SIMULASI RANGKAIAN KURVA KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Disusun oleh :

Thoriq Hadi Pratama 205090801111003

PROGRAM STUDI INSTRUMENTASI

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS BRAWIJAYA
2021
 SOAL

1. Buatlah rangkaian simulasi untuk menguji karakteristik sebuah transistor BJT (silahkan
tipenya dipilih sendiri), yang secara teori kurvanya ditunjukkan pada Gambar-1. Lakukan
analisis terhadap hasil simulasi saudara.

Gambar 1

2. Buatlah rangkaian simulasi penguat CE seperti pada Gambar-2, Saudara boleh berkreasi
terhadap nilai tiap-tiap komponen yang dikuganakan. Selanjutnya lakukan analisis
terhadap hasil simulasi saudara.

Gambar 2
 Rangkaian dan Analisis

1. Penyelesaian
1.1 Rangkaian

1.2 Analisa

Setelah dilakukan simulasi, maka didapatkan hasil sebagai berikut:

Vs1 Ib Ic Vce
1V 7.45 uA -822 uA 519 mV
1.5 V 17.31 uA -2.22 mA 1.0V
2V 27.43 uA -3.67 mA 1.191 V
2.5 V 37.64 uA -5.1 mA 1.375 V
3V 47.91 uA -6.5 mA 1.5 V
4V 68.5 uA -9.14 mA 1.98 V
4. V 78.84 uA -10.4 mA 2.2 V
5V 89.1 uA -11.6 mA 2.4 V

Bisa dilihat bahwa pada nilai Vs1/input berbanding lurus dengan semakin
besar nilai dari arus colector, nilai Ic bernilai. Seperti halnya arus Ic, arus basis Ib juga
naik ± 10uA, dan terus mengalami kenaikan seiring besarnya tegangan input yang
ditambahkan.
2. Penyelesaian
2.1 Rangakain

2.2 Analisa

Dari rangakaian tersebut saat disimulasikan pada tegangan outputnya didapatkan nilai
antara 0 hingga 450 mV, ketika nilai mengalami kenaikan didapatkan hasil 450 mV
dan ketika turum, penurunan akan terjadi secara perlahan hingga mencapai 0V. Nilai
power generator bernilai -9V/9V dengan frekuensi sebesar 10 KHz, yang dialirkan
melewati capasitor dengan nilai 100nF kemudian mengarah ke kaki basis transistor.
pada kaki basis transistor Ib, nilai tegangan pada kaki emitor meiliki nilai berkisar
-175V-25V. untuk nilai arus Ib berkisar 0 – 60 mA, dan Ic berkisaran antara 0 – (-
25uA)