron sebanding dengan gradien konsentrasi elektron
dn/ax.
dn
Ip (dif)= I Dn dx
.
(1.1 1)

Dengan Dn : tetapan difusi untuk elektron (+)

Drift
Disamping ada gaya ditusi yang beker;a pada partikel juga ada gaya akibat medan
elektris (gradien potensial). Partikel bermuatan di dalam medan elektris akan
bergerak di bar.t ah gaya tarik dan tolak elektris.
Sehingga terjadi arus drift. Arus drift sebanding dengan medan elektris E. Untuk
lubang dan elektron arus drift dapat ditulis sebagai berikut :

ip (drift) = q pp p E (untuk lubang) (i.13)

Jn (drift) = q pn n E (untuk elektron) (1.14)

Dengan

lrp, lfn : mobilitas rrntuk lubang dan elektror-r ( )/

\V.s
=

u= 9Y : medan elekrris f -I- )

dx\cmt

t
 Bae 1 Dasaa SelrrxoNouxtoR
11

Relasi Einstein
D dan p gayut dan mempunyai hubungan
D,,-D^=V,
uLl
dengan

\/IrT
V, = _:_ =_ - (kesetaraan volt dari suhu)
' q 11600

k = tetapan Boltzmann dalam jor-rle per derajat Kelrrin

Arus Total
Bila terjadi gradien potensial dan gradien konsentrasi bersama-sama di dalam
semikondr-rktor, maka arus total adalah jumlah dari arus drift dan arus difusi.
Arus lubang total adalah:

dP
Jr= gpppE-qDp (i.1s)
dx
Demikian juga arus elektron total adalah :

I"= qptnnE-qnn *4n (1.16)

dx

, 1 .5 Perubahan Tegangan pada Semikonduktor

dengan Doping Tidak Merata
Untuk doping tidak merata, ditinjau dua kasus vaitu konsentrasi lubang tidak
merata (Gambar 1.10a) dan sambungan p-n berundak (step graded) (Glmbar
1.10b)
Vr V2

Nea aNo Gannean 1-1O

Dla p2 ? Titik

Xri,Vo ixz

Xt Xz
(a) (b)
Konsentrasi lubang p (x) Doping dengan konsentrasi yang merata dalam
tidak merata atom akseplor (No) darr atom Oonor (ND)
7-

Err<rRoxrxa Dasan
12

Pada gambar 1.10a terlihat konsentrasi lr,ibang sebagai fungsi *: 4q.13nt t"l-9.t":"
manta"pdant!d4kadlgksltaqi,makadidalambatangtidakadaaliranmuatan
sehingga arus lubang total sama dengan nol'
Krr"iu-kor"rsentrasi i.,bur-,g tidak konstan, rnaka ada arus difusi lubang' Agar
ams h-rbang total sama den[an nol, harus ada arus drift yang sama clan
beriawanan
arah. Tetafi agar teriadi aius drift, harus ada medan elektris. Dapat disimpulkan
bahwa paaa toplng tidak merata akan dibangkitkan medan elektris pada
semikonduktor.

Dari persamaan (1'15) untuk ]p = 0 cian Dp = lto v. (Relasi Einstein)

Maka:

'-Vrdn
F=-.+
"pdx
(1.17)

Daripersamaan E= * ,maka

do dP
dv= -Vr ' ,sehingga f''' or. = - r', lP'
p 'r, 'p, P

6P* (1.18)
atalt Vr, = V, - V, = Vr ln
p
i
Atau,,p, = P2e!rri\r
(f ie)

yang disebut persatnaan Boltzmann

0' Pada
Persamaan Boltzmann unttrk elektron diperoleh dengan membuat Jn =
pcrsamaan (1.17), sehingga :

n, = ryev''/v'
(1.20)

Perkalian antara (1.19) dan (1'20) menghasilkan

(1..21)
ftrPt=lzPz

Untuksambunganpnd.engandopingmeratateriihatpadaGambarl.l0b.
pada bidang
Sambungan yur-,-g U"iu.rgrr. i.uru undak (step graded) ini terletak
dengan ior,se^i.usl ,,oi. Pot".rrial yang teriacli pada samb,ngan
ini disebut
potensial kontak Vo.

\
Bae 1 DasaR Scr'{tKoNDuKron '13

l)
v =\/-.-vrln
t\2jD
'p'' (1.22)

dengan p.,, = p, : konsentrasi lubang disisi p

dengan p", = p, : konsentrasi lubang disisi n

n2
Karcna p,,,= N o clan p"" =
+-ND
dengan N,, : konsentrasi atom akseptor
N., : konsentrasi atom donor

maka:

NN_
o t'
Vor= Vrln (1.22)
nt'

Contoh 1.1

a) Hitunglah konsentrasi lubang dan elektron di dalam germanium tipe p pada

300 K bila resisti\.itasnya 0,02 f).crn dan mobilitas lubang tlntuk Ge pada
300 K adalah 1800 cm2lV.s.
tr) Ulangi soal a) untuk siiikon tipe n bila resistivitasnya 20 Q.cm dan mobilittrs
eiektron untuk Si adalah 1300 cm2/V.s.

Solusi

a) r= 1 = 7 karenaPo)r.., maka
o q(nrp" + P,,!lu)
1

q PPIIP

atau

11
= rq[, >> n, ),
p. , 0,02x 1,6.70-r' x 1800
(karena Pp

= 1,736 x 1017 lubanglcm3

7 '-

14 Er-exrRoxrxa Das-qn

n,' (2,5.1013)'z

Yp
Ph
1 ,736.101?

= 3,6 x 10e elektron /cm3

b) dengan cara yang sama dan dengan n >> p, maka

11
o onlt
tnrn

atau
1
11n=-=
rqirn 1,6 10,ru 20 1300
= 2,40 x 1014 elektron,/cm3

fl,' (1,5,101('.)2

o 2,1 1o'1
^n
= 9,375 x 1ff lubang,/cmr

Contoh 1.2

Tinjar,r semikonduktor dengan doping berundak (step graded) dengan No = 10: Na,
dengan No sesuai dengan 1 atom akseptor per 1ff atom germanium. Hitr"rng
potensial kontak Vo pada suhu ruang 300 K.
Diketahui bahwa pada suhu 300 K, konsentrasi atom Ge adaiah 4,4x1.028 atom/m3,
konsentrasi intrinsik (ni) adalah 2,5 x 70 10 m-3 dan Vr = 0,0259 Volt.

Salusr

Konsentrasi atom akseptor (No) = 10-8 x konsentrasi atom Ge

= 4,4 x 10ro atom/rn3

Konsentrasi atom donor (No) = 102 NA

= 4,4x 1022 atom,/m3

Konsentrasi atom akseptor (V") = Vr ln -I+nl-

= 0,0259ln (3,1 x 10{)
= 0,268 Volt

b-
 DiobE

lon akseptor sambungan

tffidonot
\ /

c
>oaaec o9g9g
U eeeo e9agg
o aego ooooo
o

Plin I Daerahtransisi I

r.+
I
16 PmrcaNraR Er,cxrnoNrxa Dasx

DIODE
J-)iode adalah komponen zat padat (solid state) yang paling dasar. Ada banyak
IJtipe diode menurut karakteristik operasi dan aplikasinva misalnya diode
zetter, diode pemancar cahaya (light emitting diode, LED) dan lain-lain.
Diode adalah devais dua elektrode yang berlaku sebagai konduktor satu
arah. Diode tipe dasar adaiah diode sambungan pn, yang terdiri atas bal-ran tipe
p dan n yang dipisahkan oleh sambungan (junction).

2.1 Sambungan pn
Bila dilakukan doping pada kristal hmggal semikonduktor dengan impuritas (atom
pengotor) akseptor di salah satu sisi dan impuritas donor di sisi lain, maka
terbentuklah sambungan pn seperti terlihat pada Gambar 2.1.
Bagian p konsentrasi lubangnya lebih besar dibandingkan konsentrasi lubang
bagian n, sebaliknr.a konsentrasi elektron di bagian n lebih besar dibandingkan
konsentrasi elektron di bagian p. Karena perbedaan konsentrasi pembawa mttatan
tadi, mengakibatkan terjadi peristirva difusi lubang dari bagian p ke n dan elektron
dari bagian n ke p.
Segera setelah lubang masuk ke bagian n yang kaya akan elektron, terjadi
rekombinasi (penggabungan kembali) antar iubang dan elektron. Demikian juga
elektron yang masuk ke bagian p yang kaya akan lubang segera bergabung dengan
lubang. Akibat rekombinasi ini daerah di sekitar sambungan menjadi kekurangan
pembawa muatan dan disebut daerah deplesi (kekurangan) atau daerah muatan
mang (space charge region) atau daerah transisi.

sambunqa
lonakseptor londonor

\/,/
Ga,vrean 2-1 ,a aaac oocoo
a aeao e9999
e eaeo o9999

(a)
Diagram skematis sambungan pn

t-
Ba.e 2 Drooa 17

Daerah transisi

Rapat muatan, p

Jarak dan Sambungan, X

(b)
Flapat muatan

(c)
Medan elektris

elektrostati?
Iotensial
I
Bldang Kondut<si
ienaga Etef.tron
1\
l

Tenaga Pot€ aaaa -.

Penghalang rt o o tsrektrontseDas

Lubanq Bebas

(e)
Diagram bidang tenaga yang menuniukkan tenaga
potensial penghalang bagi elektron bebas di bagian
n dan lubang bebas di bagian p
r

1B Pu:vcanman ElcxrxoNrra Dasap

Rapat muatall rlrang p adalah nol pada samburlgan, positif di sebelair kanan
dan negatif di sebelah kiri sambungan. Maka di daerah transisi terdapat medal1
elektris dengan garis gaya dari kanan ke kiri. Medan elektris ini sebanding dengan
integral rapat muatan yang diturunkan dari persamaan Poisson berikut:

d2v p
_p (21)
dx2 .L

dengan t = permitivitas, r
permitivitas reiatif dielektrik, dtrn
c- permitivitas ruang bebas
I

Dengan integrirsi Persamaan (2.1) dan n-rengingat bahr,va E

maka:

E=lr\ .o d^ r O ,)\

Medan elektris ini menghalangi meningkatnva difusi lubang matlpun elektron.

Perubahan potensial elektrostatis di daerah cleplesi adalah integral negatif

dari fungsi medan elektris E.

v=-J e a, (2.3\

Perubahan potensial ini membentuk tenaga potensial penghalang (barrier)

ytrng melawan difr-rsi iubang lebih lanjut melewarti sarnburLqan. Tenaga potensial
ini adalah potensial x mnatan, dengan mttatan lubang adalah positif. Tenaga
potensial penghalang bagi elektron vang berdifusi dari sisi n lew.at sambungan
adalah sama dengan untuk lubang, hanya bentrrk kttrvanya terbalik, karena
muatan elektron adalah negatif. Terlihat ada potensial kontak Vo pada daerah
deplesi yang besarnya tergantung pada konsentrasi lubang dan elektron serta
suhu.

2.2 Sambungan pn Sebagai Penyearah

Sambungan pn sebagai penyearah (rectifier) berarti hanva dapat mengalirkan
muatan ke satu arah dan menahan aliran ke arah sebaliknya. Hal ini disebabkan
adanya perubahan prasikap (bias) tegangan pada diode.

Prasikap Balik (Reve

Prasikap balik diperoleh dengan menghubungkar-r bagian p dengan kutub negatif
baterai dan bagian n dengan kutub positif baterai (Gambar 2.2)
 Bae 2 Drone 19
"-5:""'*'**"-
,/
\_ '..
\

Gannean 2-2

(a) (b)

w
Sambungan pn diberi prasikap balik Simboi diode sambungan pn yang
mendapat prasikap balik
I

Luba.rg-hrbang pada bagiar-r p dan eiektron-elektron pada bagian n akan

menjauhi sambungan. Akibatnya lubang-lubang pada bagian p akin mengalir
ke. kiri sedangkan elektron-eiektron pada bagian n akan mengalir ke kaian,
sehingga daerah deplesi menjadi iebih lebar.
Aiiran pembawa muatan ini tidak dapat berlangsung ierus karena unttik
menimbuikan aliran lubang, lubang ini harus diberikan oleh bagian n'lewat
sambungan. Padahal lubang di bagian n sangat sedikit, maka tidak-terjadi arus.
Te.tapi sebenarnya terjadi arus yang sangat kecir akibat timbulnya pasangan
lubang-elektron pada kristal akibat tenaga termis. Lubang-llbi"g yi"g
dibangkitkan di bagian n akan mengalir ke Lagian p, demikiai juga ei6ktronl
y1"g dibangkitkan di bagian p akan n e.rgilir ke bagian .,1Arr* yu.,g
"l"Itlgl
terjadi disebut arus balik jenuh (Ij.
Mekanisme konduksi pada prasikap balik dapat diterangkan dengan cara
Iain. Bila suatu tegangan v diberikan pida arah balik, makitenaga pitensial
penghalang akan bertambah sebesar qv. Hal ini akan mengurangi alirin pembawa
mayoritas (lubang dibagian p dan elektron di bagian n), tetapi pe-mbawa minoritas
tidak terpengaruh.

Prasikap Maju (Forward Bias)

Prasikap maju pada diode sambungan pn diperoreh dengan menghubungkan
bagian p dengan kutub positif baterai sedangkan bagian ., de.tgun t<"utuU ne"gatif
baterai (Gambar 2.3).
\

Gauean 2.3

(a) (b)
Sambungan pn diberi prasikap maiu Simbol diode sambungan pn yang
mendapat prasikap maiu
r

20 Prl;canrran Er,ei<rRorvrra Dasan

Dengan prasikap maju, tenaga potensial penghalang pada sambungan akan

diperrendah. Lubang-lubang akan melewati sambungan dari bagian p ke bagian
n dan membentuk arus minoritas. Demikian juga elektron-elektron akan melewati
sambungan dari bagian n ke bagin p mernbentuk arus minoritas di bagian p.
Arus total yang melewati sarnbungan adaiah jumlah arus minoritas elektron dan
lubang.

2.3 Karakteristik Sambungan pn

Hubungan arus dan tegangan pada diode sarnbungan pn dinyatakan dengan
persarnaan: \
I = [o (sv/n vr - 1; (2.4)

dengan Io = arus balik jenuh

1 (untuk germanium)
= 2 (untuk silikon)
1
V-=
, (kesetaraan volt dari suhu)
11600
= 0,026 V pada suiru kamar T = 300 K

Gambar 2.4 menunjukkan bentuk karakteristik diode sambungan pn ideal.

9lyp:n ?.-1,-"
Karakteristik V-l diode pn
ideal

Karakteristik maju diode pn untuk germanium dan silikon terlihat pada

Gambar 2.5 a. Terlihat ada tegangan ambang (threshold) V,. Di bawah tegangan
ambang arus diode sangat kecil. Tegangan ambang besarnya kira-kira 0,2 V untuk
germanium dan 0,6 V untuk silikon.
Pada prasikap balik yang besar (V,), terjadi arus balik yang mendadak besar.
Di daerah ini diode dikatakan berada di daerah dadal (breakdown) seperti terlihat
pada Gambar 2.5b.

n
 Bae 2 Dronr
21

l, mA
V, VOII Q4;ygan *-2,9
80
-0,5
60

40 -1,0

20
l, mA

60

(a) (b)
Karakteristik V-I Maju Diode pn Karakteristik V-I Baiik

2.4 Pengaruh Suhu

Pengaruh suhu terhadap perubahan I. adalah kira -kira7,/o,/0C. Karena (7,02)ro
=2,
maka I" menjadi berlipat dua untuk ietiap kenaikan 10 0C.
Arus Io pada suhu T adalah:

I. (T) = In, x 2(r-r')/to (2.s)

dengan I., : Arus I,, pada suhu T,

Untuk arus yang konstant I dVlaf I turun dengan naiknya suhu

dV
= -2,5 my /oC (2.6)
dT

2.5 Resistans Diode

Resistans diode untuk sinyal kecil disebut resistans dinamis yang nilainya
tergantung titik kerja. Resistans dinamis didefinisikan sebagai rei*ut :
l

dV
^d
f =-
dI

Dafi (2.4) resistans dinamis dapat ditulis :

TIV, TV,
.i ., (2.7)
Ie""t',,- 'r I+l

t
7

22 Pm.roaNran Er,sx:rnosrxa Dasa-q

Untuk prasikap balik:l -ft | ,, ,, maka resistensi ciinamis sangat besar nilainya.

Untuk prasikap maju: L, I,., maka

IVt (2 8)
f.

Sebagai contoh untuk rl = 1 (Ge) dan I = 52 mA maka ro = C,5 Q.

Untuk sinyal besar digunakan karakteristik diocie "piece wise linear"

(potongan linear) seperti terlihat pada Carnbar 2.6.

Karakteristik Sesungguhnya

Karakteristik Pendekatan
95nnPa3 2rQ dengan tereng 1

Karakteristik diode BI
''piece wise linea/'

Karakteristik pendekatan ciiperoleh dengan merrarik garis lurus melewati

tegangan ambang V, dan menyinggung kurva karakteristik sesungguhnya. Maka
didefinisikan resistans maju R, sebagai berikut :

dV
t (2.e)
,1I
Bae 2 D:ooe 23

2.6 Kapasitans Transisi

Prasikap balik mengakibatkan pembawa mayoritas menjauhi sambungan, maka
daerah deplesi (daerah transisi) menjadi lebar. Dapat dianggap ada pengaruh
kapasitans transisi C, :

L,' = rdQr
i- (2.10)
ldvl |

dengan dQ : pertambahan muatan akibat perubahan tegangan dV.

Perubahan tegangan dV selama dt mengakibatkan ams :

dV
1-L_--- (2.11)
'dr

Contoh 2.1

Suatu sambllngan pn mempunyai rapat rnuatan 0 yang berubah linear dengan

jarak (p = k x) sePerti garnbar berikut
:

/P=t<x
\-4

Bila L adalah lebar muatan dan A iuasan sambungan, bagaimanakah ekspresi a)

potensial penghalang V' dan; b) kapasitans transisi Cr.

Sol usi

a) Dari persamaan Poisson:

d'v=_ o =- kx
dx2€t
24 PmrcaNre.n Er,sxrnorvrxa Dasan

dV kx2
+C-l
dx 2e

Pada x=-L/2, E=-dV =0, maka C, =kL'

dxtSr
dV __ _ kx2 * kL'
dx 2e 8e

V
kx3+-+C-
kl2x
= t
6t. 8e

Pada x=-L/2, terdapat V=0

maka L- = -- kL' + kL' = kL'

' 48E l6s 24t
- --
Sehingga pada x=L/2

\/ - \/'t klr kL3 kL3 kL3

- 4& t6r z4c - -tk

tr 2 lL2 Akl_:
b) O = ln Apclx = J,, Akx dx = -* 8

dQ AkL dL
'dv4dv

dari a)
dV KL'
dL 4e

n)aKaLr=--=-
AkL 4t eA
, 4 KL2 L
Bae 2 Drooe 25

2.7 Pembawa Minoritas pada Diode

Bila diode diberi prasikap maju, maka potensial penghalang pada sambungan
diperrendah. Lubang dari bagian p menuju ke bagian n dan elektron dari bagian
n ke bagian p.

Konsentrasi lubang injeksi adalah p1,. = pn - p..

dengan p" :konsentrasi lubang di bagian n

p.o :
konsentrasi lubang yang dibangkitkan secara termal
Dengan masuknya lubang ke daerah n akan bergabung dengan elektron,
maka konsentrasi lubang injeksi adaiah:

p'"(r,) = p"(x) - pn,, = pl.(o) e-*/Le (2.12)

dengan:
Lp : panjang difusi lubang yang menyatakan jarak dari sambungan yang mana
konsentrasi lubang injeksi menurun dengan faktor 1/e"
Parameter Lp mempunyai relasi dengan tetapan difusi Dp dan umur kerata
lubang p (waktu rerata sebelum lubang bergabung dengan elektron):

l.p = (Dp t,,)% (2.13)

Dari persamaan Boltzmann (1.19) dapat dinyatakan bahwa p^ (0) gayut secara
eksponensial terhadap V:

P.(0) = Pno (2.14)

"u"'
Yang disebut sebagai Hukum Sambungan.

Konsentrasi pembawa minoritas sebagai fungsi jarak untuk prasikap maju dan
balik terlihat pada Gambar 2.7.

Ganaean 2-7

(a)
Konsentrasi pembawa minoritas sebagai fungsi jarak
untuk prasikap maju

)
 PElcArvrAR Er,rxrporslr-"tr' Das-eR'
26

Konsentrast

Baqian P

(b)
PrasikaP balik

korlsellrrilsi iubang yangbergerak

Arus difusi lubang tei-sanhu.tg pada gradien
dar bagian P ke n'

dp. (x)
Ip(x) =-Ao'O *
(x = 0) adalah:
Arus difusi lubang vang iewat sambungan

dp" (0) (2.15)

lp(0) --Aq,P *
lewat sambungan adalah:
Demikian irrga arus clifusi elektron yang

(2.16)
ln(o) = t AqD" *9

dengan A :luas sambungan

dan elektron
Dp, Dn: Tetapai difusi untuk lubang
q: muatan elektron

Secarateoritisarusdriftpembawaminoritasyanglewatsambungandapat
a.t's diode total I adalah:
diabaikan terhadap *"r a1zuri pembawa minoritas. ir4uk--a
(2.17)
i=Ip(0)+In(0)
 Bae 2 Droop 27

2.8 Kapasitans Dif usi

Misalkan bagian p dari diode mendapat doping yang lebih besar dibanding bagian
n, maka arus yang iewat sambungan seluruhnya disebabkan oleh lubang yang
bergerak dari p ke n, atau

I=Ip(0) (2.18)

Dari persamaan (2.11) dapat ditulis:

P,, (x) = Pn,, * P'n (o) s-x'rP

Maka artrs lubang pada bagian n adalah:

dp^
lp(x) - - AqDp
dx
-
A q Dp p'"(0) e'x/ I.P

(2.1e)
Lp

Sehingga arus lubang total adalah

AqDIP'"(o)
I =Ip(o) = Lp
(2.20)

Muatan minoritas pada bagian n adalah:

, I

Q = J,,AQp'"(O)e'-rr-e dx = Aqi-pp',.(O) (2.27)

Substitusi persamaan (2.20) ke persamaan (2.i9) diperoleh:

o-
I- T
(2.22)

, Lp'
0ellCan T =--_= T (umur rerata lubang)
pf

\laka-pada prasikap maju ter;adi kapasitans diftrsi C* :

dO tdl r
C^ = - =_=__ (2.23)
dVdVr

-'I
r

28 Prwca.rlrax ELEKTRoNTKA Dasan

nv_
Dari persamaan (2.8) : r,, = 'r ' , maka
"I
TI
C up (2.24)
11v,

Bila arus diode disebabkan oleh lubang dan elektron maka kapasitans difusi
total C, adalah:

Cr=Coo+Co,. (2.24)

dengan Cr. : kapasitans difusi yang disebabkan oleh elektron.

Untuk prasikap maju Cr, >> C- (kapasitans transisi) sedangkan ttntttk prasikap
balik C, >> CD.

Contoh 2.2

Unttrkdiodesilikon (tl=Z) arusprasikapmaju(I)=52mA.Bilat=20[s,hitunglah

kapasitas difusi:

Solusi

(' TI 20.10 16
. 52.10r
- DP = 5lLF
rrv, 2.0,026

2.9 Diode Zener

Diode zener dirancang untuk bekerja pada claeral-r dadal (break down) dan
digunakan pada devais tegangan konstan. Penggunaannya adalah sebagai
pengatLrr tegarrgan (voltage regulator) untuk mempertahankan tegangan yang
konstan Vz dan tidak tergantung pada perubahan arus beban (Gambar 2.8).

Ganaean 2.8

(a) (b)
Simbol diode zener Karakteristik diode zener
 'uplsuo>l qe>lapuaru ue>Ie zA apop ue8ue8al eleru (ry1sualleJp>l
[aaq] lnlnl 1p aporp snre) 121 eped lrup rpsaq qrgal zI rauaz aporp snre eurelas

6Z Eoorc z avg
 .;).ii :.,,i,','; ..:,.:
i i.'t.:.:. :,11a: ..i ,::,.:a'::lr't:::. )i):t):t ,',, . ..'
..,'.
,.:1, . .j7::. a t :. :,.-. .

;i:::..:\";';',J>
l\
)
'.. .l
.,'.,..J

Ururar DloDe
Ururnr DrooE REsrsron

PeruvrenAH SETENGAH GrloMenNc

(Helr Weve Reclrren)
PrruvrnnAH GELoMBANc PENuU
Tnpts (nlren) Knpnsrron
RrcuuroR TEGANGAN DENGAN Drooe ZENrn

-l
Masukan 3
Ac3
*_J
7

Er,cxtRoNrr<a D.qsan

UNTAI DIODE
3.1 Untai Diode Resistor
Garis beban
Diode sebagai unsur untai terlihat pada Gambar 3.1. Hubungan antara tegangan
dan arus diode diberikan oleh persamaan garis beban dan watak statis diode.

Glrvre-an 3.1
Diode sebagai Unsur Untai

I
Dengan hukum Kirchoff tegangan dapat ditr.rlis persamaan garis beban sebagai
berikut:

V= V;- lRr

Persamaan (3.1) ini belum dapat untuk menentukan teganan v dan arus i.
Hubungan kedua dari v dan i diberikan oleh watak statis diode.
Kedua hubungan tersebut dinyatakan oleh gambar 3.2.

Garuean 3.2
Titik Kerja A dari Diode
Ditentukan oleh
Perpotongan antara Garis
Beban dan Kurva statis.

Garisbebanmelewati titiki = 0,v = v, dani = -' , r, = 0.

RL
B-",e 3 lfi.rra: Drooe 33

Watak (Karakteristik) Dinamis

Hubungan arus terhadap tegangan masukan disebut watak dinamis seperti terlihat
pada gambar 3.3.
Lereng garis beban adalah tetap karena resistans beban R, tetap.

Garis Beban Garusan 3,3

Kurva Statis
^HL Cara memperoleh kurva
vi dinamis dari kurva statis dan
garis beban
R,
\ Kr*, Dinamis
iA

i4

Watak Alih (Transfer Characteristic)

Hubungan antara tegangan keluaran Vo dan tegangan masukan Vi disebut watak
alih. Karena v,, = i R,_, maka kurva watak aiih mempunyai bentuk yang sama
dengan kurva watak dinamis (Carnbar 3.4).

__
G-4yeag 3,4
Kurva alih merelasikan
tegangan masukan dan
keluaran pada untai
Gambar 3.1

Model Diode Potonsan Linear

\\'atak volt-ampere potongan linear dari diode pn terlihat pada gambar 3.5. Diode
:erlihat sebagai devais linear yang mempunyal dua keadaan ON dan OFF. Bila
iiode diberi prasikap rnaju ( V > Vr) maka diode berada pada keadaan ON
tGambar 3.5 b). Bila diode diberi prasikap balik (V < V,) maka diode berada pada

!
,r4
a
34 ELEKTRCNTKA Dasen

keadaan OFF (Gambar 3.5 c). Pada prasikap maiu diode nlemPunyai resistans
maju Rf yang sangat kecil, sedangkan pada prasikap balik mempunyai resistans
balik Rd yang sangat besar.

A A
Garvrean 3.5, Anoda (A)
t
t
I
I I a
I
I, T
I T
*-ar
ittlnr I
f
*
I

t i
lr 4 I I

/t1 Ol vf \'
Katoda rK)
I I
/r
Br
K K

(a) (b) (cl

Vlatak Diode Potongan Lineaf Ivlodel Diode pada Model Diode
dan Simbol Diode Prasikap Maju Prasikap Balik

Contoh3. i. Suatr-r untai diode resistor (Gambar 3.6) diasumsikat'L memenufii model
potongan linear dengan resistans maju R, dan resistans balik R, = -'

A AV,HIK

Genaean 3-5
(a)
Untai Diode Resistor Untai Diode Resistor dengan
model potongan linear

(c)
Ragam gelombang tegangan dan arus
 Bae 3 I}.rran Drooe 35

Tegangan masukan adalah sinusoide: vi = Vm sin o. Dengan o, = 2TLft d.an f

=
frekuensi. Arus pada arah maju (vi > Vf) dapat diperoleh pada Gambar 3.6 b dari
untai ekuivalennya:
V*sino - V,
1= untuk v, > Vf
Rr+R,

i=0 untuk v,<Vf (3.1)

Ragam gelombangnya terlihat pada gambar 3.6 c.

Sudut hantar (cut in) dapat dihitung dari

Q--arcsin 'r
V
(3.2)
V
Misal untuk diode sililon (Vr = 0,6 V) dan Vm = 2 V, = 1,2Vmaka0=300.

3.2 Penyearah Setengah Gelombang

(Half Wave Rectifier)
Penyearah setengah gelombang adalah untai yang mengubah ragam gelombang
bola-k-balik menjadi searah pada separon siuui gelombang. [Jntal dasarnyl
terlihat pada Gamb ar 3.7 a.

l.-- r,--.l
T
I

t
,,:sJ(an .l3
d

I
C,l

a
.l I
+
Gannean 3.7
(a)
Jntai Penyearah Setengah Gelombang

(b)
Ragam gelombang tegangan masukan
dan arus
 Erpxraoxlxa Dasan
36

Tegangan masukan adalah : v = vm sin cl tot

nifi V"] >> V, (tegangan hantar aloae) maka Vf dianggap no1. Ragam gelombang
dengan resistans
arus dan tegangan terlihat pada Gambar 3.7 b. Diode diidealkan
Rf pada t<eaaain ON dan terbuka pada keadaan OFF'
i= Imsincx, untuk 0<cr<n
i= 0 fi,<a<2n

dengan C[ = 2lTft
Vm (3.a;
I-=
R,+ R,

Arus rerata (Io.) dapat dihitung sebagai berikut:

r= I ,ii
-|t
da^al
dc[
.z-lL 0

1. I*
Id'l= ' Jo
I i= Im sin C[ dcx = (3.4)
2Il TL

Tegangan rerata Pada beban adalah:

I*R' (3 s)
=I
\'dcdc'.fi R =
terlihat pada
Ragam gelombang tegangan diode pada keadaan ON dan OFF
Gambar 3.8.

G,-aryrqan 3r8.
Ragam gelombang
tegangan Pada Diode

Tegangan rerata pada Diode Vo. dapat dihitung sebagai berikut:

't n2ft
' I vdc
V = )rt J^
U
Bae 3 l]rwran Droop; a-7

= I r* Rf sin c{ do * f'nvrn sin cr dcr )

]-21r t .1) )n

- 1(ImRf-vm) 1
IImRf-Im(Rf+RL)
lt 1T,

-ImRL (3.6)
lt
Arus AC efektif dapat dihiiung menurut nilai akar kuadrat rerata (root mean
square/ rms) sebagai berikut:

'n,, ,*o.;, ,
Irn\ = (
r,,,..
-l-
2TT J
1
o

t .tr
= (-+ I t-, sin20 drx ), :
adl
ZIL ' O

Im
(3.7)
a

Reeulasi Tesansan
Perubahan tegangan kelnaran dc sebagai fungsi arus beban disebut regulasi
tegangan, yang didefinisikan sebagai berikut:

v tanPa beban - V berbeban

Regurasi tegangan - x 100% (3 9)
V berbeban

Perubahan Vo. terhadap I.,. untuk penyearah setengah gelombang diperoleh dari
Persarnaan (3.3) dan (3.4):

r*Im Vm
l, (3.10)
d'fi ,T(Rf . RL)

vln
v.,. =lr.RL = - I-Rf (3 11)
38 Er,rxt'noNrxa DASAR

Hasil ini dapat digambarkan dengan model Thevenin seperti Cambar 3.9.

Gervrean 3.9
Model Thevenin Penyearah
Setengah Gelombang

Dengan model Thevenin terlihat bahwa beban R, dihubungkan ke sumber

tegangan Y =Ym/TE yang mempunyai resistans sumber Ro = R,.
Dalam praktek R" = R. + R,.
dengan R. : resistans bagian sekunder transformator.

3.3. Penyearah Gelombang Penuh

Penyearah gelombang penuh adalah untai yang mengubah ragam gelombang
bolak-balik menjadi searah pada seluruh siklus gelombang (Gambar 3.10).

Garraean 3.1O
a) Untai penyearah
gelombang penuh;

D, t,

T-

I:.
T;
I'

(a)
Untai penyearah gelombang (b)
penuh Ragam gelombang arus
Bae 3 lJrvran Drooc 39

Terlihat untainya terdiri atas dua untai penyearah setengah gelombang,

sehingga penghantaran terjadi lewat salah satu diode pada setengah siklus
pertama dan diode yang lain pada setengah siklus berikutnya. Arus pada beban
adalah:

i=ir+iz
Arus dc, arus rms dan tegangan dc, dari untai adalah sebagai berikut:

, --
t,l. 2l* .r =lT .v
2Im RL
fE "r*' - 72
(3.12)
'" o, It
dengan

Vm
[p=- (3.13)
Rf+RL

Vnn : tegangan puncak bagian sekunder transformator terhadap titik sadap

tengah.

Dari Pers (3.12) dan (3.13) dapat diperoleh

I,,.
oc = 2Y-
Tl
-ld.Rf (3.14)

Model Thevenin dari persamaan (3 14) ini sama seperti gambar 3.9 kecuali

v = 2v'
n
Untai penyearah gelombang penuh yang lain adalah untai jembatan seperti
terlihat pada Gambar 3.11.

--l .9"*"ll.g"ln.9'r!
Penyearah Gelombang
5 Penuh dengan Untai
Masukan A Jembatan
AC3
(
"l
40 Elnxraoxrxa. Dasan

Pada separoh siklus pertama bila bagian atas dari kumparan sekunder
transformator bertegangan positif, maka arus mengalir lewat D1, R., D4 dan
kembali ke bagian bawah kumparan sekunder. Pada separoh siklus berikutnya
arus mengalir dari bagian bawah kumparan sekunder lewat D2, R., D3 dan
kembali kebagian atas kumparan sekunder. Keuntungan untai ini adaiah ukuran
transformator lebih kecil karena tanpa titik sadap tengah tetapi diode yang
diperlukan menjadi empat buah.

3.4 Tapis (filter) Kapasitor

Penapisan dilakukan dengan menghubungkan paralel kapasitor pada beban
(Gambar 3.12). Kapasitor memperlama arus yang mengalir ke beban sehingga
mengurangi riak pada tegangan keluaran.

G-+vp-lt-Q.,!?.
Penyearah setengah I
gelombang dengan tapis
kapasitor
t
cl
.<
I

Masukan 3
AC Oi
d

(
.l
Bila tegangan vi melebihi tegangan kapasitor, maka diode menghantar (oN) dan
kapasitor berisi muatan. Bila tegangan vi lebih rendah dari pada tegangan
kapasitor maka diode tersumbat (OFF) dan kapasitor mengosongkan muatannya.
Ragam gelombang keluaran terlihat pada gambar 3'13.

93yr*e_4n_"_p.,1_,3,
Bagam gelombang
tegangan keluaran dan arus
diode
Bp,r: 3 lJrvran Droon 41

Selama diode menghantar, tegangan trafo diberikan ke beban. Bila penurunan

tegangan pada diode diabaikan maka tegangan keluaran adalah vo = Vrn sin o t,
dengan a = 2nf.
Selama diode tersumbat, kapasitor mengosongkan muatannya ke beban dengan
tetapan waktu C R..

Titik dimana diode mulai menghantar disebut titik hantar (cut-in) rot, dan diode
mulai terstunbat disebut titik sumbat (cut-off) cot,.

Untuk penyearah gelombang penuh, tapis kapasitor diperoleh dengan

menghubungkan paralel kapasitor pada beban dari untai pada Gambar 3.10.
Ilagam gelombang tegangan keluaran terlihat pada Gambar 3.74. Ragam
gelombang ini digunakan untuk analisis pendekatan.

Gaueen 3-14
iigu; gero.noung
tegangan keluaran
penyearah gelombang
penuh bertapis kapasitor

Bila kapasitor C sangat besar (co C R. ,, 1) maka rot mendekatifi/2 dan vo

mendekati Vm pada saat t = t1. Penurunan eksponensial juga dapat dianggap
penurunan lurus.
Bila tegangan pengosongan kapasitor total dinyatakan dengan Vr, maka tegangan
keluaran dc adalah

Vdc=Vm-Vr
2

Bila T, menyatakan waktu diode tak menghantar, dan kapasitor mengosongkan

muatannya dengan kecepatan konstan Idc, maka kapasitor akan kehilangan
sejumlah muatan Idc Tr. Sehingga perubahan tegangan pada kapasitor adalah:

vr = _
Idc T2
C

Dengan menggunakan kapasitor yang cukup besar, maka waktu hantar T, menjadi
kecil dan T, mendekatiT /2 = 1/zi, dengan f adalah frekuensi saluran daya AC.
Maka Vr dan Vdc adaiah:
42 Elrxrrnor.trra Da.san

Idc
2tc

Vdc=Y*- Idc
4fc

Contoh 3.1

Penyearah gelombang penuh menggunakan transformator dengan tegangan 24

V ke titik sadap tengah. Beban terdiri atas resistor 300 A. Kapasitor tapis yang
digunakan adalah 50 pf dan frekuensi kerja adalah 50 Hz. Hitunglah sudut putus
diode.

Solusi

Pada saat diode menghantar vo = Vm sin ot

Arus diode adalah jumlah dari arus kapasitor dan arus resistor beban.

t'o
i=ic+il = C -qYg- +
dt RL

. Vm sin rrl t
u)cvmcos0)r*
,l
= Im sin (ro t + ry)
dengan

Im = Vm r/ 1ol, C' + 1/R,.,) dan V = arc tan trl CR

sudut putus diode o,, = trltr diperoleh bila

i(t,)=0atau trlt + qr=n atau

0t, =7I-arctanroCR.
= rI - arc tan(2.7r . 50 . 50 . 106 .300 )
:1

t
I
f
=n-1367 T

il

i
= 7,779 rad (101,9290 )
Bae 3 ljrrrran Drooe 4J

3.5. Regulator Tegangan dengan

Diode Zener
Regulator (pengatr,rr) tegangan dengan diode zener terlihat pada
Gambar 3.15.

Ir-

Sumber
tegangan
tak teratur

3.15

(a) (b)
Pengatur tegangan dengan diode zener Watak diode zener

Tegangan Vs adalah tegangan searah yang tak teratur yang dapat berasal dari
penyearah gelombang penuh yang bertapis. Tegangan sumber Vs dan resistor R
dipiiih sedemikian sehingga diode bekerja di daerah dadal (break down) yaitu
diYz danlz.
Diode kemudian mengatur tegangan beban terhadap perubahan arus beban dan
tegangan sumber. Didaerah dadal perubahan yang besar arus diode hanya
mengakibatkan perubahan yang kecil pada tegangan diode zener. Pengaturan
ini terjadi selama arus diode lebih besar dari pada Izk.

Contoh 3.2

Diode zener digunakan untuk mempertahankan tegangan 12 V untuk arus diode

berubah dari 5 hingga 20 mA.
Tegangan sumber Vs = 18 Volt
a) Hitunglah R yang memungkinkan perrgaturan tegangan pada arus beban I, = 6
hingga I, maksimum. Berapakah besarnya I, maksimum ?
b) Bila R bernilai seperti (a) dan I, ditetapkan 10 mA, berapakah batas Vs boleh
berubah tanpa kegagalan pengaturan tegangan ?

Solusi

a) t= V=v' ,lz=r-r,
R

U:
Bila RL berubah maka Ir = Rr-'
juga berubah, tetapi I konstan.
"
r
I

44 ErexrRourr<zr DasaR

Sehingga dengan bertambahnya IL, Iz akan turun.

Iz maksimum = 20 mA terjadi pada saat IL minimum (Ir- = 0).

Jacti p =
1E- tz = 3oo e
2A

Iz minimum = Izk = 5 mA, maka

IL maksimrrm = I - lzk = 20- 5 = 15 rnA

lr) Pada saat arus cliode minimum, I = 5 + 10 = 15 mA

Vs = Vz + IR = 12 + 75 x0,3 = 16, 5 volt

Pada saat arus diode maksimum, I = 20 + 10 = 30 mA

Vs=12+30x0,3=21volt
 r. . l':ii:.:'i: ,llrl '" '. ;' iii .
r. i , I l

.;,. I rr iir.
........t)::.t, ,.... rr I .ri]-
.:.:.:t ./.:::a...: ..:.....:.rr.. .r.1- t...: : I.

:.: ..,...:....,. ...:...:.:. . -: I

I l,
..

/l

' t,",77,

TnaNsrsToR
Srnuxrun TnnNsrsroR
Anus Dr onleu TRarusrsroR
KnnnrcrrRrsrrK TRnNsrsroR
Ururnr PRnsrrap TnnNsrsron

Ururnr Perucunr TRerusrsroR

P lpr n lpc P

k lc

Itr"-r*, lco

lne

r llI lnco

"+l "
+! - +t-
Vee

MILIK
Baden pustrlrU Per
P1r,pi1i: J...r T':rl'
r
46 Er,p<rnoNrxa Dasan

TRANSIST R.,

f ransistor adalah komponen aktif dengan arus, tegangan atau daya

I
keluarannya dikendalikan oleh arus masukan. Di dalam sistem komunikasi
transistor digunakan sebagai penguat untuk memeperkuat sinyal. Di dalam
untai elektronis komputer transistor digunakan untuk saklar elektronis laiu tinggi.
Ada dua jenis transistor yaitu transistor santbungan bipolar (bipolar junction
transistor, BJT) dan transistor efek medan (field effect transistor, FET) yang
karakteristik kerja dan kontruksinya berbeda. Pada Bab ini akan dibahas transis-
tor sambungan bipolar (sering disebut transistor saja) yang pembawa arusnya
terdiri atas lubang dan electron.

4.1 StrukturTransistor
Transistor adalah komponen tiga terminal. Ketiga terminal tersebut disebut Basis
(B), Kolektor (C), dan Emiter (E). Ada dua jenis transistor yaitu pnp dan npn
seperti terlihat pada Gambar 4.7.

(a)
Kontruksi transistor pnp (kiri) dan npr-r (kanan)
Iu : Sambungan emiter, I. : sambungan kolektor
Garvrean 4.1

(b)
Simbol transistor pnp (kiri) dan npn (kanan)

Tanda anak panah menunjukkan arah aliran arus, bila sambungan emiter-basis
J, diberi prasikap maju. Bila transistor tidak diberi prasikap (terbuka) maka semua
arus di dalam transistor adalah nol. Potensial penghalang pada sambungan adalah
Bae 4 Thanrsrs,ron
47

Vo (Cambar 4.2a). Pada keadaan terbuka konsentrasi minoritas adalah konstan

pada keseimbangan termal yaitu n,," (elektron di daerah p) dan p^. (lubang di
daerah n (Gambar 4.2.b).

Potensial,V Konsentrasi minoritas

Ganaean 4.2

Emitter J. basis kolektor

J-J
(a) (b)
Potensial penghalang konsentrasi minoritas pada
pada transistor terbuka transistor terbuka

Gambar 4.3a menunjukkan transistor diberi prasikap di daerah aktif. Sumber

tegangan memberi prasikap sambungan emiter-basis dalam arah maju dan
sambungan kolektor-basis dalam arah balik. Perubahan potensial di dalam tran-
sistor terlihat pada Gambar 4.3b Terlihat bahwa piasikap maju vru pada
sambungan emiter menurunkan potensial penghalang diri vo menjadi vo -'l vru .
1
Sedangkan prasikap balik v.u pada sambungan kolekto. *unuikkun poteniial
penghalang dari Vo menjadi Vo + lV.u I

Dengan turunnya potensial penghaling emiter-basis memungkinkan injeksi

minoritas yaitu lubang diinjeksikan ke basis dan elektron diinjekiikan ke daerah
emiter. Kelebihan lubang akan berdifusi ke sambungan koleitor.

lE - l"_
"

: Vcc Ganaeaa 4.3

(a)
Transistor pnp diberi prasikap di daerah aktif

(b) (c)
l
Potensial penghalang Konsentrasi pembawa minoritas l

I
I

F--
I

I
 Er,er<rnoNrx-a Dr'sen'

48
dan positif
medan elektris adalah besar
Pada sambungan kolektor ]c dipercepat melewati sambungan
G = - dv /dx >> 0), *ht;;;;i'uung-i'uong
pot",iriul pada Jc negatif' maka
tnenurut
dan dikumpulkan kolekioi'ri".nru,.,ng iCamUor 4'3c)' Demikian
hukum sambungan (2'13)' p.trerkurang "*"f;;inot
juga n,, menjadi nol di Jc'

4.2. Arus Di dalam Transistor

Gambar4.4menunjukkankornponenartlsdidalamtransistor-padasaattransis- balik)'
aktif (]uberprJ["p "''r1" q:"J: li:otasikapelektron
tor diberi prasikap dil;;;h
Arus emiter (rrl t"raif u-tal"iir^"
iiU*g ;;kti majtt (ipEl dan aliran

injeksi balik (InE)

(4.1)
I.=Ir.e+I^r

GIYP+F t,+ .

KomPonen arus di dalam

transistor Yang bekerla ot
daerah aktif

VEa

TidakSemualr.rbangyangmelewatisambtlrrganemitersampaisambtlngan i daerah basis'

kolektor, berr,.,bl.*g 'Joobgi";
;:;gJ""q \:"t;J d""'-tg''.' clektron'd
adalah lt" maka arus
lubangy"ig *"f";ati simbunga'l koLktor
Misalkan arus I''' - l''
Iubang rekombinasi yi';g'"*;t;ggalkarr basiiadalah '
berprasikap
sambungan kolektor tetap
Ketika emiter terbuka, sementara j"rt't' sattrration current) Ico'
balik, maka o"" l'ol'iti';ilh
;;" balik 1","""t'u
n) dan 1... (iubang dari n ke p)'
I.o terdiri atas In.o ("l";t;;;;;i
p ke
(4.2)
l.n=I..,+Iu..n
1"" tinrbul
lereng-k1yvo 1o fud'l" t*|ilgk'n
Besarnya In., sebanding dengan t"totu termaI di basis'
sebagai akibat tto'-ts"'"'t?"i triUang yut''g aibotgtlitftu"
 B.qg 4 TRanssrgron 49

Dengan emiter berprasikap maiu, maka arus total lubang yang melewati ].
adalah jumlah Io. dan Ipco dan besarnya sebanding dengan lereng kurva p" pada J.

I. = I.., + Ir-. = I.,, + cIIo (4.3)

dengan o, : bagian ams emiter, (lubang) dari emiter rnenuju kolektor.

Bila I..,<< I., maka nilai a (alpha ) merupakan rasio (hasil bagi) antara ams kolektor
dan artrs emiter

o, = Iclls (4.4)

Karena I. = Iu - Iu maka jangkauan (rating) u selalu kurang dari 1

Dari persamaan (4.3) dan dari persamaan I, = Iu + I. dapat ditulis :

I. = I"u* cr(Iu+ I.),maka

. l.u GIu
(4 5)
-
'a -
1-a 1-u
-
Didefinisikan p (beta,1 sebagai berikut :

*
0= (4.6)

Maka persamaan (4.5) menjadi :

I.=(1+B)I.o+BIu (4.7)

' Urrr*rlya Iu >> I.o maka I. = Io atau

o= " IB
(1.8)

Karena hampir semua untai transistor sinyal masukan diberikan ke basis dan
sinyal keluaran diambil dari kolektor, maka B rnenyatakan peroleh artrs dc
(dc current gain) dari transistor.
Peroleh arus dc ini kadang-kadang ditulis dengan 90. atau h.. .

4.3 Karakteristik Transistor

Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang
menggambarkan kerja transistor. Akan ditinjau tiga kurva karakteristik yaitu
kurva koiektor, klrrva hasis, dan kLrrva heta (B).
?
,-''

50 Er-axlnoNrr<a Dasan
daue@

Karakteristik Kolektor
Untuk mempelajari karakteristik transistor, maka transistor dipasang dalam untai
seperti pada Gambar 4.5.

9+yet.-,-a_r5*.
Untai yang digunakan untuk
memepelajari Karakteristik
kolektor

Kurva karakteristik kolektor merelasikan I. dan V.u dengan Iu sebagai parameter.

Pada gambar 4.6 terlihat bahwa kurva kolektor terbagi menjadi 3 daerah, yaitu
jenuh, aktif, dan cut-off.

1. Daerah jenuh (saturasi), adalah daerah dengan V., kurang dari tegangan
lutut (knee) v" Daerah ienuh terjadi bila sambungan emiter dan
sambungan basis berprasikap maju.
Pada daerah jenuh arus kolektor tidak tergantung pada nilai Io. Tegangan
jenuh kolektor-emiter, V.r,.,u untuk transistor silikon adalah 0,2Y,
sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V.
2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut V" dan tegangan dadal
(breakdown)V,osertadiataslu=I.o.Daerahaktifterjadibilasambungan
emiter diberi praiit<ap maju dan sambugan kolektor diberi prasikap balik.
Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan
sinyal masukan menjadi sinyal keluaraan terjadi pada daerah aktif.
3. Dairah cut-off (putus) terletak di bawah I, = I.o. sambungan emitter
dan sambungan kolektor berprasikap balik. Pada daerah ini I. = 0 ;
I.=I.o=Iu
Bae 4 ThaNsrsron 51

Daerah Jenuh

Daerah Aktif Daerah Dadal

1", mA

Garuean 4.€i
30
Ku rva karakteristik kolektor
suatu transistor

35 V"., Volt

Karakteristik Basis
Kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis Iu dan tegangan basis-
emiter Vru dengan tegangan kolektor- emitter sebagai parameter seperti terlihat
pada Gambar 4.7.

Grwrean 4.7
Kurva karakteristik basis
suatu transistor
7

52 Er,sxrp-oNrr.:r Dasm

Pada garnbar itr-r terlihat dbngan menghrlbung singkat kolektor-emiter

(V., = 0) dan emiter diberi prasikap maju, karakteristik basis seperti diode. Dengan
,. r-...,..rr, ...1r_:f r:a,r.i.r:...,..a-j.:.
1,:::.t)t)tj)):: t:1. :t bertambahnya v.r pada vu, konstan, maka lebar daerah deplesi cli sarnbungan
.. ,. : .ti'.:itt:. iiltfiit,r, ,.t{,ii.tri,; :::
kolektor bertambah dan mengakibatkan lebar basis efektif berkrrrang. Dengan
- -, riilrr.i,r;rr,,:;l: rri. ..i,,r'r t.rir,: 1.: : i,ritrttiiti .. . .

berkurangnya lebar basis, maka arus basis rekombinasi berkurang : Pengaruh

r..:
-,...: :.r: ..":...: 1:.: -.,t1....,r",,]. :::rr'rrrlt

r,, :rrrt:..:.-,irrilti!rr:... .,r,irirr.i:rrrr.j .rtl*;r.li,, tittiri ini cli sebut Enrly ffict.
't ,.. t::,|:aaalta . t:i|.,r,\4r':at,a.:r.t' ,.:
Titik ambang (threshold) atau tegangan lutut (V*) untuk transistor germa-
..,.::r ,:.. .,t .,r,,rii.1ii:,r;rrrri:: .rrii:jiri,i i r4|
rrium adalah di sekitar 0,1 sampai 0,2 V, sedang untuk transistor silikon di sekitar
0,5 sampai 0,6 V nilai Vuo. di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7
lrntuk silikon.

Kurva Beta (0)

Kurva beta menunjukkan bagaimana r-Li1ai B berubah dengan suhu dan arus
kolektor (Carnbar 4.8). Nilai B bertambah dengan naiknya suhti. Nilai 0 juga
bertambah dengan naiknya arus kolektor I.. Tetapi bila I. naik di luar nilai tertentu,
$ akan turun.

Gannean 4.8
Relasi antara b dengan lc
dan suhu

Contoh 4.1

Untuk untai berikut, transistor mernpunyai g = i00 dan Vu. = 0,7 Y. Tentukan
nilai resistor R, agar arus emiter I. = 1,5 mA. Abaikan arus balik jenuh I..,,.
+ 12V

Re = 2,2 1oq

1,.

I t,s ,n
Re=2299
Bae 4 Thanrsrsttx 53

Solusi

Dengan I.o diabaikan, maka :

Ic=(1+0)l.o + plu = 0Iu = g(IE- Ic)

Persamaarr di atas dapat ditulis :

i.(1+0)= II, sehingga:

I. = 0IF/ (1+0) =100x1,5 /(100 +1) =1,485mA
Iu = Iu - I. = 1,5 - L,485 = 0,015 mA
Vu = Vu. + RF IE = 0,7 + 0,22 x7,5 = 1,03 V
Io2 = Vo / Rr= 1,03 / 27 = 0,038 mA
Io, = I, + I,o = 0,015 + 0,038 = 0,053 mA
Vc = Vcc - (ic + Io,)Rc =72- (1,485 + 0,053)2,2 =8,676Y
V,,,= Vc - Vu = 8,676-1,03 =7,586Y
R, = Vu, /Ior=7,586/ 0,053=743,722KQ

4.4 Untai Prasikap Transistor

Titik Keria Transistor
Pemilihan titik kerja bertujuan agar transistor bekerja di daerah yang diinginkan.
Pada untai pengrlat, transistor dirancang untuk bekerja di daerah aktif, sehingga
sinyal keluaran (tegangan atau arus kolektor) merupakan reproduksi sinyal
masttkan yang diperkuat. Gambar 4.9 menunjukan contoh untai penguat dengan
sinyal masukan diumpankan ke basis dan sinyal keluaran diambil dari kolektor.

_Gryu-qa1 4,9
Ragam gelombang pada
suatu penguat

/^\
--\7 rc
54 ErexrRoNri<a Dasan

Dalam pemilihan titik kerja, V.., Ru, dan R. dipilih agar tansistor tidak lSelampui
batas jangkauan (rating) nya yaitu :

1. Lesapan (disipasi) kolektor maksimum, Pc1n.ur.,1

2. Tegangan kolektor emiter maksimum, Vcr (maks)
3. Arus kolektor maksimum, Ic (*,r.)
4. Tegangan basis emiter maksimum, Vrr 1^nr.,;
Kapasitor C1 dan C2 adalah kapasitor kopling yang digunakan untr"rk
melewatkan sinyal. Arus dc tidak dapat lewat kapasitor kopling tersebut, sehingga
arlls dan tegangan prasikap tidak terpengaruh.
Garis beban statis (dc) merupakan pasangan nilai I. dan V., yang mungkin
dari suatu pengllat, yang dinyatakan dengan persamaan garis beban :

V.. = V.. - I. R. (4.9)

Garis beban dc ini mempunyai lereng - 1/Rc dan memotong titik I. = 0, V.u = V..
dan I. = V../R6, V.. = 0 (lihat Gambar 4.10)
Titik kerja transistor Q, merupakan perpotongan antara garis beban dc dengan
kurva arus basis dc, Iu. Garis beban dinamis (ac) mempunyai lereng -1/(Rc/ /Rr)
karena untuk komponen sinyal kapasitor C2 berlaku sebagai hubung singkat dan
beban efektif kolektor menjadi Rc/ /RL Garis beban ac ini melewati titik kerja Q

Ga,ueal !.,-1O
Titik kerja O sesuai dengan
V-,
UE= V--^ LE = l--^
LEUdan l^- UEU
Garis beban ac mempunyai
lerengyang lebih curam dari
pada garis beban dc

Vcc

Prasikap Basis
Arus prasikap basis ditentukan oleh resitor Ru (Lihat gambar 4.9)

V -V.
cc bb
Io=
RB

Tegangan basis emiter Vu, pada sambungan emiter yang berprasikap maju a'dalah
0,7 V trntuk transistor silikon dan 0,2 V untuk transistor germanium. Bila V.. >>
V". maka
V^
-LL
( 4.10)
oRu
Bae 4 Thaxsrsrop 55

Arus prasikap kolektor I. dapat dihitung dengan Persamaan:

Ic =h..Iu= B Iu (4.11)

V.u dapat di peroleh sebagai berikut :

V.. = V.. - I. R. (4.t2)

Untai prasikap basis mempunyai dua macam kekurangan, Pertama, pada

penggantian transistor yang sejenis belum tentu menghasilkan titik kerja yang
sama, karena B belum tentu sama. Kekurangan kedua adaiah ketidak stabilan
prasikap karena perubahan suhu. Seperti diketahui I.o berubah menjadi lipat
dua untuk setiap kenaikan suhu 10"C. Sebagai contoh, adanya arus kolektor
menyebabkan suhu sambungan kolektor naik, sehingga I.o naik. Dengan naiknya
I.o suhu sambungan makin naik, sehingga kejadian ini akan berianjut terus dan
mengakibatkan jangkauan transistor dilampaui. Akibatnya transistor menjadi
sangat panas (thermal runaway) atau titik kerja bergeser ke arah jenuh,
Untuk menjamin kestabilan titk keria, digunakan untai prasikap emiter

Prasikap Emiter
Untai prasikap emiter terlihat pada gambar 4.17a

Garvre.qn 4.11

(a) (b)
Untai prasikap Emiter Untai setara Thevenin untuk
prasikap emiter

Dengan menggunakan teorema Thevenin, maka untai disebelah kiri titik A-B
dapat diganti dengan sumber tegangan v dengan resistans sumber Ru (gambar
4.11b)

R1R2
v = --n2 v.. dan Ro
LL (4.13)
R1 +R2 R1+R2
7

56 Er-exrRoNlra Dasan

Dengan hukum Kirchoff tegangan pada untai basis diperoleh persamaan :

V = Io Ro + vuu + (Iu+Ic) R, (4'14)

Penyelesaian pendekatan bila :

Io .. 1. dan I, Ru .. V

Maka
r
V-V.- bl- (4.1s)
RE

Bila pendekatan ini tidak memenuhi, maka penentuan titk Q secara analitis

I. =9Iu+(1+B)I.o (4.16)

Dari persamaan4.14 dan (4.16) maka bisa dihitung Iu dan I.

Untai prasikap emiter relatif stabil terhadap perubahan B dan suhr"r. Jika B atau
suhu bertambah, maka I. bertambah. Sehingga penurunan tegangan pada R.
(=Vo.) bertambah'

Karena I,
V - (Vr, + V,., )
=
RB

maka Iu berkurang, dan akibatnya I. berkurang. Hal ini menunjukan bahwa I.

berubafr berlawanan dengan berubahnya $ atau suhu. Karena Iu dikendalikan
secara parsial oleh I.lewat R, maka terjadi umpan balik (feed back). Prasikap
seperti ini juga disebut prasikap umPan balik emiter

Prasikap Umpan Balik Kolektor

Untai prasikap umpan balik kolektor mempunyai stabilitas karena resistor
basis dihubungkan langsung ke kolektor (lihat gambar 4.12) sebagai umpan balik
dari kolektor ke basis.

Q4.ye4r a"_,1!
Prasikap umpan balik
kolektor
 Bae 4 Thanrsrston 57

Dengan hukum Kirchoff tegangan untuk untai basis diperoleh persamaan sebagai
berikut (dengan asLrmsi I, <<I. ):

V..=I.R.+Iu&*Vu, (4.17)

Dengan substitusi I. dengan plo diperoleh :

V..=Io(FR.+Ru) +Vu, (4.18)

Penyelesaian persamaan menghasilkan Iu :

r - V,. -Vu.
(4.1e)
" Ru+ pRc
Setelah diperoleh Iu maka arus kolektor I. adalah :

v"-Vu'
l.=[3 Iu=1,1 (4.20)
Ru+PR.
Dan tegangan kolektor-emiter adalah :

V., = V.. - I. R. (4.21)

Untai prasikap umpan balik kolektor relatif stabil terhadap perubahan B, karena
Iu berubah berlawanan terhadap B ( lihat persamaan (4.19)), Demikian juga
terhadap perubahan suhu. Bila suhu naik, maka I. naik sehingga B naik. Dengan
naiknya B maka Iu turun, sehingga mengurangi naiknya I,-

Contoh 4.2

Untuk untai prasikap emitter pada Gambar 4.77, tentukan nilai titik kerja
' I.o dan V..., jika R7 = 22 Kohm ,R2 = 4,7 Kohm , Rc = 3,3 Kohm, R. = 1,2 Kohm
dan Vcc = 12 Volt.

Solusi

Tegangan basis Vu ditentukan oleh R1 dan R2. Bila Is diabaikan, maka:

R2 47
" Rl +R2 22+4,7

Tegangan emiter diperoleh dari:

vr -
-- vrr vBr
= 2,172 - 0,7 = 7,472Yolt
r
58 ELEKTRoNTKA DAsan

Arus kolektor pada titik kerja I.o diperoleh dari (dengan In diabaikan):

I.e = Vu / R. = 1'472 / 1"2 =1'176rnA

Maka tegangan kolektor-emiter pada titik kerja V.ro adalah :

V.,e = Vcc - I.o (Rc + Rr)

= 12 - 1 ,776 (3,3 + t,2 )
= 6,708 Volt

4.5 Untai Penguat Transistor

Gambar 4.13a menunjukkan sebuah penguat transistor dengan konfigurasi
emiter bersama (common emiter). Untai ekuivalen ac dari penguat ini ditunjukkan
oleh Gambar 4.73b. Pada untai ekuivalen ac, kapasitor kopling C1 dan C2 serta
kapasitor simpang (by pass) C3 mempunyai reaktans yang kecil pada frekuensi
kerja sehingga dapat dianggap terhubung singkat. Sedangkan pada untai
ekuivalen dc atau untai prasikap, ketiga kapasitor tersebut terbuka sehingga arus
prasikap dc tidak dapat melewati kapasitor.

T ..I""

l"
Garurear 4.13
(a) 6r
Untai penguat transistor Untai ekuivalen ac nya

-'1"

(c)
Transistor diganti dengan untai ekuivalennya
 Bae 4 Thaxsrsnx 59

Pada Gambar 4.73c transitor telah diganti dengan untai ekuivalennya. Untai
ekuivalen transistor terdiri atas tiga komponen:
1. Resistor re'yang menyatakan resistans ac emiter
2. Diode yang menyatakan sambungan basis emiter
3. Surnber arus yang menyatakan arus yang diberikan ke R'rdari kolektor
transistor (R'. = R./ /R, )

Tegangan masukan diberikan ke diode dan r"'.

Dengan asumsi bahwa diode ideal, maka arus ac emiter dapat diperoleh
.vi
t = -i (4'22)

Sehingga : vi = i" r"' (4.23)

Tegangan keluaran adalah :

vo = i. R', (4.24)

Peroleh tegangan (voltage gain) penguat dapat dihitung sebagai berikut:

A.,='3=
' vi ioi
r"'
i"
e.zs)

R',
Karena i. = i" maka : Av = (4.26)
;*
Nilai r"' dapat dibuktikan bahwa :

r., = _25mV (4.27)

" 1..
ts

' dengan r"' : resistans ac ernitter (Q)

I. : arus yarrg lewat sambungan basis-emiter (mA)

Model Transistor Sinyal Kecil dengan parameter hibrid

Gambar 4.14 menunjukkan model parameter hibrid (h) dari transistor. Definisi
parameter h adalah sebagai berikut :

v.
h - __l_ v. = 0 : resistans masukan dengan keluaran dihubung
'u 1.
b
singkat (ohm)

h=n
tev 1r 0 : Bagian tegangan keluaran yang diumpan balikkan
c =
ke masukan dengan masukan dibuka (tanpa
dimensi)
a

60 Er,er<-'rnoNrxa Dasan

i
hr,. =- a
: Peroleh arus dengan keluaran dihubung singkat
1.
h
v =0
c
(tanpa dimensi)

n.* =f ir=0 : Konduktans keluaran dengan masukan dibuka

(mho atau A/V)

Garuean 4-4
Model Parameter h dari
transistor

Nilai parameter h yang khas tmtuk I. = 1,8 mA pada sllhtl rllang adalah :
hie = 2,1 Kohm, hre = 10-a
hfe = 100, hoe = 10'oA/v
Karena hre<<1, maka umlurnva hre diabaikan. Bila hoe <<1 maka hoe juga clapat
cliabaikan. Sehingga diperoleh model transistor sinyai kecil pendekatan seperti
Gambar 4.15

G_aye3n i.-1s
Model transistor sinyal kecil
pendekatan

Konfieurasi Pensuat Transistor

Ada tiga jenis konfigurasi penguat transistor yaitu :

1. Penguat Emiter Bersama (Common Emitter)
2. Penguat Kolektor Bersama (Common Colector)
3. Penguat Basis Bersama (Comrnon Basis)
Bae 4 ThaNsrs.roe
61

Masing-masing konfigurasi mempunyai perbedaan mengenai besaran berikut :

1. Peroleh arus, adalah rasio (hasil bagi) antara arus keluaran dan arus
masukan sinyai
2. Peroleh tegangan, adalah rasio antara tegangan keruaran dan tegangan
masukan sinyal
3. Resistans masukan, adalah resistans yang terlihat dari ujung masukan
oleh sinyal masukan
4. Resistans keluaran, adalah resistans yang terlihat dari u;ung keluaran
pada saat tidak ada sinyal masukan.

Penguat Emiter Bersama

Emiterrnenjadi bagian bersama bagi untai masukan dan keluaran. untai penguat
emiter bersama ditunjukkan pada Gamb ar 4.16a. Untai ekuivalen ac ,lyo a"r-rgur-t
transistor diganti dengan model parameter h pendekatan terlihat pada Gambar
4.16b. Untuk penyederhanaan analisis, resistor prasikap basis R1 danR2 diabaikan.

Gaurean 4-15

(a)
Untai penguat emiter bersama

Rs

Vs

I=,"
(b)
Untal ekuivalen ac nya dengan transistor diganti dengan
model parameter h pendekatan
r
Er,p<rnollrx.a Dasan
62

Besaran yang dicari adalah peroleh arus (Ai), resistans masukan (Ri), peroleh
tegangan 1ei; aan resistans keluaran (Ro). Peroleh arus (Current Gain) adalah
raiio [nasit bagi) antara arus keluaran (Io), dan arus masukan (Ii)

Arus keluaran Io - Ic
Ai=-.........-"--..- =-
=
Arus masukan Ii Ib
-
Karena Ic = hfe Ib, maka
(4.28)
Ai=-hfe
Resistans masukan (input resistance) yang terlihat pada ujung basis
adalah
rasio antara tegangan masukan (Vi) dan arus masukan (Ii)

VI (4.2e)
f{i =- =hig
Ii

(Vo) dan
Peroleh tegangan (voltage gain) adalah rasio antara tegangan keluaran
tegangan masukan (Vi)

Vo Io Rc
Rc A-i- hfe Rc
(4.30)
AV = =
Vi Ib hie Ri hie

-
peroleh tegangan dengan memperhitungkan resistans sumber (Rs) adalah Avs
yaitu:

Vo Vo Vb Vo Vi AV-
Vi
AVS = =-
Vs Vb Vs Vi Vs Vs
-=
hie
Karena Vi = \/5 ..-=.-, maka :

hie + Rs

hie Rc
(4.31)
v5 " hie+Rs hie+Rs

Resistans keluaran (output resistance) adalah resistans di dalam penguat

yang
beban. Resistans keluaran diperoleh dengan membuat Vs = 0 dan
terlihat oleh
keluaran maka
R, = crr. Dengan menghubungkan pembangkit luar V2 pada ujung
keluaran adalah rasio antar V2 dan
arius Iz *".,[uh, ke dilam p"""g"ul. Resistins
12:
Bae 4 Thanrsrs'roR 63

V"
R-'
., I, V, = o, Ra= ar,

Dengan Vs = 0, maka Ib = 0, sehingga. I2 = Ic = hfe Ib = 0, dan

VV
R =--l =---2- =<rt (4.32)
"Iro
Resistans keluaran dengan memperhitungkan resistans beban adalah :

RR
Ro' = Rc//Ro = -:*, karena Ro= rz: maka Ro'= R. (4.33)
R.+Ro

Peneuat Kolektor Bersama

Kolektor menjadi bagian bersama dari untai masukan dan keluaran. Untai penguat
kolektor bersama terlihat pada Gambar 4.!7a, sedangkan untai ekuivalen ac nya
terlihat pada Gambar 4.77b.

Rs Ganaean 4-17

Ri Bo
(a)
Penguat kolektor bersama

(l + nre) lu
Rs

Vs

(b)
Untai ekuivalen ac nya
7

64 Er-exrnomrxa Dasm

Untuk analisis pendekatan, transistor diganti dengan lnodel parameter h

pendekatan. Peroleh arus, adalah rasio antara I, dan I

-I
Ai= I.' ="
I I b

Karena I" = - (1 + hfe)Io maka Ai= 1 + hfe (1.34)

Peroleh arlls penglrat kolektor bersama, mendekati peroleh arr-ls penguat emiter
bersama.
Resistans masukan dapat clihitung dari :

V Vh
R=
,I, ' =-
Ib

Dari Gambar 4.77b terlihat bahwa

Vo = Io hie + (1 + hfe) Ib Ry maka

o,,I= Y' = hie + (1 + hfe)R, dan Ri'= Ri / / Rl/ /R2 (4.3s)

Karena hfe >>1, maka R, >>hie. Terlihat L,ahu,a resistans masukan mempunl,ai
nilai yang sangat besar.
Peroleh tegangan dtrp'rat dihitung berdasarkan persamaan (4.30) dengan
resistans beban I{. yaitu : -

V R (l + I-rfe) RL
(4.36)
"viR,R,

Dari persamaan (4.35) diperoleh :

(1 + hfe) R, = R, - hie

hie
tnaka A.t,= I
R,
Karena R >>hie maka Ar, = 1

Karena tegangan keluaran (emiter) mengikuti tegangan masukan (basis), maka

penguat ini clisebut pengikut emiter.
Resistans keluaran dapat dihitung dengan membuat Vs = 0 dan resistans
beban R,. = @ serta pembangkit luar Vrdihubungkan ke tqung keluaran (Gambar
4.18)
Bae 4 ThaNsrs,roR 65

_lz
f+

Gayean 4.18
Untai untuk menghitung
resistans keluaran pada
penguat kolektor bersama

Dari untai di atas teriihat runrru ,

v2 =-[(\+hiet dan i, = - (1 + hfe) Io, maka

V, _ R.+hie
Ro = (4.37)
I2 1+hfe

Karena hfe >>1, maka R" menjadi kecil (nilainya hanya beberapa ohm)
Resistans keluaran dengan memperhitungkan beban adalah :

RR-
(',
R^', = R^//R, = L
(4 38)
Ro*R'

Karena untai pengikut emiter ini mempunyai resistans masukan yang tinggi dan
resistans keluaran yang rendah, maka untai ini sering digunakan untukpenyesuai
impedans (irnpedance matching) dari penguat berimpedans keruaran yangtinggi
ke beban berimpedans rendah.

Penguat Basis Bersama

untai penguat basis bersama terlihat pada Gamb ar 4.19a sedangkan untai
ekuivalen ac nya terlihat pada Camb ar 4.19b .

Garrnean 4-19
Rs ilr
t
Rs
Rc
Vs

(a) (b)
Untai penguat basis bersama Untai ekuivalen ac nya
66 Er-si<rpoNrx.q Dasan

Dengan menggunakan definisi untuk Ai, R,, A, dan R., maka diperoleh persamaan
sebagai berikut :

hfe
(4.3e)
1+hfe

- - -"-
R,
hie
dan Ri'= Ri//Rr (4.40)
' 1+hfe

R
A.. = hfe ' (4.11)
fuc

Ro=- (4.42)

R." = R' (4.43)

Terlihat peroleh arus kurang dari satu, resistans masukan sangat rendah dan
peroleh tegangan bernilai tinggi (seperti penguat CE)

Peneuat Emiter Bersama densan Resistor Emiter

Digunakan untuk stabilisasi peroleh tegangan terhadap perubahan prameter tran-
sistor hfe. Untai penguat ini sama seperti penguat emiter bersama pada Gambar
4.16a, kecuali dengan resistor emitter R. dan tanpa kapasitor emiter C.. Untai
ekuivalen ac nya terlihat pada Gambar 4.20. (dengan mengabaikan resistor
prasikap basis).

Gamean 4.2O
Untai ekuivalen ac penguat
emiter bersama dengan
Rcl
resistor emiter

Dapat dibuktikan bahwa :

-I hfe I.
Ai= ' = -hfe (4.44)
I b
I
b

V
R_ ' = hie + (1 +hfe ) R, dan Ri' = T<i / / R1,/ /Il2 (4.4s)
'Io
Bas 4 Thanvsrs,roR 67

a_L_
Ai R^ - hfe R.
'R (4.46)
1
hie + (1 +hfe) R,

Ro = rrr dan Ro'- R. (4.47)

|ika (1+ hfe)R. >> hie, maka :

-hfe Rc
Au= -R. (4.48)
1 +hfe RF TLh

|ika dibandingakan dellgan penguat emiter bersama terlihat bahwa perolehan

arus Ai tetap, resistans masukan Ri bertambah dengan ( 1+hfe) R, resistans
keluaran 11. tetap. Bila (1+hfe) RE >> hie, maka peroleh tegangan Aumenjadi
stabil, tak tergantung pada parameter transistor.

Perbandingan Antar Konfigurasi Penguat Tranasistor

Pada konfigurasi CE, peroleh tegangan dan peroleh arus tinggi
(Au >1,Ai >1)
Untuk konfigurasi CC, peroleh tegangan mendekati satu (Av <1), sedangkan
peroleh arus tinggi seperti pada CE. Resistans masukan paling tinggi dan resistans
keluaran paiing rendah.
Pada konfigurasi CB, peroleh tegangan tinggi seperti pada CE, peroleh arus
kurang dari satu (Ai <1). Resistans masukan paling rendah, sedangkan resistans
keluaran paling tinggi di antara ketiga konfigurasi.

Contoh 4.3

Penguat transistor berikut menggunakan transistor dengan parameter h sebagai

berikut : hfe = 200 dan hie = 4 Kohm

I
*l
6B Er,srtnoxrxa Dasan

Kapasitor C dianggap hubung singkat pada frekuensi kerja. Hitunglah:

a) A, = I./ Ii d) Avs = Vo,/Vs
b) Ri = vilfi e) Ro
c) Av = VolVs f) Ro'

Solusi

Untai ekuivalen ac penguat transistor di atas adalah sebagai berikut;

lc

a) Ai = Ic/Ib -200
= - hfe =
\
I.. Ic Ib 7 (-200)- 9 1800
A,-
'IcIbIi27326 = - = =-69,230

dengan I, /Ic = Rc/(&+Rc) =4/8 =1/2

Ib/ti - Rp/(Rp+hie)
Rp= R, //Rr= R, R./( R,+R,)= 90x10 / (90+70) =9KC)
Ib/Ii =9/(9+4)=9/13
b) Ri =Vi/ Ii = R1 //R2 // hie =(9x4) / (9+4) = 2,769KQ

- ib Ic(Rc//R.)
c) Av =Y1
Vi hie
=-2003=-roo
4

d)Avs=Vo = vo vi =(-100)(0,356) =-35,6

Vs Vi Vs

dengan
vi = Ri - 2'769
" = 0,3s6
Vs Ri+Rs 2,769+5

e) Ro= -
f) Ro'= Ro//R, = 2 KO
Bae 4 ThaNsrsroa 69

Latihan

Untuk penguat berikut transistor mempunyai parameter hfe = 300 dan hie = 10 Ke
Nilai R1 = 100 KQ, R2 = 5 KQ, RL = 10 KQ, dan Rs = 1 Ke. semua kapasitor
dianggap hubung singkat pada frekuensi kerja.

Hitunglah:
a) Ai=Io/Ii
b) Rr=Vilfi
\c) Av=VolVi
d) Avs=Vo/Vs
e) Ro
f) Ro'

]awab
a) Ai = -96,76'1,
b) Ri = 3,225 KQ
c) Av = -300,034
d) Avs = -229,020
e) Ro=-
f) Ro'= 10 KO
 TnaNslsroR
ErEK ME,pAnr
JFET
MOSFET
Pervcuer FET

Substrate Gate

Source Source

Konstruksiuntuk MOSFET
r
72 Er,grrnoNrxa Dasan

fransistor efek medan (Field Effect Transistor/ FET) adalah devais terkendali
I tegangan, yang berarti karakteristik keluaran dikendalikan oleh tegangan
masukan. (Adapun transistor bipolar adalah devais terkendali arus).
Ada dua jenis FET yaitu JFET (]unction Field Effect Transistor) dan MOSFET
( Metal Oxide Semiconductor FET)

5.1 JFET
5.1.1 Kontruksi IFET

Kontruksi JFET berbeda dengan transistor bipolar. Pada transistor bipolar terdapat
tiga bahan yang terpisah (dua bahan tipe p, satu bahan tipe n, atau dua bahan
tipe n dan satu bahan tipe p). Sementara itu pada JFET hanya mempunyai dua
bahan (satu bahan tipe p dan satu bahan tipe n). Kontruksi dan simbol ]FET terlihat
pada Gambar 5.1.

Drain

Gate tipe n

Ganaean 5.1

Gate

(a)
Kontruksi dan simbol JFET kanal p
Bae 5 Tnaxsrsrrcn Ersx }4-aoaN 73

Drain

Gate

(b)
Kontruksi dan simbol JFET kanal n

Devais mempunyai tiga terminal yaitu Source (S), Drain (D), dan Gate (G). Ketiga
terminal itu dapat dipandang ekuivalen dengan Emiter, Kolektor dan Basis pada
BlT. Bahan yang menghubungkan Source dan Drain adalah kanal (Channel).
Jika bahan ini tipe p, maka devais disebut JFET kanal p, demikian juga jika tipe
n disebut ]FET kanal n. Arah panah pada simbol JFET selalu dari bahan tipe p ke
bahan tipe n.

5.1.2 Ooerasi IFET

operasi JFET berdasarkan pada pengubahan lebar kanal untuk mengendalikan

arus drain pada saat tegangan v* diberikan pada drain dan source. Jika lebar
kanal mengecil, maka resistans kanal bertambah dan arus drain mengecil. Dengan
memberikan prasikap balik ke sambungan gate-source maka daerah deplesi pada
kanal bertambah, sehingga mengakibatkan lebar kanal mengecil.

l
r
74 Erercnollrxa DAsAR

Ada dua cara mengendalikan lebar kanal, yaitu:

1. Mengubah nilai tegangan gate-source (V"r, pada tegangan drain-source
(V*) yang konstan,
2. Mengubah V* pada V", konstan.

Pengaruh V"rterhadap Io pada V* konstan terlihat pada Gambar 5.2a. Jika V.,
bertambah negatif, maka daerah deplesi bertambah dan lebar kanal berkurang.
Dengan demikian arus drain berkurang.
PengaruhV* terhadap Io terlihatpada Gambar 5.2b. Bertambahnya V*pada
V".konstan, menfakibatkan Io bertambah. Hal ini mengakibatkan daerah deplesi
beitambah dan kanal menjadi sempit. Karena itu sampai pada nilai V* tertentu,
pertambahan V* tidak menambah nilai Io. Pada Vcs = 0, nilai VD6 yang menyebabkan
I, maksimum dlsebut tegangan pinch-off (tegangan jepit) Vo. Hal ini terlihat pacla
Gambar 5.3. Setelah Vo tercapai V* dan resistans kanal bertambah dengan laitr
yang sama. Karena itu Io mendekati konstan dengan bertambahnYa vos. Daerah
operasi antara Vp dan Vro (tegangan dadal), disebut daerah arus konstan.

OV
-2V

(a)
Garvrean 5.2 Pengaruh VGS terhadap lebar kanal pada Vo. konstan, terlihat
makin negatif VGS mengakibatkan kanal makin sempit

1V 4V

V".
OV OV

(b)
Pengaruh Vo. terhadap lebar kanal pada VGS konstan
(makin besar Vo., kanal makin sempit)
Baa 5 Tk-a.Nsrs-ron Erex Ir4eoax 75

Daerah arus Daerahdadal

konstam atau
lo, mA daerah saturasi

V^^ = 0V
lr.. GaNrean 5-3
I
Kurva karakteristik drain dari
I

r -'1V JFET

I
I
| -2V

I
I
, -4V

VDS, 5V

Vp=5V Daerah cut ofl

Pada saat Bate dan source dihubr.rng singkat (V., = 0 V) ID mencapai nilai
maksimumnya di IDs. (shortecl gate drain current).
]ika V.. makin negatif, maka LDmakin turun. Nilai V.. yang menyebabkan
Io mendekati nol disebtrt V", ,ou, (tegangan cut-off gate-source). Nilai V.. t,u1 dan
Vp seialu sama dan beriawanan. Misalnya jika Vo = 5 V, maka VGq (off) adalah
-5 V.
Karakteristik arus-tegangarl di daerah jenuir (saturasi) secara eksperimeutal
dapat didekati clengan hul:um kuadrat (square low), seperti berikut:

[o=Irrr,'-,sr' (s.1)

untuk lV.r l < lV", ,"u, I

dengan Ior. = arus drain dengan gate terhubung singkat

V", = tegangan gate-source
V"r(o,r, = tegangan cut-off gate-source

Hubungan antara Io dan V", uutuk suatu JFET dapat digambarkan dengan kunra
transkonduktans (Gambar 5.5)
r

76 Era<rRor'rtxa. Dasan

lD, mA

loa.

Garrasan 5-5
Kurva transkonduktans
suatu JFET77

Vo.,ou,

Contoh 5.1

Hitrmglah besalnya arus drain untuk suatu untai FET, jiko V", = -3V dan parameter
|FET adalah Irr, = 12 ffiA, V"r(o,o = -6Y.

Solusi

Dari persamaan:
v^^ :
I, = I*r(1- -----ur-)
'CS(ollt

maka besarnya arus drain adalah :

ID = 12( 1- 3/6)'z
= 3mA

5.1.3 Untai Prasikao IFET

Ada empat jenis untai prasikap ]FET, yaitu prasikap gate, prasikap diri (self bias),
prasikap pembagi tegangan, danprasikap sumber arus.

Prasikao Gate
Untai prasikap gate terlihat pada Gambar 5.6.

93il"-}j*5*9.-
Untai prasikap gate
Bae 5 Tnaxsrsrrcn Epex McoaN 77

Agar sambungan gate-source berprasikap balik, maka digunakan tegangan catu

gerbang (-V"").Karena tidak ada artls gate, maka tidak ada penurunan tegangan
pada R. . Nilai V", adalah:

V^
U5 = V^-
UU
(5 2)

Dengan menggunakan persamaan (5.1) Io dapat dihitung. V* dapat diperoleh

dari persamaan berikut:

V*=Voo-IrRo (s.3)

Karena untuk suatu tipe ]FET V"s(or' dan IDS' mempunyai suatu rentang nilai, maka
prasikap gate tidak memberikan titik kerja Q yang stabil dari satu ]FET ke JFET
yang lain. Karena ketidak stabilan ini prasikap gate jarang digunakan selain
untuk aplikasi switching.

Prasikan diri (self bias)

Untai prasikap diri terlihat pada Gambar 5.7. Tegangan V", diperoleh dengan
pemasangan resistor source \. Gate dilatarkan (grounded) lewat R..

Q-ay.g;rn_5,-7
Prasikap diri

Karena tidak ada arus gate, maka arus source sama dengan arus drain:

I.=Io (s 4)

Tegangan pada resistor source adalah:

V, = I, & = I, R, (5.5)

Karena tidak ada arus pada untai gate, maka tegangan gate adalah:

Vc=oV
Tegangan gate-source dapat ditulis sebagai berikut:

V"r=V"-V, (5.7)
r
78 Er,exrnowrxa Dasan

Substitusi persamaan (5.5) dan (5.6) ke persamaan (5.7) menghasikan:

V..=-I,r& (5.8)

Karena itu dengan memasang resistor R, maka dapat diperoleh prasikap balik
pada sambungan gate-source, karena tegangan gate lebih negatif dari pada
tegangan source. Persamaan (5.8) adalah persamaan garis prasikap untuk prasikap
diri. Karena V"r,ou, du^ Ir* untuk JFET mempunyai rentang nilai, maka masih
terdapat ketidakstabilan titik kerja Q (lihat Gambar 5.8).

Gaur_ga3 9",-a
Perbandingan antara
stabilitas prasikap diri dan
prasikap gate

T r. AIo
la (prasikap gate)
| (prasikap
JL

V65 qon, maxs)

Variasi v"r"r4 duti v"r,.,,1 .,n ke vcs1,,r,-ur, ddh variasi Ir., dari IDSSn.in , k€ Irsr,,ou.
mengakibatkan variasi titik kerja Q sebesar AV., dan Alrrr.
Kaiau dibandingkan dengan prasikap gate, maka prasikap diri lebih stabil dalam
Io, dan prasikap gate lebih stabil dalam V", (karena AV., = 0)
Hubungan antara V* dan Io pada prasikap diri adalah :

V*=Vrr-[(t!+Rr) (5.9)

Jika karakteristik keluaran ac dari penguat |FET harus stabil, maka I, pun
demikian. Karena prasikap diri lebih stabil dalarn Io, maka prasikap dira lebih
baik daripada prasikap gate.
Bae 5 Thaxsrs.n:R Epex Meoanr 79

Prasikap Pembaei Tesansan

Prasikap pembagi tegangan terlihat pada Gambar 5.9. Tegangan gate diperoleh
melalui pembagi tegangan yang terdiri atas resistor R1 dan R2

B1 ''i
Gaqgan !,9
Prasikap pembagi tegangan

Tegangan gate terhadap latar (ground) adalah:

v-=v^
(' uu
R2
(s.10)
Rl +R2

jika tegangan gate terhadap source adalah V"., maka arus drain ID dapat diperoleh
sebagai berikut:

V' v^(, - v^-

(,5

"\= =-
l^ uto, (5.11)
R5

Dengan substitusi (5.10) ke (5.11) untuk V", maka diperoleh:

R2 V.
Io = Vro (s.12)
Rs (R1+R2) Rs

Garis prasikap pembagi tegangan terlihat pada Gambar 5.10. Titik potong
garis prasikap ini dengan sumbu V., diperoleh dengan membuat Io = 0 pada
persamaan (5.12) sehingga diperoleh:

\/
v", -= \/
von R2
v"
nfr;- =
80 Er,grsrnoNrxa. Dasa-p

Demikian juga titik potongnya dengan sumbu I, diperoleh dengan membuat

V., = 0 pada persamaan (5.12) dan diperoleh:

R2 Vc
Io = Voo
Rs (R1+R2) V.

G31y-e-55,s-!-Q
O^",
Garis prasikap pembagi
tegangan
t .Garisprasikap

L-l
I
0 V^ V .V
ouo= |

Pada Gambar 5.10 terlihat bahwa untai prasikap pembagi tegangan memberikan
nilai V", yang relatif tidak stabil. Namun dalam kondisi itu kestabilan io
ditingkatkan, dan paling stabil dibandingkan dengan dua untai prasikap
sebelumnya.

Prasikap Sumber Arus

Prasikap sumber arus memberikan stabilitas titik Q yang tinggi, karena
menghasilkan nila Io yang tidak tergantung pada ]FET. Salah satu contoh prasikap
sumber arus terlihat pada Gambar 5.11.

G1ry9^a_n 5,1,_1
Prasikap sumber arus
Bae 5 TRanvsrsron Erpx ManaN 81

Arus drain jFET adalah sama dengan arus kolektor BIT:

[o= I. (s.1s)

Karena nilai I. tidak tergantung pada variasi parameter JFET, maka demikian
juga Io. Supaya Io tidak bergantung pada |FET, maka disyaratkan : Io ( Iorr.,n
Meskipun prasikap sumber arus memberikan nilai titik Q yang paling stabil
untuk Io, tetapi karena kompleksitas untai, sehingga menyebabkan tidak banyak
diminati.

5.2 MOSFET
Teknologi MOS (Metal Oxide Semiconductor) telah memberikan solusi terhadap
masalah yang terdapat pada pengembangan untai terpadu (Integrated Circuit).
Masalah yang dimaksud adalah disipasi panas yang dengan untai MOS menjadi
sangat berkurang. Disamping itu untai MOSFET (Metal Oxide Semiconductor
FET) dapat dibuat lebih kecil dibandingkan dengan untai BJT.
Jika MOSFET dibandingkan dengan JFET, operasi JFET mensyaratkan gate
berprasikap balik agar devais dapatbekerja denganbaik. Prasikapbalik digunakan
untuk meiakukan pengecilan (depietion) ukuran kanal. Operasi tipe ini dinamakan
mode deplesi.
MOSFET adalah devais yang dapat dioperasikan dalam mode peningkatan
(enhancement) ukuran kanal. Ini berarti bahwa devais ini tidak dibatasi untuk
bekerja dengan gate berprasikap balik.

5.2.1 Kontruksi MOSFET

Ada dua tipe MOSFET yaitu MOSFET tipe deplesi ( D-.MOSFET) dan MOSFET
tipe enhancement (E-MOSFET). D-MOSFET dapatberoperasi pada mode deplesi
dan enhancement, sedangkan E-MOSFET hanya pada mode enhancement.
Perbedaan kontruksi antara D-MOSFET dan E-MOSFET terlihat pada Gambar
5.12. Dalam gambar itu D-MOSFET memptrnyai kanal fisik antara terminal source
dan drain. Adapun E-MOSFET tidak memiliki kanal, karena kanal terbentuk
bergantung pada tegangan gate. Lapisan isolasi antara gate dan bagian lain dari
komponen terbuat dari silicon dioxide (SiQ).Terminal gate terbuat dari konduktor
logam.
Fondasi MOSFET disebut substrat yang disimbolkan dengan garis pusat yang
terhubung secara internal dengan terminal source. Pada gambar terlihat bahwa
MOSFET kanal n mempunyai substrate bahan p, sedangkan MOSFET kanal p
mempunyai substrate bahan n. Pada simbol MOSFET, panah diletakkan pada
substrate. Panah yang menunjuk ke dalam, menyatakan devais kanal n, sedang
panah yang menunjuk ke luar menyatakan devais kanal p. Substrate tidak harus
dihubungkan ke source, tetapi dapat juga dihubungkan ke catu tegangan yang
lain.
82 Elrxrnoxlxa Dasm

Drain Drain

Metal Metal

Gate Substrat Gate Substrat

Source Source
(a) (b)
9"+llso-1.9-l-?
Konstruksi D-MOSFET KONStTUKSi E-MOSFET

Drain Drain

T T

-r
H
k-I Substrat '_r Substrat

I I
Source
Source

(c) (d)
Simbol D-MOSFET Simbol E-MOSFET

5.2..2 D-MOSFET

D-MOSFET dapat bekerja dalam mode deplesi dan mode enhancement. Jika
bekerja pada mode deplesi , karakteristik D-MOSFET sama dengan JFET. Gambar
5.13 menunjukkan operasi D-MOSFET dengan kontruksi D-MOSFET yang
disederhanakan.
Gambar 5.13a menunjukan operasi D-MOSFET, ]ika V". = 0 V (gate dan
source dihubung singkat), maka nilaiI, = Irr, . jika V", negatif (Gambar 5.13b),
maka diinduksikan muatan positif ke dalam kanal tipe n melewati SiO, dari
kapasitor gate. Karena arus yang melewati kanal adalah pembawa mayoritas
(elektron untuk bahan tipe n), muatan positif induksi ini akan berekombinasi
::=_i::::=:: "__*__::
dengan pembawa mayoritas sehingga pembawa mayoritas berkurang. Hal ini
menyebabkan lebar kanal berkurang dan resistans kanal bertambah. Hal itu
memperlihatkan keadaan operasi mode deplesi dari ]FET. Daerah deplesi terletak
di tepi kanal dekat dengan lapisan isolasi SiOr. Karena itu nilai Io akin lebih kecil
daripada Iorr.

lo lo..
'

Vnr= 0 \
Deplesi

(a) (b)
Keadaan kanal pada Vo. = 0 Kanal menyempit jika Vo" negatif Ganaean 5.13

lo , lo.. lo, mA

Voa,on,

(c) (d)
Kanal melebar lika Vo" positif Kurva transkonduktan D-MOSFET
B4 Er.errnor.rrra D-qsan

jika V". positif (Gambar 5.13c), maka akan diinduksikan muatan negatif.
Karena itu konduktifitas kanal bertambah (resistans kanal berkurang) dan nilai
I, lebih besar daripada lor.. Mode operasi ini disebut mode etllLancemefit
(peningkatan) yang tidak terclapat pada |FET. jika V,. positif lubang-lubang pada
substrate tipe p ditolak; Sementara itu, elektron-elektron biclang konduksi sebagai
pembaw'a minoritas di substrate ditarik ke kanal sehingga lelrar kanal menjacli
besar dan Irrrlrrr.
Kurva transkonduktans D-MOSFET terlihat pada pada Gambar 5.13c1. Pada
gambar ini terlihat jika V., negatif maka I, ( Irr, . Jik Vcs = 0, maka I, = I,r.., dan
jika V.. positif maka Ir)Ip... Persamaan transkonduktans D-MOSFET adalah sarna
dengan ]FET yaitu :

Ir=Irrr,t (s.16)
dhr
Kurva drain suatu MOSFET terlihat pada Gambar 5.14a. Pada kurva tersebut
clapat dibuat garis beban c1c. Persamaan garis beban tintuk untai drain yang
terdapat resistans drain R, adalah :

V* = Vro - I, R, (5.17)

Nilai arus drain saturasi (jenuh) yang ideal diperoleh jika V* = 0 yaitu :

L=vo'
.\al)
u
(s.18)
RD

Nilai tegangan drain-source off ideal adalah jika I, = 0 yaitu

V ,r,ur,, = Vr, (5'19)

Gambar 5.14b menunjukkan perbedaan antara nilai aktual dan ideal dari Irr.u,r
dan V-- ".
r\{r,ttl
I

lD, mA

Garuean 5.14

(a)
Kurva drain MOSFET
B.qe 5 llnawsrsrrcR Epex M.eoaN 85

lro, mA

Voo

RD

Aktual
/

/ Voo

Aktual
1
ldeal

(b)
Garis beban MOSFET

Untai Prasikan Untuk D-MOSFET

Untai prasikap untuk D-MOSFET sama seperti |FET yaitu prasikap gate, prasikap
diri, dan prasikap pembagi tegangan. Karena D-MOSFET tidak memerlukan
V.. negatif maka metode umum untuk memberi'prasikap D-MOSFET aclalah
dengan membuat V., = 0. Konfigurasi untai prasikap seperti ini disebut prasikap
zero (nol) seperti terlihat pada Gambar 5.15.

lo, mA

Gauean 5.15

Vo.,on,

(a) (b)
Untai prasikap zero Kurva transkonduktans
V

86 Er,pxrnoNlxa Dasan

Nilai Rrdipilih agar V* = 0,5 Voo

voo - v* 0,5 vDD

Maka R, = (s.20)
lDo Ioo

dengan Ire = Ir*

Keuntungan D-MOSFET dibandingkan ]FET adalah bahwa D-MOSFET
dapat beroperasi pada mode deplesi dan etlhanceffient; sedangkan ]FET hanya
mode deplesi saja. Impedans masukan D-MOSFET lebih tinggi dibandingkan
]FET. Namun kekurangan
D-MOSFET adalah lebih peka terhadap suhu dan periu kecermatan dalam
menanganinya.

5.2.3 E-MOSFET

E-MOSFET hanya dapat beroperasi dalam mode enhancement, maka tegangan

gate harus positif terhadap source, seperti terlihat pada Gambar 5.16.

9.*r*"1t9,-!9 (a) (b)

Operasi E-MOSFET dengan Vo. = 0 Operasi E-MOSFET dengan Vcs positif

l,, mA

o v Vo.un,

(c)
Kurva transkonduktans E-MOSFET
 5 Tnaxsrs,roR EEer Meoal 87

Pada saat V", = 0, maka tidak ada kanal yang mengh-ubungkan sorce dan
drain. Ketika v", positif, maka lubang-lubangbidang valensi pada subtrat ditolak;
Adapun elektron-elektron pembawa minoritas pada substrat tipe p ditarik ke
arah gate dan kanal-n antara source dan drain.
|ika nilai v", diperbesar maka kanal menjadi lebih lebar dan I, bertambah.
sebaliknya jika v", diperkecil maka kanal menjadi lebih sempit dln arus drain
berkurang (lihat kurva transkonduktans pada Gambar 5.16,c)
Tegangan V", pada saat E-MOSFET menghantar disebut tegangan ambang
(threshold) V"r,,n,. Niiai Ior. untuk E-MOSFET adalah mendekati 0A. Karena nilai
Ior.mendekati nol, maka nilai Iopada v., yang ditentukan diberikan oleh formula:

In =kIV"r-V"r,,n,]' (s.21)

dengan k : konstanta untuk E-MOSFET.

Untai prasikap E-MOSFET

untuk E-MOSFET kanal n, v". harus positif; Karena itu digunakan prasikap
umpan-balik drain. (Gambar 5.77)

9-+.r:*n 9,tZ
Prasikap umpan balik drain

Karena impedans gate sangat tinggi, maka tidak ada arus dalam untai gate.
Karena itu tidak ada penurunan tegangan pada resistor R". Sehingga gate
mempunyai potensiai yang sama dengan drain.

V", = V* (5.22)

Nilai VDS dapat diperoleh dari persamaan:

V* = Vro - R, Io,.n, (s..23)

Karena nilai I, r,.r, Vos dan V", dapat diperoleh dari karakteristik ,,ON,, dari
lembaran spesifikasi (spec.sheet), maka nilai R, dapat dihitung. Nilai R. biasanya
diambil dalam order MQ.
['

88 Elaxrnorq.Ixa Dasan

Contoh 5.2

Suatu E-MOSFET mempunyai nilai Io(o.) = 10mA pada VGS =10 V ddfl V"r,,n, =
1,5 V
a) Tentukan nilai Io jika V". = 5 Y
b) Jika E-MOSFET tersebut digunakan dalam untai prasikap umpan-balik
drain (Gambar 5.17) dengan Vro = 10 V dan Ro = 300Q. Tentukan nilai
Io dan V*
Solusi

a) Dengan menggunakan nilai minimum dari I, dan V", ditentukan nilai k

Io(o.) *A
k - =13gx 10-u
( Vcsronl - V"r,,n, )', (10 - 1,5 )'z v2

Io = k (V", - V"r1u., )'

= 138x 10-6 (5 - 7,5 )'

= 1,69 nA
b) Karena V,., = V* , maka Io = Iok.r = 10 mA

V, = Vro -I, &, = 10- 1,0x0,3 = 7 Y

5.3 Penguat FET

operasi penguat FET (IFET atau MoSFET) menyerupai penguat Blr. perbedaan
keduanya adalah BJT merupakan komponen terkendali arus, sedangkan
1111.u
FET adalah komponen terkendali tegangan. Adapun Impedans masukan penguat
FET jauh lebih tinggi dibandingkan penguat BlT.
seperti pada penguat BJT yang dibedakan dalam tiga konfigurasi (CE, CC
dan CB), penguat FET juga dibedakan dalam tiga konfigurasi, yaitu penguat source
bersama (Common Source/CS), penguat drain bersama (common Drain/CD),
dan penguat gate bersama (Common Gate/CG).

5.3.1 Model Sinyal Kecil untuk JFET/MOSFET

FET merupakan komponen terkendali tegangan yang dapat disajikan dengan

model sinyal kecil seperti terlihat pada Gambar 5.18"
Bas 5 TrlqNsrsron Epex Menanv 89

u id^ U
o
t
l* Ganaean 5-18
gs
Model sinyal kecit rii
I

Arus drain Id ditentukan oleh nilai tegangan gate-source Vgs dan tegangan
drain-sorce Vds :

Id =gmvgs+
1
Vds (s.24)
rd

dengan gm : transkonduktans
rd : resistans drain
Transkonduktans gm dan resistans drain rd didefinisikan sebagai berikut :

id AI,
gm=-\/ oq : transkonduktans dengan
vds=0 AV,,. VDs
keluaran dihubung singkat
(A/V atau Siemens) (5.25)

vds ov*
1d -- = : resistans drain atau resistans
id vgs=0 AID v^^
u> keluaran dengan masukan
dihubung singkat (ohm )
(5.26)

Nilai gm tidak konstan pada seluruh kurva transkonduktans, dan

bergantung pada titik kerja (V*, V"r, dan frekuensi). Pada }FET ada persamaan
yang memberikan nilai gm untuk nilai V." tertentu yaitu :

V-
gm=gmo(1 - ''' ) (s.27)
Vc. r,rrr

Dengan gmo: nilai maksimum gm yang diukur pada V". = 0 V. pada lembar
spesifikasi (spec sheet) biasanya gmo ditulis dengan y,. atau g,.. jika nilai
transkonduktans maksimum tidak diberikan, maka gmo dapat didelati dengan
90 Er-sxrRoNrrca. DAsan

2I*,
gmo= _ (5.28)
v
cs1o,,1

Resistans drain dapat diperoleh dari formula

-) _ 1
(s.2e)
V
/ r)s

dengan y". admitans keluaran atau konduktans keluaran yang tergantung pada
frekuensi'kerja (dapat dilihat pada lembar spesifikasi)

5.3.1 Penguat Source Bersama (CS)

Gambar 5.19a adalah untai penguat source bersama untuk |FET dan untai
ekuivalen ac nya terlihat pada Gambar 5'19.b.

Garuean 5-19

(a)
Untai penguat source bersama

(b)
Untai ekuivalen ac nya
rl Ro
B.qe 5 Tnaxsrsrr:n Epex Manan'r 9'l

Tegangan keluaran Vo dapat dihitung sebagai berikut :

Vo = - gm Vgs. R', (s.30)

rd Ro
dengan R'o = rd / /Rr=
rd+R,

Peroleh tegangan Au adalah rasio antara tegangan dan keluaran Vo dan

tegangarr masukan Vi:

Au= *Vo = '-Vo =-gmR', (5.31)

Vi vgt

Tanda negatif menunjukan bahwa sinyal keluaran bedawanan fase dengan

sinyal masukan
Resistans masukan yang terlihat oleh Vi adalah:

R1 R2
Ri = Rc =Rt/ /R2- (s.32)
R1+R2

Resistans keltraran diperoleh dengan membuat Vi = Vgs = 0, sehingga gm Vgs = 0.

Karena itu, resistans keluaran yang terlihat oleh Vo adalah:

rd R,
Ro=rd/,/Ro=Rr'= (s.33)
rd + R,.,

5.3.2 Pensuat Drain Bersama (CD)

Penguat CD disebut juga pengikr,rt source (sotuce follower). Sinyal keluaran yang
diambil dari terminal source adalah sefase dengan sinyal masukan yang diberikan
ke terminal gate. Untai penguat CD terlihat pada Gambar 5.20.

Garuean 5.2O

(a) (b)
Untai penguat CD Untai ekuivalen ac penguat CD
92
Er-gr.rpot'trxa Dasap

Tegangan keluaran adalah:

Vo = gm Vgs Rs, (5.31)

dengan Rs'= rd // Rs

Vgs=Vi-Vo (5.3s)

Substitusi (5.35) ke (5.34) diperoleh:

\/6 = gm Rs,(Vi _ Vo)

Vo (1+ gm Rs') = gm Rs'Vi

Peroleh tegangan adalah:

A-
Vo Rs'
gm Rs,
' Vi 1+gmRs, Rs,+ 1
(s.36)

81n

Rentang nilai gm umumnya dari 1000 prS ke atas.

Untuk grn = 1000 pS = 10 r A/V, rnaka
1 1
= =103Ohrn(maksimum),
gm 10r
sehingga dari persamaan (5.36):
R-s'

Rs'+ 103

Resistans keiuaran dihitung dengan membuat vi

= 0 dan menghr.rbungkan
keluaran pe^guat dengan sumber tegangan v2 seperti terlihat pada
gambar 5.21.

l2

Garuaan 5.21
Hubungan untuk
menghitung resistans
keluaran

Dengan menggunakan hukr_rm Kirchoff arus maka:

I, = Vr/R'_, - gm Vgs,
Bne 5 TeaNsrston llpex Ivlsoerrr 93

dengan Rs'= rdl/Rs

dan Vgs=V-Vr=-V, maka:

I, = v, / Rs'+ 8m vz= vr(7 / Rs'+ gm)

Resistans keluaran adalah:

v, 1 Rs' grn
Rtr = =Rt'//7 gm
r2
i** g* Rs'+ 1

Rs' gm

(hubungan paralel antara Ils' dan 1 I

gm

Karena 1/gm <10r Q dan resistans total untai paralel harus lebih kecil dari pada
nilai resistans terkecil individual, maka resistans keltiaran akan lebih kecil dari
pada 103 Q.
Resisttrns masukan adalah:

Ri=R1//R2
Karena umumnya nilai resistans R1 dan R2 tinggi (dalam order MQ), maka
resistans masukan juga tinggi.

5.3.3 Peneuat Gate Bersama (CG)

Penguat CG menerima sinyal pada terminal source dan mengeluarkan sinyal

pada terminal drain. (Cambar 5.22.a)

Garuean 5-2^

1
RD'
= RD//RL

I.

(b)
Untai ekuivalen ac dengan sumber arus
terkendali tegangan
94 Er-gxrRorrrrxa. Dasm

Cambar 5.22.b menunjukkan untai ekuivalen ac nya dengan menggunakan sumber

arus terkendali tegangan gmVgs antara drain dan source serta resistans rd yang
paralel dengan sumber arus.
Peroleh tegangan dapat dihitung dengan menggunakan Hukum Kirchoff
Arus (HKA) pada titik drain.

Vo Vo-Vi
--:-:-*gmVgs+- - 0
R'D rd

Vo gmVil- Vo-Vi
- = Q
R'D rd

Dengan Vgs = - Vi dan

R'o = Ro // R,-

Maka peroleh tegangan A' adalah:

1
Vo (gm +
-;ro
11+1;
R'D rd

Jika rd >> , maka A,, = gm Ro

Resistans masukan dihitung dengan mengganti sumber arus (gm Vgs) antara
drain-source dengan sumber tegangan (gm rd Vgs) dan resistans rd yang
terhubung seri dengan sumber tegangan tersebut (Cambar 5.23)

gm rd Vgs

G4q-9a5 sr.pp
Sumber arus gm Vgs
diganti dengan sumber
tegangan gm rd Vgs untuk R'O

memudahkan analisis
 Bae 5 iPn-qr.rsrston Er''er< Illeoam
95

Dengan HKA pada titik source maka:

Vi Vi - gm rd Vgs
ti-- a
Rs rd + Ro'

Dengan Vgs = - Vi diperoleh:

Vi Vi +gm rd Vi
Ii -- +
Rs rd + Rr'

Maka resistans masukan dapat dihitung sebagai berikut:

Vi Rs(rd+R,r')
Ri-_-
n rd + tl'+ Rs + gm rd Rs

R-'
Rs (1 + ";
rd
Ri-
1+(Rs+tl')
rd+gmRs

Jika rd >> maka:

1
Rs Rs- 1
Ri> _ =g* =Rs//_
1+gmRs Rs+ 1 gm
gm

Resistans keluaran dihitung dengan membuatvi = - vgs = 0 , R, dibuka , dan

kemudian diberikan sumber tegangan v, pada keluarin lGambar s.z+.)

*- l2

-G1,y9a1_ "s,2,_a
Untai untuk menghitung
RD
resistans keluaran pada
g.rdVn" = 0 penguat CG
r
96 ELEKTRoNTKA DasaR

Maka resistans keluaran adalah:

V rdR^
Ro= '= " =rd//R,
12 rd+RD

Contoh 5.3

Untuk untai penguat Gambar a) berikut , JFET mempunyai parameter sebagai

berikut: gm = 2 n-tA/V, dan rd = 25 KA. Reaktans C diabaikan pada frekuensi
kerja.

a) Tulislah ekspresi untuk Vo1 dan Vo2 .

b) Iika Rs = 1 Kf2 , Rd = 4 Kf), dan, hitunglah peroleh tegangan.

Vol Vo2
Av1-- dan Av2
Vi Vi

Solusi

a) Untai diatas merupakan gabungan dari penguat CS dan CD. Untai ekuivalen
AC nya adalah saperti pada (Gambar 5.25.b) . Nilai Rg sangat besar sehingga
diabaikan. Dengan Hukum Kirchoff tegangan diperoleh persamaan:

IdRd+ (Id-gmVgs)rd + IdRs =0 dan Vgs=Vi-IdRs

Didefinisikan faktor penguatan 1r = gm rd maka:
Bae 5 Tnar.rsrsron Er-rr< lv1eoaN 97

uvi
Id=
rd + Rd + (p +1)Rs
Karena Vo1 = - Id Rd, maka

-prViRd
Vo1 = (a)
Rd+rd + (p+1)Rs

Karena Yo2 = Id Rs, maka

pt Vi Rs
Yo2 =
Rd+rd*(p*1) Rs

lu'tlo,
(u+1)
(Rd +rd &)
)
+Rs
(tr + 1)

b)p=gmrd =2x25 = 50

Dari Persamaan (a), diperoleh:

Vo1 -50x4
Av1 = - atr
Vi 4+25+(50+1)x1
Dari Persamaan (b) diperoleh:

(!L) *r
Vo2 5t
Atr)
Vi (4 = 0,625
+25 ) + 7

51
98 Er-exrnoNtx.q DasaR

Latihan

Untuk penguat CG berikut MOSFET mempunyai parameter gm = 1 mA/V dan

rd = 15 KQ. Nilai Rs = 1 KQ dan Rd = 10 KQ.

Hitunslah:

a) Avs=VolVs
b) Ri

c) Ro

Jawab

a) Avs = 3,892

b) Ri = 2,562KQ
c) Ro=31KQ
PeNGUAT oPERAsIoNA[

PENcunr DrreRrrusrnl
KRnRxreRrslK Perucunr OprnnsroNAl (OP Aue)
Aplrxnsr Prruouer OpenASloNAL

R1

Rc

FI
''2

-4
100 Er,e<rRoNrrcq Dasan

PENGUAT.OPERASI.ONAL

f)"rg.r"t Operasional (Op-Amp) adaiah penguat gandeng langsung (direct

I coupled/dc) dcngan perolehan tirrggi vang memprrnyai impc'dans masukan
tinggi dan impedans keluaran rendah.
Istilah operasional menunjukkan bahwa penambahan komponen luar yang sesuai
dapat dikonfigurasikan untuk melakukan berbagai operasi, misalnya
penambahan, pengurangan, perkalian, integrasi dan diferensial. Pada umumnya
operasi-operasi ini digunakan untuk operasi linear dan terkadang operasi non
linear. Diagram blok internal, simboi dan diagram pin suatu penguat operasionai
dap-rat dilihat pada Gambar 6.1.

-in

+tn

(a)
Diagram blok internal dari penguat operasional

Garureas 6.1

1B
27
ob Output

\\ 45 Null
offset null

(b) (c)
Simbol penguat Dragram pin suatu penguat
operasional operasional

Masukan Op-Amp yang berlabel inverting (-) dan non-inverting (+),

merupakan masukan bedaan (difference input). Umumnya sinyal masukan
diberikan ke salah satu masukan. Adapun masukan yang lain digunakan untuk
mengendalikan karakteristik komponen. Penguatan antara keiuaran dan masukan
 Bae 6 purry:cuar Oean-qsroNAr_
'101

r (memb rik
i:|ff ::'l-r:i"fllY 1l
a po r
11
ta s r
._s
y.{a nskan p e,lsLla ta n a n ra ra
_, ; ;:r: u? j"; t] T[
^" i lY;i Jlj ui, _1x,1 [TTil J'l:,il
p.
e rberporaritas
sam('r dan
berrawanan.K.ilr. op-Amp dapat juga rligunakan pada ;
ke sararr
::[Tff]it,:i::::;] '"t,, ii.'.ui,,, ."iu,'gr"^ cartr rai. ii, 'ang
Pin offiet nulr digunakan
untuk menghilangkan tegangan
keluaran akiba t ketidisep a
J",;; ;.;;;; tt. puau pen gua t bedai.gsuta. (off-set)
an masukan.
De.rga. kedua
pr"
^""*ny?_:r".gka.
sementara lengan "r, ke ujung-uj,ng
potensi.t.rnrcter ya.g'dihrtbungkan potensionreter,
ke catrr ]v diutu, untuk
menghilangkan tegangan ingsu
ta n terlel,ut.

6.1 Penguat Diferensial

Frrngsi penguat diferensiar (Differensiar
memperkuat beclaan antara t-rLra Amprifi er/Diff Amp) adarah
sir-ryut ,r",or.,i.r.- Diagram brok
pada Gamb ar 6'2' a".g^" pe.guat diferensial
f;ltn"t Vi da, vz ,"rtu si.var keruar
"i"f"irluruto,,

Garurean 6_2
Diagram blok penguaf
diferensiaJ

o"rr"llilJ,T
-''' sinva I kel uara n Vo hany.r rergan ru ng pacra
**i,L:;iill,'o
Vo = Ad (V1 - V2)
(6.1)
dengan Ad: peoleh penguat diferensial.
Dalam praktik penguat diferensiar
mempunyai sinyal ke,l,aran yang
slnyai ;";;;;. ;;;;"tapi juga ticrak
l1Y1,"1r,"tliq -pqu
(cornmon mode) Vc, dengan:
pada sinyal nrode bersama

Vcl = V1 - V2 dan yc =, /
r(V1 + V2) (6,2)
sehingga keluaran per
dapardinyarakan.sebagai konrbinasilinear
.rrri f""Jr. _rJ:'f;]SY"tdiferensial
masrtkan (dengan asumsi bahwa
i

adalah devais li.,"ur;,yul fi""g"ut diferensial

Vo=AdVd+AcVc
16.3)
102 Ilr,rxrpoxrro Dasan

dengan Ad: peroleh tegangan sinyal bedaan

Ac: peroleh tegangan sinyal mode bersama.
Untuk mengukur Ad, dibuat V1 = - Y2 = 0,5 Volt, maka dari persamaan (6.2)
diperoleh:

Vd = lVoli dan Vc = 0Volt

sehingga dari persamaan (6.3) diperoleh:

Vo =Ad
Demikian juga untuk mengukur Ac dibuat Y7 = Y2 = 1 Volt, maka:

Vd = 0 Volt dan Vc = lVolt

sehingga: Vo = Ac

Suatu besaran yang disebut rasio penolakan mode bersama (Common Mode
Rejection Ratio/Cil,IRif) didefinisikin sebagai rasio antara perolehan mode
diferensial dan perolehan mode bersama seperti berikut ini:

cMRR= p = l#l (6.4)

Dari persamaan (6.4) terlihatbahwa Penguat Diferensial ideal (Ac = 0) rnempunyai

CMRR = -. Dari persamaan (6.3) dan (6,4) diperoleh ekspresi untuk sinyal
keluaran:

Vo=Advd(1+ -L fal
pvd (6.s)

6.1.1 Penguat Diferensial Tergandeng Emiter

Penguat Operasional harus merupakan penguat gandeng langsung (dc) agar

dapat memberikan penguatan hingga frekuensi nol. Pada penguat dc perubahan
parameter untai (misalnya karena perubahan suhu) mengakibatkan perubahan
tegangan keluaran walaupun masukannya konstan. Penguat diferensial dapat
mengatasi masalah tersebut karena kontruksinya yarrg simetris. Penguat
diferensial tergandeng emiter terlihat pada Cambar 6.3.
Bae 6 Pmwrcuar Oeen-esroxar,
103

Garuean 6-3
Penguat Diferensial
tergandeng emiter

Perolehbedaan Ad, dapat ditentukan dengan membuat vs1 = - ys2 =ys/2.

Dari simetrisitas terlihat bahwa jika vs1 - -ys2, maka Ie1 = - le2.
Akibatnya Io = 0 dan penurunan tegangan pada R. adalah nol. Dengan demikian
untai pada Gambar 6.4a dapal digunakan untuk-menentukan Ad.

Ganaean 6.4
vo

Vs
2

(a) (b)
Separoh untai untuk menentukan Ad Separoh untai untuk menentukan Ac

)
104 ET,EKTRoNTKA Dasm

]ika syarat hoe R. << 1 dipenuhi maka dari persamaan Ar = - hfe dan dari
persamaan:

A" hie A, R.
Ar,,
hie + R. hie + R.
maka:
hfe R.
Ad =vo =] (6.6)
V^ \+hie
A. dapat ditentukan dengan membuat Vr, = V., = V..
|ika V., = Vs, = V, maka I"r = I"z = I". Akibatnya Io = I"r * I"z = 2 I" dan penurunan
tegangan pada R, adalah 2RrI". Dengan demikian untuk menentukan Ac dapat
digunakan r-rntai Gambar 5.4.b yang merupakan penguat CE dengan lesistol
emiter 2R.
Maka peroleh tegangan A. dapat dituiis:

hfe R.
A. (6 7)
R.+hie +(1+hfe)2R,

Dari pesamaan (6.6) dan (6,7) CMRR dapat ditulis:

\+hie+(1+hfe)2R,
P =r,Ad r 1
(6.8)
+,= z R. + hie

Terlihatbahwa CMRRbertambah tanpa batas dengan bertambahnya R.. Namun

R, dalam model pendekatan ini dibatasi oieh hoe (2R. + Rc) < 0,1.
Lagi pula R. yang terlaiu besar mengakibatkan V., menjadi besar sehingga
ini menjadi tidak praktis. Jika arus kerja transistor yang diperkecil (agar R. dapat
diperbesar) maka hie akan menjadi tinggi dan hfe menjadi rendah sehingga
menghambat dan CMRR turun.

6.1.2 Penguat Diferensial dengan arus Konstan

Pada penguat diferensial yang menggunakan resistor emiter R., sinyal

mode-bersama menimbulkan peningkatan arus dari masing-masing transistor.
Di samping itu, jumlah kedua arus tersebut mengalir melewati resistor emiter Rr.
Hal ini mengakibatkan aras (level) dc keluaran akan terganggu.
Agar sinyal mode bersama tidak menimbulkan peningkatan arus pada kedua
transistor, maka emiter kedua transistor tersebut dihubungkan ke sttmber aIuS
konstan seperti terlihat pada Gambar 6,5.
 105
Bae 6 PmdMGUAT Oeen-P'sroser-

$arvreaS 6.6
Penguat diferensial dengan
arus konstan

-v_-

maka dapatdibuktikan
Jika Q1 dan Q2 identik, serta Q3 sumber arus konstan,
bahwa peioleh mode bersama Ac = 0. Misal Vq, = V-. .
Vr, simetrisitas
-Dari
maka pertambahan artrs emiter Q1 dan Q2 adalah A\, {an-A]a'
Karena Io konstan (A Io = 0 ) maka pertambahan arus total AIel + AIe2 = AIo = 0
sehingga AI",= AI", = 0 dan

v,, -al,.Rc -al.R( n

i
tV.v.v.
=-

Sebagai sumber arus konstan digunakan transistor Q. yatg memberikan

arus Io
Dengin hukum Kirchoff tegangan pada basis Q. diperoleh:

[,R, * Vr.u = VD + (VEE- VD ) \6.e)

R,+R"

dengan Vo: tegangan diode. Maka dapat dihitung Io:

1 VFFR2 voR
I^=
'o-'.r I- =-
- (--
t + ' - v""-)
bL1 '
(6.10)
( R,*R, R,+R,

Jika parameter untai dipilih sehingga:

V, R, vu, R,
maka Io (6.11)
= Vu... =
R,+R, R3(R1+R2)
106 Er,exrnoN.rxa Dasan

Karena arus ini tidak tergantung pada vs1 dan Vs2 maka Q. memberikan Io yang
konstan karena adanya diode D

6.2 Karakteristik Penguat Operasional (OP Amp)

Diagram opAmp pada Gambar 6.1. mempunyai untai ekuivalen seperti terlihat
pada Cambar 6.7.

G3y"e35.p*,7. v"/
Untai ekuivalen ideal -o r'7
penguat operasional t\
-----L-\/\ v,\
-\

Penguat Operasional ideal mempunyai karakteristik sebagai berikut:

1. Resistans masukan Ri = -
2. Resistans keluaran Ro = 0
3. Peroleh Tegangan Av = - -
4. Lebar bidang frekuensi = -
5. Tegangan keluaran Vo = 0, jika kedua masukan V1 dan V2 pada ujung
inverting (-) dan non inverting (+) sama, tak tergantung pada magnitude
tegangan masukan tersebut.
6. Karakteristik Op-Amp tidak hanyut (drift) oleh perubahan suhu.
Terlihat bahwa penguat operasional ideal seimbang (balance) sempurna
yakni Vo = 0 iika vr = Vz = 0. Penguat operasional riil adalah tidak seimbang
karena adanya ketidaksepadanan (mismatch) transistor masukan.
Ketidaksepadanan ini mengakibatkan ketidak samaan arus prasikap yang
mengalir melewati ujung-ujung masukan. Untuk menyeimbangkannya perlu
memberikan tegangan ingsut (offset) masukan antara kedua ujung masukan.
Spesifikasi yang digunakan untuk menggambarkan karakteristik Op-Amp
adalah sebagai berikut:

Arus prasikap masukan (input bias current)

Arus prasikap masukan adalah arus rerata dari arus yang masuk ke dua termi-
--1
: .. : ". : ..--:
-,,",- i nal masukan dari op-Amp seimbang (Gambar 6.8). Karena itu arus prasikap
- *. ";" .-: masukan adalah:
I", + I-"
"2= --:--__-:' jika Vo = 0
lB
Bae 6 Pa.lucuar Oecx-asroruan 147

Untuk Op-Amp pA 747,ru1ai tipikal80 nA dan maksimum 500 nA. Dengan naiknya
suhu arus prasikap turun atau resistans masukan naik

Gavrean 6,8
Arus prasikap pada
masukan

r Arus ingsutan masukan (Input offset current)

Arus ingsutan masukan Iio adalah bedaan antara anls-arus yang masuk ke ter-
minal masukan Op-Amp yang seimbang, Dari Gambar 6.8, Iio = Iu, - Iu, jika
Vo = 0. Untuk p,A711ni1ai arus ingsutan masukan adalah 20 nA (tipikal) dan 200
nA (maksimum).

r Hanyutan arus ingsutan masukan (Input offset current drift)

Hanyutan arus ingsutan maksimum AIo/AT adalah rasio perubahan arus ingsutan
masukan terhadap perubahan suhu.

r Tegangan ingsutan masukan (Input offset voltage)

Tegangan ingsutan masukan Vio adalah tegangan yang harus diberikan antara
kedua terminal masukan untr.rk menyeimbangkan Op Amp. Untuk p.A747 nilainya
adalah 1,0 r'nV (tipikal) dan 5 mV (maksimum) untuk Rs < 10 K Ohm

r Hanyutan tegangan ingsutan masukan (Input offset voltage drift)

Hanyutan tegangan ingsutan masukan AVio/AT adalah rasio perubahan tegangan
ingsutan masukan terhadap perubahan suhu.

r Tegangan ingsutan keluaran (Output offset voltage)

Tegangan ingsutan keluaran adalah bedaan antara tegangan dc pada ujung
keluaran dan latar (ground) jika kedua ujung masukan dilatarkan.

r Lebar bidang daya penuh (Full power bandwidth)

Rentang tegangan keluaran adalah aytlnan tegangan keluaran maksimum yang
dapat diperoleh tanpa cacat yang signifikan (pada suatu resistans beban)
Lebar bidang daya penuh (Full power bandwidth)
Lebar bidang daya penuh adalah frektrensi maksimun-r yang dapat dicapai dari
srratu sinusiode pada rentang tegangan keluaran.

r Rasio Penolakan Catu Daya (Power Supply Rejection Ratio)

Rasio penolakan catu daya menunjukkan seberapa jauh keluaran Op-Amp
berubah jika tegangan catu berubah. Untuk ytA 747 rasio penolakan catu daya
adalah 150 pVlV (maksimum).

-1
7

ELEKTRONTKA DASAR
108

r Laiu Ayunan (Slew Rate)

Laju ayunan Op Amp adalah ukuran seberapa cepat tergangan keluaran dapat
beitrbih dalarrmenanggapi suatu sinyal masukan. Laiu ayunan p'A 747 adaiah
0,5v/ps (tipikal). Karena frekuensi mempunyai relasi dengan waktu, maka laju
ayunan dapat digunakan untuk menentukan frekuensi kerja maksimum (f ^-0.)
Op Amp sebagai berikut:

laju ayunan
tI
2n Vrr

dengan Vr,*: tegangan keluaran puncak.

r Rasio Penolakan Mode Bersama (Common Mode Rejection Ratio/CMRR)

CMMR adalah ukuran kemampuan op Amp menolak sinyal mode bersama yang
dinyatakan dengan rasio antara peroleh mode diferensial terhadap peroleh mode
beriama. Untuk pA 74t ntlai CMRR nya adalah 3163 atau 20 1og 3763 = 70 dB.

r Resistans Masukan/Keluaran
Umumnya Op-Amp mempunyai resistans mastikan yang tinggi dan resistans
keluaran yang rendah. Untuk 1tA 747 rentang resistans masukannya adalah 2
MQ dan resistans keluarar-rnya 75 Q.

r Tanggapan Frekuensi Penguat Op Amp

Peroleh maksimum yang mungkin dari suatu Op Amp disebut peroleh kalang
terbukt (open loop gain). Istilah kalang terbuka menunjukkan bahwa tidak ada
lintasan umpan balik dari keluaran ke masukan Op Amp'

Peroleh kalang terbuka (A,),) op Amp adalah stabil dari 0 Hz sampai

frekuensi cttt-off f tertentu, kemudian turun dengan laju standar -20 dB / dekade
"
seperti terlihat pida Gambat 6.9. Penurunan ini disebabkan oleh kapasitans in-
ternal.

GlyPte 6*'-9 "

Tanggapan frekuensi kalang

terbuka Op Amp pA 741
 6 Parvucua,r OpeRasroxan
109

ultu\ op Amp pA 741, peroleh kalang terbuka untuk frekuensi rendah hingga dc
adalah-cukup tinggi (200 000 atau 106 dB). Mulai frekuensi 5 Hz terjadi p"nr"ri,.rur1
(roll-offl dengan laju-20 dB/dekade dengan naiknya frekuensi. Pada sait frekuensi
mencapai 7 MHz, peroleh turun menjadi satu dan dikatakan bahwa frekuensi
perolehan satu (unitv gain frequency) f,ni,u adalah 1 MHz.
- Ciri khas tanggapan pada Gambar 6.8 adalah jika diambil sembarang titik
pada lereng kurva dan dihitung perkalian antara absis dan ordinatnya ielalu
diperoleh hasil yang sama, yaitu 7 MHz. Misalnya, pada 100 Hz dengan peroleh
10{, hasil perkaliarrnya adaiah 100 Hz x 101 =' t Muz. pada frekue.rri 1KH,
didapatkan TKHz x 103 = 1.MHz dan seterusnya. penguat dikatakan mempunyai
Produk Peroleh Lebar-Bidang (Gain Bandwidth product /GBp) yang konsian
sebesar 1 MHz. Daiam kasus ini GBP dan f,,..,u bernilai sama.

Dengan adanya umpan-balik, maka peroleh keseluruhan akan turun, dan

GBP dapat digunakan untuk mencari:
1. Nilai maksimum peroleh kalang tertutup (A.r) pada rebar-bidang (BW)
tertentu.
2. Nilailebar-bidang pada peroleh kalang tertutup tertentu.
Formula yang digunakan adalah:

AcL' BW = f.,.ity

Berdasarkan pada fakta bahwa peroleh dan lebar-bidang adalah berbanding

terbalik, maka:
1. Makin tinggi peroleh Op Amp, maka lebar- bidang makin sempit.
2. Makin rendah peroieh OP Amp maka lebar- bidang makin lebir.

6.3 Aplikasi Penguat Operasional

Dalam aplikasi, untai umpan-balik ditambahkan pada Op Amp untuk
mengendalikan karakteristiknya. Untai umpan baiik menghubungkan keluaran
op Amp dengan masukan op Amp. Berikut ini dibahas beberapa apiikasi op
A*p

6.3.1 Penguat Inverting ;'

rengiiit inverting adalah ekuivalen dengan penguat emiter bersama atau penguat
source bersama. Operasi penguat inverting terlihat pada Gambar 6.10. Resiitor
R, membentuk lintasan umpan-balik dari keluaran ke masukan.

I
r
110 Er,exrpoxrs Dnsae

Gau-e_an.6.1.O
Penguat inverting
-r-/"
'//_ t

/
Latar
Semu

Peroleh Tesansan
Kunci kerja dari penguat inverting terletak pada untai masukan diferensial.
Diasumsikan bahwa untai diferensial ideal. Maka kedua transistor pada untai
masukan diferensial sepadan (matched) dan tegangan pada kedua masukan
adalah sama. jika masukan non inverting dilatarkan (grounded) maka masukan
inverting juga mempunyai tegangan pada latar, sehingga masukan inverting
berada pada latar semu (virtual ground)
Karena Vo pada resistor umpan-balik Rf, maka:

Vo= -IzRz (6.12)

Karena Vi pada resistor masukan Ri, maka:

Vi=I,R, (6.13)

Karena Op-Amp mempunyai resistans masukan yang sangat tinggi, maka arus
masukan mendekati noi. Karena itu I,, = 1" dan (6.12) dapat ditulis:

Vo=-I,.Rz (6.14)

Peroleh tegangan yang diukur dengan adanya lintasan umpan balik disebut
peroleh tegangan kalang tertutup (Closed loop voltage gain) Peroleh tegangan
kalang tertutup (A.,_ ) dapat diperoleh dari:
Vo
A^
LL=-vi
Dari persamaan (6.13) dan (6.14) diperoleh:

A., = -R, (6.14)

R
 Bas 6 Pmrnrcuar OpenasroNan
1'11

Tanda minus dari persamaan (6.15) menuniukkan bahwa polaritas

keluaran
berlawanan dengan masukan sehingga disebut penguat inre'rting (pembalik).

Resistans masukan

- Penguat inverting mempunyai resistans masukan yang lebih rendah dari

pada penguat operasional. Seperii terlihat pada Gamb u, e .io sumber
tegangan
menunjukkan resistor masukan R, yang menuju ke latar semu. t<arena itu,
resistans masukan penguat inverting adalah:

Ri=R, (6,76)

Resistans keluaran
Resistans keiuaran penguat inverting merupakan gabungan paralel antara
resistans keluaranog Amp- (Ro) dengan resistans .t*iu., uitit irr. Karena R,
umumnya jauh lebih besar daripada Ro, maka impeduni k"lrr.u1, diasumsikan
sama dengan Ro dari Op Amp.

CMRR Penguat Inverting

cMRl penguat inverting dihitung dari rasio peroreh diferensial penguat (Ad)
terhadap peroleh mode bersama penguat (A.).

CMRR pengua t =-Ad (6.17)

AC

Peroleh diferensial penguat adalah sama dengan peroleh kalang tertutup (closed
loop) penguat (A.,. ): Ao = A.,
Peroleh mode bersama dihitung dari peroleh kalang terbuka (open loop
gain)
Op-Amp (Aor) dibagi dengan CMRRooo,"o (CMRR aa'ri Op Amp):

Ao,-
Aa=
CMRR Up.rmp
Berdasarkan persamaan (6.17) diperoleh CMRR penguat:

ot'
CMRR--, .=
penguat a**
-' "
' ^^ .Op
amp (6.18)
AOa

Tampak bahwa CMRR penguat jauh lebih kecil dari pada CMRR,,o-o_o
112 Er.sxtRoNrxa Dasap

Contoh6.1

Stiatu Op Amp mempunyai parameter berikut: Ar= 0,02, Ao. 150 000,
=
Zin = 1,5 MQ, Zout = 50 A (maksirnum), dan slew rite = O,7S Vfirs. Op Amp
tersebut digunakan untuk penguat inverting dengan tegangan catu + 12 Vn. da;
nilai v,. = 50 mvpp, R, = 200 KSJ, dan R, = r xs:. Lakukanlah anaiisis untli

Solusi

Ao, 150.000
' uf Am' Ac
o,o2

Peroleh kalang tertutup untai = A.. = 5Rr = 200

b) Impedans masukan untai = Z, = R, = 1 Kf)

c) Impedans keluaran untai = Zo < Zout = 50 A

Ao,
= 'Ao, )(
1., =(1.,
d)' CMRR,,.,
rrrr.rr t)
Ac ' ' A.

= (A.r/ Ao.)x CMRRoro_,

=,' 15o.ooo
:!:* )xt )\ 75oo.ooo
' Jvv'wvw -= 1o.ooo

e) Vo pp = Vi pp x Acr_

= 50x200=10000mV=i0V
vopk
,2 =voPP= sv
rI.rKs - sltu rota 0,75 .10"
( 2nVo pk) ( 2n .5)

= 23,873 KHz
 113

Bag 5 Pmr*rcua'r Oesna'sloNat-

6.3.2 Penguat Non Invertrn

bahwa sinyal masukan
iverting ieilihat pada Gambar 6'11' Teriihat
Penguat non mempunyal
sehingga sinyal keluaran
dihubungkar^, t *urr"t;;;.; inverting,
"dengan sinYal masukan'
;ilil;^ma

Garuean 6'11
Penguat Non lnverting

maka tegangan pada

untai masukan diferensial ideal'
Diasumsikan bahwa inverting' Karena itu
inverting sama denga" t"gu"gu'l'*"t"ft^" "t" sinval masukan
masukan
oa?iorir"r'ru clengan tcgangan
po.tu *rru#;";;,il; uius masukan
iutg;t
tegangan
oP A*;'""g'"i 'i'tuku
vi. oleh karena
'"='';;;;;"'t-n" p"dIR' ;;o;.Io d"i"gu' arus pada R' Yaittt:
op Amp mendekati;:i:Lffi;;;;#
l, = 12 atatr

Vi Vo-Vi
RR,
t_

tertutup adalah:
Peroleh tegangan kalang

R2
Vo
A_. I l-
LL =..--=
Vi R1

Terlihatbahwategangankeluaranmempunyaifaseyangsamaterhadapmasttkarr
aur", p"rnt"n tegangannYa adalah:

A.r21
masukan
l,:llgi: Y:::i,
"s," penguat:-'ar
non iverting
ffii' n"'i!"*"teluaiin
diberika. tur',gutt''tg'effop t ,t*p it"p"tti fenguat inverting)'
mendekati sama dengar-r."iirior,, "troro.'dp
114 Er-er<rnoNrxa Dasan
1
Dengan adanya resistans masukan yang tinggi dan resistans keluaran yang
rendah maka penguat non inverting dapat digunakan untuk untai penyangga
(buffer) seperti pengikut emiter atau pengikut source. Untai penyangga dapat
digunakan untuk menyesuaikan impedans sumber yang berimpedans tinggi ke
beban yang berimpedans rendah. Perbedaan penguat non iverting dengan
pengikut emiter atau pengikut source adalah bahwa peroleh tegangannya dapat
berniiai tinggi, sedangkan pengikut emitter atau pengikLlt source peroleh
tegangannya kurang dari satu.

6.3.3 Peneikut Teeanean

Untuk penguat non iverting pada Gambar 6.1i. jika R, dibuka (R, = -; dan R,
dihubung singkat (R, = 0), maka diperoleh pengikut tegangan seperti terlihat
pada Gambar 6.1,2.

Q-a.ry19"15,,6_.1--2
Pengikut tegangan

Peroleh tegangan untuk pengikut tegangan adalah sebagai berikut:

R 0
LL - 7+
A^ ' - 7
1
(6.1e)
R,

Resistans masukan Ri adalah sama dengan resistans masukan Op Amp., demikian

juga resistans keluaran Ro juga sama dengan resistans keluaran Op Amp.
CMRR pengikut tegangan dihitung dengan formula:

At' 1
CMRR pengrklrl tegangin = AC
=- Ac (6.20)
Bae 6 PmrirqeuAT Opep,qsrorrran 115

6.3.4 Peneuat Peniumlah

Penguat penjumlah mempunyai keluaran yang sebanding dengan iumlah

masukan ( Gambar 6.13). Karena ujung masukan inverting Op-Amp adalah
latar semu (virtual ground) dan arus masukan Op-Amp mendekati nol maka
persamaan untuk arus adalah sebagai berikut:

I,= I,+Ir+I,
vr v2 vr
(6.21)
R1 R2 R.

Tegangan keiuaran penguat penjumlah dapat ditulis:

Vo = -Ir.Rr
R,RR-
- - ('R,
' V-+
' rl' V-' + ' V-) (6.22\
R,

Jika R, = R, = R: = R, maka:

Vo= ,(V
R,
+Vr+Vr)
R\I

Karena itu keluaran akan sebanding dengan jumlah masukan.

9"qp_lf -o_._-r"9
Penguat penjumlah
Y

116 Er-rxraoNrxa Dasan

6.3.5 Penguat Bedaan (Diference AmPlifier)

Penguat bedaan mempunyai kelLr.rran yang sebanding dengan bedaan sinyal

masukan. Untai penguat bedaan tt'rlihat pada Gambar 6.1,4.

Q4ygan 6,!{
Penguat Bedaan

Tegangan keluaran Vo diperoleh dengan superposisi:

Vo = Vo sumbangan V, + Vo sumbangan V,

= VolV2=o *Volr,=n (6.24)

dengan Vo I ,,, = u = tegangan keluaran dengan V, dibuat = 0

Vo I ,,,,, = tegangan keluaran dengan V, dibuat = 0

R,
Vo I u, = n = - :-I(, V, (tegangan keluaran untuk konfigurasi penguat
inverting)

R"
Vo lr,=o (1+ " )V (tegangan keluaran untuk konfigurasi
R1 penguat non inverting)

dengan V*: tegangan pada masukan non inverting

R,
\/v * - ' \/v.
R.,+R,

-
 Bae 6 Psrlrucuar Opepasroxar,
117

o' R,
Maka vo = - ,,' + (1 +!-) v-t (6.25)
Rr Rr R,+R.

R,R
R2 R*

R.
Vo = _(V2_Vr) (6.26)
R,

Terlihat bahwa tegangan keluaran sebanding dengan bedaan tegangan masukan.

-\w
6.3.6 Integrator',\
Integrator adalah untai yang dapat melakukan operasi integrasi matematis pada
sinyal masukan. Untai integrator terlihat pada Gambar 6.15.

Garuean 6.15
Untai integrator

Jika masukan inverting berada pada latar semu dan impedans masukan op-amp
sangat besar, maka arus masukan op-amp mendekati nol, sehingga:

vi (t)
i(0 =- dan
R

vo(t)=- 1 lidt= 1 f vi(t) dt (6.27)

C,J RC,'

Terlihat bahwa tegangan keluaran integrator sebanding dengan integral tegangan

masukan. Karena masukan integrator diberikan ke misukin inveriing op-u-p,
maka_keluaran integrator berbeda fase 180' terhadap masukan.
jika tegangan ingsutan masuka. dc dan arus prasikap masukan dari op-
amp tidak dapat diabaikan, maka tegangan dan arus ini akardiintegrasikan pada
r
118 Er,pxrpoltrxa Dasan

kapasitor Cn dan pada keluaran akan nampak tegangan tambahan yang bertambah
linear dengan waktu sampai penguat mencapai titik jenuh (meskipun vi = 0).
Untuk mengatasi hal ini ditambahkan resistor R, yang paralel dengan
kapasitor umpan balik C, (Gambar 6.16), sehingga tegangan ingsutan dc dan arus
prasikap dc yang melewati resistor R, akan menghindari kejenuhan Op-Amp.

Garvrean 6-14

a)
lntegrator dengan resistor umpan balik

R-
rf

Peroleh tegangan sebagai fungsi frekuensi

Vo
Peroleh tegangan kalang tertutup: A., = *VI ='' (6.28)
Ri

dengan Z,=R,//t 1 | =
rrl C,
I 1+jroR,C,

Rf/Ri
maka: A., =
1+ jroR,C,
 B.qs 6 Pm.TMGUAT OprnasroN.qr- 119

R, /Ri (6 2e)
1 + j rolroo

dengan crro = 2nfo = +R,C,

(frekuensi cut-off (radian/detik))

Frekuensi cut-off dalam Hertz adalah:

.(Do1 =
t!= -- 2n 2nR,C,

Untuk menggambarkan - tan5;gapan magnitude iA..l (Gambar 6.16b), ditiniau

nilai frekuensi f berikut:

Untuk f << fo, maka A., =

+
untai merupakan penguat inverting.

Untuk [ >> fo,maka: Ac,- = ] +

\_ ,r

fo

menunjukkan bahwa asimtot frekuensi tinggi merupakan integrator.

r Karena untai bersifat sebagai integrator hanya pada frekuensi tinggi, maka disebut
integrator merugi ( lossy integator). Untuk f = fo, maka tanggapan magnetudenya:
1R.
I A.. | = atau:
,2 Ri

lA., lou=$t., - 3dB

- *".\
6.3.7 Diferensiator ,z

Jika resistor dan kapasitor pada untai Gambar 6.75 saling dipertukarkan tnaka
diperoleh untai diferensiator seperti terlihat pada Gambar 6.77. Diferensiator
adalah untai yang keluarannya sebanding dengan laju perubahan sinyal masukan.

-/
a

120 ELEKTRoNTI<A Dasan

G.auean Q,.t7
Untie differentiator

Jika masukan inverting berada pada latar semu dan impedans masukan
Op Amp tak terhingga maka:

i=(L( i atau

d vi (t) vo (t)
C" . maka
' dt Rr

d vi (t)
vo (t) = R-C
t r
'
(6.30)
dt

Sehingga keluaran diferensiator sebanding dengan derivatif masukan.

Deferensiator cenderung berosilasi karena masalah stabilitas yang terkait
dengan frekuensi roll-off dari peroleh kalang terbuka. Untai diferensiator dapat
distabilkan dengan memasang resistor Ri yang seri terhadap kapasitor Ci. Setelah
modifikasi ini, untai diferensiator masih memberikan fungsi diferensiasi, tetapi
pada rentang frekuensi yang terbatas. Batas operasi frekuensi tinggi dari
diferensiator tersebut menjadi:

1
t^
2n Ri Ci
 6 Pmr'tacuat' OesRrsroNan 121

Contoh6.2

Buktikan bahwa bila R, - R, = R, maka ekspresi tegangan keluaran untuk

penguat instrumentasi berikut adalah:

R, +-)2R
Vo = ' (1 (V, -V,)
Rr Rc

Solusi

Op Amp 3 digunakan dalam konfigurasi penguat bedaan. Menurut Pers . (6.26),

tegangan keluaran penguat bedaan untuk untai di atas adalah:

R.
Vo=
.-R^-=l(Vo2-Vor)

|ika arus masukan ke Op Amp 1 dan Op Amp 2 adalah nol , maka bedaan tegangan
keluaran Op Amp 1 dan Op Amp 2 adalah:

Vo2-Vo1 = Ic (R,+\+R.)

V^-V
Dengan Ic= l '
RC

maka:

-t
122 Er,ex,rnoNrr<a. Dasan

(v^ - v")
ur='
vo, - v^, ' ''
Rc
(R, +I! +R.)

R4 (R,+Rr+R.) (Vr-V1)
dan vo
R3&

|ika R1 =Rz=R maka:

R 2R
V- = t (1 + (V^
2
V, ) (terbukti)
' R, Rc'
-)

Latihan

Untuk untai Penambah-Pengurangberikut, carilah ekspresi V., dinyatakan dengan

Y ,, Y 2, V., dan Vr.

40 ko 50 ko

25 kO
v2

10 ka

Iawaban
yq = (2,376 V3 + 1,156 V4) - ( 7,25Y7 + 2Y2)
 ta,:1.:t": .. ''.:t; ' )

7
OstLAroR
Pnrrusrp Krnu Ostnron
Osruaron Gesrn FasE
OsueroR JrHaaRrnru Wrer.r

Osuaron LC
OstlnroR Knrsrnl
124 Er,exrRor,:r r<,q Dasan

OSILATOR
(-\ silator adalah untai vang menghasilkan ragam gelombang keluaran tanpa
\-/sumber sinyal eksternal. Satu-sattinva masukan bagi osilator adalah catu
da,va dc. Maka osilator dapat dipandang sebagai pembangkit sinyal. Ada beberapa
jenis osilator menurut ragam gelombang yang dihasilkan, misalnya: osilator
gelombang sinus, segi tiga dan persegi. Berikr.rt ini akan dibahas osilator
gelombang sinus.

7.1 Prinsip Kerja Osilator

Prinsip kerja osilator dapat diterangkan dengan pengr.rat umpan balik ( feed-
back) positif seperti terlihat pacla gambar 7.1.

'ar v2
1

\rt /\ vo

Ga.nnean 7-1
Prinsip Osilator u,Afz

Jaringan umpan balik

Penguat mempunyai peroleh A dan jaringan umpan balik mempunyai faktor

umpan-balik B. Misalkan sinyal masuk V diberikan ke penguat. Penguat akan
menggeser fase 180" sinyal masukan dan dihasilkan sinyal keluaran \. Iaringan
umpan balik mendapat masukan dari keluaran penguat ( V") dan menghasilkan
sinyal keluaran V, yang merupakan tegangan umpan balik. Misalkan jaringan
umpan balik diatur sedemikian sehingga V, sama dan sefase dengan V. Dengan
menghubungkan ujung 2 ke ujung 1, maka penguat akan terus memberikan sinyal
keluaran V. yang sama seperti semula, meskipun tanpa sinyal V,.
Karena umpan balik positif menghasilkan aksi ini, maka sering disebut umpan-
balik regeneratif . Perlu diperhatikanbahwa osilator hanya perlu sinyal picu yang
cepat untuk memulai aksi osilator untai. Dengan kata lain, sesuatu yang
menyebabkan variasi sinyal yang kecil pada sembarang titik di dalam untai
osilator, misalnya pada saat pemberian catu daya, akan dapat memulai aksi osilasi.
Di sini tidak diperlukan siklus masukan penuh dari sumber luar.
Bae 7 Osrr-p^ton 125

Kriteria Barkhausen
Dari pembicaraan sebelumnya disimpuikan bahwa osilasi terjadi bila :

Vr=V,
= ABVj

Mak.r diperoleh relasi :

AB = 1 (71)
Relasi ini disebut kriteria Barkhausen. Besaran AB disebut peroleh kalang
(loop-gain).
Dalam hal ini magnitude dan fase peroieh kalang AB adalah:

lenl=1 dan (7.2a)

Z AB = Qo (7.2b)

Bila syarat ini tidak dipenuhi, maka akibatnya sebagai berikut:

1. Bila AB < 1 , osilasi akan teredam dalam beberapa siklus
2. Biia AB > 1 , osilasi akan menjadi jenuh dan terjadi pemotongan ( clipping )
ragam gelombang keluaran.

Syarat I AB I = 1 hanya memberikan satrr nilai. Dalam praktek, nilai I AB I

diambil sedikit iebih besar dari 1 ( kira-kira 5% lebih besar ) untuk menjaga
kemungkinan pengaruh hanyutan ( drift ) watak komponen akibat perubahan
suhu atau umur komponen.

7.2 Osilator Geser Fase

Untai osilator geser fase terdiri atas tiga untai RC pada jaringan umpan balik
seperti terlihat pada Gamb ar 7.2.

Gauaan 7.2

Jaringtan umpan balik

(a)
Osilator Geser Fase dengan FET

-a
126 Er.ex,rnolrtx.a Dasan

(b)
Untai ekuivalennya

Pergeseran pada penguat FET adalah 180' (bila pembebanan jaringan umpan
balik diabaikan). Pergeseran fase pada jaringan Lrmpan balik ( jaringur, Rc I pida
frekuensi tertentu adalah juga 180". Maka pergeseran fase total dari gate ke pengrrat
dan jaringan umpan balik kembali ke gate akan 360" (atau = 0''), se.hingga untai
berosilasi.
Fungsi transfer jaringan RC adalah merupakan faktor umpan balik:

Vf
_= B (7.3 )
Vo 1-5a2-j(6o-c3)

7 1,
dengan =- =- (7.4)
roRC 2nfC

Agar pergeseran fase pada jaringan RC 180", maka fungsi transfer jaringan RC
harus riil, sehingga:

6a- a3 = 0, atau

0,={6 (7 s)

Dari persamaan (7.4 ) dan ( 7.5 ) dapat ditentukan frekuensi osilasi:

-1
t_
( i.hi
2nRCi6

Pada frekuensi osilasi ini faktor umpan balik adalah:

B-
1

29
B.ce 7 Osrr,elron
127

Agar I BA I >1, maka I Al>29

Sehingga FET harus mempunyai faktor penguatan p sebagai berikut:

p - gmrd >29 (7.7)

untai osil.ator geser fase dengan transistor terlihat pada Gambar 7.3

Q-1yeaa !,3_.
Osilator geser fase dengan
transistor

Karena resistans masukan penguat transistor adalah rendah maka dipasang R.

sehingga :

R = R"+R = R.+hie

Dapat dibuktikan bahwa frekuensi osilasinya adalah :

c
(7.8)
2nRC .V10
+ +t<;

dengan
.Rc _
k=
R
128 Er"crrpoNtxa Dasae

7.3 Osilator Jembatan Wien

Osilator jembatan Wien terlihat pada gambar 7.4.
Osilator ini mempunyai dua jalur umpan balik yaitu :
1. Umpan balik positif ( ke masukan non inverting Op Amp ) ZrdanZryang
menghasilkan osilasi dan menentukan frekuensi osilasi.
2. Umpan balik negatif ( ke masukan noninverting op amp ) lewat R, dan R,
untuk mengendalikan perolehan kalang tertutup untai sehingga amplitude
osilasi dapat diatur.

Gannean 7.4

OsilatorJembatan Wien

untai;emfl[n wien
Bae 7 Osrr,a.rop 129

Peroleh kalang adalah BA

V Z,r 7 -rJ.- 1 7
dengan
-V B - I
= 1'r i--- / z.=R/ / jre
Z, + Z, ltt)c

R o.(1+ R,/ R?)

dan A- 1rl
,maka: AB=
R" 3o-j(1-cr')
dengan o, = rDRC

Agar untai berosiiasi, n-raka harus memenuhi syarat Barkhar-rsen berikut:

AB=1, atatr

R.
c((1+ -l\: )
-1
3o-i(1-s')
Syarat ini dipenuhi bila

cr = 1 dan l-, r .5, = l, sehingga

3R2

f =+- dan R,,=2R,

2nRC

Jalur Umpan Balik Positif

]alur Urnpan Balik Positif tercliri atas ZrdanZr. Z, membentuk tapis pelewat tir-rggi,
sedangkan Z" mernbentuk tapis pelewat rendah. Gabungan seri kedua tapis
tersebut membentuk tapis pelewat bidang. Untai akan berosilasi pada frekuensi
resonans dari tapis pelewat bidang ini.
Umumnya osilator: jembatan Wien menggunakan komponen R dan C yang
sama pada kedua tapis tersebut. Ini berarti bahwa kedua untai mempunyai
frekuensi cut-off yang sama. Akibat dari keadaan ini ditunjukan oleh gambar
7.5. Terlihat bahwa kurva tanggapan frekuensi berpotongan pada frekuensi fc.
Frekuensi ini adalah frekuensi osilasi untai.
Seperti diketahui bahw'a tapis peler,r,at bidang tidak rnenggeser fase bila
bekerja pada frekuensi resonans. Antara masukan non inverting dan keluaran
Op Amp. tidak ada pergeseran fase. Maka sinyal keluaran dan rnasukan adalair
sefase, sehingga umpan baliknya adalah regeneratif.
r
130 ELEKTRoNTKA Dasan

Tanggapan

/
tapis pelewat tinggr
Garvrean 7-5
Tanggapan frekuensi ialur
umpan balik Positif

Jalur Umpan Balik Negatif

Jalur umpan balik negatif terdiri atas R1 dan Rr, digunakan untuk menetapkan
peroleh lialang tertutup untai. Pada resistor R, terdapat potensiometer R, untuk
mengatur peroleh kalang tertutup untai. Diode-diode pada jalur umpan balik
.r"gutif digunakan untuk membatasi peloleh kalang tertutttp. Bila keluaran
osilator, lebihbesar 0,7 Y dali yang ditetapkan, maka salah satu diode akan
menghantar ( on ) dan menghubung singkat Rn, sehingga akan mengurangi peroleh
kalang tertutup. Dalam hal ini, diode bertindak sebagai clipper (pemotong).

Batas Frekuensi
Bila frekuensi kerja Op Amp dinaikkan, maka akan tercapai titik awal pelgeseran
fase antara masukan non inverting dan terminal keluaran. Pergeseran fase ini
disebabkan oleh tunda perambatan (propagasi) op Amp. Bila op Amp mulai
menunjukkan pergeseran fase, maka aksi osilasi akan mulai kehilangan
stabilitasnya. Untuk osilator jembatan Wien, batas frekuensi atas ini adalah 1
MHz. Maka untuk penerapan frekuensi tinggi harus digunakan osilator LC.

7.4 Osilator LC
Konfigurasi secara umum osilator LC terlihat pada gambar 7.6 Impedans 2,,2,
dan Z.membentuk jaringan umpan-balik.
Bae 7 Osrraren 13'1

Ganaean 7.6
(a)
Konfigurasi osilator LC

(b)
Untai ekuivalennya

Peroleh tanpa umpan-balik untuk untai tersebut adalah:

A_ Vo _ -AvZ,
V* Z,+ Ro
dengan {y = peroleh kalang terbuka penguat

Zr= Z, / / (21+ 4)
R,, = Resistans keluaran penguat.
132 Er,grrnoNtxa. Dasan

Faktor umpan-baliknya adalah:

VZ\
i
B= =
Vu Zr+2.
Peroleh kalangnya adalah:
-
- Av 2.,2.
AB=
R. (Zl + Zr+ Zr) + Z, (2, + Zr)

Bila impedans merupakan reaktans murni (induktif atau kapasitif) maka:

Z, = iX, , Zr- jX, , Z, = jX,

Untuk induktor: Xr = <rtl- dan

kapasitor:X.= -7/aC
Agar peroleh kalang riil (pergeseran fase = 0) maka:

Zr+ Zr* Z, = 0 atau

X,+Xr+Xr=Q

Sehingga:
Av X1 X2 X1
AB= - = - Av
X, (X, + X.) X, + X.

AvX
atau AB =
I

x2

Agar untai berosilasi maka:

AvX'1
AB= - 1
x2

Sehingga X, dan X, harus bertanda sama (incluktif atau kapasitif).

Karena X, = - (X, + Xr), maka X3 berlawanan tanda dengan (X, + X,). Hal ini
berarti bahwa:
Bila X, dan X, induktor, maka X, kapasitor dan untainya disebut osilator Hartlay.
(Gambar 7.7a).
Bila X, dan X, kapasitor, maka X, induktor dan untainya disebut osilator Colpitts.
(Gambar 7.7b).

i:,
$i ;{
Bae 7 Osrlplron
133

Dari persamaan: x1 = - (X, + Xr), maka frekuensi osilasi dapat ditentukan

sbb.:
Untuk osilator Hartley :

1
=- 0) (L1 +L2), dengan a=2nf
oC,,

maka : fHu.tr"y

2n c3 (Ll

Untuk osilator Coipitts:

1
c
l^
Lolpr tts
*----
2n ll LrC,

dengan

Ganirean 7.7

(a)
Osilator Hartley
a

134 Er,nmeoxrs DAsAR

(b)
Osilator Colpitts

Cara kerja untai keseluruhan dapat dijelaskan sebagai berikut :

1. Tegangan keluaran penguat dirasakan pada Xr= 7 /1o;C
2. Tegangan umpan balik terdapat pada X, = 1/jroC,
3. Ag*ar te4aA oiilasi, maka tegingin umpan balik pada X, berbeda fase 180"
terhadap tegangan keluaran penguat padaXr. Hal ini dapat dijelaskan
dengan Gambar 7.8, misalnya untuk kasus osilator Colpitts.

Q-aup3_1 7--,4_
Penlelasan bahwa untai
umpan balik menghasilkan
penyesuaian fase 1 80o
Bae 7 Os-rlaroR '135

Diasumsikan bahwa L, mempunyai tegangan dengan polaritas seperti terlihat

pada gambar 7.8. Bila L. dipandang sebagai sumber tegangan maka akan
dihasilkan arus di dalam untai. Arus ini akan membangkitkan tegangan pada C,
dan C, dengan polaritas yang beriawanan.
Analisis osilator Hartley dan Colpitts yang menerapkan transistor diatas
adalah sukar karena:
1. Resistans masukan transistor terhubung parallel dengan reaktans X,
sehingga ekspresi peroieh kalang A B lebih sukar.
2. Bila frekuensi osilasi diluar daerah audio, maka tidak dapat digunakan
model parameter h frekuensi rendah, dan harus digunakan model transistor
pada frekuensi tinggi.

7.5 Osilator Kristal

Pada osilator konvensional, sinyal keluaran dapat berubah bila terjadi hal-hal
sebagai berikut:
1. Bila komponen aktif ( iransistor, Op A*p ) diganti, ini akan mengubah
peroieh-tegangan (Av).
2. Mengubah setiap komponen di dalam jaringan umpan-balik dapat
mengubah frekuensi resonans.
3. Untai akan menjadi panas. Hal ini akan mengubah nilai resistans yang
dapa mengubah beban jaringan umpan balik.
Di dalam sistem dengan stabilitas osilator yang kritis, digunakan osilator
terkendali kristal. Osilator terkendali kristal menggunakan kristal quartz untuk
mengendalikan frekuensi kerja.
Unjuk kerja kristal memanfaatkan efek piezoelektris. Dengan efek ini berarti
kristal akan bergetar pada laju konstan bila dikenai medan elektris. Frekuensi
resonans dan Q tergantung pada dimensi fisis kristal. Daerah frekuensinya dari
beberapa KHz sampai beberapa MHz. Q mempunyai nilai dari beberapa ribu
hingga beberapa ratus ribu. Karena nilai Q yang tinggi maka frekuensi osilator
terkendali kristal stabil terhadap waktu dan suhu.
Ada tiga kristal yang umum digunakan yang menampakkan efek
piezoelektris. Ketiga kristal tersebut adalah garam Rochelle, quartz dan
tourmaline. Yang terbaik adalah garam Rochelle karena mempunyai aktivitas
piezoelektris yang terbaik. Tetapi kristal ini mudah pecah. Kristal yang terkeras
adalah tourmaline, tetapi kristal ini kurang mempunyai laju getaran yang konstan.
Kristal quartz berada di antara kedua ekstrim tersebut. Kristal ini mempunyai
aktivitas piezoelektris yang baik dan cukup kuat menahan getaran. Quartz juga
paling murah dari ketiga kristal tersebut
Kristai quartz dibuat dari silicon dioksida SiQ. Senyawa ini biasa digunakan
sebagai lapisan isolasi pada gate MOSFET. Kristal quartz banyak diperoleh di
alam. Kristal ini terbentuk sebagai kristal enam sisi seperti terlihat pada Gaambar
7.8.. Bila digunakan sebagai komponen elektronis, keping tipis kristal dipasang
di antara dua plat penghantar seperti kaapasitor.

1
7

136 Elgx,rnor.trxa D.qsan

Sumbu Z

Ga-Yg*n Z.e-,*
Kristal quartz

Walaupun operasi elektris berdasar pada sifat mekanisnya, tetapi kristal dapat
disajikan dengan untai ekuivalen elektris seperti terlihat pada Gambar 7.9b. Dalam
sistem mekanis, induktor adalah ekuivalen dengan massa, kapasitans dengan pegas,
dan resistor dengan peredamaiscous. Komponenyang terlihat pada untai ekuivalen
menyatakan karakteristik spesifik kristal, seperti berikut ini:

Cc : Kapasitans kristal

I
Ganaean 7.1O

T
(a) (b) (c)
Simbol kristal Untai ekuivalennya tanggapan f rekuensi kristal
Bae 7 Osnaton iJ

Ce: Kapasitans elektrostatis antar elektrode dengan kristal sebagai dielektrik.

Ce = 3,5 pF >> Cc
L: Induktans kristal
R: Resistans kristal

Sebagai contoh untuk kristal 90KHz, dengan trkuran 30 x 4 x 1,5 mm dan nilai
L = 137 H, C6 = 0,0235 pF dan R = 15 KQ mempunyai Q = 5500.
Tanggapan frekuensi kristal pada Gambar 7.9c dapat dijelaskan sebagai
berikut :
Bila R diabaikan, impedans kristal adalah suatu reaktans jX yang bergantung
pada lrekuensi :

-J (r)2 - co2
s
tX
roCe ol2- (02
P

clengan o" = 2nf = .lt--!- : frekuensi resonans seri (frekuensi impedans nol)
LCe

aPP=2nf al
|
1
frekuensi resonans paralel
Ce (frekuensi impedans-)
-1

Pada frekuensi yang sangat rendah, reaktans kristal adalah kapasitif dan
dikendalikan oleh reaktans yang sangat tinggi dari Ce dan Cc. Dengan naiknya
frekuensi untai yang tersusun atas Cc dan L mendekati frekuensi resonansnya.
Pada frekuensi ro, kristal berperilaku seperti untai resonans seri. Pada frekuensi
ini reaktans Cc dan L saling menghapus sehingga reaktans komponen turun
menjadi nol.
Bila frekuensi berlanjut naik, reaktans kapasitor paraliel Ce mulai turun ke
nilai yang cukup rendah sehingga mulai mempengaruhi untai. Bila co, tercapai
Ce dan L berresonansi dan untai berlaku sebagai untai resonans parall'el.
Pada frekuensi di atas o. reaktans Ce berlanjut turun dengan naiknya
frekuensi, hingga kristal ,r,".,.ufui hrbung singkat. krl berarti ban*a t<rlstat aafat
digunakan untuk mengganti untai LC seri atau untai LC paralel. Bila kristal
digunakan untuk mengganti untai LC seri, maka osilator bekerja pada frekuensi
tD. , dan bila digunakan untuk mengganti untai LC paralel, maka osilator bekerja
pada frekuensi tr:r.

I
7rz'

138 Er"srrnoNlxa Desap

Osilator Terkendali Kristal

Osilator Colpitts dapat dimodifikasi menjadi osilator tekendali kristal Crystal
Controlled Oscillator / CCO ) seperti terlihat pada Gambar 7.10. Perbedaannya
terletak pada penambahan kristal (X) dalam jaringan umpan balik. Kristal akan
bertindak sebagai untai resonans paralel yang berosilasi pada frekuensi fp yang
memungkinkan transfer energi maksimum lewat iaringan umpan-balik pada
frekuensi tersebut.

-Qrt"-e:rZ-.1,9
Osilator Colpitts terkendali
kristal

Untuk memahami efektifitas osilator, harus dimengerti bahwa karakteristik

resonans hanya terjadi untuk bidang frekuensi terbatas. Bahkan penyimpangan
kecil dari fp akan menyebabkan kristal berlaku sebagai hubung singkat. Maka
osilator hanya mampu berosilasi pada fp sehingga diperoleh osilator yang sangat
stabil. Dengan memasang kristal pada posisi relatif yang sesuai untuk osilator
Hartley akan diperoleh efek yang sama.
Osilator kristal yang paling sederhana adalah osilator Pierce seperti terlihat
pada Gambar 7.11. Osilator ini hanya mempunyai empat komponen dan sebuah
kristal. Osilator ini tidak terlalu stabil , tetapi banyak digunakan karena
kesederhanaannya.

L-.
 Bae 7 Osrr-rrron
139

$ryye35 7,1-1.
Osilator Pierce

Contoh 7.1

a) Untuk jaringan berikut, tentukan ekspresi yf /yo

b) Jaringan ini digunakan bersama oP Amp untuk membentuk osilator.
Tentukan ekspresi untuk frekuensi osilasinya.
c) Gambarkan untai osilator tersebut.

Solusi

a) Dapat dibuktikan bahwa:

Vf 1
= B = Faktor umpan-balik
V
3*j(coCR- ' )
(ro C R)

dengan a=2nf

I
140 Er,errnoNrxa Dasan

b) Syarat osilasi adalah :

laSl= t dan -AB= 0"

Dari I AB = 0", maka ;

z( )= oo

3+i(oCR- ' )
(oCR)

Karena Z A - 0" ( dipilih konfigurasi penguat non inverting) , maka :

OCR -1l(roCR) -0
sehingga co =i / (CR)

atau f= 1 / (2nCP.)

Dari It )l= t
3+ j(o.rCR _
eaa,
maka lalal =t
atau A = 3. Dalam praktek diambil A >3 untuk mengatasi pengaruh suhu
dan umur komponen

c) Untai osilatornya sebagai berikut :

R2 A=1+Rr/Rr>3
Maka R2 / R1> 2
B.qe 7 Osrr,aron 141

Latihan

Untai berikut digunakan untuk jaringan umpan balik suatu osilator dengan
penguat }FET.

a) Tentukan Yf /Yo untai tersebut.

b) Gunakan dua tingkat penguat JFET agar pergeseran fase lewat penguat 0x
Tentukan ekspresi frekuensi osilasinya.
c). Gambarkan untai osilatornya.
d) Tentukan peroleh minimum penguat ]FET yang diperlukan untuk osilasi.

Jawab

Vf
a)
Vo 3 +i (oRC 1
_)

1
b) f -
(2pRC)

c)

d) Amin =3
 PeNGUAT DAYA

Prncuar Dnve Kems A TrRcnruoeruc LnrucsuNc

PErucuer Dnyn Krr-ns A Trncaruorruc
TnnrusroRMAToR

Perucunr Donoruo-Tnnrx Kems B

PErucunr Keuns AB

.1
(

144 Er,ex,rnor.lrx-e Dasan

PENGUffi,:,D
f)e.guat daya adalah peguat yang mampu memberikan ayunan tegangan dan
I arus keluaran (daya) yang besar ke beban dengan resistans rendah. Penguat
daya ideal dapat memb"iit un 100% daya yang diambil dari catu daya. Da-lam
praktek ini tidak pernah terjadi karena komponen di dalam penguat melesap
sebagaian daya yang diambil dari catu daya.
Berdasarkan titik kerjanya penguat daya dapat diklasifikasikan sebagai
penguat daya kelas A, kelas B, dan kelas AB. Sedangkan penguat secara umum
diklasifikasikan sebagai penguat kelas A, kelas B, kelas AB, dan kelas C.
Penguat kelas A adalah penguat dengan arus keluaran mengalir pada seluruh
siklus (Gambar 8.a). Untuk penguat kelas B arus keluaran mengalir selama separuh
siklus (Gambar 8.b). Penguat kelas AB merupakan kelas antara A dan B sehingga
arus keluaran mengalir selama lebih dari setengah siklus dan kurang dari satu
siklus (Gambar 8.c). Sedangkan penguat kelas C arus keluaran mengalir kurang
dari satu siklus (Gambar 8.d).

Garurean 1.1
(a) (b)
Arus keluaran penguat berdasarkan pada titik Arus keluaran penguat berdasarkan pada titik
kerjanya untuk penguat kelas A kerjanya untuk penguat kelas B

(c) (d)
Arus keluaran penguat berdasarkan pada titik Arus keluaran penguat berdasarkan pada titik
kerjanya untuk penguat kelas AB kerjanya untuk penguat kelas C

a\,
Barr B Pm.rcuat Dava
t+3

8.1 Penguat Daya Kelas A Tergandeng Langsung

untai penguat daya kelas A tergandeng langsung (direct coupled) terlihat pada
Gambar 8.2 sedangkan karateristiknya terlihat pida Gambur'g.a.

+ V""

I
R-
_Gannean 8.2
Untai penguat daya kelas A
tergandeng langsung

,,u,

lu,

lr.
*9:"u,eln-9.9
Karteristik keluaran penguat
daya kelas A

/
146 Er,exreor.rrx-q DasaR

Garis beban mempunyai lereng -1/RI- dan memotong sumbu vc di titik Vcc.
Titik kerja Q penguat diperoleh dari perpotongan antara kurva arus basis yang
dipilih (iur) dengan garis beban. Titik kerja Q dipilih agar ayunan sinyal dari titik
keria Q adalah maksimum.
Pada grafik karateristik digunakan notasi berikut:
I. : arus kolektor pada titik kerja Q, yang disebut arus lengang
(quiescent current)
i. : perubahan sesaat arus kolektor terhadap arus lengang Ic.
i.- : perubahan total arus kolektor.
Bila karateristik transfer (hubungan antara arus masukan dan arus keluaran)
mempunyai kurva dinamis yang linear, maka sinyal masukan sinusoide akan
rn"ngnuritkan sinyal keluaran (arus atau tegangan) juga sinusoide. Dalam hal
ini tidak ada cacat nonlinear, dan daya keluaran P dapat dihitung secara grafis:

P=VcIc=Ic2Rr_

Dengan Vc : nilai rms tegangn kolektor

Ic : nilai rms arus kolektor ,
R. : resistan beban

Bila Im (Vm) : ayunan arus (tegangan) puncak sinusoide, maka dari gambar 8.2

Im I -I riln
T
( =-=
^lz
--rE-
maks

\/
Vm V -V mals mn
- -
2tr2

D-
Vim m
I2R- v2
m
Maka daya
2 2R.

(v -v )(l -I
\ m.!l\ mln/ \ maks
)
mn,
atau P =
8

8.1.L Cacat Harmonis Kedua

Bila watak alih mempunyai kurva dinamis yang tidak linear, maka tegangan
keluaran akan berbeda dengan sinyal masukan. Cacat seperti ini disebut cacat
amplitude atau cacat nonlinear.
Misal kurva dinamis terhadap titik kerja Q dapat dinyatakan dengan prabola
dan bukan garis lurus, maka:
 Bae B Pnrrcuar Dava 147

i. = G,ib + G" ib'z (8.6)

Dengan i. : arrls kolektor sesaat

ib : arus baris sesaat
G,,G, : tetaPan

Bila ragam gelornbang masukan sinusoide:

Ib = Ib* cos ot (8.7)

Maka dengan subtitusi ke Pers. (8.6) diperoleh:

i" = G, Ib. cos t,lf + G2 Ib-2 cos2 tDt

Karena cos2 cot = 7/z + Vz cos 2tot, maka arus total i.:

ic=Ic+ic
= Ic + Bo + B, cos of + 82 cos 2cot

dengan Bo, B, dan B, masing-masing amplitude komponen dc, komponen

frekuensi fundamental, dan komponen harmonis kedua. Bo, B, dan B, dapat
dihitung dari G, dan Cr.
Kesimpulan yang dapat diambil adalah bahwa cacat nonlinear parabolis
menghasilkan:

1. Komponen fundamental yang berfrekuensi sama dengan sinyal masukan

(ro)
2. Suku harmonis kedua frekuensi 2to.
3. Komponen dc.
/ Amplitudo B, B, dan B, untuk resistor beban tertentu dapat dicari da.ri watak
dinamis atau statis. Dari Gambar 8.2 terlihat bahwa:

Bila 0,
cr:t = ic = Imaks
4gJt=n/2 ic = Ic
= Tr
cD ic = Imin (8.9)

Dengan subtitusi ke Pers. (8.8) diperoleh:

Imaks = Ic+Bu+8,,+B,
Ic = Ic + Bo - B, (8.10)
Imin = Ic+Bo-B,+B,
Terlihat bahwa:

Bo = B, (8.11)
Imin)
Br='/, (Imaks - (8.12)
Br= Bu= % Gmaks + Imin-2Ic) (8.13)
148 Er,exraoNrxa DasaR

Cacat harmonis kedua (D") didefinisikan sebagai rasio nilai mutlak dari amplitude
komponen harmonis kedua (Br) terhadap amplitude komponen fundamental (B,):

lBl
D, = ----i-
- lB,l
(8. r{)

8.1.2 Harmonis Yans Lebih Tinsei

Bila ayunan sinyal masukan cukup besar, maka kurrra alih dinamis terhadap titik
Q dapat dinyatakan dengan deret:

ic = G, Ib + G, ib2 + G,, ib3 + Gl iba + ......... (8.15)

Bila Sinyal masukan: ib = Ibm cos wt maka:

ic = Ic + Bn + B, cos cDt + 82 cos 2rot + B. cos 3rot + ......... (8.16) t

Secara grafis dapat dicari koefisien Bo, B,, 82, B., dan B,,.

Bila <ot=0 , ic=Imaks

0ot=fr/3 , ic=Ir,,
11t=n/2 ,ic=Ic (8.I7)
tot=2n/3 , ic=I.r,,
rrlt=7t , ic=Imin
Maka: Bu = 7 /6 (In1aks + 2I1/2+ 2l.r,r_ Imin) - Ic

Br = 1/3 (Imaks n I,,r- I_,r,-Imin)

B, =7/q (Imaks-2Ic+2I-,r,-hnin) (8.18)
Bz = 1/6 (Imaks -21r,. + 2 I,,.,"- Imin)
Bn = 7 /12(Imaks - 41r,. + 6 Ic * 4 I,,,,, + Imin)

Cacat harmonis kedua (Dr), ketiga (D.) dan keempat (D*) didefinisikan sebagai
berikut:
lBl lBl tBl
D,= ' 1 D,= * D, = ', .'' (g.19)
' lB,l lB,l lB,l

8.1.3 Dava Keluaran

Daya yang diberikan pada frekuensi fundamental adalah:

B,]
o,= _7_
R,
(8.20)

Daya keluaran total adalah:

Bae B Pm.rcuar Dava 149

Daya keluaran total adalah:

* . ......)RL/2
P = (B,' + Br2 + Bu,
=(1 +D22+D,r*... )p1 (8.21)

atau

p=(1 +Dr)p,

Dengan cacat total atau factor cacat adalah:

D=VDrr+D.2+Dr2+ (8.22)

8.1.4 Efisiensi Pensuat Dava Kelas A

Efisiensi (4) penguat dava didefenisikan dengan:

Daya sinyal yang diberikan ke beban

n- x 100% (8.23)
Daya dc dari penyedia daya

1/2 B'2 RL
x 100% (8.24)
V.. (I. + Bo + Iu)

Dengan

Vcc : Tegangan catu daya

IB : Arus Prasikap basis
= (Vcc - VBE) / RB

Bila komponen cacat dan arus prasikap basis diabaikan, maka:

'/"v r
' '-x 50v-'9ro
I
n= 100% = (8.25)
V.,. I. V.. I.

Pada penguat daya kelas A terlihat bahwa:

1. Beban menyerap daya dc meskipun tidak ada sinyal, maka efisiensinya

kecil.
2. Sinyal maksimum terjadi pada saat:

Im = Ic dan Vm =1/zYcc

,4
150

Maka daya keluaran maksimum adalah:

P = YzYmlrn = Yq Vcc Ic

Dari Pers. (8.25), efisiensi maksimum adalah:

V.. I c
n'ma\s
= x 100oio=25'/o (8.26)
4 v.. Ia

8.2 Penguat Daya Kelas A Tergandeng

Transformator
Penguat daya kelas A tergendeng transformator (trafo) terlihat pada Cambar 8.4a
sedangkan karateristik keluarannya terlihat pada Gambar 8.4b.
Gauean 8.2

Garis beban dc

/a\
\q/
Untai Penguat daya kelas A
dengan kopling trafo

Beban yang terlihat pada bagian primer trafo adalah R.' yang merupakan cerminan
RL.

rL
-N1(
R,'= 1'R. (8.27)

dengan N1/N2: perbandingan lilitan primer dan sekunder trafo.

Bae 8 Pm.rouan Dava l^

Sinyal keluaran maksimum terjadi pada saat

Im = Vcc / Rr' dan Vm = Vcc (8.28)

Daya ac keluaran maksimum adalah:

P-uk" = l/zYm Im = Vcc2 / (zRL') (8.2e)

Daya dc dari catu daya adalah:

Pdc = Vcc (Ycc / R,-') = Vcc2 ,/ R,_' (8.30)

Maka efisiensi maksimum adaklah:

In.ok, = (P^,uu / Pdc) 100% = 50o/o (8.31)

Terlihat bahwa efisiensi maksimum penguat daya tergandeng trafo dua kali lebih
besar dari pada penguat daya tergandeng langsung.

Contoh 8.1"

Suatu penguat daya kelas A tergandeng trafo terlihat pada Gambar 8.3 berikut.
Arus basis puncak ke puncak (iooo) = 50 mA. Tegangan catu daya (Vcc) = 2ggy.
0 = 100 dan resistans beban \ = 50OO Q. Perbandingan lilitan trafo N1/N2 = 1/15.
Hitunglah:

a) Arus kolektor puncak ke puncak (1.0.)

b) Da1,a yang diberikan ke beban
c) Rugi daya pada resistans emitter Re.
cl) Daya yang dilesap (disipasi) pada transistor
e) Efisiensi

Vcc = 2o0V

Ganagan 8.3
Penguat daya kelas A
R. = 5000Q
tergandeng trafo

Re=2fl

z
;

152 Er-srrxoNrxa Dasan

Solusi

a) Arus kolektor puncak kepuncak adalah:

i.o, = 0 Lro = 100 x 50 mA = 5000 mA = 5 A

b) Beban yang terlihat oleh penguat pada bagian primer trafo adalah:

RL', = (N1/N2)' RL
= (7/75)2 5000 = 22,222Q
Dayapada beban adalah:

p= ( i--
'10 ),R,'
E
=( ", )r.22,22=69,443Waft
2\12 - 2 !2

c) Rugi daya pada resistor emitter

p= ( i('lt )rR, =( -, )r.2=6,25Watt

212 - 2 ^12

d) Daya yang diberikan catu daya adalah:

Pdc = Vcc Ic
Dengan Ic = I.o,/2 = 5/2 = 2,5 A, maka:
Pdc = 200 x2,5 = 500 Watt

e) Daya yang dilesap transitor adalah:

Pc = Pdc - P- Pou = 500 - 69,443 - 6,25 = 424,307 l{att

0 Efisiensi penguat daya:

h = (P / Pdc) 100%
= (69,443/500) 100% = 13,88'h

F,-z
E
Bae B Pmrcua.r Dava 153

8.3 Penguat Dorong-Tarik Kelas B

Penguat dorong tarik (push-pull) kelas B terlihat pada Gambar 8.4a.

;Rr

il

R2
Garvrean 8.4

il
B3
A*,
\-/
R (b)
Sinyal keluaran dengan
adanya cacat persilangan

e"nsru, oorol.'rl-tarik ketas B

Penguat terdiri atas dua transitor Q, dan Q, komplementer (yang satu pnp
dan yang lain npn). Istilah dorong-tarik karena masing-masing transistor dalam
penguat kelas B menghantar pada setengah sikltis sin_val masukan secara
bergantian. Selama setengah siklus positif sinyal masukan, Q1 berprasikap on
dan Q2 berprasikap off, dan selama setengah siklus negatif berikutnya Q1
berprasikap off dan Q2 berprasik ap on . B1La tidak ada sinyal masukan maka kedua
transitor dalam keadaan lengang (quiescent state) dan berprasikap off . Karena
hal tersebut maka efisiensi penguat menjadi tinggi.
Pemrasikapan diperoleh dengan untai pembagi tegangan R1, R2, R3 dan
R4. Bila pemrasikapan tidak sesuai, maka penguat kelas B cenderung mengalami
cacat persilangan (cross-over distortion). Cacat persilangan (Gambar 8.4 b)
ditunjukan dengan adanya garis datar antara setengah siklus sinyal keluaran.
Cacat ini disebabkan oleh adanya periode waktu pendek yang mana kedua
transitor diberi prasikap pada level sedikit di atas cut-off.

8.3.1 Karateristik Kerja Penguat Dorong-Tarik Kelas B

Garis beban dc penguat kelas B dorong-tarik adaiah vertical (Cambar 8.5) pada
Yr, = Ycc/2, karena tegangan antara kolektor dan emitter adalah tetap untuk
arus kolektor sembarang. Caris beban ac mempunyai lereng -1/R. dan memotong
garis beban dc dititik Yrr=Ycc/2R. = V.uo pada ic = 0. Titik potongnya dengan
sumbu i. adalah pada i. = Vs.72Il. Daya kembang (compliance) juga terlihat pada
gambar 8.5, yang mana setiap transistor dapat melakukan transisi penuh dari titik
lengang V.uohingga mendekati 0 Volt.
154 Er-erreoxrxa Dasan

Glye"ry -a-.Q.
Garis beban dan daya
kembang penguat dorong-
tarik kelas B

V. - V-

I
I

-.t'l

8.3.2 Efisiensi Penguat Daya Kelas B

Efisiensi penguat daya kelas B dihitung sebagai berikut:

Misalkan arus beban puncak adalah Im, maka tegangan beban puncak adalah:

Vm=ImRr (8. 32)

Daya keluaran adalah:

P =Yz Im Vm (8. 33)

Arus dc masing-masing transitor dengan adanya beban adalah :

Idc=Im /n (8. 34)

Daya dari penyedia daya adalah:

Pdc=2ImVcc /n (8. 3s)

Faktor 2pada Pers. (8.35) karena menggunakan dua transitor.

 Baa 8 Pmcrrar Dava 155

Efisiensinya adalah:

,l= P xloo%= n vm x 1oo% (8.36)

Pi 4 V..
Efisiensi rnaksimum tercapai bila Vm = Vcc, maka:

I^ok, = 25 xok = 78,5o/o (8' 37)

8.3.3 Lesaoan Dava

Daya terlesap (terdisipasi) Pc adalah dava masukan ke untai kolektor dikurangi

daya kebeban:

Pc= Pdc-P
= 2Im Ycc /n - % Im Vm (8.38)

Karena Im = Vm I R., maka:

v. v..
p, = -?- - v- (g.39)
r R, 2R,

Terlihat bahrt'a Pc = 0 rrntuk Vm = 0

Untuk Vm = 2 Ycc /n maka daya terselap maksimum, yaitu:

Pc(maks)=2Vcc2 / (n'zI<t) (8.40)

r Daya beban maksimum (Pmaks) diperoleh bila Vm = Vcc, maka:

Pmaks =YzYcc2 / Rt (8.41)

Sehingga hubungan antara daya terselap maksimum dengan daya beban

rnaksimum adalah:

Pc(maks) = (4/n')) Pmaks = 0,4 Pmaks (8.42)

8.3.4 Cacat Pada Penguat Dorong Tarik Kelas B

Pada Penguat daya dorong-iarik kelas B (lihat Gambar 8.4) bila watak alih
(hubungan antara arus kolektor dengan arusbasis) tidak linear, maka arus kolektor
Q1 dan Q2 adalah:
i., = Ic + B, + B, cos ot + B, cos 2rot + B, cos 3rot + ........ (8.43)

-/
156 ELEKTRoNTI.A Dasan

i", (cot) = i., (cot + n) (bila Q, dan Q, sepadan)

- 81 cos (tot + n) + 82 cos 2(cot + fi)+ ".'...
Ic + Bo +
= Ic + Bo-B, cos tDt + 82 cos 2tot-B, cos 3trtt + "'""' (8.44)

Arus pada beban adalah:

lt- =1.1-1.2
=z(\cos0)t+B.cos3rot+ . ...'. "' "') (8.4s)

Dari Pers. (8.45) terlihat bahwa penguat dorong-tarik menghilangkan harmonis

genap. Sehingga sumber cacat terutama disebabkan oleh suku harmonis ketiga
(UU et danQZ identik). Bila Q1 dan Q2 tidak identik maka akan timbul juga
suku-suku harmonis genaP'

8.4 Penguat Kelas AB

Penguat kelas B dengan prasikap pembagi tegangan memptrnyai dua masalah:
1. Cacat persilangan dapat terjadi
2. Dapat timbul rentetan termal (thermal runaway)
Untai prisikap yang sering digunakan untuk menghilangkan cacat persilangan
dan rentetan termal adalah prasikap diode (Gambar 8.6). Untai prasikap ini
menggunakan dua diode D1 dan D2 untuk menggantikan resistor R, dan R., antara
basis kedua transistor. Kedua diode tersebut merupakan diode kompensasi untuk
menyepadani karateristik nila Vou kedua transistor. Karena kedua diode tersebut
menghintarkan arus, maka penurunan tegangan pada kedua diode adalah =
2x V, = 2x0,7 Y = 1,4 Volt
dengan V.: tegangan maju diode (untuk diode Siliko^ Y. = 0,7-Volt)
Penurunan tegangan antara basisi transistor Q1 dan Q2 adalah sama dengan
penurunan tegangan pada kedua diode D1 dan D2:

Vu., * V.u, = 1,4 Volt

Bila kedua transistor sepadan maka:

Vu., *= - Vur, = 0,7 Volt

sehingga kedua transistor menghantar meskipun sinyal masukan 0 volt.

 Bae B Pm.rcuar Dava

_ $1naea5.8.6
Penguat daya kelas AB

terdapat sinyal masukan sinusoide, maka arus transistor dan arus

beban
terlihat pada Gamb ar 8.7.

(a)
Ragam gelombang Sinyal
masukkan

Genaean 8.7

(b)
Arus kolektor O1

(c)
Arus kolektor Q2

(d)
Arus beban

4
I
Er,ffiTRoNrl<A Dasan
158

Terlihat bahw setiap transistor menghantar lebiha dari setengah siklus sinyal
masukan, sehingga penguat diklasifikaikan sebagai penguat kelas AB.
Analisis tegangan prasikap pada penguat kelas AB (Gambar 8.6) adalah
sebagai berikut. Tegangan pada resistor R, dan R, adalah:

* Volt (8.46)
Vo, Vo, = Vcc - 1,4

Tegangan pada basis Q, adalah:

R,
1V.. - Volt) (8.47)
V*. = _--i- 1,4
R,+R,

Tegangan pada basisi Q, adalah:

Vu, = Vu, + 1,4 Volt (8.48)

Bila R, = Rz, maka dari Pers. (8.47) diperoleh:

Yrr=Ycc/2 - 0,7 volt (8.4e)

Bila kedua transistor sepadan, maka tegangan titik lengang Vc.Q = Ycc/2, ehingga:

Vr, = V..e Volt (8.4e)

- 0,7

dan Vu, = V..e + 0,7 Voit (8.s0)

Terlihat bahwa transistor Q, dan Q, akan mendapat prasikap dengan benar dan
tidak tergantung nilai resistor, bila R, = Rr.
Penguat kelas AB lebih banyak digunakan dari kelas B. Kecuali untai
pemrasikipannya, penguat kelas B dan kelas AB adalah identik, dan umttmnya
keduanya disebut penguat kelas B.

Contoh 8.2

Untai berikut (Gambar 8.8) adalah penguat daya kelas B. Transistor Q, dan Q.
adalah sepadan dengan 0 = hfe = 150' Transistor Q, mempunvai 0 = hfe = 50

a) Hitunglah arus, lengang cli semua resistor dan terrtukan nilai R3 sehingga
I v.r.l = lv.r,l
b) Hit-tiirg dayimaksimum yang dapatr diberikan kebeban speaker 4 e2.
bila resistans keluaran penguat daya diabaikan'
Bae 8 Pmcrrar Dava

Garvrean 8.8
Penguat daya kelas 5
dengan beban speake'
fr,
,.1

1", ,tt'l
+t/

Solusi

a) Bila transistor Q2 dan Q3 sepadan maka tegangan titik lengang pada emit-
ter Q2 dan Q3 adalah:

Vcro=Ycc/2=6/2=3Volt

Tegangan pada basis transistor Q1, Q2 dan Q3 adalah:

Vu, = 0'7 Volt

Vr, = V.ro r 0,7 = 3 + 0,7 = 3,7 Volt
Vr, = V.rq -0,7 = 3 - 0,7 = 2,3 Volt

Arus pada resistor R1, R2 dan R4 adalah:

11 = (V,,,-VB,) /R1 =(3,7 -0,7) / 720000=250.106A = 250pA

12 = Vs, / R2 = 0,7 /8200 = 85,365.10-6 A = 85,356 pA
14 = (Vr, -VBJ/R4 = (3,7 - 2,3) /220 = 0,006 . 10r A = 6 mA

Arus basis dan kolektor dari Q1 adalah:

Iu, = 11 - 12 = 250 - 85,365 = 764,635 ltA

I., = 0 Iu, = 50 x 164,635 = 8237 pA = 8,231 mA
/

160 Er,exrnoNrxa DasaR

Arus basis Q3 dan Q2:

Iu, = I., -I'+= 8'23\ - 6 = 2'237 rnA

Iu, = Io, = 2,237 mA (karena Q2 dan Q3 sepadan)

Arus pada resistor R3 adalah:

13 = 11 + 14 + Iu, = 0,250 + 6 + 2,237 = 8,481 mA

Resistor R3 dapat ditentukan dengan:

R3 = (Vcc 'VBr)/I3 = (6 -3,7) /8,481= 0,277KA = 271t).

b) Arus beban puncak adalah:

Ip ='/, Y6ql(Ro + Rt)

dengan R0: resistans keluaran penguat daya.

Bila resistans keluaran penguat daya diabaikan, maka arus beban puncak:

Ip ='/, Vcc/R. = 3/t = 0,75 A

Daya beban maksimum adalah:

Pmaks = 1/zlp2 \ = U x 0,752 x 4 = 7,1.25 W att

Latihan

Gambarkan untai penguat daya dorong-tarik kelas B dalam konfigurasi kolektor

bersama

a) Dengan trafo keluaran

b) Tanpa trafo keluaran

Jawab:

(a)
Bzre B pmrcuar Daya
16''!

(b)
 LarlHAN soAL

i" (mA)

30

25

20
800 prA

IE
600 pA

10
400 pA

5
200 pA

le=0FA
t
i
164 Elcxreoxrm Dasan

P E,RTANYAAN'. DAN',SOAL

BAB 1 Dasar Semikonduktor

Pertanvaan :

1. Jelaskan Modei Bohr untuk atom ?

2. Bagaimana hubungan antara jumlah electron vaiensi dan konduktifitas atom ?

3. Jelaskan hukum dasar tentang relasi antara elektron dan kulit orbit ?
4. Sebutkan tiga elemen semikonduktor yang digunakan untuk devais elektronika ?
5. Apakah yang dimaksud dengan celah tenaga ?
6. Berapakah besar celah tenaga pada konduktor, semikonduktor, dan konduktor ?
7. Apakah arti elektron dalam keadaan terangsang ?
8. Bagaimana tenaga dalam bentuk cahaya dan panas dihasilkan oleh elektron yang ,
terangsang ?
9. Bagaimana terjadinya elektron bebas pada semikonduktor intrinsik ?
10. Bagaimana terjadinya lubang (hole) ?
11. ]elaskan mekanisme konduksi oleh lubang ?
12. Bagaimanakah relasi antara suhu dan konduktivitas pada semikonduktor intrinsik ?
13. Apakah arti doping ?

14. Bagaimana memperoleh semikonduktor tipe p ?

15. Apakah arti atom donor ?
16. Apakah perbedaan antara semikonduktor intrinsik dan semikonduktor tipe n ?
17. Bandingkan konduktivitas semikonduktor inkinsik dan semikonduktor tipe n ?
18. Bagaimanakah memperoleh semikonduktor tipe n ?
19. Apakah arti atom akseptor ?
20. Bandingkan konduktivitas semikonduktor intrinsik dan semikondr.rktor tipe p ?
21. Bagaimanakah penghantaran arus secara difusi dan drift te4adi didalam
semikonduktor ?
22. Bagarmana terjadinya medan elektris pada doping tidak merata ?
23. Bagaimana terjadinya potensial kontak pada sambungan antara semikonduktor tipe
p dan tipe n ?

Soal :

1. Pada 300 K germanium mempunyai konsentrasi intrinsik 2,5x10r3 cm-]. Mobilitas

elektron dan lubang masing-masing 3800 cm2/V.s dan 1800 cm2/V.s. Diketahui
muatan elektron (q) adalah 1,6x10-1e C.
a. Hitunglah resistifitas germanium.
b. Bila impuritas tipe donor ditambahkan hingga 1 atom per 1ff atom
germanium, hitunglah resistifitas sekarang.
c. Bahan semikonduktor tipe apa yang terjadi ?

\
I-.rrlrsarg Soar. 165

2. Pada 300 K suatu bahan silicon mempunyai konsentrasi intrinsik 1,5x10 10 cm-3
diberi doping bahan phospor sebesar 1,5x1010 atom/cm3. Hitunglah kosentrasi
elektron dan lubang.

BAB 2 Diode

Pertanvaan :

i. Apakah arti daerah deplesi ?

2. Bagaimanakah terjadinya daerah deplesi pada sambungan pn ?
3. Bagaimanakah terjadinya potensial penghalang pada sambungan pn ?
4. Bagaimanakah pengaruh prasikap maju terhadap potensial penghalang ?
5. Mengapa terjadi aliran arus pada saat diode diberi prasikap maju ?
6. Bagaimana pengaruh prasikap balik terhadap potensial penghalang ?
7. Bagaimana pengaruh prasikap balik terhadap aliran arus pada diode ?
8. Tulislah persamaan arus-tegangan pada diode pn ?
9. Gambarkan kurve arus-tegangan pada diode pn ?
10. Berapakah besarnya tegangan ambang untuk diode germanium dan silikon ?
1tr. Bila tegangan terus diperbesar, apakah yang akan terjadi ?
12. Bagaimanakah pengaruh suhu terhadap arus balik jenuh pada diode ?
13. Pada arus konstary bagaimanakah pengaruh suhu terhadap tegangan diode ?
14. Bagaimanakah pengaruh suhu terhadap resistans dinamis diode ?
15. Bagaimanakah pengaruh arus terhadap resistans dinamis ?
16. Bagaimanakah pengaruh lebar daerah deplesi terhadap kapasitans transisi ?
17. Gambarkan kurve konsentrasi pembawa minoritas sebagai fungsi jarak dari
sambungan pn yang diberi prasikap maju ?
18. Gambarkan kurve konsentrasi pembawa minoritas sebagai fungsi jarak dari
sambungan pn yang diberi prasikap balik ?
19. Bagaimanakah pengaruh arus dc terhadap kapasitans difusi ?
20. Bandingkan kapasitans transisi dan kapasitans difusi untuk diode berprasikap maju
dan baiik ?
21. Bagaimanakah diode zener dapat digunakan untuk mempertahankan tegangan
yang konstan ?

Soal :

1. Pada suhu kamar (300 K), suatu diode silikon menghantarkan arus 5 mA pada
tegangan 0,7 V. diasumsikan 11 = 2.
a. Hitunglah arus balik jenuh Io.
b. Bila tegangan dinaikkan menjadi 0,8 V, hitunglah arus diode.
c. Bila tegangan dianaikkan lagi menjadi09 V, Hitunglah arus diode.
d. Gambarkan kurve (pendekatan) arus-tegangan dari diode tersebut,
/

166 Er-rxrnoxrxa Dasan

2. Suatu diode germanium pada suhu kamar mempunyai resistans statis r. = 4,57 Q
pada arus diode I = 43,8 mA.
a. Hitunglah tegangan diode : V = I.r.
b. Hitunglah arus balik jenuh diode.
c. Hitunglah resistans dinamis r, pada tegangan maju 0,1 V.
d. Hitr-rnglah juga resistans dinamis pada tegangan maju 0,3 V.
e. Bagaimanakah hubungan resistans dinamis terhadap tegangan maju ?

Bab 3 Untai Diode

Pertanvaan
+ :

1. Apakah garis beban pada untai diode resistor ?

2. Apakah watak statis diode ?
3. Apakah watak dinamis pada untai diode resistor dan bagaimana memperolehnya ? '
4. Apakah watak transfer pada untai diode resistor dan bagaimana memperolehnya ?
5. Apakah watak diode potongan linear ?
6. Apakah penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh ?
7. Bagaimanakah memperoleh arus rerata dan arus rms (efektif) pada untai penyearah
?

B. Bagaimanakah hubungan arus penyearah setengah gelombang dan penyearah

gelombang penuh ?
9. Apakah regulasi tegangan ?
10. Apakah perbedaan model Thevenin antara penyearah setengah gelombang dan
penyearah gelombang penuh ?
11. Apakah fungsi tapis kapasitor pada untai penyearah ?
12. Bagaimanakah diode zener dapat digunakan untuk regulasi tegangan ?

Soal :

1. Penyearah setengah gelombang dengan beban resistor Rr = 98 Q diberi tegangan

masukan sinusiode vi = 3 sin cot seperti terlihat pada Gambar 3.1. Bila diode
mempunyai tegangan ambang Yf = 0,6 Volt dan resistans maju Rf = 15 Q,
gambarkan ragam gelombang arus diode.

2. Hitunglah arus puncak diode pada soal1.

3. Berapakah sudut hantar diode pada soal 1.

4. Berapakah tegangan puncak diode pada setengah siklus pertama dan kedua dari
soal 1.

i:
I-.ArrHAN SoAL tb,

5. suatu penyearah jembatan gelombang penuh dengan beban Rr. Gambarkan ragam
gelombang tegangan beban dan arus diode sebagai fungsi walitu bila tegangan
masukan vi = Vmaks sin cot.

Penyearah soal 5 diatas diberi tegangan masukan sinusoide Vi = 6 Volt (rms)

dengan frekuensi 50 Hz. Resistans beban adalah 1 KQ dan resistans maju diode Rf
diabaikan. Hitunglah:
a. Im
b. ldc
c. Irms
d. Vdc

7. Bila penyearah gelombang penuh soal 5 di atas ditambahkan tapis kapasitor C,

gambarkan untainya, ragam gelombang keluaran, dan arus diode.

8. Bila Vdc pada soal 7 adalah 7,2Yolt, hitunglah nilai kapasitor tapisnya.

9. Bila tegangan zener dari suatu diode zener adalah 5,5 Volt digunakan untuk
mengatur tegangan pada soal B diatas, rancangiah regulator tegangan yang
memberikan tegangan teregulasi sebesar 5,6 Volt untuk arus diode zener dari 2
sampai dengan 10 mA.

Bab 4 Transitor

Pertanvaan:

l. Apakah perbedaan antara transitor sarnbungan bipolar (BJT) dan transitor efek
medan / FET (transitor unipolar) mengenai jemis pembawa muatannya ?
2. Apakah perbedaan simbol transitor pnp dan npn ?
3. Pada transitor terbtika (tidak diberi prasikap), gambarkan kurve potensial
penghalang dan konsentrasipembawa minoritas sebagai fungsi jar:ak daari
sambungan ?
4. Bagaimanakah pengaruh prasikap Blr didaerah aktif terhadap potensiai
penghalang dan pembawa minoritas pada pertanyaan 4 ?
5. Definisikan peroleh arlls s dan mengapa nilainya kurang dari satu ?
6. Definisikan peroleh arus p dan mengapa nilainya jauh lebih besar dari satu ?
7. N4engapa arus kolektor tergantung pada suhu ?
8. Cambarkan kurve karateristik kolektor dengan arus basis sebagai parameter ?
9. Di manakah letak daerah jenuh, aktif, dan utt-off pada kurve karateristik kolektor dari
pertanyaan 9 ?
10. Bagaimana memperoleh prasikap didaerah jenuh, aktif, dan aLt-off ?
11. Gambarkan kurve karateristik basis dengan tegangan kolektor emitter sebegai
parameter ?
12. Bagaimanakah pengaruh suhu terhadap nilai p ?
13' Apakah yang harus dipertimbangkan dalam pemilihan titik kerja transitor ?
I
168 Er,exrRourxa. Desan

14. Mengapa garis beban ac mempunyai lereng yang lebih curam dibandingkan
dengan garis beban dc ?
15. Sebutkan beberapa kekurangan prasikap basis ?
16. Mengapa prasikap emitter lebih stabil; terhadap perubahan B dan suhu ?
17. Mengapa prasikap umpan balik kolektor relatif stabil terhadap perubahan B dan
suhu ?
18. Bagaimana memperoleh parameter hybrid (hie, hre, hfe, dan hoe) pada transitor ?
19. Bandingkan konfigurasi CE, CC, dan CB mengenai peroleh tegangan, peroleh arus,
resistans masukan dan resistans keluaran ?

Soal:

1. Suatu tarnsitor mempunyai hie = 2,1 KQ, hfe = 100, hre dan hoe diabaikan.
Bila transitor dikonfigurasikan sebagai penguat CE seperti Gambar 4.16 dengan Rc
= 1 KQ, Rs = 100 e), R1 = 100 KO dan R2 = 10 KQ . Hitunglah :
a. Ai dan Ai'
b. Ri dan Ri'
c. Av
d. Avs
e. Ro danRo'
2. Bila transitor pada soal 1 digunakan untuk penguat CC seperti pada Gambar 4.77
dengan R1 = 50 KO, R2 = 5 KQ dan \ = 1 KQ, hitunglah:
a. Ai dan Ai'
b. Ri dan Ri'
c. Av
d. Avs
e. RodanRo'
3. Bila transitor pada soal 1 digunakan untuk penguat CB seperti Gambar 4.19 dengan
Rr = 1KQ dan Rc = 10 KQ. Hitunglah:
a. Ri dan Ri'
b. Ai dan Ai'
c. Av
d. RodanRo'

Bab 5 Transistor Efek Medan

Pertanvaan :

1. Bagaimanakah perbedaan kontruksi ]FET dan transistor bipolar ?

2. Gambarkan struktur dasar }FET kanal p dan kanal n ?

3. Bagaimanakah prinsip operasi JFET ?
I-,arrIraN SOa:- 169

4. Bagaimanakah mengendalikan lebar kanal ?

5. Apakah arti tegangah pinch-Of.f (Vp) ?
6. Bagaimanakah pengaruh kenaikkantegangan drain-source (V*) terhadap arus
drain (Ir) t'ila tr;< V'. dan VD6 > Vo ?
7. Jelaskan pengprtiafi tegangan urt-off gate-source ( V"r,.u, ) ?
8. Bagaimanakah relasi antara Vp dan V"r,ou, ?
9. |elaskan pengertian arus drain dengan tegangan gate-source dihubung singkat
(I*r).
10. Bagaimanakah relasi Io dan Irr, ?
11. Mengapa prasikap gate tidak stabil bila I*. bervariasi antara nilai minimum dan
maksimumnya ?
12. Umumnya digunakan untuk apakah prasikap gate ?
13. Bagimanakah memperoleh tegangan gate-source yang negatif pada prasikap diri ?

14. Bandingkan prasikap gate dan prasikap diri mengenai kestabilan Io atau V., ?
15. Mengapa prasikap pembagi tegangan memberikan Io yang lebih stabil
dibandingkan prasikap diri dan prasikap gate ?
16. Mengapa prasikap sumber arus memberikan arus drain yang paling stabii
dibandingkan dengan prasikap yang lain ?
17. Apakah perbedaan antara JFET dan IvIOSFET ?
18. Apakah perbedaan konstruksi antara D-MOSFET dan E-MOSFET ?
19. Apakah substrat dan bagairnana sirnbolnya ?
20. Bagaimanakah perbedaan mode operasi antara D-MOSFET dan E-MOSFET ?
21. Bagaimanakah terjadinya pelebaran kanal pada mode operasi enhancemen f untuk D-
MOSFET ?

22. Bagaimanakah memperoleh prasikap zero untuk D-MOSFET ?

23. Mengapa tegangan gate pada E-MOSFET harus positif terhadap source ?
24. Bagaimanakah memperoleh prasikap V"o positif pada E-MOSFET ?
25. Bagaimanakah rumus yang menyatakan hubungan antara Io dan V", pada E-
MOSFET ?

26. Apakah perbedaan antara penguat FET dan penguat BIT ?

Soal :

1" Stratu penguat CS seperti terlihat pada Gamb ar 5.79 menggunakan ]FET dengan
parameter gm = 2500 pS dan rd = 8 KQ. Resistor drain Ro = 10 KQ dan resistor
beban R. = 15 KQ. Resistor R1 = 1.2KQ dan R2 = 3 KQ. Hitunglah:
a. Av
b. Ri
c. Ro
2. Suatu penguat CD seperti terlihat pada Gambar 5.20 menggunakan ]FET dengan
parameter gm = 2500 pS dan rd = 8 KQ, R1 -- 72K[L,R2 = 3 KQ dan Rs = 1 KQ.
Lewat kapasitor kopling C ditambahkan beban R. = 270 f) ke source. Hitunglah :
a. Av
b. Ri
c. Ro

-a
170 Er-sr<rnoNrr<a Dasan

3. Suatu penguat CG seperti terlihat pada Gambar 5.22 menggunakan JFET dengan
parameter gm = 2500 pS dan rd = 8 KQ. Resistor drain Ro = 1 KQ dan resistor
source Rs = 1,2 Kf2. Diberikan resistor beban R, = 1,5 KQ. Hitunglah :
a. Av
b. Ri
c. Ro

Bab 6 Penguat Operasional

Pertanvaan :

1. Apakah penguat operasionai (Op Amp) ?

2. Terdiri atas apakah Op Amp ?
3. Bagaimanakah hubungan polaritas antara sinyal keluaran dan sinval masukan
inverting ?
4. Apakah penguat diferensial ?
5. Apakah rasio penolakan mode bersama (CMRR) pada penguat diferensial ?
6. Bagaimana mengukur peroleh bedaan (Ad) dan peroleh mode bersama (Ac) ?
7. Bagaimanakah menghitung Ad dan Ac pada penguat diferensial tergandeng
emitter ?
8. Apakah keunggulan penguat diferensial dengan arus konstan ?
9. Bagaimanakah karateristik Op Amp ideal ?
10. Sebutkan spesifikasi yang digunakan pada Op Amp riil ?
11. Apakah tegangan ingsutan (offset) masukan dan tegangan ingsutan keluaran ?
i2. Apakah arus prasikap masukan ?
13. Apakah arus ingsutan masukan ?
14. Apakah hanyutan (drift) tegangan ingsutan masukan ?
15. Apakah sinyai mode bersama ?
16. Mengapa CMRR pada Op Amp diinginkan cukup tinggi ?
17. Apakah lebar-bidang daya penuh ?
18. Apakah rasio penolakan catu daya?
19. Apakah laju ayunan (slew rate) dan membatasi apakah laju ayunan ?
20. Apakah peroleh kalang terbuka dan peroleh kalang tertutup ?
21. Apakah frekuensi perolehan satu (f,n,u) ?
22. Apakahproduk peroleh lebar-bidang'(GBP) dan apa hubungannva dengan f,,,.,,. ?
23. Dapat digunakan untuk menentukan apakah GBP ?
24. Bagaimanakah hubungan antara perolehan Op Amp dengan lebar-bidang
frekuensi ?
25. Apakah integrator dan diferensiator ?
26. Apakah integrator merugi (lossy) ?
27. Pada frekuensi berapakah integrator mulai kehilangan sifat integrasi ?
28" Pada frekuensi berapakah diferensiator mulai kehilangan sifat diferensiasi ?
Lmruar.r Soa:- 171

Soal :

1. Untuk penguat diferensial tergandeng emiter Gambar 6.3, diasumsikan bahwa

Rs = 0, hoe (Rc + 2 Re) << 1, hfe >> 1, dan hie<<2 Re hfe. Bagaimanakah ekspresi
pendekatan untuk CMRR (p) ?

2. suatu op Amp mempunyai GBP = 25MHZ. Tentukan lebar-bidang (BW) devais

bila A., = 40 dB.

3. suatu penguat inverting seperti pada Gambar 6.10. op Amp yang digunakan
mempunyai spsesifikasi sebagai berikut : A.r,_ = 180 000, Zin = 2M{\ Zout = 50 Q laju
ayunan (slew rate) 0,75Y /'1.s. Vin = 100 mvpp. CMRRop,t,.o= 160 dB. R2 = 150 KQ,
R1 = 1,5 KQ. Hitunglah:
a. Peroieh kalang tertutup penguat (A..).
b. Peroleh mode bersama Op Amp (A.",).
c. CMRR untai.
d. Impedans masukan untai.
e. Impedans keluaran untai.
f. Tegangan keluaran puncak (Vop).
g. Frekuensi maksimum f,,."r..
Suatu integrator seperti pada Gambar 6.16, mempunyai Ri = 1,5 Kf), Cf = 0,01 FF,
Rf = 220 Kf2.
a. Tentukan frekuensi ctrt-off.
b. Dibart'ah frekuensi minimum berapakah keluaran integrator mulai kehilangan
sifat integrasinva ?
Pettrr-rjuk : Dibarvah frekuensi minimum reaktans Cf tebih besar dari pada
0,1 x Rf sehingga fn.,n = 10 / (2nRf Cf).

5. Sr.ratu diferensiator sepeti terlihat pada Gambar 6.17 dengan Ci = 0,01 pF, Rf = 10 Ka.
a. Tentukan frekuensi cttt-ot'f
.

b. Di atas frekuensi maksimum berapakah diferensiator mulai kehiiangan sifat

diferensiasinya ?
Peiunjuk : Di atas frekuensi maksimum reaktans Ci<0,1 Rf sehingga f-.,u. =
1/ ( 20 n Rf Ci).

Bab 7 Osilator

Pertanvaan :

1. Apakah osilator ?
2. Sebutkan beberapa jenis osiiator menurut ragam gelombang yang dihasilkan ?
3. Bagaimanakah prinsip kerja osilator ?
1. Bagaimanakah kriteria Barkhausen untuk terjadinya osilasi ?
 172 Er.axrRoNrx;c Da*san

5. Bagaimanakah pengaruh nilai peroleh kalang AB terhadap terjadinya osilasi ?

6. Bagaimanakah prinsip kerja osilator geser fase ?
7. Apakah fungsi umpan balik positif dan negatif pada osilator jembatan Wien ?
8. Mengapa frekuensi kerja osilator jembatan Wien terbatas ?
9. Apakah perbedaan antara osilator Hartley dan Colpitts ?
10. Apakah kekurangan osilator Hartley dan Colpitts ?
11. Apakah kekurangan osilator kovensional dibandingkan dengan osilator terkendaii
kristal ?

12. Mengapa osilator terkendali kristal stabil terhadap perubahan waktu dan suhu ?
13. Apakah efek piezoelektris ?
14. Sebutkan tiga jenis kristal yang digunakan untuk osilator, dan manakah yang paling
banyak digunakan ?
15. Bagaimana prinsip kerja osilator terkendali kristal ?
16. Mengapa frekuensi resonans parallel fp hampir sama dengan frekuensi resonanseri
fs?
17. Mengapa osilator Colpitts terkendali kristal hanya berosilasi pada frekuensi fp ?

Soal :

1. Suatu osilator jembatan Wien seperti terlihat pada Gambar 7.4 mempunyai R = 3 KO,
C = 0,01 nF, dan R2 = 10 KQ.
a. Tentukan frekuensi kerjanya.
b. Tentukan R3 dan R4 agar bila keluaran osilator lebih besar dari 0,7 V maka
R1 / RZ = 1,9 tetapibila keluaran osilator lebih kecil dari0,7 V maka R1/R2 =
Z,L.

2. Stratu osilator Hartley seperti pada Cambar 7.7a mempunyaiL2 = 10 mH, L1 = 0,1 mH,
dan C3 = 0,01 rtF. Tentukan :
a. Frekuensi keganya.
b. Nilai peroleh (gain) A darr factor umpan balik B.

3. Suatu osilator Collpitts seperti pada Gambar 7.7b mempunyai C2 = 0,01 pF, C1 = 0,1 pF,
L3 = 47 mH. Tentukan:
a. Frekuensi kerjanya.
b. Nilai peoleh A dan factor umpan balik B.
4. Snatu kristal mempunyai Ce = 3,5 pF, Cc = 0,0235 pF, L = 737 H, dan R = 15 KW.
a. Tentukan frekuensi resonans parallel cop dan frekuensi resonans seri cos.
b. Bila Ce>>Cc, tunjukkan bahwa op = os.
c. Tentukan factor kualitas Q.

;-\_
L.arrrrarrr Sox, 173

Bab 8 Penguat Daya

Pertanvaan :

1. Apakahpenguat daya?
2. Sebutkan dan jelaskan kelas penguat berdasarkan titik kerjanya ?
3. Apakah cacat harmonis ?
4 Berapakah efisiensi maksimum penguat daya kelas A tergandeng langsung ?
5. Berapakah efisiensi maksimum penguat daya kelas A tergandeng trafo ?
6. Apakah penguat daya dorong-tarik (push-pull) kelas B ?
7. Berapakah efisiensi maksimum penguat daya dorong-tarik kelas B ?
8. Bagaimana penguat daya dorong-tarik kelas B dapat menghilangkan harmonis genp ?
9. Apakah cacat persilangan (cross over) ?
10. Bagaimana Penguat daya dorong-tarik kelas B dapat menimbulkan cacat persilangan.
11. Bagaimana Penguat daya dorong-tarik kelas AB dapat menghilangkan cact
persilangan ?

Soal :

1. Suatu penguat daya kelas A tergandeng RC dengan karateristik transistornya terlihat

pada Gambar berikut :

i" (mA)

a. Hitunglah arus pada untai basis : 11 = Vcc / (R1 + R2)

b. Hitunglah tegangan basis : V, = 11 R2
c. Hitunglah emitter : V, = Vu - 0,7 V
d. Hitunglah arus kolektor pada titik kerja Q I.q = V. / Ru
e. Hitung tegangan kolektor-emitter pada titik' kerja Q , V.ro - Vcc - I.o (Rc + Ru)
 174 Er,sxrRoxtr.a Das.qn

f. Gambarkan garis beban dc dengan lereng - 1 / (R. + Rc) dan tentukan titik
kerja Q
g. Gambarkan garis beban ac dengan lereng - 1 / (R. + Rc / / Rr) yang melewati
titik kerya Q
h. Tentukan daya kembang (compliance) VcEo. secara grafis pada gari.s beban ac
i. Hitung daya beban : P, = V..o.: / (8 RL)
j. Hitung daya dc dari penyedia'daya : Pdc = Vcc (I1 + I.o)
k. Hitung efisiensi penguat daya : I = (PL / Pdc) 100%

Suatu penguat daya kelas A tergandeng trafo dengan karateristik transitornya teriihat
pada Cambar berikut :

i" (mA)

RL 250
4A

N 4 1tr^
1Q, '=-
N. 1

100

V" (Volt)

a. Tentukan arus kolektor pada titik kerja I.o

b. Hitunglah V..e = Vcc - I.uo (R. + Rw)
Dengan Rw : resistans kumparan primer trafo
C. Gambarkan garis beban dc dengan lereng -i / (R. + Rw)
d. Hitungiah resistans beban yang tercermin ke bagian primer trafo (Rr')
e. Bila amplittrde tegangan sinyal keluararr = AV.o S Vcro, Tentukan amplitude
arus sinyal :AIc = AV.E / Rr'
f. Tentukan arus kolektor maksimurn i Ic.,r. = Ico + AIc
g Gambarkan garis beban ac dengan menarik garis dari titik lc",.r. melewati
titik Q
h. Tentukan VcEn,nk. ddfl Vcrn,,n berdasarkan pada perpotongan antara garis beban
ac dengan kurve lu,,,n dan Io-nr.
i. Tentukan daya kembang , V.uoo = VcE*,.k. - Vce..in
l. Hitunglah tegangan puncak ke puncak pada beban: Vpp = (N2/N1) Vcrp,.
k. Hitunglah daya beban maksimumi PL-nt. = Vpp' / ( 8 RL)
1. Hitungiah daya dari penyedia daya : Pdc = Vcc (J.o + 11)
m. Hitung efisiensi dari penguat daya tersebut

a
IarrrraN Sozu- 175

3. Suatu penguat daya kelas B seperti pada Gambar 8.4a dengan Vcc = 12 V, R,- = 8Q,
R1 = R4 = 1,2KQ, R1 = R3 = 160 Q.
a. Hitunglah arus kolektor jenuh : Ic(sat) = Vcc/(2R,.)
b. Hiturrglah tegangan cut-off kolektor-emitter: V..,.,,, = Ycc/2
c. Gambarkan garis beban dc dan garis beban ac.
cl. Tentukan daya kembang : V.ro.. = Vcc
e. Hitunglah daya beban
f. Hitunglah artls rerata pada kedua transitor
g. Hitung daya dari penyedia daya
h. Hitung efisiensi penguat daya tersebut.
l---
I

176 Ererrnoxrxa Dasan

I
I

JAW^BAN'$O, NIKfiD

Bab '1 Dasar Semikonduktor

1. a. Resistifitas = 44,642 92.cm
b. Resistifitas = 3,73 Q.cm
c. tipe n
Konsentrasi electron : n = 1011 elektron. cm''
Konsentrasi lubang I P = 225.107 lubang. cm-3

Bab 2 Diode
1. a. Arus balik jenuir : Io = 7,L27 nA
b. Arus diode = 34,205 mA
c. Arus diode = 234,01.3 rnA
2. a. Tegangan diode = 0,200 V
b. Arus balik jenuh diode : Io = 79,996 ttA
c. Resistans dinamis : t d = 27,77 I
d. Resistans dinamis : rd = 0,012 Q

Bab 3 Untai Diode

1. Lihat Gambar 3.7b
2. Im = 3mA
3' 0 = 11,536o
4. Tegangan diode pada setengah siklus pertama = 45 mV dan pada setengah siklus
kedua = -3 V
q Lihat Gambar 3.10
6. a. Im = 8,4 mA
b.Idc = 5,347 mA
c.Irms=6mA
d.Vdc=6Volt
7. Lihat Gambar 3.72 dan Gambar 3.13
8. C = 22,279 ltF

C
I-,alltranr Soan 177

Bab 4 Transistor
1. a. Ai = -100 dan Ai' =
-87,233
b. Ri = 2,7Ko- dan Ri'= 1,705 KQ
c.Av=-47,679
d.Avs=-44,980
e. Ro = - dan Ro'= 1 KQ
a. Ai = 101 dan Ai' = 68,397 KQ
b. Ri = 103,1 KQ dan Ri'= 4,353 KQ
c. Av = 0,979
d. Ro = 0,708 KQ dan Ro'= 0,415 KQ
J. a. Ri = 20,7 I dan Ri' = 20,280 Q
b. Ai = 0,990 dan Ai' = 0,969
c. Av = 47,679Kf2
d=Ro=- dan Ro'=1KQ

Bab 5 Transistor Efek Medan

1. a. Av = -8,57L
b. Ri = 2,4KA
c. Ro = 4,444KQ
a. Av = Rs" / (Rs" + 1 /gm) dengan Rs" = rdl/Rs/ /Rr
= 0,341
b. Ri = IRL/ /R2--2,4KQ
c. Ro = Fls' / / (1/ grn) dengan Bs' = 1dl /Rs
=275 Q
J. a. Av = 1,500
b.Ri=300e)
c. Ro = 888,888 Q

Bab 6 Penguat Operasional

1. 0=hfeRe/hie
2. BW = 250 KHz
3. a. A.. = 1gg
b.A.., = 0,0018
c. CMRR,"ru = 55555,555
d. Zi - R1 = 1,5 Kf)
e.Zo<Zout=50Q
f.Vo =A^. xVi =10V
s r-,1: =zi,)szzd{s,,
r
l
I ErexrnoNrxa Dasan
174
I

4. a. fc = 72,379 Hz
b. fmin = 723,79 Hz
5. a. fc = 7590F{2
b. fmaks = 759 Hz

Bab 7 Osilator
1. a. Frekuensi keria = 5,305 KHz
b. R3 = 19 KO dan R4 = 2Kel
2. a. Frekuensi kerja = 15,836 KHz
b.A=100danB=0,010
3. a. Frekuensi kerja = 7,699 KHz
b.A=10danB=0,100
4. o. o. = 88,700 KHz dan ut..= 88,997 Kr{z
U. t itrat ekspresi untuk fiekuensi resonans seri dan parallel
c' Q = 5100

Bab 8 Penguat Daya

1. a. 11 =1mA
b.Vu=2Y
C'Vu=1,3Y
d' Ico = 10,833 mA
e. V-, ' = 7,125 V
f. Ciils beban dc memotong sumbu vc dititik vc = Vcc = 72Y dan sumbu i. dititik
i. = Vcc 7 (Rc+R.) = 26,66 mA. Garis bebarr dc melewati.titik kerja Q (V-na., I.a)
g. baris beban ac demotong sumbu i. dititik i. = 33,1 mA dan meleu,'ati titik kerja Q
^
h. Daya kembang V..0, = 7 V
i' P,- = 12,25 -147
j. Pdc = 1.47,996 mW
k'11 = 8'6o/o
2. a. Ice = 707,466 mA
b. V.ro = 70,376Y
c. Giils beban dc memotong sumbu v. dititik v. = Vcc = i2V dan melewati titik
kerja Q (V..p,I..q)
d. R.'= 64 g
e. A lc = 762,725 mA
f. Ic-ou" =263,591 mA
g. C;iis beban ac memotong sumbu i. dititik i. = IC-n*, = 263,597 mA dan
melewati titik kerja Q.
h.Vc"-ok.= 17 V dan V.",,,n = 4V
i. V..,. = 13 V
i vPP' = 3'25 Y

k -:,,'--.
I-,arrrrarrl Soar,
179

k. P,_ = 328,05 mW
1. Pdc = 7270,92mW
m.n = 25,872'k
3. a. Ic(sat) = 750 mA
b. V^-
Lr(oll) =
6Y
c. Caris beban dc adalah vertikal dan memotong sumbu v. di titik Y 6y
_=Ycc/2 =
Caris beban ac memotong sumbu v. dititik v., = 6V dan'sumbu l. Sititik
ic = Vcc / (2RL) = 750 mA
d. Daya kembang r V.Lon = Vcc = 12 V
e.Pr-Ycc2 / (8Rr)=Z2SW
f. Arus rerata pada kedua transistor : Iav = vcc / (nR ) = 477 mA
g.Daya dari penyedia daya : Pdc = Vcc (Iav + 11) dengan
11 (arus pada untai basis) = Vcc / (R1 + R2 + R3 + R4) = 4,417 rnA
Maka Pdc = 2,916W
h.\ = 27,760'k
 LaMPIRAN

Suppcc( infbcrvxrtion con(act , btackiocfcd _Ot@ $ahoo, Cona

--1
 1A2 Er-er<rnortrxa Dasan

LAMPIRAN
LAMPIRAN A

KARATERISTIK GERMANIUM DAN SILIKON

Karateristik Si

Nomor atom 32 74
Bobot atom 72,6 28,1
Densitas (g/cm3) E1? /,;J
Tetapan dielektrik relatif 76 72
Konsentrasi atom (atom/cm3) 4,4 x 70)2 5x1022
Ceiah tenaga, E.o pada 0 K (eV) 0,785 1,21
Celah tenaga, E.- pada 300 K (eV) 0,72 1,7
Konsetrasi intrinsik, n pada 300K (cm 3)
2,5x10'3 1,5x1010
Resitifitas intrinsic pada 300K (Q.cm) 45 230000
Mobilitas electron, ft., pada 300K (cm']/V.s) 3800 1300
I

I Mobilitas lubang. trr. pada 300K (cm'?/V.s) 1800 500

lr
l' Tetapan difusi electron, Dn (cm2ls) 99 34
i: Tetapan difusi lubang, Dp (cm'zls) 47 1J

xls
LzueraqN 183

LAMPIRAN B

ANALISIS PENGUAT TRANSISTOR DENGAN

MODEL EKSAK PARAMETER HIBRID (h)

Model eksak parameter h dari trar-rsistor untuk ketiga konligurasi Common Emitter (CE), Common
Collector (CC), dan Common Base (CB) adalah sebagai berikut (Gambar B.1) :

a) Model CE

te
<__ E
+

b) Modei CC

5 hib

c) Model CB

Gambar B,1 lvlodel eksak parameter 1'r lrntuk transistol berkonfigurasi CE, CC dan CB.

t
r
I 184 Et an<rrroNrx.a Dasan
t:
*B@
r

Untai ekuivaien ac untuk penguat CE, CC dan CB adalah sebagai berikut (Gambar B.2) :

'.1

RL

a). Penguat CE

,.1

RL

b). Penguat CC

Fli -= Ro

c). Penguat CB

Gambar B.2 Untai ekuivalen ac untuk penguat CE, CC dan CB

*
I
Lanrerm 185

Analisis untuk penguat CE dengan transistor diganti dengan model eksak parameter h nya
adalah:

A; _ _
Ir -hr"
dr= = (8. li
ii 1+ho"R;
-.--
Vi
Ri= = hi"rh*AiRr (8.2)
Ii
-
Ar,=
Vo Ai Rr
(B.3)
Vi Ri
-

Vo Av Rr_
A-t,c= = (B 4)
Vs Ri+Rs
-
--
Ro= (B 5)
hn" - hr" h." /(h," + Rs)

Untuk penguat CC atau CB maka subskrip e diganti dengan c atau b.

Formula konversi dari parameter CE ke parameter CC adalah sebagai berikut :

h-= h . (8.6)
h,"=-(1 +h,") (B 7)
hrc =1-h re (8.8)
h =h (B.e)

Sedangkan konversi dari parameter CE ke parameter CC adalah sebagai berikut :

h,"
hiu = (8.10)
( 1 + h6" ) ( 1 - h." ) + h1"hu"

-h* (1-h,")+h," ltr*

h*= (8.11)
( 1 + h1" ) ( 1 - h," ) + hi"h,,o

h," hu"-h." (1+h".)

h,u = (8.12)
( 1 + h,. ) ( 1 -h,") + h,.h..

lL"
h;u = (8.13)
(1+ hs" ) ( 1 - h." ) + h;"hn"

I
 187

DAFTAR, P,U,STAKA

Davidse, Jan. AnalogLte Elecfionic Circuit Desigrt. Prentice-Hall lnt. Inc. 1991.

Franco S. Design t"-itlt Operational Antplifiers and Analog Integrated Circuits. Mc Graw-Hill
International Editions. I 988.

Halkias, Millman. Integrated Electronics. Mc Graw-Hill Kogakusha' Lid., 1912'

Millman J. Microelectronics. Mc Graw-Hill Book Company, 1979.

Painter R"T. Introcluctory Electronic Devices and Circuits. Prentice-Hall Int. lnc., 1997.

Streetman. Ben G. Solid Stute Electronic: Det,ices. Prentice-Hall Int. Inc. 1995.
 189

IND'EKS...

A E
akseptor, S Early (efek), 52
aksi massa (hukum),8 Einstein (relasi), 12
arus baiik jenui-r, 20 elektron bebas, 4
arus difusi,26 elektron valensi, 2, 3
arus drain dengan gate terhubung singkat, 75 enhancenrcnt,81.
arus drift (hanyutan), 26
arus ingsutan (offset), 109 F
F r ekuens i r ool -off, 122
B
Barkhausen (kriteria), 125 G
Beta, 52
garis beban, 31, 54
bidang
gradien konsentrasi, 10
konduksi,4
gradien potensial, 10
valensi,4
BJT ( Bipolar Junction Transistor), 46
Bohr (model),2 H
Boltzmann, I1,72 hanyutan arus ingsutan masukan (input offset
Boron,8 current drift), 109
hukum sambungan (law of function), 25
C
cacat harmonis, 148 I
cacat persilangan (cross-over), 153 integrator, l19
celah tenaga (energy gap),3 intrinsik, 4

D K
dadal (breakdown), 20 kapasitas difusi diode, 27
daerah kapasitas transisi diode, 23
aktif,51 karakteristik dinamis diode, 33
cut-off,51 karakteristik transfer diode, 33
jenuh,51 kesetaraan volt dari suhu, 20
transisi (deplesi), 17 konduktivitas semikonduktor, 5
deplesi, 16, 81 kovalen,8
diferensiator, 121
difusi, 9 L
diode pemancar cahaya (LED), 16 laju ayunan (slaw rate), 110
diode zener ,1.6,28 LED (Light Emitting Diode),16
donor, T lubang (hole),5
doping,6
drift,9
r
I

190
i

M prasikap
mayoritas (pembawa),9 balik, 18
minoritas (pembarva), 9 basis, 53
mobilitas elektron atau lubang, 6
djJi,77
emiter,55
gate,76
N pembagi tegangan,85
Neutrorr,2 sumber arus, 80
zero, 85
o
osilator R
Colpitts,132 rasio penolakan catu daya,709
geser fase, 125 rasio penolakan mode bersama (CMRR), 104
Hartley, 132 reguiasi tegangan,3T
;'embatan r,r'ien, 128 regulator tegangan, 43
kristai, 135 resistans dinamis,2l
Pierce,139 resistans rnaju,22
resistans transisi, 23
P
Panjang difusi,25 S
parameter hibrid, 59 sambungan (junction), 16
Penguat
sernikondiktor, 2
basis bersama (common base), 65
substrat, 81
bedaan (difference amplifire), 118
daya keias A,745
dava kelas A8,757 T
dava kelas 8,154 tapis (filter) kapasitor, 40
drain bersama (common drain), 91 thermql runaiuay,55
diferensial, 103 tegangan
emiier bersamtl (common emitter), c ut - off gate -source, 75
61
gate bersama (comrnon gate), 93 ingsutan masukan (input offset voltage), 105
instrumentasi, 119 pirtch-off (jepit), 7a
investing, 111 tetapan difusi,26
kelas C, 144 titik hantar (cr,rt-in) diode, 41
kolektor bersama (common collector), 63 titik sumbat (cut-out) diode,41
non investing, 115 Thevenin (model),38
source bersama (common soLrrce), 90
penyearah gelombang penuh, 38 w
penyearah setengah gelombang, 35 watak alih untai diode, 33
pengikr-rt emiter, 65 watak dinamis untai diocle,33
pengikut tegangan, 112 watak statis diode,32
pinch- ofi,74
Poisson (persarnaan), 18
potensiai penghalang (barrier),
Z
1 8
Zener,28
potongan linear, (piece. wise linear),22
TrnrnilG Ptttuus

,71/"orro, ,9.; fu.,./"rh dilahirkan di Klaten 2 Mei 1950. Pada tahun 1979
Mada.
dk Penulis menyelesaikan kuliahnya di Fakultas
Pada tahun 1984 Penulis menempuh Diplome
Teknik Universitas
d'Ingenieur de
Gadjah
Specialisation
(Dip1.Ing) di Ecole Nationale Superieure d'Eiectronique et de Radioelectricite de
Grenoble. Gelar Diplome d'Etudes Approfondies (DEA) diraihnya pada tahun
1985 di Universite des Sciences et Techniques du Languedoc (Perancis) di mana
dia juga menyelesaikan gelar Doktornya dalam bidang Komponen Sinyal dan
Sistem pada tahr-rn 1988. Saat ini Penulis tercatat sebagai staf pengajar di iurusan
Teknik Elektro Fakultas Teknik UCM. Di sam,ping mengajar Penulis juga melakukan penelitiat-r
di bidang pemrosesan sinyal dan pernah sebagai peneliti clalam program Riset Unggulan
Terpadu (RUT) untukbidang mikroeiektronik dan komputer.

t\llL!K
Badan Pe r pustilkaAB

Propirrsi Ji.wa firtttlf