LAPORAN PRAKTIKUM

LABORATORIUM ELEKTRONIKA
SEMESTER 3

Nama Jobsheet : Karakteristik Transistor

Nomor Jobsheet :5
Group :5
Nama Praktikan : Shafira Parameswari ( 1317040155 )
Nama Partner : M. Farhan Al Ghani ( 1317040102 )
Jodi Setiawan ( 1317040211 )
Kelas : D3 Teknik Listrik 3C
Tanggal Percobaan : 8 November 2018
Tanggal penyerahan :22 November 2018

NILAI:

PROGRAM STUDI TEKNIK LISTRIK

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

2018
 KARAKTERSTIK TRANSISTOR

1.1 TUJUAN
Setelah selesai percobaan praktikan diharapkan dapat:
1. Menggambarkan karakteristik transistor
2. Menampilkan karakteristik input dan output dengan osiloskop
3. Memanfaatkan rangkaian – rangkaian transistor dan prinsip dasarnya dalam dunia
elektronik.

1.2 DASAR TEORI

Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron sebagai prinsip
kerjanya. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP, konstruksi transistor dapat dilihat
pada Gambar 5.1.

Gambar 5.1 Konstruksi transistor tipe NPN dan PNP

Karakteristik sebuah transistor biasanya dilihat dari karakteristik rangkaian dengan

konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan ground), seperti
ditunjukkan pada Gambar 5.2.

Gambar 5.2 Rangkaian pengukuran karakteristik transistor

 Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian Gambar 5.2,
yaitu :
1. Karakteristik input transistor, arus basis IB sebagai fungsi VBE.

Gambar 5.3 Grafik IB fungsi VBE pada transistor NPN

 Grafik di atas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan dioda emitter –
basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter menurut tegangan emitter ke basis
akan serupa dengan karakteristik maju dari dioda hubungan p-n.
 Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barrier-nya, maka arus bias
(IB) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barrier-nya, arus bias (IB)
akan naik secara cepat.
2. Karakteristik output transistor, arus IC sebagai fungsi VC

Gambar 5.4 Grafik IC fungsi VCE pada transistor NPN

 Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja transistor.
Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan
seterusnya daerah breakdown.
Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstan
terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari
besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).
Jika hukum Kirchoff mengenai tegangan dan arus ditetapkan pada loop kolektor (rangkaian
CE), maka dapat diperoleh hubungan:
VCE = VCC – ICRC
Dapat dihitung disipasi daya transistor adalah:
PD = VCE - IC
Disipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya
untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PD max. Spesifikasi ini
menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolahkan agar transistor masih bekerja
normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PD max, maka transistor dapat
rusak atau terbakar.
Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 Volt sampai kira-kira 0.7 Volt (transistor
silicon), yaitu akibat dari efek dioda koleltor-base karena tegengan VCE belum mencukupi
untuk dapat menyebabkan aliran electron.
Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinakkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu
tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada
daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai
pada sisitem digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat
direpresentasikan oleh status transistor juga dapat dimanfaatkan sebagai saklar elektronik
untuk komputer dan aplikasi kontrol.
1.3 DAFTAR PERALATAN

1. Power supply DC
2. Power supply AC
3. Multimeter
4. Dioda Silikon
5. Potensiometer 10kΩ; 1kΩ; 470kΩ
6. Resistor 33kΩ; 100kΩ; 3k3Ω; 10Ω
7. Transistor BC 109; BC 160; MJ 2955; 2N3055
8. Osiloskop

1.4 DIAGRAM RANGKAIAN

Gambar 4.1 Rangkaian transistor NPN BC 109

Gambar 4.2 Rangkaian transistor PNP 2N 3055

Gambar 4.3 Skema Rangkaian transistor NPN BC109 untuk melihat karakteristik IC sebagai
fungsi VCE (karakteristik output)

Gambar 4.4 Skema Rangkaian transistor PNP 2N 3055 untuk melihat karakteristik IC sebagai
fungsi VCE (karakteristik output)
 1.5 PROSEDUR PERCOBAAN

1. Rangkailah Gambar 4.1, buatlah agar VCE tetap 5 Volt. Ubahlah nilai IB mulai dari 10
μA sampai 100 μA. Ukurlah nilai IC dan VBE.
IC
Hitunglah HFE = .
IB
Catat hasil pengukuran dan perhitungan pada Tabel 1.
2. Perhatikan cara mengukur parameter dengan menggunakan satu multimeter sebagai
berikut:
 Titik-titik pengukuran arus harus di hubung singkat pada saat multimeter
digunakan untuk mengukur titik yang lain.
 Titik-titik pengukuran tegangan harus dibiarkan terbuka pada saat multimeter
digunakan untuk mengukur titik yang lain.
3. Masih dengan gambar yang sama Gambar 4.1, ubahlah VCE mulai dari 0.1V sampai 5 V
dan ubahlah nilai IB dari 25 μA sampai 100 μA (sesuai Tabel 2). Ukurlah nilai IC. Catat
hasil pengukuran pada Tabel 2.
4. Ulangi langkah 1, 2, 3 untuk rangkaian Gambar 4.2. Catat hasil pengukuran pada Tabel
3 dan 4.
Perhatikan : polaritas pada multimeter harus disesuaikan.
5. Rangkailah Gambar 4.3, ubahlah VCE mulai dari 0.1V sampai 5 V dan ubahlah nilai IB
dari 25 μA sampai 100 μA (sesuai Tabel 5). Ukurlah nilai IC. Catat hasil pengukuran
pada Tabel 5.
6. Untuk menampilkan karakteristik, ubahlah format YT menjadi XY. Gambarkanlah
grafik yang tampak pada layar osiloskop di kertas milimeter blok.
7. Ulangi langkah 5 dan 6 untuk rangkaian Gambar 4.4.
 1.6 TABEL EVALUASI

TABEL 1
NPN BC109
VCE = 5 Volt Tetap
HFE (IC/IB)
IB (μA) IC (mA) VBE(Volt)

10 1.15 115 0.6

20 2.17 108.5 0.55
30 3.08 102.66 0.51
40 3.89 97.25 0.5
50 4.9 98 0.5
60 6.05 100.83 0.54
70 7.63 109 0.58
80 9.34 116.75 0.59
90 10.8 120 0.59
100 16.42 164.2 0.6

TABEL 2
NPN BC 109
IC (mA)
VCE (Volt)
IB = 25μA IB = 50μA IB = 75μA IB = 100μA
0.1 0.81 1.33 1.72 1.98
0.2 2.54 3.8 4.8 5.33
0.3 3.7 6.47 7.9 8.72
0.5 3.91 7.98 10.94 13.05
1 3.95 8.42 12.85 16.24
TABEL 3
PNP BC 160
VCE = 5 Volt Tetap
HFE (IC/IB)
IB (μA) IC (mA) VBE(Volt)

10 0.23 23 0.55
20 0.64 32 0.57
30 1.08 36 0.6
40 1.58 39.5 0.6
50 2.14 42.8 0.6
60 2.6 43.33 0.61
70 3.12 44.57 0.61
80 3.74 46.75 0.62
90 4.21 46.77 0.62
100 4.75 47.5 0.63

TABEL 4
PNP BC 160
IC (mA)
VCE (Volt)
IB = 25μA IB = 50μA IB = 75μA IB = 100μA
0.1 0.08 0.14 0.2 0.25
0.2 0.11 0.23 0.35 0.45
0.3 0.12 0.24 0.36 0.48
0.5 0.12 0.24 0.36 0.49
1 0.14 0.25 0.37 0.5
TABEL 5
BC 109
IC (mA)
VCE (Volt)
IB = 50μA IB = 75μA IB = 100μA IB = 125μA
0.2 6.5 8.5 12 12.6
0.3 7.5 11.1 14.5 17
0.5 8 13 17 20
0.8 8.9 13.5 18.5 22
1 9.1 14.5 19.5 23.5

TABEL 6
BC 160
IC (mA)
VCE (Volt)
IB = 25μA IB = 50μA IB = 75μA IB = 100μA
0.1 0.36 1.23 2.02 2.7
0.2 0.54 1.43 2.3 3.14
0.3 0.64 1.52 2.43 3.30
0.5 0.73 1.6 2.47 3.55
1 0.78 1.8 2.86 3.86
1.7 SOAL DAN PERTANYAAN

1. Berdasarkan tabel 1, buatlah grafik karakteristik :

 IC = f(IB)
 IB = f(VBE)
 IC = f(VCE)
2. Apa yang dimaksud dengan karakteristik input dan karakteristik output pada
rangkaian transistor?
3. Mengapa kurva karakteristik output transistor IC = f(VCE) mempunyai beda
panjang?
4. Apa yang dimaksud dengan disipasi daya? Pada grafik IC = f(VCE),
gambarkan lah daerah kerja transistor yang diperbolehkan jika PDmax =
100mW!
5. Jelaskan bagaimana menentukan baik tidaknya transistor dan menentukan
jenis NPN atau PNP transistor!
6. Buatlah rangkaian transistor untuk menghidupkan lampu dan jelaskan cara
kerjanya!
1.8 ANALISA
1.9 KESIMPULAN