TUJUAN

Setelah selesai percobaan praktikan diharapkan dapat:

1. Menggambarkan karakteristik transistor
2. Menampilkan karakteristik input dan output dengan osiloskop
3. Memanfaatkan rangkaian – rangkaian transistor dan prinsip dasarnya
dalam dunia elektronik.

DASAR TEORI
Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron
sebagai prinsip kerjanya. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP, konstruksi
transistor dapat dilihat pada Gambar 5.1.

Gambar 5.1 Konstruksi transistor tipe NPN dan PNP

Karakteristik sebuah transistor biasanya dilihat dari karakteristik rangkaian

dengan konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan ground),
seperti ditunjukkan pada Gambar 5.2.
 Gambar 5.2 Rangkaian pengukuran karakteristik transistor

Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian
Gambar 5.2, yaitu :
1. Karakteristik input transistor, arus basis IB sebagai fungsi VBE.

Gambar 5.3 Grafik IB fungsi VBE pada transistor NPN

 Grafik di atas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan dioda
emitter – basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter menurut
tegangan emitter ke basis akan serupa dengan karakteristik maju dari dioda
hubungan p-n.
 Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barrier-nya,
maka arus bias (IB) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial
barrier-nya, arus bias (IB) akan naik secara cepat.
2. Karakteristik output transistor, arus IC sebagai fungsi VC

Gambar 5.4 Grafik IC fungsi VCE pada transistor NPN

Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja
transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah
aktif dan seterusnya daerah breakdown.

Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus
IC konstan terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus
IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah
linear (linear region).
Jika hukum Kirchoff mengenai tegangan dan arus ditetapkan pada loop kolektor
(rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan:
VCE = VCC – ICRC
Dapat dihitung disipasi daya transistor adalah:
PD = VCE - IC
Disipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor.
Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PD
max. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolahkan
agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi
kapasitas daya PD max, maka transistor dapat rusak atau terbakar.
Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 Volt sampai kira-kira 0.7 Volt
(transistor silicon), yaitu akibat dari efek dioda koleltor-base karena tegengan VCE
belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran electron.

Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinakkan perlahan-lahan, sampai tegangan
VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja
transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi
aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada sisitem digital yang hanya mengenal angka
biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor juga
dapat dimanfaatkan sebagai saklar elektronik untuk komputer dan aplikasi kontrol.

DAFTAR PERALATAN
 1. Power supply DC
2. Power supply AC
3. Multimeter
4. Dioda Silikon
5. Potensiometer 10kΩ; 1kΩ; 470kΩ
6. Resistor 33kΩ; 100kΩ; 3k3Ω; 10Ω
7. Transistor BC 109; BC 160; MJ 2955; 2N3055
8. Osiloskop

DIAGRAM RANGKAIAN

Gambar 4.1 Rangkaian transistor NPN BC 109

Gambar 4.2 Rangkaian transistor PNP 2N 3055

Gambar 4.3 Skema Rangkaian transistor NPN BC109 untuk melihat karakteristik
IC sebagai fungsi VCE (karakteristik output)

Gambar 4.4 Skema Rangkaian transistor PNP 2N 3055 untuk melihat karakteristik
IC sebagai fungsi VCE (karakteristik output)
TABEL EVALUASI

TABEL 1
1. NPN 2N3055

HFE (IC/IB)
IB (μA) IC (mA) VBE(Volt)
(mA)
10 0.86 0.086 0.48
20 2.02 0.101 0.5
30 3.92 0.131 0.51
40 4.97 0.124 0.52
50 6.80 0.136 0.54
60 8.46 0.141 0.55
70 10.4 0.149 0.56
80 11.96 0.149 0.56
90 13.94 0.155 0.57
100 15.96 0.16 0.58

IC (mA)
VCE (Volt)
IB = 25μA IB = 50μA IB = 75μA IB = 100μA
0.1 0.89 3.67 5.27 6.82
0.2 2.68 6.35 10.25 14.65
0.3 3.01 6.7 10.9 15.60
0.5 3.03 6.54 11.44 15.9
1 3.1 6.95 11.35 16.11
 2. PNP BC 160

HFE (IC/IB)
IB (μA) IC (mA) VBE(Volt)
(mA)
10 0.13 0.013 5.3
20 0.21 0.0105 5.25
30 0.29 0.0097 5
40 0.34 0.0085 4.9
50 0.44 0.0088 4.82
60 0.51 0.0085 4.8
70 0.59 0.00843 4.8
80 0.69 0.0086 4.8
90 0.77 0.0086 4.8
100 0.88 0.0088 4.8
IC (mA)
VCE (Volt)
IB = 25μA IB = 50μA IB = 75μA IB = 100μA
0.1 1.38 2.77 3.88 4.75
0.2 2.18 4.84 7.53 10.22
0.3 2.30 4.90 7.80 10.65
0.5 2.31 5.10 7.99 10.82
1 2.34 5.12 8.16 11.00

TABEL
1. NPN 2N3055
VCE (Volt) IC (mA)
 IB = 25μA IB = 50μA IB = 75μA IB = 100μA
0.1 1.22 2.98 4.81 6.89
0.2 1.36 3.16 5.09 7.24
0.3 1.41 3.31 5.27 7.51
0.5 1.49 3.46 5.53 7.83
1 1.65 3.77 5.96 8.43

2. PNP BC 160
IC (mA)
VCE (Volt)
IB = 25μA IB = 50μA IB = 75μA IB = 100μA
0.1 0.36 0.97 1.7 2.41
0.2 0.38 1.04 1.79 2.52
0.3 0.41 1.05 1.85 2.63
0.5 0.44 1.12 1.93 2.73
1 0.48 1.18 2.04 2.87

TUGAS DAN PERTANYAAN

1. Berdasarkan Tabel 1, buatlah grafik karakteristik :

  IC = f (IB)
 IB = f (VBE)
 IC = f (VCE)
2. Apa yang dimaksud dengan karakteristik input dan karakteristik output
pada rangkaian transistor!
3. Mengapa kurva karakteristik output transistor IC = f (VCE) mempunyai beda
panjang?
4. Apa yang dimaksud dengan disipasi daya? Pada grafik IC = f (VCE),
gambarkanlah daerah kerja transistor yang diperbolehkan jika PDmax = 100
mW!
5. Jelaskan bagaimana menentukan baik tidaknya transistor dan menentukan
jenis NPN/PNP transistor!
6. Buatlah rangkaian transistor untuk menghidupkan lampu dan jelaskan cara
kerjanya!

LAPORAN PRAKTIKUM
LABORATORIUM ELEKTRONIKA
SEMESTER 3
Nama Jobsheet : Karakteristik Transistor
Nomor Jobsheet :5
Group :8
Nama Praktikan : Rama Pranomo Suhandy
Nama Partner : Muhammad Syukur Aminnudin
Habib Achmad Alaydrus
Johan Thirdana Putra
Kelas : TL-3B
Tanggal Percobaan :
Tanggal penyerahan :

NILAI:

PROGRAM STUDI TEKNIK LISTRIK

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

2018