MODUL PRAKTIKUM

“Elektronika Dasar”

Nama : Rafki Sahasika Riyuda

NIM : 09011182227007
Jurusan : Sistem Komputer
Dosen : Aditya P. P. Prasetyo, S.Kom.,M.T.

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN SISTEM DIGITAL

JURUSAN SISTEM KOMPUTER
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
2023

1
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
 4. Bipolar Transistor.

A. Kompetensi dasar.
Mahasiswa dapat :
➢ Mempelajari dan memahami karakteristik transistor NPN.
➢ Mendiskusikan karakteristik transistor yang ideal.

B. Peralatan yang digunakan.

1. Logic circuit trainer.
2. Kabel seperlunya.
3. Multimeter dan osciloskop.
4. Transistor NPN dan resistor.

C. Prosedur praktikum.
Karakteristik transistor (NPN)
1. Buatlah rangkaian transistor bipolar seperti gambar 4.1.

2
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
2. Untuk R1 = 100K ohm dan R2 = 100 ohm.

3. Aturlah potensiometer 10K ohm untuk mendapatkan tegangan dan arusyang

dikehendaki.

4. Gunakan Vcc = 2 V. lalu ukur dan catat Ic dan Vce ketika Ib (arus basis)
berubah-ubah menggunakan potentiometer.
Vcc = 2V
➢ Saat 0%

3
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
➢ Saat 25%

➢ Saat 50%

➢ Saat 75%

➢ Saat 100%

4
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
 No. RV1 Ib (mA) Ic (mA) Vce (Mv)
1 0% 0 0 1000
2 25% 0,03 0,44 62,6
3 50% 0,06 0,45 47,7
4 75% 0,1 0,45 41
5 100% 0,14 0,45 37

Grafik Ib dan Ic terhadap Vce

5. Gunakan Vcc = 4 V. lalu ukur dan catat Ic dan Vce ketika Ib (arus basis)
berubah-ubah menggunakan potentiometer.
Vcc = 4 Volt
➢ Saat 0%

5
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
➢ Saat 25%

➢ Saat 50%

➢ Saat 75%

➢ Saat 100%

6
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
No. RV1 Ib (mA) Ic (mA) Vce (Mv)
1 0% 0 0 1000
2 25% 0,03 0,9 93,8
3 50% 0,06 0,91 75,3
4 75% 0,1 0,91 66,5
5 100% 0,14 0,91 61

7
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
6. Gunakan Vcc = 6 V. lalu ukur dan catat Ic dan Vce ketika Ib (arus basis)
berubah-ubah menggunakan potentiometer.
Vcc = 6 Volt
➢ Saat 0%

➢ Saat 25%

➢ Saat 50%

➢ Saat 75%

8
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
➢ Saat 100%

No. RV1 Ib (mA) Ic (mA) Vce (Mv)

1 0% 0 0 1000
2 25% 0,03 1,36 119
3 50% 0,06 1,37 98,7
4 75% 0,1 1,37 88,8
5 100% 0,14 1,37 82,4

9
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
7. Gunakan Vcc = 8 V. lalu ukur dan catat Ic dan Vce ketika Ib (arus
basis) berubah-ubah menggunakan potentiometer.
Vcc = 8 Volt
➢ Saat 0%

➢ Saat 25%

➢ Saat 50%

10
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
➢ Saat 75%

➢ Saat 100%

No. RV1 Ib (mA) Ic (mA) Vce (Mv)

1 0% 0 0 1000
2 25% 0,03 1,82 143
3 50% 0,06 1,83 120
4 75% 0,1 1,83 109
5 100% 0,14 1,83 102

11
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
D. Tugas.
1. Cari materi dan karakteristik tentang BJT (bipolar junction transistor), jelaskan!
Jawab:
Transistor Bipolar merupakan salah satu transistor dari 2 jenis transistor, transistor
ini disebut BJT (Bipolar Junction Transistor). Transistor Bipolar memiliki 3
terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Emitor dapat dipakai
untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input. Basis,
yaitu pada keluaran tegangan dan arus output dari Kolektor.
Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau
negatifnya berdempet. BJT membutuhkan perpindahan muatan pembawanya
berupa elektron pada kutub negatif guna mengisi kekurangan elektron pada kutub
positif. Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat
menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor.

2. Apa yang dimaksud daerah saturasi, daerah aktif dan daerah breakdown ?
Jawab:
- Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt
(transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang membuat
tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat mengalirkan elektron.

- Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC
konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus
IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah
linear (linear region).

- Daerah Breakdown
Ketika kurva kolektor arus IC menanjak naik dengan cepat. Transistor pada
daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak
boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat me-rusak transistor tersebut.
Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE max yang diperbolehkan
12
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
sebelum breakdown bervari-asi. VCE max pada data book transistor selalu
dicantumkan juga.

13
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
 14
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital